JP2014206803A - 電源回路、電源システムおよび蓄電装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1の半導体素子と第1の定電圧源とからなる第1のシリーズレギュレータと、第2の半導体素子と第2の定電圧源とからなる第2のシリーズレギュレータとが縦続接続された構成とされる。第1のシリーズレギュレータに対する入力電圧が500V以上の高電圧である。
【選択図】図2
Description
なお、以下の説明は、下記の順序でもって行われる。
<1.第1の実施の形態>
<2.第2の実施の形態>
<3.応用例>
<4.変形例>
「蓄電システムの一例」
図1に示すように、蓄電システムには、電力を制御するためにコントロール回路1が設けられている。コントロール回路1は、マイクロコンピュータによって構成されている。コントロール回路1は、充電管理、放電管理、劣化抑制等のための管理を行う。管理のために、蓄電素子例えば電池セルからの電圧、電流、温度等の情報がフィードバック信号として供給され、各種のコントロール信号を出力する。コントロール回路1に対して、DC−DCコンバータ2から電源電圧が供給される。
本開示は、高電圧レギュレータ3に対して適用される。図2は、本開示による高電圧レギュレータの第1の実施の形態の接続を示す。入力電圧Vc が供給される入力端子11が抵抗R1Lおよび抵抗Rsを介して第1の半導体素子例えばIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor):絶縁ゲートバイポーラトランジスタ:MOSFETをゲート部に組み込んだバイポーラトランジスタ)1のコレクタに接続される。IGBTは、入力電極としてのコレクタと、出力電極としてのエミッタと、制御電極としてのゲートとを有する。
電圧および電流に関する記号は、下記に示すような値を表している。
Vc :可変入力電圧
VGE1 :IGBT1のゲート・エミッタ間電圧
VGE2 :IGBT2のゲート・エミッタ間電圧
IB1:ツェナーダイオードZ11〜Z1mを流れる電流
IB2:ツェナーダイオードZ21〜Z2mを流れる電流
IL :負荷電流
VG1:IGBT1のゲート電圧
VG2:IGBT2のゲート電圧
VZ11 〜VZ1m :ツェナーダイオードZ11〜Z1mのそれぞれのツェナー電圧
VZ21 〜VZ2m :ツェナーダイオードZ21〜Z2mのそれぞれのツェナー電圧
Vo :安定化された出力電圧
Pi :入力電力
Po :出力電力
Voi=VG1−VGE1 (1)
Vo =VG2−VGE2 (2)
ここで、
VG1=VZ11+VZ11+・・・・+VZ1m (3)
VG2=VZ11+VZ11+・・・・+VZ1m (4)
である。
Po =Vo ×IL (6)
VG1=610Vとされ、初段のシリーズレギュレータの安定化出力電圧Voiが(610−5.5=605.5V)とされる。
VG2=376Vとされ、初段のシリーズレギュレータの安定化出力電圧Voiが(376−5.5=370.5V)とされる。
このように、各シリーズレギュレータにおいてほぼ200V程度の電圧降下が発生する。
・負荷が軽い場合には、損失を小さくできる。
・複雑なスイッチング制御を必要としないで、回路構成が簡単である。
・危険な異常電圧に対する保護を行うことができる。
・IGBTが縦続接続されているので、各IGBTに対する損失を軽減できる。
図3を参照して本開示の第3の実施の形態について説明する。上述した第1の実施の形態と相違する点につい主に説明する。
追加された回路および回路素子は、以下の通りである。
入力電圧Vc が異常に高くなることを検出するためのコントロール回路12が設けられる。
入力端子11と接地間に検出抵抗Rs1およびRs2の直列回路が挿入され、これらの抵抗の接続点に検出電圧VSNS が取り出され、検出電圧VSNS がコントロール回路12に供給される。
・負荷に加わる出力電圧を徐々に大きくするような時間方向の出力電圧制御が可能となる。
・ツェナーダイオードの直列回路に急激な大電流が流れることを防止して、ツェナーダイオードを保護することができる。
「応用例としての住宅における電力貯蔵装置」
本開示を住宅用の電力貯蔵装置に適用した例について、図4を参照して説明する。例えば住宅101用の電力貯蔵装置100においては、火力発電102a、原子力発電102b、水力発電102c等の集中型電力系統102から電力網109、情報網112、スマートメータ107、パワーハブ108等を介し、電力が蓄電装置103に供給される。これと共に、家庭内発電装置104等の独立電源から電力が蓄電装置103に供給される。蓄電装置103に供給された電力が蓄電される。蓄電装置103を使用して、住宅101で使用する電力が給電される。住宅101に限らずビルに関しても同様の電力貯蔵装置を使用できる。
uetooth(登録商標)、ZigBee(登録商標)、Wi−Fi(登録商標)等の無線通信規格によるセンサネットワークを利用する方法がある。Bluetooth(登録商標)方式は、マルチメディア通信に適用され、一対多接続の通信を行うことができる。ZigBeeは、IEEE(Institute of Electrical and Electronics Engineers) 802.15.4の物理層を使用するものである。IEEE802.15.4は、PAN(Personal Area Network) またはW(Wireless)PANと呼ばれる短距離無線ネットワーク規格の名称である。
本開示を車両用の電力貯蔵装置に適用した例について、図5を参照して説明する。図5に、本開示が適用されるシリーズハイブリッドシステムを採用するハイブリッド車両の構成の一例を概略的に示す。シリーズハイブリッドシステムはエンジンで動かす発電機で発電された電力、あるいはそれを電池に一旦貯めておいた電力を用いて、電力駆動力変換装置で走行する車である。
(1)
第1の半導体素子と第1の定電圧源とからなる第1のシリーズレギュレータと、第2の半導体素子と第2の定電圧源とからなる第2のシリーズレギュレータとが縦続接続され、前記第1のシリーズレギュレータに対する入力電圧が500V以上の高電圧である電源回路。
(2)
前記第1および第2の半導体素子は、入力電極と出力電極と制御電極とをそれぞれ有し、
前記第1および第2の半導体素子のそれぞれの制御電極に対して前記第1および第2の定電圧源がそれぞれ接続される(1)に記載の電源回路。
(3)
入力電圧および出力電圧の少なくとも一方の値を検出する検出部と、前記検出部によって前記値が異常に大であることが検出されると、前記第1および第2の定電圧源の少なくとも一方を制御して前記第1および第2の半導体素子の少なくとも一方をオフとする(1)に記載の電源回路。
(4)
前記第1および第2の定電圧源による電圧値を可変するスイッチを設けてなる(1)に記載の電源回路。
(5)
前記スイッチによって前記電圧値を時間方向で変化させる(4)に記載の電源回路。
(6)
前記第1および第2の定電圧源とそれぞれ並列にコンデンサを設けてなる(1)に記載の電源回路。
(7)
前記第1および第2の制御電極に対して電流制限素子が接続されてなる(6)に記載の電源回路。
(8)
蓄電部と、前記蓄電部の充放電を制御するスイッチ素子と、前記スイッチ素子を制御するコントロール回路と、前記蓄電部の電圧から前記コントロール回路の動作電源を形成する電源回路とを備え、
前記電源回路が(1)に記載の構成を有する電源システム。
(9)
(8)に記載の電源システムが備えられ、
外部電力系統から形成される直流電源が前記蓄電部の充電電源として使用され、
前記蓄電部の出力電源が電子機器に対して供給される蓄電装置。
以上、本開示の実施の形態について具体的に説明したが、上述の各実施の形態に限定されるものではなく、本開示の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。例えば、上述の実施の形態において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値などはあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値などを用いてもよい。例えば上述した電圧の値、電流の値は、一例であり、他の値を採用しても良い。さらに、出力電圧を監視して出力電圧が異常に大きい値となる場合に、半導体素子をオフとするようにしても良い。さらに、半導体素子としては、IGBT以外のFET(Field Effect Transistor)等の素子を使用しても良い。さらに、シリーズレギュレータを3段以上、縦続接続しても良い。また、上述の実施の形態の構成、方法、工程、形状、材料および数値などは、本開示の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。
2・・・DC−DCコンバータ
3・・・高電圧レギュレータ
Z11〜Z1m、Z21〜Z2m、ZP1〜ZP4・・・ツェナーダイオード
SW1、SW2・・・スイッチ
S12〜Z1m、S22〜S2m・・・スイッチ
RG1,RG1・・・ゲート電流制限用抵抗
ZL ・・・負荷
Claims (9)
- 第1の半導体素子と第1の定電圧源とからなる第1のシリーズレギュレータと、第2の半導体素子と第2の定電圧源とからなる第2のシリーズレギュレータとが縦続接続され、前記第1のシリーズレギュレータに対する入力電圧が500V以上の高電圧である電源回路。
- 前記第1および第2の半導体素子は、入力電極と出力電極と制御電極とをそれぞれ有し、
前記第1および第2の半導体素子のそれぞれの制御電極に対して前記第1および第2の定電圧源がそれぞれ接続される請求項1に記載の電源回路。 - 入力電圧および出力電圧の少なくとも一方の値を検出する検出部と、前記検出部によって前記値が基準値よりも大であることが検出されると、前記第1および第2の定電圧源の少なくとも一方を制御して前記第1および第2の半導体素子の少なくとも一方をオフとする請求項1に記載の電源回路。
- 前記第1および第2の定電圧源による電圧値を可変するスイッチを設けてなる請求項1に記載の電源回路。
- 前記スイッチによって前記電圧値を時間方向で変化させる請求項4に記載の電源回路。
- 前記第1および第2の定電圧源とそれぞれ並列にコンデンサを設けてなる請求項1に記載の電源回路。
- 前記第1および第2の制御電極に対して電流制限素子が接続されてなる請求項6に記載の電源回路。
- 蓄電部と、前記蓄電部の充放電を制御するスイッチ素子と、前記スイッチ素子を制御するコントロール回路と、前記蓄電部の電圧から前記コントロール回路の動作電源を形成する電源回路とを備え、
前記電源回路が請求項1に記載の構成を有する電源システム。 - 請求項8に記載の電源システムが備えられ、
外部電力系統から形成される直流電源が前記蓄電部の充電電源として使用され、
前記蓄電部の出力電源が電子機器に対して供給される蓄電装置。
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