JP2003259632A - ソースフォロア型シリーズレギュレータ - Google Patents

ソースフォロア型シリーズレギュレータ

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JP2003259632A
JP2003259632A JP2002053333A JP2002053333A JP2003259632A JP 2003259632 A JP2003259632 A JP 2003259632A JP 2002053333 A JP2002053333 A JP 2002053333A JP 2002053333 A JP2002053333 A JP 2002053333A JP 2003259632 A JP2003259632 A JP 2003259632A
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JP
Japan
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winding
series regulator
source follower
gate
output
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Application number
JP2002053333A
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English (en)
Inventor
Tetsushi Otake
徹志 大竹
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Toko Inc
Original Assignee
Toko Inc
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 シリーズレギュレータの動作方法を改善して
効率を向上させる。 【解決手段】 制御素子にMOSFETを用いソースフ
ォロア型として用いるものにトランスを接続する。入力
端とドレイン間に第1の巻線、第1の巻線と逆相で抵抗
とコンデンサを介してゲートに接続される第2の巻線を
用いることによって、第2の巻線の誘起電圧をゲートに
正帰還させて自励発振を可能にする。さらに第1の巻線
と同相の第3の巻線の出力をソースフォロア電圧に出力
として重畳させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、シリーズレギュレ
ータに係るもので、特にソースフォロア型の回路をスイ
ッチング型にすることによって、効率を大幅に改善した
シリーズレギュレータに関するものである。
【0002】
【従来の技術】直流電圧の安定化を図るために、入力ま
たは負荷の変動に対して安定した出力電圧を得る回路と
して、入出力間に直列に制御素子を入れるシリーズレギ
ュレータが用いられる。一般に、制御素子としてトラン
ジスタが用いられるが、スイッチング動作ではなく、不
飽和領域で使用されるので損失が大きくなり、効率が悪
い。
【0003】MOSFETを用いたシリーズレギュレー
タとして図2に示した回路が知られている。制御素子と
してMOSFETQ1を用い、入力側にドレインが接続
され、出力側にソースが接続されたソースフォロア型と
なっている。入力端と出力端は抵抗を介してゲートに接
続され、ゲートには定電圧ダイオードとしてツェナーダ
イオードZD1が接続されている。
【0004】入力電圧あるいは負荷が変動した場合で
も、定電圧ダイオードであるツェナーダイオードZD1
の作用で制御素子であるMOSFETQ1のゲート−ソ
ース間電圧が一定に保たれ、制御素子を経て出力端に得
られる出力を一定に保つように動作する。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】このような回路はリニ
アレギュレータとして動作し、上記のように効率が悪い
という欠点を有している。一般に効率ηは η=(V/VININ)×100(%) ≒(V/VIN)×100(%) (∵IIN≒I) (ただし、VIN:入力電圧、IIN:入力電流、VO:出力電
圧、IO:出力電流)で表わされ、効率はVINとVでほ
ぼ一義的に決定され、VINとVOとの比が大きくなるほど
効率が低下する特徴を持っている。
【0006】本発明は、効率が大幅に改善されたシリー
ズレギュレータを提供するものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、シリーズレギ
ュレータに自励発振機能を持たせることによって、上記
の課題を解決するものである。
【0008】すなわち、出力側にソースが接続されたM
OSFETを制御素子として入出力間に配置し、そのM
OSFETのゲートに定電圧ダイオードが接続されたソ
ースフォロア型シリーズレギュレータにおいて、入力側
とそのMOSFET間にトランスが接続され、その第1
の巻線が入力端とドレインに接続され、第2の巻線の一
端がコンデンサ(あるいは抵抗とコンデンサ)を介して
ゲートに接続され、第2の巻線に発生した信号でMOS
FETのゲートに帰還をかけて自励発振することに特徴
を有するものである。
【0009】
【発明の実施の形態】本発明において付加される回路素
子は、トランスとその巻線に接続される素子である。ト
ランスは主導電路に接続される第1の巻線、入力端、ソ
ースあるいはグラウンドに一端が接続されて他端が抵抗
とコンデンサを介して制御素子の制御端子(ゲート)に
接続され、第の1巻線と逆相となる第2の巻線、とを具
える。さらに、第1の巻線と同相の第3の巻線の出力を
ソースフォロア電圧に重畳させる。
【0010】
【実施例】以下、図面を参照して、本発明の実施例につ
いて説明する。図1は本発明の実施例を示す回路図で、
基本構成は図2の回路と変わりはない。ただ、トランス
Tを具えており、入力側に接続している。トランスT
は、3つの巻線を含んでおり、主導電路に接続される第
1の巻線、入力端に一端が接続されて他端が抵抗とコン
デンサを介して制御素子の制御端子(ゲート)に接続さ
れ、第1の巻線と逆相となる第2の巻線とによって自励
発振回路が構成される。また、第3の巻線はMOSFETQ1
オフした際に第1の巻線に発生するフライバック電力を
出力側に還流させる目的で使用される。
【0011】上記のように、MOSFETQ1、ツェナ
ーダイオードZD1、と抵抗R2によってシリーズレギュ
レータを構成している。この回路の入力端とドレイン間
にトタンスTの第1の巻線L1を接続し、第2の巻線L
の一端を入力端に、他端を抵抗R1、コンデンサC1を介
してゲートに接続する。これによって1次巻線となる第
1の巻線の状態によって2次巻線となる第2の巻線L2
誘起される電圧が抵抗、コンデンサを介してMOSFE
TQ1のベースに正帰還され、自励発振させることがで
きる。
【0012】また、第3の巻線L3を第1の巻線L1と同
相にして、一端を接地して他端をダイオードD1を介し
てMOSFETのソース側に接続する。第3の巻線L3
に誘起された電圧がダイオードD1で整流され、コンデ
ンサC3によって平滑化されて、ソースフォロア電圧に
重畳されて出される。なお、ここで第1の巻線と第3の
巻線との間に接続されているコンデンサC4は、トラン
スの結合度を等価的に向上させるために用いるものであ
り、仕様によっては省略してもよい。
【0013】なお上記の例では第2の巻線L2の一端を入
力端VINに接続したが、MOSFETQ1のソースあ
るいはグラウンドに接続してもよい。
【0014】
【発明の効果】本発明によれば、リニア型のシリーズレ
ギュレータに発振機能(自励発振動作)を持たせること
ができるので、スイッチング型のシリーズレギュレータ
が構成されることになるので、電力変換効率を大幅に高
めることができる。例えば、入力10V、出力5V1Aの
リニア型のシリーズレギュレータでは効率が50%以下で
あったが、上記の回路構成を採用することによって約85
%の効率を得ることができた。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施例を示す回路図
【図2】 従来のソースフォロア型シリーズレギュレー
タを示す回路図
【符号の説明】
Q1:MOSFET ZD1:ツェナー(定電圧)ダイオード T:トランス L1:第1の巻線(1次巻線) L2:第2の巻線 L3:第3の巻線

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 出力側にソースが接続されたMOSFE
    Tを制御素子として入出力間に配置し、そのMOSFE
    Tのゲートに定電圧ダイオードが接続されたソースフォ
    ロア型シリーズレギュレータにおいて、 入力側とそのMOSFET間にトランスが接続され、そ
    の第1の巻線が入力端とドレインに接続され、第2の巻
    線の一端がコンデンサを介してゲートに接続されたこと
    を特徴とするソースフォロア型シリーズレギュレータ。
  2. 【請求項2】 出力側にソースが接続されたMOSFE
    Tを制御素子として入出力間に配置し、そのMOSFE
    Tのゲートに定電圧ダイオードが接続されたソースフォ
    ロア型シリーズレギュレータにおいて、入力側とそのM
    OSFET間にトランスが接続され、その第1の巻線が
    入力端とドレインに接続され、第2の巻線の一端がコン
    デンサを介してゲートに接続され、第2の巻線に発生し
    た信号でMOSFETのゲートに帰還をかけて自励発振
    することを特徴とするソースフォロア型シリーズレギュ
    レータ。
  3. 【請求項3】 当該トランスに第3の巻線を具え、その
    第3の巻線に誘起された電圧をダイオードで整流してソ
    ースフォロア電圧に重畳させる請求項1または請求項2
    記載のソースフォロア型シリーズレギュレータ。
JP2002053333A 2002-02-28 2002-02-28 ソースフォロア型シリーズレギュレータ Pending JP2003259632A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100967032B1 (ko) * 2008-04-08 2010-06-30 삼성전기주식회사 자려 발진 방식 고압 전원 장치
US8274805B2 (en) 2008-04-08 2012-09-25 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. High voltage power supply
EP2814157A2 (en) 2013-04-11 2014-12-17 Sony Corporation Power supply circuit, power supply system, and electric storage device
EP4277107A1 (en) * 2022-05-10 2023-11-15 Delta Electronics Inc. Hybrid power conversion circuit

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