JP2014187385A - 化合物半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 GaNのキャリア走行層と、前記キャリア走行層上に形成されたAlxGa1−xN(0<x≦1)のキャリア供給層と、前記キャリア供給層上に形成され、開口を有する走行キャリアと同導電の第一導電型のInを含むGaNのInGaN系保護層と、前記開口内に形成されたゲート電極とを設ける。
【選択図】 図5
Description
a.n型層の電子により、n型GaN保護層15とn型Al0.25Ga0.75N電子供給層14との界面に誘起されるホール21をスクリーニングして、このホール21がデバイス特性に影響を与えないようにしたため
b.ソース電極18及びドレイン電極19のオーミック性が向上するため、
c.表面がGaN層になるので、Alに起因する表面トラップの影響が解消されるため、d.表面がGaN層になるので、AlGaNに比べてエッチング耐性が高まるので、加工ダメージが表面に導入されにくくなるため、
と考えられる。
12 i型GaN電子走行層
13 i型Al0.25Ga0.75N層
14 n型Al0.25Ga0.75N電子供給層
15 n型GaN保護層
16 SiN膜
17 ゲート電極
18 ソース電極
19 ドレイン電極
20 二次元電子層
21 ホール
31 i型GaN保護層
32 n型AlN層
41 サファイア基板
42 i型GaN電子走行層
43 i型Al0.25Ga0.75N層
44 n型Al0.25Ga0.75N電子供給層
45 i型Al0.25Ga0.75N保護層
46 SiN膜
47 ゲート電極
48 ソース電極
49 ドレイン電極
50 二次元電子層
Claims (7)
- GaNのキャリア走行層と、
前記キャリア走行層上に形成されたAlxGa1−xN(0<x≦1)のキャリア供給層と、
前記キャリア供給層上に形成され、開口を有する走行キャリアと同導電の第一導電型のInを含むGaNのInGaN系保護層と、
前記開口内に形成されたゲート電極と、
を備えたことを特徴とする化合物半導体装置。 - 前記InGaN系保護層上に形成されたソース・ドレイン電極を備えたことを特徴とする請求項1に記載の化合物半導体装置。
- 前記ゲート電極及びソース・ドレイン電極間をSiN膜で被覆したことを特徴とする請求項2に記載の化合物半導体装置。
- 前記第一導電型は、n型であることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の化合物半導体装置。
- 前記InGaN系保護層のドーピング濃度が、前記キャリア供給層との界面に発生するピエゾ電荷の20〜80%のシート濃度であることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の化合物半導体装置。
- 前記InGaN系保護層と前記キャリア供給層との間に前記第一導電型のAlzGa1−zN(z>x)を挿入したことを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の化合物半導体装置。
- 前記第一導電型のAlzGa1−zN(z>x)は、AlNであることを特徴とする請求項6に記載の化合物半導体装置。
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Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06232092A (ja) * | 1993-02-01 | 1994-08-19 | Sony Corp | ドライエッチング方法 |
JPH09307100A (ja) * | 1996-01-16 | 1997-11-28 | Matsushita Electron Corp | 電界効果型半導体装置 |
JPH10335637A (ja) * | 1997-05-30 | 1998-12-18 | Sony Corp | ヘテロ接合電界効果トランジスタ |
JPH11186537A (ja) * | 1997-12-19 | 1999-07-09 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
WO2000004587A2 (en) * | 1998-06-12 | 2000-01-27 | Cree, Inc. | Nitride based transistors on semi-insulating silicon carbide substrates |
JP2000031164A (ja) * | 1998-07-08 | 2000-01-28 | Showa Denko Kk | Iii族窒化物半導体素子 |
JP2000164926A (ja) * | 1998-11-24 | 2000-06-16 | Sony Corp | 化合物半導体の選択エッチング方法、窒化物系化合物半導体の選択エッチング方法、半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2001085670A (ja) * | 1999-09-14 | 2001-03-30 | Nec Corp | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
-
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06232092A (ja) * | 1993-02-01 | 1994-08-19 | Sony Corp | ドライエッチング方法 |
JPH09307100A (ja) * | 1996-01-16 | 1997-11-28 | Matsushita Electron Corp | 電界効果型半導体装置 |
JPH10335637A (ja) * | 1997-05-30 | 1998-12-18 | Sony Corp | ヘテロ接合電界効果トランジスタ |
JPH11186537A (ja) * | 1997-12-19 | 1999-07-09 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
WO2000004587A2 (en) * | 1998-06-12 | 2000-01-27 | Cree, Inc. | Nitride based transistors on semi-insulating silicon carbide substrates |
JP2000031164A (ja) * | 1998-07-08 | 2000-01-28 | Showa Denko Kk | Iii族窒化物半導体素子 |
JP2000164926A (ja) * | 1998-11-24 | 2000-06-16 | Sony Corp | 化合物半導体の選択エッチング方法、窒化物系化合物半導体の選択エッチング方法、半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2001085670A (ja) * | 1999-09-14 | 2001-03-30 | Nec Corp | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
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