JP2014192548A - 出力回路、半導体集積回路、振動デバイス、電子機器、および移動体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基準電圧Vddを基にして抵抗比で定められる第1の出力電圧V1、V2を生成する第1の回路13と、第1の出力電圧と、出力信号の第2の出力電圧(出力信号DO、DObの電圧)を設定することが可能な第2のトランジスターN3、N5のソース電圧VsH、VsLと、を比較して、第1のトランジスターN9、N10が第2の出力電圧を出力するために必要な出力ゲート電圧VgH、VgLを生成する第2の回路14と、出力ゲート電圧を第1のトランジスターへ印加するタイミングを、入力制御信号S、Sbに基づいて制御する第3の回路15と、を含む。
【選択図】 図1
Description
本適用例に係る出力回路は、ドレイン端子に電源電圧が印加され、ソース端子から出力信号を出力するMOS型の第1のトランジスターを出力段とする出力回路であって、基準電圧を基にして抵抗比で定められる第1の出力電圧を生成する第1の回路と、前記第1の出力電圧と、前記出力信号の第2の出力電圧を設定することが可能な第2のトランジスタ
ーのソース電圧と、を比較して、前記第1のトランジスターが前記第2の出力電圧を出力するために必要な出力ゲート電圧を生成する第2の回路と、前記出力ゲート電圧を前記第1のトランジスターへ印加するタイミングを、入力制御信号に基づいて制御する第3の回路と、を含む。
上記適用例に係る出力回路において、前記第2の回路は、前記第1のトランジスターのレプリカ回路を含んでもよい。
上記適用例に係る出力回路において、前記レプリカ回路は、ドレイン端子に電源電圧が印加されるレプリカトランジスターと、前記レプリカトランジスターのソース端子に接続される電流源と、を含み、前記第2の回路は、前記レプリカトランジスターのソース端子の電圧と、前記第2の出力電圧とが一致するように、前記レプリカトランジスターのゲート電圧であるレプリカトランジスター調整電圧を生成し、前記レプリカトランジスター調整電圧を前記出力ゲート電圧としてもよい。
上記適用例に係る出力回路において、前記レプリカ回路は、前記第1のトランジスターよりもサイズの小さい前記レプリカトランジスターを含んでもよい。
でいてもよい。第2の回路は、第1のトランジスターのレプリカ回路を含むことで、出力信号の出力電圧の複製を正確に行うことができる。
上記適用例に係る出力回路において、前記出力信号は、信号レベルとして第1のレベル、および前記第1のレベルと異なる第2のレベルをとり、前記第1の回路は、前記第1のレベル、前記第2のレベルのそれぞれに対応する前記第1の出力電圧を生成し、前記第2の回路は、前記第1のレベル、前記第2のレベルのそれぞれに対応する前記出力ゲート電圧である第1の出力ゲート電圧、第2の出力ゲート電圧を生成し、前記第3の回路は、前記入力制御信号に基づいて、前記第1の出力ゲート電圧および前記第2の出力ゲート電圧の一方を選択して前記第1のトランジスターに印加してもよい。
上記適用例に係る出力回路において、前記出力信号は複数であってもよい。
上記適用例に係る出力回路において、前記出力信号は差動出力であってもよい。
の影響によらずに、所望の出力電圧にすることができる。なお、複数の信号レベルは3つ以上であってもよい。
本適用例に係る半導体集積回路は、前記適用例に係る出力回路と、発振素子を発振させて発振信号を生成する発振回路と、を含み、前記出力回路は、前記発振信号を前記入力制御信号とする。
本適用例に係る振動デバイスは、前記適用例に係る半導体集積回路と、前記発振素子と、を含む。
本適用例に係る電子機器は、前記適用例に係る半導体集積回路を含む。
本適用例に係る移動体は、前記適用例に係る半導体集積回路を含む。
明する実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。
[出力回路の構成]
図1は、本実施形態の出力回路11の構成例を示す図である。出力回路11は後述する半導体集積回路10の出力段を構成し、非反転発振信号S、反転発振信号Sbに基づいて、PECL(Positive Emitter Coupled Logic)の差動出力信号である非反転出力信号DO、反転出力信号DObを出力する。なお、非反転発振信号S、反転発振信号Sbは本発明の入力制御信号に対応し、非反転出力信号DO、反転出力信号DObは本発明の出力信号に対応する。なお、以下において、非反転出力信号DOと反転出力信号DObとを区別する必要がない場合には、単に「出力回路11の出力信号」と表現する。
そして、図1のトランジスターP2はトランジスターP1と同じ形状であって、トランジスターP2にも電流Irが流れる。また、トランジスターP2に接続されたトランジスターN1とトランジスターN2とはカレントミラーを構成している。このとき、ミラー比は1であり、トランジスターN2にも電流Irが流れる。なお、ミラー比は1以外であってもよい。
第1の出力電圧V1、V2は、電源電圧Vdd、安定な基準電圧Vrと抵抗Rr、抵抗R1、抵抗R2の抵抗比で定められるため、製造ばらつきに影響されることなく高い精度を得ることができる。つまり、抵抗Rr、抵抗R1、抵抗R2は同じようにばらつくため、これらの抵抗比で定められる第1の出力電圧V1、V2は製造ばらつきに影響されない。
スイッチ(以下、第2の切替スイッチとする)を含む。第1の切替スイッチも第2の切替スイッチも出力ゲート電圧VgHまたは出力ゲート電圧VgLを出力する。
図2は、出力回路11と発振回路12とを含む半導体集積回路10を、水晶振動子26(本発明の発振素子に対応)と接続した状態を示す図である。図2のように出力回路11は半導体集積回路10の出力段として用いられる。なお、図1と同じ要素については同じ符号を付しており説明を省略する。
[従来の出力回路との比較]
ここで、本実施形態の出力回路11が以上のように半導体集積回路10の出力段として使用されることを前提として、従来の出力回路1011A、1011Bとの比較を行う。図9は、従来の出力回路1011Aを表す回路図である。出力回路1011Aは、出力トランジスターとしてNPNトランジスターQ1、Q2を用いている。なお、図1〜図3(B)と同じ要素には同じ符号を付しており説明を省略する。
2の抵抗比によって定めることができる。
ゲットにしてもよい。電流I1、I2の電流値がターゲットからずれると、レプリカトランジスターN3、N5のオーバードライブ電圧にもずれが生じる。しかし、出力トランジスターN9、N10のゲート幅を十分大きくとれば、VgsH、VgsLは、閾値電圧Vthが支配的であるためオーバードライブ電圧のずれは無視できる。そのため、電流I1、I2には高い精度は求められない。
本実施形態の振動デバイス200は、出力回路211、発振回路212、発振回路212により発振する発振素子230を含むものである。出力回路211と発振回路212とは、半導体集積回路210として振動デバイス200に含まれていてもよい。本実施形態の振動デバイス200の説明において、出力回路211は図1、図2の出力回路11が対応し、発振回路212は図2の発振回路12が対応し、半導体集積回路210は図2〜図3(B)の半導体集積回路10が対応する。なお、後述する温度補償型発振器の発振回路212は、図2の発振回路12の構成に加えて温度補償を行う回路を含んでいるものとする。
210を構成していてもよい。
本実施形態の電子機器300について、図6〜図7を用いて説明する。なお、図1〜図5と同じ要素については同じ番号、符号を付しており説明を省略する。
Memory)350、通信部360、表示部370、音出力部380を含んで構成されている。なお、電子機器300は、図6の構成要素(各部)の一部を省略又は変更してもよいし、他の構成要素を付加した構成としてもよい。
本実施形態の移動体400について、図8を用いて説明する。
本発明は、前記の実施形態で説明した構成と実質的に同一の構成(例えば、機能、方法および結果が同一の構成、あるいは目的および効果が同一の構成)を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
Claims (11)
- ドレイン端子に電源電圧が印加され、ソース端子から出力信号を出力するMOS型の第1のトランジスターを出力段とする出力回路であって、
基準電圧を基にして抵抗比で定められる第1の出力電圧を生成する第1の回路と、
前記第1の出力電圧と、前記出力信号の第2の出力電圧を設定することが可能な第2のトランジスターのソース電圧と、を比較して、前記第1のトランジスターが前記第2の出力電圧を出力するために必要な出力ゲート電圧を生成する第2の回路と、
前記出力ゲート電圧を前記第1のトランジスターへ印加するタイミングを、入力制御信号に基づいて制御する第3の回路と、
を含む出力回路。 - 請求項1に記載の出力回路において、
前記第2の回路は、
前記第1のトランジスターのレプリカ回路を含む出力回路。 - 請求項2に記載の出力回路において、
前記レプリカ回路は、
ドレイン端子に電源電圧が印加されるレプリカトランジスターと、
前記レプリカトランジスターのソース端子に接続される電流源と、
を含み、
前記第2の回路は、
前記レプリカトランジスターのソース端子の電圧と、前記第2の出力電圧とが一致するように、前記レプリカトランジスターのゲート電圧であるレプリカトランジスター調整電圧を生成し、
前記レプリカトランジスター調整電圧を前記出力ゲート電圧とする出力回路。 - 請求項3に記載の出力回路において、
前記レプリカ回路は、
前記第1のトランジスターよりもサイズの小さい前記レプリカトランジスターを含む出力回路。 - 請求項1乃至4のいずれか1項に記載の出力回路において、
前記出力信号は、信号レベルとして第1のレベル、および前記第1のレベルと異なる第2のレベルをとり、
前記第1の回路は、
前記第1のレベル、前記第2のレベルのそれぞれに対応する前記第1の出力電圧を生成し、
前記第2の回路は、
前記第1のレベル、前記第2のレベルのそれぞれに対応する前記出力ゲート電圧である第1の出力ゲート電圧、第2の出力ゲート電圧を生成し、
前記第3の回路は、
前記入力制御信号に基づいて、前記第1の出力ゲート電圧および前記第2の出力ゲート電圧の一方を選択して前記第1のトランジスターに印加する出力回路。 - 請求項1乃至5のいずれか1項に記載の出力回路において、
前記出力信号は複数である出力回路。 - 請求項6に記載の出力回路において、
前記出力信号は差動出力である出力回路。 - 請求項1乃至7のいずれか1項に記載の出力回路と、
発振素子を発振させて発振信号を生成する発振回路と、
を含み、
前記出力回路は、
前記発振信号を前記入力制御信号とする半導体集積回路。 - 請求項8に記載の半導体集積回路と、
前記発振素子と、
を含む振動デバイス。 - 請求項8に記載の半導体集積回路を含む電子機器。
- 請求項8に記載の半導体集積回路を含む移動体。
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