JP2014192205A - 配線基板およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】表面処理の対象箇所にＮＳＭＤパッドを含む場合でも，積層配線板を痛めることなく２種類以上の表面処理を施した配線基板およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】配線基板１の製造方法は，外層パターン４（配線パターン）が形成された積層配線板２を準備する工程と，積層配線板に保護絶縁層５を形成する工程と，保護絶縁層の一部を除去することによりＳＭＤパッド６（第１パッド）を形成する工程と，ＳＭＤパッドにニッケル金めっき（第１の表面処理）を施す工程と，保護絶縁層における第１パッドの箇所以外の一部を除去することによりＮＳＭＤパッド８（第２パッド）を形成する工程と，ＮＳＭＤパッドにＯＳＰ（第２の表面処理）を施す工程とを，この順に含んでいる。ＮＳＭＤパッド８の形成は，ＵＶレーザー又はＹＡＧレーザーを照射することで保護絶縁層の一部を除去することにより行う。
【選択図】図３

Description

本発明は，配線基板およびその製造方法に関する。さらに詳細には，保護絶縁層を形成した後に異なる複数種類の表面処理を施した配線基板およびその製造方法に関するものである。

従来，配線基板において保護絶縁層形成後の表面処理は次のように行われていた。すなわち図８（ａ）に示すように，まず，積層部本体３３の表面に配線パターン３４が形成されている積層配線板３２を準備する。積層部本体３３は，例えばコア基板に複数層の配線パターンが層間絶縁層を介して形成されたものである。そして図８（ｂ）に示すように，この積層配線板３２における配線パターン３４が形成されている面３２ａに，ＬＰＳＲ（液状フォトレジスト）などのソルダーレジストを塗布して，保護絶縁層（ソルダーレジスト層）３５を形成する。

その後図９（ａ）に示すように，保護絶縁層３５の一部を除去して，ＳＭＤパッド３６を形成する。このＳＭＤパッド３６が，１種目の表面処理の対象箇所である。ＳＭＤパッド３６を形成するための保護絶縁層３５の除去は，フォトリソグラフィ（露光及び現像）により行う。そして，形成したＳＭＤパッド３６に対して，１種目の表面処理を行う。１種目の表面処理としては，例えばニッケル金めっきを行う。これにより図９（ｂ）に示すように，ＳＭＤパッド３６の表面に，ニッケル金めっきであるめっき層３７が形成される。

続いて図９（ｃ）に示すように，保護絶縁層３５の他の一部を除去して，ＳＭＤパッド３８をさらに形成する。このＳＭＤパッド３８が，２種目の表面処理の対象箇所である。ＳＭＤパッド３８を形成するための保護絶縁層３５の除去は，炭酸ガスレーザー（ＣＯ_２レーザー）の照射により行う。既に保護絶縁層３５に対してフォトリソグラフィを行っているため，保護絶縁層３５を溶解することができないからである。そして，この炭酸ガスレーザーの照射により形成されたＳＭＤパッド３８に対して，２種目の表面処理を行う。２種目の表面処理としては，例えばＯＳＰ（プリフラックス）を行う。ＯＳＰは，銅であるＳＭＤパッドの酸化を防ぐための処理である。これにより図９（ｄ）に示すように，ＳＭＤパッド３８の表面に，有機被膜であるＯＳＰ層３９が形成される。

なお本願に先立ち先行技術調査をしたところ，下記特許文献１が発見された。下記特許文献１には，「ソルダレジスト層１４」にＣＯ_２レーザーを照射して「開口部３４」を形成し，開口部３４から露出した「第１電極パッド１６」（ＳＭＤパッド）に，ニッケルめっきなどの表面処理を施す技術が記載されている（図１９〜図２１）。

特開２００９−８８４６９号公報

しかしながら上記した従来の技術は，表面処理の対象箇所がＳＭＤパッドである。そのため，表面処理の対象箇所にＮＳＭＤパッドを含む場合について，保護絶縁層の適切な除去方法を示すものではなかった。特に，２種目の表面処理の対象箇所をＮＳＭＤパッドとする場合，炭酸ガスレーザーによりＮＳＭＤパッドを形成すると，積層配線板を痛めるおそれがあった。ＮＳＭＤパッドは，保護絶縁層の開口の縁辺と開口内の配線パターンとの間に隙間があるパッドである。そのため，保護絶縁層の開口内に露出する積層部本体に炭酸ガスレーザーが照射されてしまうからである。

本発明は，上記した従来の技術が有する問題点を解決するためになされたものである。すなわちその課題とするところは，表面処理の対象箇所にＮＳＭＤパッドを含む場合でも，積層配線板を痛めることなく２種類以上の表面処理を施した配線基板およびその製造方法を提供することにある。

この課題の解決を目的としてなされた本発明の配線基板の製造方法は，表裏の表面の少なくとも一方に配線パターンが形成された積層配線板を準備する工程と，積層配線板における配線パターンが形成されている面を覆う保護絶縁層を形成する工程と，保護絶縁層の一部を除去することにより，保護絶縁層の開口内で配線パターンが露出する第１パッドを形成する第１パッド形成工程と，第１パッドに第１の表面処理を施す工程と，保護絶縁層における第１パッドの箇所以外の一部を除去することにより，保護絶縁層の開口内で配線パターンが露出する第２パッドを形成する第２パッド形成工程と，第２パッドに第１の表面処理とは異なる種類の第２の表面処理を施す工程とを，この順に含む配線基板の製造方法であって，第１パッド形成工程と第２パッド形成工程との少なくとも一方にて形成するパッドを，保護絶縁層の開口の縁辺と開口内の配線パターンとの間に隙間があるＮＳＭＤ（Ｎｏｎ Ｓｏｌｄｅｒ Ｍａｓｋ Ｄｅｆｉｎｅｄ）パッドとし，第１パッド形成工程でＮＳＭＤパッドを形成する場合に，そのＮＳＭＤパッドの形成は，フォトリソグラフィによる第１の方法，ＵＶレーザーの照射による第２の方法，及び，ＹＡＧレーザーの照射による第３の方法からなる群のいずれか一つにより保護絶縁層の一部を除去することで行い，第２パッド形成工程でＮＳＭＤパッドを形成する場合に，そのＮＳＭＤパッドの形成は，第２の方法，又は，第３の方法により保護絶縁層における第１パッドの箇所以外の一部を除去することで行うことを特徴とする。

またこのような製造方法により製造された本発明の配線基板は，表裏の表面の少なくとも一方に配線パターンが形成されている積層配線板と，積層配線板における配線パターンが形成されている面を，複数の開口部を残して覆う保護絶縁層と，配線パターンの一部であり，保護絶縁層の開口部から露出する第１パッドと，配線パターンの一部であり，保護絶縁層における第１パッドの開口部とは異なる開口部から露出する第２パッドとを備え，第１パッドと第２パッドとに異なる種類の表面処理が施されており，第１パッド及び第２パッドのうち少なくとも一方が，保護絶縁層の開口部の縁辺と開口部内の配線パターンとの間に隙間があるＮＳＭＤパッドである。

本発明の配線基板の製造方法によれば，ＮＳＭＤパッドの形成を，ＵＶレーザー，若しくはＹＡＧレーザーの照射により，又はフォトリソグラフィにより，保護絶縁層の一部を除去することで行っている。すなわち，ＮＳＭＤパッドの形成に炭酸ガスレーザーの照射を用いていない。そのため，積層配線板におけるＮＳＭＤパッドの周囲の露出箇所を痛めるのを防止することができる。なお，炭酸ガスレーザーと波長の異なるＵＶレーザーやＹＡＧレーザーは，積層配線板を痛めることなくＮＳＭＤパッドを形成できるレーザーである。すなわち，本発明によれば，表面処理の対象箇所にＮＳＭＤパッドを含む場合でも，積層配線板を痛めることなく異なる種類の表面処理を施すことができる。

ここで本発明の配線基板の製造方法では，第１パッド形成工程にて形成するパッドを，保護絶縁層の開口の縁辺の下部に配線パターンが食い込んでいるＳＭＤ（Ｓｏｌｄｅｒ Ｍａｓｋ Ｄｅｆｉｎｅｄ）パッドとし，第２パッド形成工程にて形成するパッドをＮＳＭＤパッドとし，第１パッドの形成は，第１の方法，第２の方法，第３の方法，及び，炭酸ガスレーザーの照射による第４の方法からなる群のいずれか一つにより保護絶縁層の一部を除去することで行うことが望ましい。

このようにすれば，第２パッドとしてのＮＳＭＤパッドは，ＵＶレーザー若しくはＹＡＧレーザーの照射により形成される。よって，炭酸ガスレーザーの照射によりＮＳＭＤパッドを形成する場合のように積層配線板を痛めることがない。

さらにこの場合，第１パッドの形成は炭酸ガスレーザーの照射による第４の方法により行うことが望ましい。第１パッドとしてのＳＭＤパッドの形成を，フォトリソグラフィにより行う場合に比べて，現像等をする必要がない分，低い製造コストおよび短い製造時間で行うことができるからである。

また本発明の配線基板の製造方法では，第１パッド形成工程にて形成するパッド及び第２パッド形成工程にて形成するパッドをいずれもＮＳＭＤパッドとし，第１パッドの形成を，フォトリソグラフィによる第１の方法により行ってもよい。

このようにすれば，第１パッドとしてのＮＳＭＤパッドは，フォトリソグラフィにより形成され，第２パッドとしてのＮＳＭＤパッドは，ＵＶレーザー若しくはＹＡＧレーザーの照射により形成される。よって，炭酸ガスレーザーの照射によりＮＳＭＤパッドを形成する場合のように積層配線板を痛めることがない。

また本発明の配線基板の製造方法では，第１パッド形成工程にて形成するパッドをＮＳＭＤパッドとし，第２パッド形成工程にて形成するパッドを，保護絶縁層の開口の縁辺の下部に配線パターンが食い込んでいるＳＭＤパッドとし，第１パッドの形成は，フォトリソグラフィによる第１の方法により行い，第２パッドの形成は，ＵＶレーザーの照射による第２の方法，ＹＡＧレーザーの照射による第３の方法，及び，炭酸ガスレーザーの照射による第４の方法からなる群のいずれか一つにより保護絶縁層における第１パッドの箇所以外の一部を除去することで行ってもよい。

このように構成すれば，第１パッドとしてのＮＳＭＤパッドは，フォトリソグラフィにより形成される。よって，炭酸ガスレーザーの照射によりＮＳＭＤパッドを形成する場合のように積層配線板を痛めることがない。

本発明によれば，表面処理の対象箇所にＮＳＭＤパッドを含む場合でも，積層配線板を痛めることなく２種類以上の表面処理を施した配線基板およびその製造方法が提供されている。

第１の形態に係る配線基板の断面図である。 同形態の配線基板の製造工程を示す図であり，（ａ）出発材として用いる積層配線板の断面図，（ｂ）保護絶縁層を形成した状態の積層配線板の断面図である。 図２に続く同形態の配線基板の製造工程を示す断面図であり，（ａ）１種目の表面処理の対象箇所としてのＳＭＤパッドを形成した状態，（ｂ）めっき層を形成した状態，（ｃ）２種目の表面処理の対象箇所としてのＮＳＭＤパッドを形成した状態，（ｄ）ＯＳＰ層を形成した状態，をそれぞれ示す。 第２の形態に係る配線基板の断面図である。 同形態の配線基板の製造工程を示す断面図であり，（ａ）１種目の表面処理の対象箇所としてのＮＳＭＤパッドを形成した状態，（ｂ）めっき層を形成した状態，（ｃ）２種目の表面処理の対象箇所としてのＮＳＭＤパッドを形成した状態，（ｄ）ＯＳＰ層を形成した状態，をそれぞれ示す。 第３の形態に係る配線基板の断面図である。 同形態の配線基板の製造工程を示す断面図であり，（ａ）１種目の表面処理の対象箇所としてのＮＳＭＤパッドを形成した状態，（ｂ）めっき層を形成した状態，（ｃ）２種目の表面処理の対象箇所としてのＳＭＤパッドを形成した状態，（ｄ）ＯＳＰ層を形成した状態，をそれぞれ示す。 従来の配線基板の製造工程を示す図であり，（ａ）出発材として用いる積層配線板の断面図，（ｂ）保護絶縁層を形成した状態の積層配線板の断面図である。 図８に続く従来の配線基板の製造工程を示す断面図であり，（ａ）１種目の表面処理の対象箇所としてのＳＭＤパッドを形成した状態，（ｂ）めっき層を形成した状態，（ｃ）２種目の表面処理の対象箇所としてのＳＭＤパッドを形成した状態，（ｄ）ＯＳＰ層を形成した状態，をそれぞれ示す。

〈第１の形態〉
以下，本発明を具体化した実施の形態について，添付図面を参照しつつ詳細に説明する。本形態に係る配線基板１は，図１の断面図に示すように構成されている。すなわち本形態に係る配線基板１は，図１に示すように積層配線板２を備えている。積層配線板２は，コア基板上に内層パターン，層間絶縁層，及び外層パターン４が形成されているものである。外層パターン４は，最外層の配線パターンであり，積層配線板２の第１主面２ａ（図１中における上側の面，表の表面に相当）上に露出している。なお，コア基板は，導電層と絶縁層とを積層してなる公知の配線板である。コア基板は，絶縁層のみからなるものでもよい。また，内層パターンは，最外層ではない配線パターンであり，何層設けられていてもよい。内層パターンを複数層設ける場合は，各層の間に層間絶縁層が設けられる。外層パターン４を含む各配線パターンは，銅からなる。

積層配線板２の第１主面２ａには，上述した外層パターン４の他，保護絶縁層５が形成されている。また，第１主面２ａには，ＳＭＤパッド（第１パッドに相当）６と，ＮＳＭＤパッド（第２パッドに相当）８が形成されている。ＳＭＤパッド６には，ニッケル金めっきが施されている。すなわち，ＳＭＤパッド６の表面上には，ニッケル金めっきであるめっき層７が形成されている。また，ＮＳＭＤパッド８には，ＯＳＰ（Organic Solderability Preservative，プリフラックス)が施されている。すなわち，ＮＳＭＤパッド８の表面上には，ＯＳＰ層（有機被膜）９が形成されている。ニッケル金めっきを，第１の表面処理と称し，ＯＳＰを，第２の表面処理と称する。ＯＳＰは，露出した銅の酸化を防止するための表面処理である。

次に，本形態の配線基板１の製造過程を説明する。配線基板１の製造過程は，次の１．〜７．の各ステップからなる。以下順に説明する。
１．積層配線板２の準備
２．保護絶縁層５の形成
３．ＳＭＤパッド６の形成
４．第１の表面処理（ニッケル金めっき）
５．ＮＳＭＤパッド８の形成
６．第２の表面処理（ＯＳＰ）
７．検査等

（１．積層配線板２の準備）
本形態で出発材として使用する積層配線板２は，図２（ａ）に示すように，積層部本体３の図中上側の面（第１主面２ａ）上に外層パターン４が形成されたものである。積層部本体３は，コア基板に内層パターンや層間絶縁層を形成したものである。すなわち，積層配線板２は，公知の方法により製造されたビルトアップ基板である。

（２．保護絶縁層５の形成）
次に図２（ｂ）に示すように，保護絶縁層（ソルダーレジスト層）５を形成する。保護絶縁層５の形成は，積層配線板２の第１主面２ａ側にＬＰＳＲ（液状フォトレジスト）などのソルダーレジストを塗布することにより行う。これにより，外層パターン４が保護絶縁層５に覆われる。

（３．ＳＭＤパッド６の形成）
次に図３（ａ）に示すように，ＳＭＤパッド６を形成する。ＳＭＤパッド６の形成は，炭酸ガスレーザー（ＣＯ_２レーザー）を照射するレーザー加工により，保護絶縁層５の一部を除去することにより行う。すなわち，これから形成する保護絶縁層５の開口部５ａの輪郭となる箇所に炭酸ガスレーザーを照射することにより，保護絶縁層５の一部を除去して保護絶縁層５に開口部５ａを形成する。これにより，保護絶縁層５の開口部５ａから外層パターン４が露出したＳＭＤパッド６が形成される。ＳＭＤパッド６は，保護絶縁層５の開口部５ａの縁辺の下部に配線パターン４が食い込んでいるパッドである。

（４．第１の表面処理（ニッケル金めっき））
次に図３（ｂ）に示すように，ＳＭＤパッド６にニッケル金めっきを施す。すなわち，ＳＭＤパッド６の表面に，ニッケル金めっきであるめっき層７を形成する。これにより，ＳＭＤパッド６の表面の酸化が防止される。

（５．ＮＳＭＤパッド８の形成）
次に図３（ｃ）に示すように，ＮＳＭＤパッド８を形成する。ＮＳＭＤパッド８の形成は，ＵＶレーザーを照射するレーザー加工により，保護絶縁層５におけるＳＭＤパッド６の箇所以外の一部を除去することにより行う。すなわち，これから形成する保護絶縁層５の開口部５ｂの輪郭となる箇所にＵＶレーザーを照射することにより，保護絶縁層５の一部を除去して保護絶縁層５に開口部５ｂを形成する。これにより，保護絶縁層５の開口部５ｂから外層パターン４が露出したＮＳＭＤパッド８を形成する。ＮＳＭＤパッド８は，保護絶縁層５の開口部５ｂの縁辺と開口部５ｂ内の配線パターン４との間に隙間があるパッドである。そのため，開口部５ｂからは，ＮＳＭＤパッド８の周囲の積層部本体３の一部（絶縁層の表面３ａ）も露出する。ＵＶレーザーの照射による方法は，炭酸ガスレーザーの照射による方法とは異なり，積層配線板２を痛めることがないため，開口部５ｂから露出した絶縁層の表面３ａは平坦である。

（６．第２の表面処理（ＯＳＰ））
次に図３（ｄ）に示すように，ＮＳＭＤパッド８にＯＳＰを施す。すなわち，ＮＳＭＤパッド８の表面に，ＯＳＰ層９を形成する。これにより，ＮＳＭＤパッド８の表面の酸化が防止される。なおＯＳＰ層９の形成の際に，めっき層７が露出する開口部５ａをマスキングする必要はない。ＯＳＰ層９は銅にしか付かないからである。また本形態において，ニッケル金めっきとＯＳＰの２種類の表面処理を行っているのは，全てのパッドにニッケル金めっきを施すと貴金属の使用量が増えて製造コストが高くなり過ぎるので，これを抑えるためである。また，ニッケル金めっきを施したパッドは，ＯＳＰを施したパッドに比して耐腐食性に優れるが耐落下衝撃性には劣るため，高い耐落下衝撃性が必要なパッドにはＯＳＰを施すのが良いからである。このように実施形態では，パッドに応じた最適な表面処理を施すこととしている。

（７．検査等）
上記のように２種類の表面処理（ニッケル金めっき及びＯＳＰ）を施した後，電気テストにより各部の絶縁性等をチェックする。これにより，製品としての配線基板１が完成する。

以上詳細に説明したように本形態に係る配線基板１の製造方法では，ＮＳＭＤパッド８の形成を，ＵＶレーザーの照射により，保護絶縁層５の一部を除去することで行っている。すなわち，ＮＳＭＤパッド８の形成に炭酸ガスレーザーの照射を用いていない。そのため，開口部５ｂから露出した積層配線板２におけるＮＳＭＤパッド８の周囲の箇所を痛めるのを防止することができる。なお，炭酸ガスレーザーと波長の異なるＵＶレーザーは，積層配線板２を痛めることなくＮＳＭＤパッド８を形成できるレーザーである。すなわち，本形態によれば，表面処理の対象箇所にＮＳＭＤパッド８を含む場合でも，積層配線板２を痛めることなく異なる種類の表面処理（ニッケル金めっき及びＯＳＰ）を施すことができる。

また，本形態の配線基板１の製造方法では，先に形成するＳＭＤパッド６は，炭酸ガスレーザーの照射により保護絶縁層５の一部を除去することで形成されたＳＭＤパッドである。そのため，ＳＭＤパッド６の形成を，フォトリソグラフィにより行う場合に比べて，現像液に浸すなどの工程が不要な分，製造コストを下げることができるとともに，製造時間を短縮することができる。

〈第２の形態〉
次に第２の形態について説明する。第２の形態の説明において，第１の形態と同様の構成については，同様の符号を付して説明を省略する。本形態では，種類の異なる２つの表面処理を施す箇所が，ともにＮＳＭＤパッドである点が，第１の形態と異なっている。

詳細には，本形態に係る配線基板１Ａは，図４の断面図に示すように構成されている。すなわち本形態に係る配線基板１Ａは，図４に示すように積層配線板２を備えている。積層配線板２の第１主面２ａ（図４中における上側の面）には，外層パターン４と，保護絶縁層５が形成されている。また，第１主面２ａには，ＮＳＭＤパッド（第１パッドに相当）１６と，ＮＳＭＤパッド（第２パッドに相当）８が形成されている。ＮＳＭＤパッド１６には，ニッケル金めっきが施されている。すなわち，ＮＳＭＤパッド１６の表面上には，ニッケル金めっきであるめっき層１７が形成されている。また，ＮＳＭＤパッド８には，ＯＳＰが施されている。すなわち，ＮＳＭＤパッド８の表面上には，ＯＳＰ層（有機被膜）９が形成されている。

次に，本形態の配線基板１Ａの製造過程を説明する。配線基板１Ａの製造過程は，次の１．〜７．の各ステップからなる。以下順に説明する。
１．積層配線板２の準備
２．保護絶縁層５の形成
３．ＮＳＭＤパッド１６の形成
４．第１の表面処理（ニッケル金めっき）
５．ＮＳＭＤパッド８の形成
６．第２の表面処理（ＯＳＰ）
７．検査等

（１．積層配線板２の準備，および２．保護絶縁層５の形成）
１．のステップおよび２．のステップは，上記した第１の形態と同様であるため，説明を省略する。

（３．ＮＳＭＤパッド１６の形成）
図５（ａ）に示すように，外層パターン４を保護絶縁層５で覆った積層配線板２に，ＮＳＭＤパッド１６を形成する。ＮＳＭＤパッド１６の形成は，フォトリソグラフィにより，保護絶縁層５の一部を除去することにより行う。すなわち，露光した保護絶縁層５を現像液に浸すことにより保護絶縁層５の一部を溶して，保護絶縁層５に開口部５ｃを形成する。これにより，保護絶縁層５の開口部５ｃから外層パターン４が露出したＮＳＭＤパッド１６が形成される。ＮＳＭＤパッド１６は，保護絶縁層５の開口部５ｃの縁辺と開口部５ｃ内の配線パターン４との間に隙間があるパッドである。そのため，開口部５ｃからは，ＮＳＭＤパッド１６の周囲の積層部本体３の一部（絶縁層の表面３ａ）も露出する。フォトリソグラフィによる方法は，炭酸ガスレーザーの照射による方法とは異なり，積層配線板２を痛めることがないため，開口部５ｃから露出した絶縁層の表面３ａは平坦である。

（４．第１の表面処理（ニッケル金めっき））
次に図５（ｂ）に示すように，ＮＳＭＤパッド１６にニッケル金めっきを施す。すなわち，ＮＳＭＤパッド１６の表面に，ニッケル金めっきであるめっき層１７を形成する。これにより，ＮＳＭＤパッド１６の表面の酸化が防止される。

（５．ＮＳＭＤパッド８の形成）
次に図５（ｃ）に示すように，ＮＳＭＤパッド８を形成する。ＮＳＭＤパッド８の形成は，ＵＶレーザーを照射するレーザー加工により，保護絶縁層５におけるＮＳＭＤパッド１６の箇所以外の一部を除去することにより行う。すなわち，これから形成する保護絶縁層５の開口部５ｂの輪郭となる箇所にＵＶレーザーを照射することにより，保護絶縁層５の一部を除去して保護絶縁層５に開口部５ｂを形成する。これにより，保護絶縁層５の開口部５ｂから外層パターン４が露出したＮＳＭＤパッド８を形成する。ＮＳＭＤパッド８は，保護絶縁層５の開口部５ｂの縁辺と開口部５ｂ内の配線パターン４との間に隙間があるパッドである。そのため，開口部５ｂからは，ＮＳＭＤパッド８の周囲の積層部本体３の一部（絶縁層の表面３ａ）も露出する。

（６．第２の表面処理（ＯＳＰ））
次に図５（ｄ）に示すように，ＮＳＭＤパッド８にＯＳＰを施す。すなわち，ＮＳＭＤパッド８の表面に，ＯＳＰ層９を形成する。これにより，ＮＳＭＤパッド８の表面の酸化が防止される。

（７．検査等）
上記のように２種類の表面処理（ニッケル金めっき及びＯＳＰ）を施した後，電気テストにより各部の絶縁性等をチェックする。これにより，製品としての配線基板１Ａが完成する。

以上詳細に説明したように本形態に係る配線基板１Ａの製造方法では，先に形成するＮＳＭＤパッド１６の形成を，フォトリソグラフィにより保護絶縁層５の一部を除去することで行っている。また，後で形成するＮＳＭＤパッド８の形成を，ＵＶレーザーを照射することにより保護絶縁層５の他の一部を除去することで行っている。すなわち，ＮＳＭＤパッド１６及びＮＳＭＤパッド８の形成に炭酸ガスレーザーの照射を用いていない。そのため，開口部５ｃから露出する積層配線板２におけるＮＳＭＤパッド１６の周囲の箇所や，開口部５ｂから露出する積層配線板２におけるＮＳＭＤパッド８の周囲の箇所を痛めるのを防止することができる。従って，本形態によれば，表面処理の対象箇所にＮＳＭＤパッド１６及びＮＳＭＤパッド８を含む場合でも，積層配線板２を痛めることなく異なる種類の表面処理（ニッケル金めっき及びＯＳＰ）を施すことができる。

〈第３の形態〉
次に第３の形態について説明する。第３の形態の説明において，第２の形態と同様の構成については，同様の符号を付して説明を省略する。本形態では，先にＮＳＭＤパッドを形成してこのＮＳＭＤパッドに第１の表面処理を施した後，ＳＭＤパッドを形成してこのＳＭＤパッドに第２の表面処理を施す点が，第２の形態と異なっている。

詳細には，本形態に係る配線基板１Ｂは，図６の断面図に示すように構成されている。すなわち本形態に係る配線基板１Ｂは，図６に示すように積層配線板２を備えている。積層配線板２の第１主面２ａ（図６中における上側の面）には，外層パターン４と，保護絶縁層５が形成されている。また，第１主面２ａには，ＮＳＭＤパッド（第１パッドに相当）１６と，ＳＭＤパッド（第２パッドに相当）１８が形成されている。ＮＳＭＤパッド１６には，ニッケル金めっきが施されている。すなわち，ＮＳＭＤパッド１６の表面上には，ニッケル金めっきであるめっき層１７が形成されている。また，ＳＭＤパッド１８には，ＯＳＰが施されている。すなわち，ＳＭＤパッド１８の表面上には，ＯＳＰ層（有機被膜）１９が形成されている。

次に，本形態の配線基板１Ｂの製造過程を説明する。配線基板１Ｂの製造過程は，次の１．〜７．の各ステップからなる。以下順に説明する。
１．積層配線板２の準備
２．保護絶縁層５の形成
３．ＮＳＭＤパッド１６の形成
４．第１の表面処理（ニッケル金めっき）
５．ＳＭＤパッド１８の形成
６．第２の表面処理（ＯＳＰ）
７．検査等

（１．積層配線板２の準備，および２．保護絶縁層５の形成）
１．のステップおよび２．のステップは，上記した第１の形態および第２の形態と同様であるため，説明を省略する。

（３．ＮＳＭＤパッド１６の形成）
図７（ａ）に示すように，外層パターン４を保護絶縁層５で覆った積層配線板２に，ＮＳＭＤパッド１６を形成する。ＮＳＭＤパッド１６の形成は，フォトリソグラフィにより，保護絶縁層５の一部を除去することにより行う。すなわち，露光した保護絶縁層５を現像液に浸すことにより保護絶縁層５の一部を溶して，保護絶縁層５に開口部５ｃを形成する。これにより，保護絶縁層５の開口部５ｃから外層パターン４が露出したＮＳＭＤパッド１６を形成する。ＮＳＭＤパッド１６は，保護絶縁層５の開口部５ｃの縁辺と開口部５ｃ内の配線パターン４との間に隙間があるパッドである。そのため，開口部５ｃからは，ＮＳＭＤパッド１６の周囲の積層部本体３の一部（絶縁層の表面３ａ）も露出する。

（４．第１の表面処理（ニッケル金めっき））
次に図７（ｂ）に示すように，ＮＳＭＤパッド１６にニッケル金めっきを施す。すなわち，ＮＳＭＤパッド１６の表面に，ニッケル金めっきであるめっき層１７を形成する。これにより，ＮＳＭＤパッド１６の表面の酸化が防止される。

（５．ＳＭＤパッド１８の形成）
次に図７（ｃ）に示すように，ＳＭＤパッド１８を形成する。ＳＭＤパッド１８の形成は，炭酸ガスレーザーを照射するレーザー加工により，保護絶縁層５におけるＮＳＭＤパッド１６の箇所以外の一部を除去することにより行う。すなわち，これから形成する保護絶縁層５の開口部５ｄの輪郭となる箇所に炭酸ガスレーザーを照射することにより，保護絶縁層５の一部を除去して保護絶縁層５に開口部５ｄを形成する。これにより，保護絶縁層５の開口部５ｄから外層パターン４が露出したＳＭＤパッド１８を形成する。ＳＭＤパッド１８は，保護絶縁層５の開口部５ｄの縁辺の下部に配線パターン４が食い込んでいるパッドである。

（６．第２の表面処理（ＯＳＰ））
次に図７（ｄ）に示すように，ＳＭＤパッド１８にＯＳＰを施す。すなわち，ＳＭＤパッド１８の表面に，ＯＳＰ層１９を形成する。これにより，ＳＭＤパッド１８の表面の酸化が防止される。

（７．検査等）
上記のように２種類の表面処理（ニッケル金めっき及びＯＳＰ）を施した後，電気テストにより各部の絶縁性等をチェックする。これにより，製品としての配線基板１Ｂが完成する。

以上詳細に説明したように本形態に係る配線基板１Ｂの製造方法では，ＮＳＭＤパッド１６の形成を，フォトリソグラフィにより保護絶縁層５の一部を除去することで行っている。すなわち，ＮＳＭＤパッド１６の形成に炭酸ガスレーザーの照射を用いていない。そのため，開口部５ｃから露出した積層配線板２におけるＮＳＭＤパッド１６の周囲の箇所を痛めるのを防止することができる。従って本形態によれば，表面処理の対象箇所にＮＳＭＤパッド１６を含む場合でも，積層配線板２を痛めることなく異なる種類の表面処理（ニッケル金めっき及びＯＳＰ）を施すことができる。

なお，上記した実施の形態は単なる例示にすぎず，本発明を何ら限定するものではない。したがって本発明は当然に，その要旨を逸脱しない範囲内で種々の改良，変形が可能である。例えば，上記第１の形態では，炭酸ガスレーザーの照射により第１パッド（先に露出させるパッド）としてのＳＭＤパッド６を形成したが，ＵＶレーザー若しくはＹＡＧレーザーの照射，又は，フォトリソグラフィによりＳＭＤパッドを形成してもよい。

また上記第１の形態又は第２の形態では，ＵＶレーザーの照射により第２パッド（後で露出させるパッド）としてのＮＳＭＤパッド８を形成したが，ＹＡＧレーザーの照射によりＮＳＭＤパッドを形成してもよい。炭酸ガスレーザーと波長の異なるＹＡＧレーザーは，ＵＶレーザーと同様，積層配線板２を痛めることなくＮＳＭＤパッドを形成できるレーザーである。従って，ＹＡＧレーザーの照射によりＮＳＭＤパッドを形成した場合には，保護絶縁層５の開口部から露出した積層部本体３の一部（絶縁層の表面３ａ）は平坦である。

また上記第２の形態及び第３の形態では，フォトリソグラフィにより第１パッドとしてのＮＳＭＤパッド１６を形成したが，ＵＶレーザー又はＹＡＧレーザーの照射によりＮＳＭＤパッドを形成してもよい。

また上記第３の形態では，炭酸ガスレーザーの照射により第２パッドとしてのＳＭＤパッド１８を形成したが，ＵＶレーザー又はＹＡＧレーザーの照射によりＳＭＤパッドを形成してもよい。

また上記した実施の形態では，第１の表面処理としてニッケル金めっきを行い，第１の表面処理よりも後に行う第２の表面処理としてＯＳＰを行った。しかしながら，第１の表面処理と第２の表面処理が異なる種類の表面処理であれば，第１の表面処理及び第２の表面処理は，例えば防錆処理をした銀めっき等の他の金属めっきや，ホットエアレベラー（Ｈｏｔ Ａｉｒ Ｓｏｌｄｅｒ Ｌｅｖｅｌｉｎｇ；ＨＡＳＬ）など，他の種類の表面処理でもよい。

また上記した実施の形態では，同一主面上に（実施形態では第１主面２ａ上に）異なる種類の表面処理を施したが，第１主面２ａ上及び第２主面２ｂ（裏の表面，図１，図４及び図６参照）上に異なる種類の表面処理を施す場合にも，本発明を適用することができる。すなわち，第１主面２ａ上に，上記した各実施の形態の１回目と同様のパッドの形成と表面処理を行い，第２主面２ｂ上に，上記した各実施の形態の２回目と同様のパッドの形成と表面処理を行うものであってもよい。勿論この場合には，第２主面２ｂ上にも，外層パターン及び保護絶縁層が形成されていることとなる。

また上記した実施の形態では，異なる２種類の表面処理を行う場合について説明したが，異なる３種類以上の表面処理を行う場合にも適用することができる。この場合，追加的に形成するパッドがＳＭＤパッドである場合には，炭酸ガスレーザー，ＵＶレーザー，又は，ＹＡＧレーザーの照射により保護絶縁層５の一部を除去することでＳＭＤパッドを形成すればよい。また，追加的に形成するパッドがＮＳＭＤパッドである場合には，ＵＶレーザー，又は，ＹＡＧレーザーの照射により保護絶縁層５の一部を除去することでＮＳＭＤパッドを形成すればよい。

１…配線基板
２…積層配線板
２ａ…第１主面（表の表面）
２ｂ…第２主面（裏の表面）
４…外層パターン（配線パターン）
５…保護絶縁層
５ａ…開口部
５ｂ…開口部
５ｃ…開口部
５ｄ…開口部
６…ＳＭＤパッド（第１パッド）
７…めっき層
８…ＮＳＭＤパッド（第２パッド）
９…ＯＳＰ層
１６…ＮＳＭＤパッド（第１パッド）
１７…めっき層
１８…ＳＭＤパッド（第２パッド）
１９…ＯＳＰ層

Claims (6)

1. 表裏の表面の少なくとも一方に配線パターンが形成された積層配線板を準備する工程と，
   前記積層配線板における前記配線パターンが形成されている面を覆う保護絶縁層を形成する工程と，
   前記保護絶縁層の一部を除去することにより，前記保護絶縁層の開口内で前記配線パターンが露出する第１パッドを形成する第１パッド形成工程と，
   前記第１パッドに第１の表面処理を施す工程と，
   前記保護絶縁層における前記第１パッドの箇所以外の一部を除去することにより，前記保護絶縁層の開口内で前記配線パターンが露出する第２パッドを形成する第２パッド形成工程と，
   前記第２パッドに前記第１の表面処理とは異なる種類の第２の表面処理を施す工程とを，この順に含む配線基板の製造方法であって，
   前記第１パッド形成工程と前記第２パッド形成工程との少なくとも一方にて形成するパッドを，前記保護絶縁層の開口の縁辺と開口内の前記配線パターンとの間に隙間があるＮＳＭＤ（Ｎｏｎ Ｓｏｌｄｅｒ Ｍａｓｋ Ｄｅｆｉｎｅｄ）パッドとし，
   前記第１パッド形成工程でＮＳＭＤパッドを形成する場合に，そのＮＳＭＤパッドの形成は，フォトリソグラフィによる第１の方法，ＵＶレーザーの照射による第２の方法，及び，ＹＡＧレーザーの照射による第３の方法からなる群のいずれか一つにより前記保護絶縁層の一部を除去することで行い，
   前記第２パッド形成工程でＮＳＭＤパッドを形成する場合に，そのＮＳＭＤパッドの形成は，前記第２の方法，又は，前記第３の方法により前記保護絶縁層における前記第１パッドの箇所以外の一部を除去することで行うことを特徴とする配線基板の製造方法。
2. 請求項１に記載の配線基板の製造方法であって，
   前記第１パッド形成工程にて形成するパッドを，前記保護絶縁層の開口の縁辺の下部に前記配線パターンが食い込んでいるＳＭＤ（Ｓｏｌｄｅｒ Ｍａｓｋ Ｄｅｆｉｎｅｄ）パッドとし，
   前記第２パッド形成工程にて形成するパッドをＮＳＭＤパッドとし，
   前記第１パッドの形成は，前記第１の方法，前記第２の方法，前記第３の方法，及び，炭酸ガスレーザーの照射による第４の方法からなる群のいずれか一つにより前記保護絶縁層の一部を除去することで行うことを特徴とする配線基板の製造方法。
3. 請求項２に記載の配線基板の製造方法であって，
   前記第１パッドの形成は，前記第４の方法により行うことを特徴とする配線基板の製造方法。
4. 請求項１に記載の配線基板の製造方法であって，
   前記第１パッド形成工程にて形成するパッド及び前記第２パッド形成工程にて形成するパッドをいずれもＮＳＭＤパッドとし，
   前記第１パッドの形成は，前記第１の方法により行うことを特徴とする配線基板の製造方法。
5. 請求項１に記載の配線基板の製造方法であって，
   前記第１パッド形成工程にて形成するパッドをＮＳＭＤパッドとし，
   前記第２パッド形成工程にて形成するパッドを，前記保護絶縁層の開口の縁辺の下部に前記配線パターンが食い込んでいるＳＭＤパッドとし，
   前記第１パッドの形成は，前記第１の方法により行い，
   前記第２パッドの形成は，前記第２の方法，前記第３の方法，及び，炭酸ガスレーザーの照射による第４の方法からなる群のいずれか一つにより前記保護絶縁層における前記第１パッドの箇所以外の一部を除去することで行うことを特徴とする配線基板の製造方法。
6. 表裏の表面の少なくとも一方に配線パターンが形成されている積層配線板と，
   前記積層配線板における前記配線パターンが形成されている面を，複数の開口部を残して覆う保護絶縁層と，
   前記配線パターンの一部であり，前記保護絶縁層の開口部から露出する第１パッドと，
   前記配線パターンの一部であり，前記保護絶縁層における前記第１パッドの開口部とは異なる開口部から露出する第２パッドとを備え，
   前記第１パッドと前記第２パッドとに異なる種類の表面処理が施されており，
   前記第１パッド及び前記第２パッドのうち少なくとも一方は，前記保護絶縁層の開口部の縁辺と開口部内の前記配線パターンとの間に隙間があるＮＳＭＤパッドであることを特徴とする配線基板。

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