JP2014192283A - 電子機器、実装基板、及び実装基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】電子部品を実装基板にコンパクトに実装することが可能な電子機器を提供することである。
【解決手段】本発明にかかる電子機器は、電子部品１０と実装基板２０とを備える。電子部品１０は、第１の端子部１１と、第１の端子部１１と離間して配置された第２の端子部１２と、第１の端子部１１と第２の端子部１２との間の少なくとも一部に形成された第１の凹凸部１３と、を備える。実装基板２０は、電子部品１０が実装され、当該電子部品１０に形成されている第１の凹凸部１３と対応する位置に第２の凹凸部２３が形成されている。第２の凹凸部２３が備える凸部２４は、第１の凹凸部１３が備える凸部１４と対向している。
【選択図】図３Ｂ

Description

本発明は電子機器、実装基板、及び実装基板の製造方法に関する。

近年、電子機器が小型化するにつれて、電子部品を実装基板にコンパクトに実装する技術が重要となってきている。特許文献１には、トランスを実装基板に実装する技術が開示されている。特許文献１に開示されている技術では、実装基板に形成された孔部にトランスのリード端子を挿入し、実装基板の裏面にある導電部にはんだ付けしている。トランスと実装基板との間には、各リード端子が挿通される挿通孔を有し、トランスの荷重を受ける絶縁素材からなる台座を設けている。

特開２００７−２５８４８４号公報

特許文献１には、トランス（電子部品）を実装基板に実装する技術が開示されている。しかしながら、実装基板に実装される電子部品が高電圧で使用される電子部品である場合は、端子間の絶縁性を確保するために、端子間の沿面距離を十分に確保する必要がある。このため、電子部品を実装基板にコンパクトに実装することが困難になるという問題があった。

上記課題に鑑み本発明の目的は、電子部品を実装基板にコンパクトに実装することが可能な電子機器、実装基板、及び実装基板の製造方法を提供することである。

本発明にかかる電子機器は、第１の端子部と、前記第１の端子部と離間して配置された第２の端子部と、前記第１の端子部と前記第２の端子部との間の少なくとも一部に形成された第１の凹凸部と、を備える電子部品と、前記電子部品が実装され、当該電子部品に形成されている前記第１の凹凸部と対応する位置に第２の凹凸部が形成された実装基板と、を有し、前記第２の凹凸部が備える凸部は前記第１の凹凸部が備える凸部と対向している。

本発明にかかる実装基板は、電子部品が実装される実装基板であって、前記実装基板は、前記電子部品の第１の端子部と当該第１の端子部と離間して配置された第２の端子部との間の少なくとも一部に形成された第１の凹凸部と対応する位置に形成された第２の凹凸部を備え、前記第２の凹凸部が備える凸部は前記第１の凹凸部が備える凸部と対応する位置に配置されている。

本発明にかかる実装基板の製造方法は、絶縁体基板を含む第１の構造体を形成し、複数の絶縁体基板が互いに積層され、実装される電子部品に形成された第１の凹凸部の凸部と対向する位置に凸部が配置された第２の凹凸部が形成された第２の構造体を形成し、前記第１および第２の構造体を積層する。

本発明により、電子部品を実装基板にコンパクトに実装することが可能な電子機器、実装基板、及び実装基板の製造方法を提供することができる。

実施の形態１にかかる電子機器が備える電子部品の上面図である。 実施の形態１にかかる電子機器が備える電子部品の側面図である。 実施の形態１にかかる実装基板の上面図である。 実施の形態１にかかる実装基板の側面図である。 実施の形態１にかかる電子機器の上面図である。 実施の形態１にかかる電子機器の側面図である。 実施の形態１にかかる電子機器の凹凸部付近の拡大側面図である。 実施の形態１にかかる電子機器の凹凸部付近の拡大側面図である。 電子機器の凹凸部付近の拡大側面図である。 実施の形態１にかかる実装基板の上面図であり、第１の端子部と第２の端子部との間の沿面距離を説明するための図である。 実施の形態１にかかる実装基板の側面図であり、第１の端子部と第２の端子部との間の沿面距離を説明するための図である。 実施の形態１にかかる電子機器の他の態様を示す側面図である。 実施の形態１にかかる電子部品が備える凹凸部の形状の一例を示す拡大断面図である。 実施の形態１にかかる電子部品が備える凹凸部の形状の一例を示す拡大断面図である。 実施の形態１にかかる電子部品が備える凹凸部の形状の一例を示す拡大断面図である。 実施の形態１にかかる電子部品が備える凹凸部の形状の一例を示す拡大断面図である。 実施の形態１にかかる電子部品が備える凹凸部の形状の一例を示す拡大断面図である。 実施の形態１にかかる実装基板の製造方法を説明するための側面図である。 実施の形態１にかかる実装基板の製造方法の他の態様を説明するための側面図である。 実施の形態２にかかる実装基板の上面図である。 実施の形態２にかかる実装基板の側面図である。 実施の形態２にかかる電子機器の上面図である。 実施の形態２にかかる電子機器の側面図である。 実施の形態２にかかる実装基板の他の態様を示す上面図である。 実施の形態２にかかる実装基板の他の態様を示す側面図である。 実施の形態２にかかる電子機器の他の態様を示す上面図である。 実施の形態２にかかる電子機器の製造方法を説明するための側面図である。 実施の形態２にかかる電子機器の製造方法を説明するための上面図である。 実施の形態２にかかる電子機器の製造方法を説明するための上面図である。 実施の形態３にかかる電子機器が備えるトランスの上面図である。 実施の形態３にかかる電子機器が備えるトランスの側面図である。 図２３Ｂに示すトランスの切断線Ｃ−Ｃにおける断面図である。 図２３Ｂに示すトランスの切断線Ｄ−Ｄにおける断面図である。 図２３Ａに示すトランスの切断線Ｅ−Ｅにおける断面図である。 実施の形態３にかかる実装基板の上面図である。 実施の形態３にかかる実装基板の側面図である。 実施の形態３にかかる電子機器の上面図である。 実施の形態３にかかる電子機器の側面図である。 実施の形態３にかかる電子機器が備えるトランスの製造方法を説明するための側面図である。 実施の形態３にかかる電子機器が備えるトランスの製造方法を説明するための側面図である。 実施の形態３にかかる電子機器が備えるトランスの製造方法を説明するための側面図である。

＜実施の形態１＞
以下、本発明の実施の形態１について説明する。図１Ａは、本実施の形態にかかる電子機器が備える電子部品１０の上面図である。図１Ｂは、本実施の形態にかかる電子機器が備える電子部品１０の側面図である。本実施の形態にかかる電子機器は、電子部品１０と実装基板２０とを備えており、電子部品１０は実装基板２０に実装されている（図３Ａ、図３Ｂ参照）。

電子部品１０は高電圧で使用される電子部品、つまり高電圧が入出力される電子部品である。換言すると、電子部品１０は、高電圧側の端子部と低電圧側の端子部との間の沿面距離を考慮する必要がある電圧レベルで動作する電子部品である。電子部品１０は、例えばトランス、リレー、フォトカプラ、センサ等である。

図１Ａ、図１Ｂに示すように、電子部品１０は、第１の端子部１１、第２の端子部１２、および凹凸部１３を備える。第１の端子部１１と第２の端子部１２は、互いに離間するように配置している。例えば、第１の端子部１１は電子部品１０の一方の端部に配置している。また、第２の端子部１２は、電子部品１０の一方の端部と対向する他方の端部に配置している。例えば、第１の端子部１１は高電圧側の端子部であり、第２の端子部１２は低電圧側の端子部である。

電子部品１０の筐体（つまり、外周部分を構成している部材）は、絶縁材料を用いて構成している。また、第１の端子部１１と第２の端子部１２との間の少なくとも一部には、凹凸部１３（第１の凹凸部）を形成している。このように凹凸部１３（凸部１４および凹部１５）を設けることで、第１の端子部１１と第２の端子部１２との間の沿面距離を確保することができ、電子部品１０の絶縁性（つまり、第１の端子部１１と第２の端子部１２との間の絶縁性）を高めることができる。本実施の形態では、電子部品１０の両側の側面および上下面に凹凸部１３を設けている。また、電子部品１０の絶縁性を考慮すると、第１の端子部１１および第２の端子部１２以外の部分は絶縁材料の筐体で覆うことが好ましい。

図２Ａは、本実施の形態にかかる実装基板２０の上面図である。図２Ｂは、本実施の形態にかかる実装基板２０の側面図である。図２Ａ、図２Ｂに示すように、実装基板２０は、第３の端子部２１、第４の端子部２２、および凹凸部２３（第２の凹凸部）を備える。凹凸部２３（凸部２４および凹部２５）は、第３の端子部２１と第４の端子部２２との間に配置されている。また、凹凸部２３は、実装する電子部品１０の凹凸部１３と対応する位置に設けられている（図３Ａ、図３Ｂ参照）。図２Ｂに示す実装基板２０では、凹凸部２３は、実装基板２０の電子部品１０が実装される側の面（第１の面）に形成されている。

例えば、本実施の形態にかかる実装基板２０は、複数の絶縁体基板を互いに積層して構成してもよい。この場合は、実装基板２０を構成する各々の絶縁体基板に、同一の材料からなる絶縁体基板を用いることが好ましい。同一の材料からなる絶縁体基板を用いることで、実装基板２０の振動や衝撃に対する耐性を高めることができる。また、同一の材料からなる絶縁体基板を用いることで、実装基板２０を構成する絶縁体基板の熱膨張係数を略等しくすることができ、実装基板２０の温度サイクル特性を向上させることができる。

図３Ａは、本実施の形態にかかる電子機器の上面図である。図３Ｂは、本実施の形態にかかる電子機器の側面図である。つまり、図３Ａ、図３Ｂは、電子部品１０を実装基板２０に実装している状態を示している。図３Ｂに示すように、電子部品１０の第１の端子部１１は、リード部材２７を用いて実装基板２０の第３の端子部２１と電気的に接続されている。また、電子部品１０の第２の端子部１２は、リード部材２８を用いて実装基板２０の第４の端子部２２と電気的に接続されている。

ここで、リード部材２７、２８は、電子部品１０と実装基板２０とを電気的に接続すると共に、電子部品１０を実装基板２０に固定する固定部材として用いてもよい。なお、リード部材２７、２８とは別に固定部材を設けて、電子部品１０を実装基板２０に固定してもよい。図３Ａ、図３Ｂに示す電子機器では、電子部品１０の第１の端子部１１と第２の端子部１２とが実装基板２０側を向くように電子部品１０を実装している。

また、図３Ａ、図３Ｂに示すように、本実施の形態にかかる電子機器では、電子部品１０の凹凸部１３と実装基板２０の凹凸部２３とが互いに対応する位置となるように実装している。すなわち、実装基板２０の凸部２４が電子部品１０の凸部１４と対向するように配置している。また、実装基板２０の凹部２５が電子部品１０の凹部１５と対向するように配置している。図３Ｂに示す場合は、電子部品１０の実装基板２０側の面に配置されている凸部１４と、実装基板２０の電子部品１０側の面に配置されている凸部２４とが対向している。

図４は、本実施の形態にかかる電子機器の凹凸部１３、２３付近の拡大側面図である。図４に示すように、電子部品１０の凹凸部１３における沿面距離ｄ１は、凹凸部１３に沿った距離となる。また、実装基板２０の凹凸部２３における沿面距離ｄ２は、凹凸部２３に沿った距離となる。ここで、本実施の形態では、電子部品１０の凸部１４と、実装基板２０の凸部２４とが互いに対向するように配置している。換言すると、電子部品１０の凹凸部１３の位相と実装基板２０の凹凸部２３の位相とが略同一となるように構成している。

このように、凸部１４と凸部２４とを互いに対向するように配置することで、電子部品１０と実装基板２０とが近づいた場合であっても、電子部品１０の凹凸部１３における沿面距離ｄ１と実装基板２０の凹凸部２３における沿面距離ｄ２とが減少することを抑制することができる。

すなわち、図６に示すように、電子部品１０の凸部１４の位置と、実装基板２０の凸部２４の位置とが互いにずれていると、電子部品１０の凹凸部１３における沿面距離および実装基板２０の凹凸部２３における沿面距離は、沿面距離ｄ３となる。つまり、電子部品１０の凹凸部１３の位相と実装基板２０の凹凸部２３の位相とがずれていると、凹凸部１３、２３を通る沿面距離は、凸部１４の先端部および凸部２４の先端部を通る距離となり、凹部１５、２５の側壁や底面に沿った沿面距離は無視される。このため、凹凸部１３、２３を通る沿面距離は短くなる。

これに対して本実施の形態では、電子部品１０の凹凸部１３の位相と実装基板２０の凹凸部２３の位相とを略同一となるように構成している。よって、電子部品１０の凹凸部１３と実装基板２０の凹凸部２３とが近づいた場合であっても、電子部品１０の凹凸部１３における沿面距離ｄ１と実装基板２０の凹凸部２３における沿面距離ｄ２とが減少することを抑制することができる。したがって、電子部品１０および実装基板２０の絶縁性を保ちつつ、電子部品１０と実装基板２０とを近づけて配置することができ、電子部品１０を実装基板２０にコンパクトに実装することができる。

ここで、端子間の絶縁性は、端子間の沿面距離のうち最も沿面距離が短い箇所に依存する。このため、例えば凹部２５を凹部１５よりも深く形成したとしても、絶縁性は凹部１５を通る沿面距離によって決定される。よって、凹凸部１３が備える凹部１５の深さと凹凸部２３が備える凹部２５の深さは略同一とすることが好ましい。また、凹凸部１３が備える凸部１４の間隔と凹凸部２３が備える凸部２４の間隔も略同一とすることが好ましい。また、凹凸部１３の凸部１４間の間隔および凹凸部２３の凸部２４間の間隔が略等間隔であることが好ましい。換言すると、凹凸部１３および凹凸部２３の形状が、線対称となるように形成することが好ましい。

なお、電子部品１０の凹凸部１３の位相と実装基板２０の凹凸部２３の位相は若干であれば互いにずれていてもよい。具体的には、図５に示すように、凹凸部１３、２３同士の位相のずれにより生じる、ｎ番目（ｎは自然数）の凸部２４の角部３８とｎ＋１番目の凸部１４の角部３９との距離が、許容される空間距離よりも長ければ、角部３８と角部３９との間で放電が生じないので、この場合の位相のずれは許容される。一方、図６に示すように、凹凸部１３、２３同士の位相のずれにより生じる、ｎ番目（ｎは自然数）の凸部２４の角部３８とｎ＋１番目の凸部１４の角部３９との距離が、許容される空間距離よりも短い場合は、角部３８と角部３９との間で放電が生じるので、この場合の位相のずれは許容されない。

図３Ａに示すように、実装基板２０に形成されている凹凸部２３は、凸部２４の長手方向（紙面上下方向）において所定の長さとなるように形成することが好ましい。以下、この理由について説明する。図７は、実装基板２０の上面図であり、第１の端子部２１と第２の端子部２２との間の沿面距離ｄ４（実装基板２０の表面に沿った沿面距離）を説明するための図である。図８は、実装基板２０の側面図であり、第１の端子部２１と第２の端子部２２との間の沿面距離ｄ５（凹凸部２３を通る沿面距離）を説明するための図である。

図７に示すように、実装基板２０の表面に沿った、第１の端子部２１と第２の端子部２２との間の沿面距離ｄ４は、実装基板２０の凹凸部２３の端部（凹凸部２３の紙面上側の端部）に沿った距離となる。この場合、沿面距離ｄ４は、凹凸部２３の紙面上側の端部が実装基板２０の紙面上側の端部に近くなるほど、長くなる。ここで、沿面距離ｄ４は、実装基板２０の表面に沿った沿面距離のうち、最短の沿面距離である。

また、図８に示すように、凹凸部２３を通る、第１の端子部２１と第２の端子部２２との間の沿面距離ｄ５は、実装基板２０の凹凸部２３に沿った距離となる。この場合、沿面距離ｄ５は、凸部２４の高さが高いほど、長くなる。ここで、沿面距離ｄ５は、実装基板２０の凹凸部２３を通る沿面距離のうち、最短の沿面距離である。

第１の端子部２１と第２の端子部２２との間の絶縁性は、第１の端子部２１と第２の端子部２２との間の沿面距離のうち最も沿面距離が短い箇所に依存する。このため、実装基板２０の表面に沿った沿面距離ｄ４と凹凸部２３を通る沿面距離ｄ５とが略同一となるように、凹凸部２３を形成することが好ましい。

図７、図８に示す実装基板２０では、実装基板２０の表面に沿った沿面距離ｄ４が、凹凸部２３を通る沿面距離ｄ５と同程度となるように、凸部２４の長手方向の長さを長くする必要がある。このような理由から、本実施の形態では、実装基板２０の凹凸部２３を、電子部品１０の短手方向の長さよりも長くなるように形成している（図３Ａ参照）。

図９は、本実施の形態にかかる電子機器の他の態様を示す側面図である。図９に示すように、第３の端子部２１および第４の端子部２２が実装基板３０を貫通している場合は、実装基板３０の表面３６（第１の面）に凹凸部２３を形成し、更に実装基板３０の裏面３７（第２の面）に凹凸部３３を形成する。このとき、凹凸部２３（凸部２４および凹部２５）は、実装基板３０の表面３６に配置されている第３の端子部２１と第４の端子部２２との間に配置する。また、凹凸部３３（凸部３４および凹部３５）は、実装基板３０の裏面３７に配置されている第３の端子部３１と第４の端子部３２との間に配置する。また、凹凸部２３および凹凸部３３は、実装基板３０に対して面対称となるように形成することが好ましい。

このように、第３の端子部２１および第４の端子部２２が実装基板３０を貫通している場合に、実装基板３０の裏面３７に凹凸部３３を形成することで、裏面３７に配置されている第３の端子部３１と第４の端子部３２との間の沿面距離を確保することができ、絶縁性を向上させることができる。

図１０は、本実施の形態にかかる電子部品１０が備える凹凸部１３の形状の一例を示す拡大断面図である。なお、図１０〜図１４では、電子部品１０の凹凸部１３の形状について説明するが、図１０〜図１４に示す形状は実装基板２０の凹凸部２３にも適用することができる。図１０に示すｄ７は、電子部品１０の表面に形成されている凸部１４ａと凸部１４ｂの間隔である空間距離を示している。また、ｄ８は、電子部品１０の表面に形成されている単一の凹部１５の側壁および底面に沿った沿面距離を示している。例えば、空間距離ｄ７を長くするほど凸部１４ａと凸部１４ｂとの間の距離が長くなり、凸部１４ａと凸部１４ｂとの間の放電を抑制する効果が高くなる。また、例えば、凹部１５を深く形成することで沿面距離ｄ８を長くすることができ、電子部品１０の表面における沿面距離を長くすることができる。すなわち、第１の端子部１１と第２の端子部１２との間の沿面距離を長くすることができ、これにより、電子部品１０の絶縁性を向上させることができる。

本実施の形態では、電子部品１０の表面に形成されている凸部１４の間隔である空間距離ｄ７と、電子部品１０の表面に形成されている凹部１５の側壁および底面に沿った距離である沿面距離ｄ８とが所定の比になるように、凸部１４および凹部１５を形成している。ここで、空間距離ｄ７と沿面距離ｄ８との比（ｄ７／ｄ８）は、第１の端子部１１および第２の端子部に印加される電圧、必要な沿面距離、電子部品１０を使用する環境（気温、気圧、汚染度等）等を考慮して決定することができる。一例を挙げると、空間距離ｄ７と沿面距離ｄ８との比（ｄ７／ｄ８）は、ｄ７／ｄ８＝１／３程度とすることができる。

このとき、実装基板２０の凹凸部２３の空間距離ｄ７'と沿面距離ｄ８'との比（ｄ７'／ｄ８'）と、電子部品１０の凹凸部２３の空間距離ｄ７と沿面距離ｄ８との比（ｄ７／ｄ８）とを略同一とすることが好ましい。換言すると、凹凸部１３の凸部１４間の間隔である空間距離と、凹凸部１３の単一の凹部１５の側壁および底面に沿った距離である沿面距離との比は、凹凸部２３の凸部２４間の間隔である空間距離と、凹凸部２３の単一の凹部２５の側壁および底面に沿った距離である沿面距離との比と略同一とすることが好ましい。

また、本実施の形態では、凹凸部１３の形状を図１１〜１４に示すような形状にしてもよい。例えば、図１１に示すように、凹部１５'の底面が電子部品１０の中心方向に向かって湾曲しているように構成してもよい。凹部１５'の底面を湾曲させることで、沿面距離ｄ８が長くなり、電子部品１０の表面における沿面距離を長くすることができる。また、凹凸部１３の機械的強度を向上させることができる。

また、図１２に示すように、凸部１４ａ'、１４ｂ'の先端部の断面形状が湾曲形状１８ａ、１８ｂとなるように構成してもよい。このように凸部１４ａ'、１４ｂ'の先端部を湾曲形状１８ａ、１８ｂとすることで、凸部１４ａ'、１４ｂ'の機械的強度を向上させることができる。

また、図１３に示すように、凹部１５'の底面を湾曲させ、更に凸部１４ａ'、１４ｂ'の先端部を湾曲形状１８ａ、１８ｂとしてもよい（図１１と図１２の組み合わせ）。

また、図１４に示すように、２つの凸部１４ａ''、１４ｂ''の付け根部分と、当該２つの凸部１４ａ''、１４ｂ''に挟まれた凹部１５''の底面とにおける断面形状が円弧状１９となるように構成してもよい。このように凹部１５''の断面形状を円弧状１９とすることで、凹部１５''を深くすることなく沿面距離を長くすることができる。

次に、本実施の形態にかかる実装基板の製造方法について説明する。図１５は、本実施の形態にかかる実装基板２０（図２Ｂ参照）の製造方法を説明するための側面図である。本実施の形態にかかる実装基板２０は、構造体５１と、凹凸部２３を備える構造体５２とを互いに積層して接着することで形成することができる。構造体５１は、単一または複数の絶縁体基板を用いて形成することができる。複数の絶縁体基板を用いる場合は、複数の絶縁体基板を互いに積層して接着する。絶縁体基板を接着する際は、例えば熱硬化性樹脂等の接着部材を用いることができる。

構造体５２は、複数の絶縁体基板を互いに積層して積層体を形成し、この積層体に凹凸部２３を形成することで作製することができる。凹凸部２３を形成する際は、例えばカッターやレーザ加工機を用いることができる。また、絶縁体基板としては、例えばガラスエポキシ基板、ガラスコンポジット基板、紙エポキシ基板、ベークライト基板などを用いることができる。

複数の絶縁体基板を用いて構造体５１、５２を形成する場合は、構造体５１、５２を構成する各々の絶縁体基板に、同一の材料からなる絶縁体基板を用いることが好ましい。同一の材料からなる絶縁体基板を用いることで、構造体５１、５２の振動や衝撃に対する耐性を高めることができる。また、同一の材料からなる絶縁体基板を用いることで、構造体５１、５２を構成する絶縁体基板の熱膨張係数を略等しくすることができ、構造体５１、５２の温度サイクル特性を向上させることができる。

また、両面に凹凸部２３、３３が配置された実装基板３０（図９参照）を形成する際は、図１６に示すように、構造体５１、５２に加えて、構造体５３を形成する。構造体５３の形成方法は、構造体５２の形成方法と同様である。つまり、構造体５３は、複数の絶縁体基板を互いに積層して積層体を形成し、この積層体に凹凸部３３を形成することで作製することができる。そして、構造体５１を構造体５２、５３で挟むように積層することで、両面に凹凸部２３、３３が配置された実装基板を形成することができる。

背景技術で説明したように、電子機器が小型化するにつれて、電子部品を実装基板にコンパクトに実装する技術が重要となってきている。例えば、実装基板に実装される電子部品が高電圧で使用される電子部品である場合は、端子間の絶縁性を確保するために、端子間の沿面距離を十分に確保する必要がある。このため、電子部品を実装基板にコンパクトに実装することが困難になるという問題があった。

例えば、実装基板に配置された端子間の沿面距離を直線距離で確保する場合は、実装基板を大型化する必要があった。また、絶縁性を確保するために、電子部品を実装基板に実装した後に電子部品と実装基板とを樹脂で封止した場合は、樹脂の内部に気泡が生じる場合があり絶縁性の確保が不確実となり、電子機器の品質が低下するという問題があった。また、実装基板を端子間において分割して端子間の絶縁性を確保した場合は、分割した実装基板間における位置精度の確保が困難となる。また、分割した実装基板に跨って配置された電子部品に不要な応力が働き、電子部品の信頼性が低下するという問題があった。

そこで本実施の形態にかかる電子機器では、実装基板２０の凸部２４を電子部品１０の凸部１４と対向する位置に配置している。換言すると、電子部品１０の凹凸部１３の位相と実装基板２０の凹凸部２３の位相とを略同一となるように構成している。よって、電子部品１０の凹凸部１３と実装基板２０の凹凸部２３とが近づいた場合であっても、電子部品１０の凹凸部１３における沿面距離と実装基板２０の凹凸部２３における沿面距離とが減少することを抑制することができる。したがって、電子部品１０および実装基板２０の絶縁性を保ちつつ、電子部品１０と実装基板２０とを近づけて配置することができるので、電子部品１０を実装基板２０にコンパクトに実装することができる。

以上で説明した本実施の形態にかかる発明により、電子部品を実装基板にコンパクトに実装することが可能な電子機器、実装基板、及び実装基板の製造方法を提供することができる。

＜実施の形態２＞
次に、本発明の実施の形態２について説明する。図１７Ａは、本実施の形態にかかる実装基板の上面図である。図１７Ｂは、本実施の形態にかかる実装基板の側面図である。本実施の形態では実施の形態１と比べて、実装基板６０が貫通孔６６を備えている点が異なる。これ以外は実施の形態１と同様である。

図１７Ａ、図１７Ｂに示すように、本実施の形態にかかる実装基板６０は、第３の端子部６１、第４の端子部６２、貫通孔６６、および凹凸部６３（第２の凹凸部）を備える。貫通孔６６は、電子部品１０が配置される位置と対応する位置（図１８Ａ参照）に形成されている。また、実装基板６０は、実装基板６０を平面視した際に貫通孔６６の両側に位置し、第３の端子部６１が配置されている側から第４の端子部６２が配置されている側へと延びる第１の領域６７および第２の領域６８を備える。

第１および第２の領域６７、６８には、凹凸部６３（凸部６４および凹部６５）がそれぞれ形成されている。例えば、凹凸部６３は、第１および第２の領域６７、６８の周囲全体に形成することができる。つまり、凹凸部６３は、第１の領域６７における、実装基板６０の表面および裏面、貫通孔６６の側面、実装基板６０の側面に形成することができる。同様に、凹凸部６３は、第２の領域６８における、実装基板６０の表面および裏面、貫通孔６６の側面、実装基板６０の側面に形成することができる。ここで、凹凸部６３は、実装する電子部品１０の凹凸部１３と対応する位置に形成されている。

例えば、本実施の形態にかかる実装基板６０は、複数の絶縁体基板を互いに積層して構成してもよい。この場合は、実装基板６０を構成する各々の絶縁体基板に、同一の材料からなる絶縁体基板を用いることが好ましい。同一の材料からなる絶縁体基板を用いることで、実装基板６０の振動や衝撃に対する耐性を高めることができる。また、同一の材料からなる絶縁体基板を用いることで、実装基板６０を構成する絶縁体基板の熱膨張係数を略等しくすることができ、実装基板６０の温度サイクル特性を向上させることができる。

図１８Ａは、本実施の形態にかかる電子機器の上面図である。図１８Ｂは、本実施の形態にかかる電子機器の側面図である。つまり、図１８Ａ、図１８Ｂは、電子部品１０を実装基板６０に実装している状態を示している。なお、電子部品１０は、実施の形態１で説明した電子部品１０と同様であるので重複した説明は省略する。図１８Ｂに示すように、電子部品１０の第１の端子部１１は、リード部材２７を用いて実装基板６０の第３の端子部６１と電気的に接続されている。また、電子部品１０の第２の端子部１２は、リード部材２８を用いて実装基板６０の第４の端子部６２と電気的に接続されている。

ここで、リード部材２７、２８は、電子部品１０と実装基板６０とを電気的に接続すると共に、電子部品１０を実装基板６０に固定する固定部材として用いてもよい。なお、リード部材２７、２８とは別に固定部材を設けて、電子部品１０を実装基板６０に固定してもよい。図１８Ａ、図１８Ｂに示す電子機器では、電子部品１０の第１の端子部１１と第２の端子部１２とが実装基板６０側を向くように電子部品１０を実装している。

また、図１８Ａ、図１８Ｂに示すように、本実施の形態にかかる電子機器では、電子部品１０の凹凸部１３と実装基板６０の凹凸部６３とが互いに対応する位置となるように実装している。すなわち、実装基板６０の凸部６４が、電子部品１０の凸部１４と対向するように配置している。また、実装基板６０の凹部６５が、電子部品１０の凹部１５と対向するように配置している。換言すると、電子部品１０の凹凸部１３の位相と実装基板６０の凹凸部６３の位相とが略同一となるように構成している。

このように、凸部１４と凸部６４とを互いに対向するように配置することで、電子部品１０と実装基板６０とが近づいた場合であっても、電子部品１０の凹凸部１３における沿面距離と実装基板６０の凹凸部６３における沿面距離とが減少することを抑制することができる。したがって、電子部品１０および実装基板６０の絶縁性を保ちつつ、電子部品１０と実装基板６０とを近づけて配置することができるので、電子部品１０を実装基板６０にコンパクトに実装することができる。

ここで、本実施の形態にかかる電子機器では、図１８Ａ、図１８Ｂに示すように、実装基板６０に貫通孔６６を設け、電子部品１０の側面に配置されている凸部１４と、実装基板６０の貫通孔６６側に配置されている凸部６４とが対向するように電子部品１０を実装している。この場合、上述した理由から、実装基板の凸部６４と電子部品１０の凸部１４とを近づけることができる。よって、電子部品１０を実装基板６０に実装する際、電子機器を側面からみた状態で（図１８Ｂ参照）、電子部品１０と実装基板６０とが重畳するように配置することができる。したがって、実装基板６０の表面からの電子部品１０の高さを低くすることができる。例えば、電子部品１０が貫通孔６６を貫通するように実装してもよい。

また、本実施の形態においても、凹凸部１３が備える凹部１５の深さと凹凸部６３が備える凹部６５の深さは略同一とすることが好ましい。また、凹凸部１３が備える凸部１４の間隔と凹凸部６３が備える凸部６４の間隔も略同一とすることが好ましい。また、凹凸部１３の凸部１４間の間隔および凹凸部６３の凸部６４間の間隔が略等間隔であることが好ましい。換言すると、凹凸部１３および凹凸部６３の形状が、線対称となるように形成することが好ましい。

図１９Ａは、本実施の形態にかかる実装基板の他の態様を示す上面図である。図１９Ｂは、本実施の形態にかかる実装基板の他の態様を示す側面図である。図１９Ａ、図１９Ｂに示すように、本実施の形態では、実装基板９０の側面に必ずしも凹凸部９３を設ける必要はない。換言すると、凹凸部９３は、第１および第２の領域６７、６８の、実装基板９０の表面および裏面と、貫通孔９６の側面とに設けてもよい。

つまり、図１９Ａに示すように、第１の端子部６１と第２の端子部６２との間の、実装基板９０の側面側を通る沿面距離ｄ９が十分に長い場合は、実装基板９０の側面に凹凸部９３を設けなくてもよい。また、第１の端子部６１と第２の端子部６２との間の絶縁性は、第１の端子部６１と第２の端子部６２との間の沿面距離のうち最も沿面距離が短い箇所に依存する。よって、例えば、実装基板９０の側面側を通る沿面距離ｄ９が、貫通孔６６の側面に形成された凹凸部９３を通る沿面距離ｄ１０よりも略同一か又は長い場合は、実装基板９０の側面に凹凸部９３を設ける必要はない。

なお、本実施の形態にかかる電子機器を複数並べる場合は、図２０に示すように、実装基板６０_１、６０_２の側面に凹凸部６３を形成し、実装基板６０_１の第２の領域６８の凹凸部６３と、実装基板６０_２の第１の領域６７の凹凸部６３とが互いに対応するように（つまり、位相が略同一となるように）配置してもよい。すなわち、実装基板６０_１の第２の領域６８の凸部６４と実装基板６０_２の第１の領域６７の凸部６４とが互いに対向するように配置することで、実装基板６０_１、６０_２の側面における沿面距離が減少することを抑制することができる。

なお、本実施の形態においても、電子部品１０や実装基板６０、９０の凹凸部の形状は、図１０〜図１４に示した形状としてもよい。

次に、本実施の形態にかかる実装基板の製造方法について説明する。図２１は、本実施の形態にかかる実装基板６０（図１７Ａ、図１７Ｂ参照）の製造方法を説明するための側面図である。また、図２２は構造体７０の上面図である。図２３は構造体７３の上面図である。本実施の形態にかかる実装基板６０は、構造体７０を、構造体７３および構造体７６で挟むように積層することで形成することができる。

構造体７０は、単一または複数の絶縁体基板を用いて形成することができる。複数の絶縁体基板を用いる場合は、複数の絶縁体基板を互いに積層して接着する。絶縁体基板を接着する際は、例えば熱硬化性樹脂等の接着部材を用いることができる。また、図２２に示すように、構造体７０の電子部品１０が配置される位置と対応する位置（図１８Ａ参照）に貫通孔８１を形成する。また、構造体７０の第１および第２の領域８２、８３の側面（つまり、構造体７０の側面および貫通孔８１の側面）にそれぞれ凸部７１と凹部７２を形成する。

図２１、図２３に示すように、構造体７３を形成する際は、複数の絶縁体基板を互いに積層して積層体を形成し、この積層体の電子部品１０が配置される位置と対応する位置（図１８Ａ参照）に貫通孔８５を形成する。更に、積層体の第１および第２の領域８７、８８の側面（つまり、構造体７３の側面および貫通孔８５の側面）および上面にそれぞれ凸部７４と凹部７５を形成する。なお、構造体７６の作製方法については、構造体７３の作製方法と基本的に同様である。

構造体に凹凸部を形成する際は、例えばカッターやレーザ加工機を用いることができる。また、各構造体を構成する絶縁体基板としては、例えばガラスエポキシ基板、ガラスコンポジット基板、紙エポキシ基板、ベークライト基板などを用いることができる。

また、複数の絶縁体基板を用いて構造体７０、７３、７６を形成する場合は、構造体７０、７３、７６を構成する各々の絶縁体基板に同一の材料からなる絶縁体基板を用いることが好ましい。同一の材料からなる絶縁体基板を用いることで、構造体７０、７３、７６を積層した後の実装基板６０の振動や衝撃に対する耐性を高めることができる。また、同一の材料からなる絶縁体基板を用いることで、実装基板６０を構成する絶縁体基板の熱膨張係数を略等しくすることができ、実装基板６０の温度サイクル特性を向上させることができる。

以上で説明した本実施の形態にかかる発明により、電子部品を実装基板にコンパクトに実装することが可能な電子機器、実装基板、及び実装基板の製造方法を提供することができる。

＜実施の形態３＞
次に本発明の実施の形態３について説明する。本実施の形態では、電子部品１０としてトランスを用いている。これ以外は、実施の形態１および２と同様であるので重複した説明は省略する。図２４Ａは、本実施の形態にかかるトランスの上面図である。図２４Ｂは、本実施の形態にかかるトランスの側面図である。図２４Ｃは、図２４Ｂに示すトランスの切断線Ｃ−Ｃにおける断面図である。図２４Ｄは、図２４Ｂに示すトランスの切断線Ｄ−Ｄにおける断面図である。図２４Ｅは、図２４Ａに示すトランスの切断線Ｅ−Ｅにおける断面図である。

図２４Ａ、図２４Ｂに示すように、本実施の形態にかかるトランス１０１は、トランス本体部１１０とコア部１１２とを備える。トランス本体部１１０は、基材１１１、一次側導体層１２１、および二次側導体層１２６を備える（図２４Ｃ〜図２４Ｅ参照）。

基材１１１はトランス本体部１１０の母材となる構造体であり、絶縁材料を用いて構成することができる。基材１１１は、基材１１１の一次側１１５の端部に第１の端子部１１７を備える。また、基材１１１は、基材１１１の二次側１１６の端部に第２の端子部１１８を備える。例えば、トランス本体部１１０は矩形状であり、第１の端子部１１７と第２の端子部１１８はトランス本体部１１０の長手方向の各々の端部にそれぞれ配置されている。第１の端子部１１７は一次側導体層１２１と接続される端子である（図２４Ｃ参照）。第２の端子部１１８は二次側導体層１２６と接続される端子である（図２４Ｄ参照）。第１の端子部１１７および第２の端子部１１８は、基材１１１の一次側１１５および二次側１１６の端部においてそれぞれ基材１１１の外部に露出している。

第１の端子部１１７と第２の端子部１１８との間の基材１１１の表面の少なくとも一部には、凸部１１３および凹部１１４が形成されている。図２４Ａ、図２４Ｂに示す例では、基材１１１の両側の側面および上下面に凸部１１３および凹部１１４を形成している。換言すると、基材１１１が備える面のうち、第１の端子部１１７と第２の端子部１１８との間に配置されている面に凸部１１３および凹部１１４を形成している。

図２４Ｃに示すように、一次側導体層１２１は基材１１１内に設けられており、第１の端子部１１７と電気的に接続されている。一次側導体層１２１はトランスの一次巻線に対応している。例えば、一次側導体層１２１は、第１の端子部１１７から二次側１１６の方向に向かって延び、更に基材１１１の貫通孔１１９に設けられたコア部１１２を一周するように形成する。このとき、一次側導体層１２１の一端は第１の端子部１１７_１と接続し、他端は第１の端子部１１７_２と接続する。一次側導体層１２１は、例えば銅やアルミニウムなどの金属材料を用いて構成することができる。

なお、図２４Ｅでは、トランス本体部１１０が４層の一次側導体層１２１を備える場合を例として示しているが、一次側導体層１２１の層の数は任意に決定することができる。複数の一次側導体層１２１を設けた場合、複数の一次側導体層１２１は、例えばスルーホールを介して互いに電気的に接続することができる。また、複数の一次側導体層１２１は、例えば複数の一次側端子１２７同士を接続することで互いに電気的に接続することができる。

図２４Ｄに示すように、二次側導体層１２６は基材１１１内に設けられており、第２の端子部１１８と電気的に接続されている。二次側導体層１２６はトランスの二次巻線に対応している。例えば、二次側導体層１２６は、第２の端子部１１８から一次側１１５の方向に向かって延び、更に基材１１１の貫通孔１１９に設けられたコア部１１２を一周するように形成する。このとき、二次側導体層１２６の一端は第２の端子部１１８_１と接続され、他端は第２の端子部１１８_２と接続される。二次側導体層１２６は、例えば銅やアルミニウムなどの金属材料を用いて構成することができる。

なお、図２４Ｅでは、トランス本体部１１０が４層の二次側導体層１２６を備える場合を例として示しているが、二次側導体層１２６の層の数は任意に決定することができる。複数の二次側導体層１２６を設けた場合、複数の二次側導体層１２６は、例えばスルーホールを介して互いに電気的に接続することができる。また、複数の二次側導体層１２６は、例えば複数の第２の端子部１１８同士を接続することで互いに電気的に接続することができる。

図２４Ｅに示すように、一次側導体層１２１および二次側導体層１２６は絶縁材料を介して互いに積層されている。図２４Ｅに示す例では、複数の一次側導体層１２１を積層方向の中央部付近に配置し、複数の二次側導体層１２６を積層方向の端部側（上面側および下面側）に配置している。しかし、図２４Ｅに示す一次側導体層１２１および二次側導体層１２６の配置は一例であり、一次側導体層１２１および二次側導体層１２６の配置は任意に決定することができる。

また、基材１１１は複数の絶縁体基板を用いて構成してもよい。この場合、複数の一次側導体層１２１と、複数の絶縁体基板と、複数の二次側導体層１２６とを互いに積層することで、トランス本体部１１０を構成することができる。基材１１１を構成する絶縁体基板としては、例えばガラスエポキシ基板、ガラスコンポジット基板、紙エポキシ基板、ベークライト基板などを用いることができる。

複数の絶縁体基板を用いて基材１１１を構成する場合は、基材１１１を構成する各々の絶縁体基板に、同一の材料からなる絶縁体基板を用いることが好ましい。同一の材料からなる絶縁体基板を用いることで、トランス本体部１１０の振動や衝撃に対する耐性を高めることができる。また、同一の材料からなる絶縁体基板を用いることで、トランス本体部１１０を構成する絶縁体基板の熱膨張係数を略等しくすることができ、トランス本体部１１０の温度サイクル特性を向上させることができる。

コア部１１２は、一次側導体層１２１の少なくとも一部および二次側導体層１２６の少なくとも一部をそれぞれ囲むように配置する。コア部１１２はフェライトなどの磁性材料を用いて構成することができる。一次側導体層１２１および二次側導体層１２６をコア部１１２で囲むことで、一次側導体層１２１および二次側導体層１２６を磁気的に結合することができる。図２４Ａ、図２４Ｂに示すように、コア部１１２はトランス本体部１１０の二次側１１６寄りの周囲を覆うように設ける。また、図２４Ｃ、図２４Ｄに示すように、コア部１１２の一部は、基材１１１に形成された貫通孔１１９に挿通されている。

ここで、本実施の形態にかかるトランスでは、第１の端子部１１７の電圧は第２の端子部１１８の電圧よりも高電圧である。よってコア部１１２は、電圧が低い第２の端子部１１８側に設けている。換言すると、コア部１１２の第１の端子部１１７側の端部と第１の端子部１１７との距離は、コア部１１２の第２の端子部１１８側の端部と第２の端子部１１８との距離よりも長い。

図２４Ｅに示すように、コア部１１２は、断面形状がＥ型であるコア部材１１２ａ、１１２ｂを用いて構成することができる。そしてコア部材１１２ａ、１１２ｂでトランス本体部１１０を挟むことで、トランス本体部１１０にコア部１１２を取り付けることができる。図２４Ｅに示すように、一次側導体層１２１および二次側導体層１２６は基材１１１内に埋設されているので、コア部１１２と直接接触することはなく、絶縁性が保たれている。

本実施の形態にかかるトランスでは、第１の端子部１１７に高電圧が印加される。ここで第１の端子部１１７は基材１１１の外部に露出しているため、第１の端子部１１７と第２の端子部１１８との間の沿面距離（コア部１１２が接地されている場合は、第１の端子部１１７とコア部１１２との間の沿面距離）を確保する必要がある。そこで本実施の形態にかかるトランスでは、第１の端子部１１７と第２の端子部１１８との間の基材１１１の表面の少なくとも一部に、凸部１１３および凹部１１４を形成している。

また、本実施の形態では、第１の端子部１１７の電圧は第２の端子部１１８の電圧よりも高いので、第１の端子部１１７とコア部１１２との間に配置されている凸部１１３および凹部１１４の数は、第２の端子部１１８とコア部１１２との間に配置されている凸部１１３および凹部１１４の数よりも多くしている。

図２５Ａは、本実施の形態にかかる実装基板の上面図である。図２５Ｂは、本実施の形態にかかる実装基板の側面図である。図２５Ａ、図２５Ｂに示すように、本実施の形態にかかる実装基板１３０は、第３の端子部１３１、第４の端子部１３２、貫通孔１３６、および凹凸部１３３（第２の凹凸部）を備える。また、実装基板１３０は、トランス１０１のコア部１１２を接地するための端子部１３９を備える。

貫通孔１３６は、トランス１０１が配置される位置と対応する位置（つまり、コア部１１２と第１の端子部１１７との間の位置と対応する位置。図２６Ａ参照）に形成されている。また、実装基板１３０は、実装基板１３０を平面視した際に貫通孔１３６の両側に配置され、第３の端子部１３１が配置されている側から第４の端子部１３２が配置されている側へと延びる第１の領域１３７および第２の領域１３８を備える。

第１および第２の領域１３７、１３８には、凹凸部１３３（凸部１３４および凹部１３５）がそれぞれ形成されている。例えば、凹凸部１３３は、第１および第２の領域１３７、１３８の周囲全体に形成することができる。つまり、凹凸部１３３は、第１の領域１３７における、実装基板１３０の表面および裏面、貫通孔１３６の側面、実装基板１３０の側面に形成することができる。同様に、凹凸部１３３は、第２の領域１３８における、実装基板１３０の表面および裏面、貫通孔１３６の側面、実装基板１３０の側面に形成することができる。ここで、凹凸部１３３は、実装するトランス１０１の凹凸部と対応する位置に形成されている。

例えば、本実施の形態にかかる実装基板１３０は、複数の絶縁体基板を互いに積層して構成してもよい。この場合は、実装基板１３０を構成する各々の絶縁体基板に、同一の材料からなる絶縁体基板を用いることが好ましい。同一の材料からなる絶縁体基板を用いることで、実装基板１３０の振動や衝撃に対する耐性を高めることができる。また、同一の材料からなる絶縁体基板を用いることで、実装基板１３０を構成する絶縁体基板の熱膨張係数を略等しくすることができ、実装基板１３０の温度サイクル特性を向上させることができる。

図２６Ａは、本実施の形態にかかる電子機器の上面図である。図２６Ｂは、本実施の形態にかかる電子機器の側面図である。つまり、図２６Ａ、図２６Ｂは、トランス１０１を実装基板１３０に実装している状態を示している。図２６Ｂに示すように、トランス１０１の第１の端子部１１７は、リード部材１２７を用いて実装基板１３０の第３の端子部１３１と電気的に接続されている。また、トランス１０１の第２の端子部１１８は、リード部材１２８を用いて実装基板１３０の第４の端子部１３２と電気的に接続されている。更に、トランス１０１のコア部１１２は、リード部材１２９を用いて接地用の端子部１３９と電気的に接続されている。

ここで、リード部材１２７、１２８、１２９は、トランス１０１と実装基板１３０とを電気的に接続すると共に、トランス１０１を実装基板１３０に固定する固定部材として用いてもよい。なお、リード部材１２７、１２８、１２９とは別に固定部材を設けて、トランス１０１を実装基板１３０に固定してもよい。

図２６Ａ、図２６Ｂに示すように、本実施の形態にかかる電子機器では、トランス１０１の凹凸部（凸部１１３および凹部１１４）と実装基板１３０の凹凸部１３３とが互いに対応する位置となるように実装している。すなわち、実装基板１３０の凸部１３４がトランス１０１の凸部１１３と対向するように配置している。また、実装基板１３０の凹部１３５がトランス１０１の凹部１１４と対向するように配置している。換言するとトランス１０１の凹凸部の位相と実装基板１３０の凹凸部１３３の位相とが略同一となるように配置している。

このように、凸部１１３と凸部１３４とを互いに対向するように配置することで、トランス１０１と実装基板１３０とが近づいた場合であっても、トランス１０１の凹凸部における沿面距離と実装基板１３０の凹凸部における沿面距離とが減少することを抑制することができる。したがって、トランス１０１および実装基板１３０の絶縁性を保ちつつ、トランス１０１と実装基板１３０とを近づけて配置することができるので、トランス１０１を実装基板１３０にコンパクトに実装することができる。

なお、トランス１０１や実装基板１３０の凹凸部の形状等に関しては、実施の形態１、２で説明した場合と同様であるので重複した説明は省略する。また、実装基板１３０の製造方法については、実施の形態２で説明した場合と同様であるので重複した説明は省略する。

次に、トランス１０１の製造方法について説明する。図２７Ａ〜図２７Ｃはトランス１０１の製造方法の一例を説明するための側面図である。図２７Ａに示すように、トランス本体部１１０を作製する際は、第１の構造体１４０、第２の構造体１５０、および第３の構造体１６０を形成する。第１の構造体１４０はトランス本体部１１０の中央部に配置される構造体であり、第２の構造体１５０はトランス本体部１１０の上部に配置される構造体であり、第３の構造体１６０はトランス本体部１１０の下部に配置される構造体である。

第１の構造体１４０は、複数の一次側導体層と複数の絶縁体基板と複数の二次側導体層とを互いに積層し、長手方向側面に凸部１４３および凹部１４４を形成することで作製することができる。また、第１の構造体１４０のコア部１１２が配置される箇所には貫通孔１４９を形成する。

第２の構造体１５０は、複数の絶縁体基板を互いに積層し、長手方向側面に凸部１５３および凹部１５４を、一方の主面に凸部１５５および凹部１５６をそれぞれ形成することで作製することができる。また、第２の構造体１５０のコア部１１２が配置される箇所には貫通孔１５９を形成する。

第３の構造体１６０は、複数の絶縁体基板を互いに積層し、長手方向側面に凸部１６３および凹部１６４を、一方の主面に凸部１６５および凹部１６６をそれぞれ形成することで作製することができる。また、第３の構造体１６０のコア部１１２が配置される箇所には貫通孔１６９を形成する。

そして図２７Ａに示すように、第１の構造体１４０の一方の主面１４６と第２の構造体１５０の他方の主面１５８とを接着し、第１の構造体１４０の他方の主面１４７と第３の構造体１６０の他方の主面１６８とを接着してトランス本体部１１０を作製する。第１乃至第３の構造体１４０、１５０、１６０の接着には、例えば熱硬化性樹脂等の接着部材を用いることができる。

その後、図２７Ｂに示すようにトランス本体部１１０をコア部材１１２ａ、１１２ｂで挟むことで、図２７Ｃに示すようにトランス本体部１１０にコア部１１２を取り付けることができる。このとき、一次側導体層の少なくとも一部および二次側導体層の少なくとも一部がコア部材１１２で囲まれるように、トランス本体部１１０にコア部１１２を配置する。図２７Ｂ、Ｃでは、トランス本体部１１０を組み立てた後の凸部および凹部について、凸部１１３および凹部１１４と符号を付している。

なお、実装基板１３０は、同一の材料からなる複数の絶縁体基板を用いて構成することが好ましい。また、トランス本体部１１０も、同一の材料からなる複数の絶縁体基板を用いて構成することが好ましい。このとき、実装基板１３０を構成している複数の絶縁体基板と、トランス本体部１１０を構成している複数の絶縁体基板は、同一の材料で構成してもよく、また異なる材料で構成してもよい。実装基板１３０とトランス本体部１１０とを同一の材料からなる絶縁体基板を用いて構成した場合は、実装基板１３０とトランス本体部１１０の熱膨張係数を略等しくすることができ、実装基板１３０とトランス本体部１１０との間に働く応力を低減することができる。よって、トランス１０１の信頼性を向上させることができる。

また、上記ではコアを有するトランスを例として説明したが、本実施の形態ではコアがないタイプのトランスを電子部品として用いてもよい。

以上で説明した本実施の形態にかかる発明により、電子部品を実装基板にコンパクトに実装することが可能な電子機器、実装基板、及び実装基板の製造方法を提供することができる。

以上、本発明を上記実施形態に即して説明したが、本発明は上記実施の形態の構成にのみ限定されるものではなく、本願特許請求の範囲の請求項の発明の範囲内で当業者であればなし得る各種変形、修正、組み合わせを含むことは勿論である。

１０ 電子部品
１１、１１７ 第１の端子部
１２、１１８ 第２の端子部
１３ 凹凸部
１４ 凸部
１５ 凹部
２０、６０、１３０ 実装基板
２１、６１、１３１ 第３の端子部
２２、６２、１３２ 第４の端子部
２３、６３、１３３ 凹凸部
２４、６４、１３４ 凸部
２５、６５、１３５ 凹部
２７、２８、１２７、１２８ リード部材
６６、１３６ 貫通孔
６７、１３７ 第１の領域
６８、１３８ 第２の領域
１０１ トランス
１１０ トランス本体部
１１１ 基材
１１２ コア部
１１３ 凸部
１１４ 凹部
１１５ 一次側
１１６ 二次側
１１９ 貫通孔
１２１ 一次側導体層
１２６ 二次側導体層

Claims (24)

1. 第１の端子部と、
   前記第１の端子部と離間して配置された第２の端子部と、
   前記第１の端子部と前記第２の端子部との間の少なくとも一部に形成された第１の凹凸部と、を備える電子部品と、
   前記電子部品が実装され、当該電子部品に形成されている前記第１の凹凸部と対応する位置に第２の凹凸部が形成された実装基板と、を有し、
   前記第２の凹凸部が備える凸部は前記第１の凹凸部が備える凸部と対向している、
   電子機器。
2. 前記第１の端子部は前記実装基板が備える第３の端子部と電気的に接続され、
   前記第２の端子部は前記実装基板が備える第４の端子部と電気的に接続され、
   前記第２の凹凸部は、前記第３の端子部と前記第４の端子部との間に配置されている、
   請求項１に記載の電子機器。
3. 前記第３の端子部および前記第４の端子部は前記実装基板を貫通しており、
   前記第２の凹凸部は、前記実装基板の前記電子部品が実装されている側の第１の面と、当該第１の面と反対側の第２の面とに形成されている、
   請求項２に記載の電子機器。
4. 前記実装基板は、前記電子部品が配置される位置と対応する位置に前記実装基板を貫通する貫通孔を備え、
   前記実装基板は、当該実装基板を平面視した際に前記貫通孔の両側に位置し、前記第３の端子部が配置されている側から前記第４の端子部が配置されている側へと延びる第１および第２の領域を備え、
   前記第２の凹凸部は、前記第１および第２の領域における、前記電子部品が実装されている側の第１の面と、当該第１の面と反対側の第２の面と、前記貫通孔の側面と、に形成されている、
   請求項２または３に記載の電子機器。
5. 前記第２の凹凸部は更に、前記第１および第２の領域における前記実装基板の側面に形成されている、請求項４に記載の電子機器。
6. 前記電子部品が各々実装された第１および第２の実装基板を備え、
   前記第１および第２の実装基板は、前記第１の実装基板の側面に形成された第２の凹凸部の凸部が前記第２の実装基板の側面に形成された第２の凹凸部の凸部と対向するように配置されている、
   請求項５に記載の電子機器。
7. 前記電子部品の前記実装基板側の面に配置されている第１の凹凸部の凸部と、前記実装基板の前記電子部品が実装されている側の第１の面に配置されている第２の凹凸部の凸部とが対向している、請求項２または３に記載の電子機器。
8. 前記電子部品の側面に配置されている第１の凹凸部の凸部と、前記実装基板の前記貫通孔側に配置されている第２の凹凸部の凸部とが対向している、請求項４乃至６のいずれか一項に記載の電子機器。
9. 前記第２の凹凸部が備える凸部の間隔は前記第１の凹凸部が備える凸部の間隔と略同一であり、
   前記第２の凹凸部が備える凹部の深さは前記第１の凹凸部が備える凹部の深さと略同一である、
   請求項１乃至８のいずれか一項に記載の電子機器。
10. 前記第１の凹凸部の凸部間の間隔および前記第２の凹凸部の凸部間の間隔が略等間隔である、請求項１乃至９のいずれか一項に記載の電子機器。
11. 前記第１の凹凸部の凸部間の間隔である空間距離と、前記第１の凹凸部の単一の凹部の側壁および底面に沿った距離である沿面距離との比は、前記第２の凹凸部の凸部間の間隔である空間距離と、前記第２の凹凸部の単一の凹部の側壁および底面に沿った距離である沿面距離との比と略同一である、請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の電子機器。
12. 前記第１の端子部は前記電子部品の第１の端部に配置され、前記第２の端子部は前記電子部品の前記第１の端部と対向する第２の端部に配置され、
    前記第１の凹凸部は、前記電子部品の両側の側面および上下面に配置されている、
    請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の電子機器。
13. 前記第１および第２の凹凸部が備える凸部の先端部の断面形状が湾曲形状である、請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の電子機器。
14. 前記第１および第２の凹凸部が備える凹部の底面が湾曲している、請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の電子機器。
15. 前記実装基板は、同一の材料からなる互いに積層された複数の絶縁体基板を含み構成されている、請求項１乃至１４のいずれか一項に記載の電子機器。
16. 前記電子部品はトランスであり、
    前記トランスは、
    絶縁材料からなる基材と、
    前記基材内に設けられ、前記第１の端子部と電気的に接続されている一次側導体層と、
    前記基材内に設けられ、前記第２の端子部と電気的に接続されている二次側導体層と、
    を備えるトランス本体部と、
    磁性材料を含み、前記一次側導体層の少なくとも一部および前記二次側導体層の少なくとも一部をそれぞれ囲むように配置されたコア部と、を有し、
    前記一次側導体層および前記二次側導体層は絶縁材料を介して互いに積層されており、
    前記第１の端子部と前記第２の端子部との間の前記基材の表面の少なくとも一部に前記第１の凹凸部が形成されている、
    請求項１乃至１５のいずれか一項に記載の電子機器。
17. 前記第１の端子部の電圧は前記第２の端子部の電圧よりも高電圧であり、前記コア部の前記第１の端子部側の端部と前記第１の端子部との距離は、前記コア部の前記第２の端子部の端部と前記第２の端子部との距離よりも長い、請求項１６に記載の電子機器。
18. 前記貫通孔は、前記トランスと前記実装基板とを平面視した際に、前記コア部と前記第１の端子部との間の、前記トランス本体部と前記実装基板とが重畳する位置に形成されている、請求項１６または１７に記載の電子機器。
19. 電子部品が実装される実装基板であって、
    前記実装基板は、前記電子部品の第１の端子部と当該第１の端子部と離間して配置された第２の端子部との間の少なくとも一部に形成された第１の凹凸部と対応する位置に形成された第２の凹凸部を備え、
    前記第２の凹凸部が備える凸部は前記第１の凹凸部が備える凸部と対向する位置に配置されている、
    実装基板。
20. 前記実装基板は、
    前記電子部品の前記第１の端子部と電気的に接続される第３の端子部と、
    前記電子部品の前記第２の端子部と電気的に接続される第４の端子部と、を更に備え、
    前記第２の凹凸部は、前記第３の端子部と前記第４の端子部との間に配置されている、
    請求項１９に記載の実装基板。
21. 前記第３の端子部および前記第４の端子部は前記実装基板を貫通しており、
    前記第２の凹凸部は、前記実装基板の前記電子部品が実装されている側の第１の面と、当該第１の面と反対側の第２の面とに形成されている、
    請求項２０に記載の実装基板。
22. 絶縁体基板を含む第１の構造体を形成し、
    複数の絶縁体基板が互いに積層され、実装される電子部品に形成された第１の凹凸部の凸部と対向する位置に凸部が配置された第２の凹凸部が形成された第２の構造体を形成し、
    前記第１および第２の構造体を積層する、
    実装基板の製造方法。
23. 更に、複数の絶縁体基板が互いに積層され、実装される電子部品に形成された第１の凹凸部の凸部と対向する位置に凸部が配置された第２の凹凸部が形成された第３の構造体を形成し、
    前記第１の構造体を前記第２および第３の構造体で挟むように積層する、
    請求項２２に記載の実装基板の製造方法。
24. 前記第１乃至第３の構造体に含まれる絶縁体基板は、同一の材料で構成された絶縁体基板である、請求項２３に記載の実装基板の製造方法。

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