JP2014178199A - 薄膜式ガスセンサ及びその検査方法 - Google Patents
薄膜式ガスセンサ及びその検査方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014178199A JP2014178199A JP2013052228A JP2013052228A JP2014178199A JP 2014178199 A JP2014178199 A JP 2014178199A JP 2013052228 A JP2013052228 A JP 2013052228A JP 2013052228 A JP2013052228 A JP 2013052228A JP 2014178199 A JP2014178199 A JP 2014178199A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- thin film
- resistance value
- sensor
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
【解決手段】検知対象ガスとの接触により電気的特性が変化する、ガス検知層と該ガス検知層を加熱可能なヒータ層とを有するセンサ素子を備え、ヒータ層により加熱されたガス検知層の抵抗値に基づいて検知対象ガスを検知可能とする薄膜式ガスセンサであって、初期状態の薄膜式ガスセンサにて測定されたガス検知層の抵抗値R及び検知対象ガスのガス濃度Xを用いて算出された所定の指標値が予め設定された基準を満たしている、薄膜式ガスセンサ。このような基準に基づいて良否を判定する薄膜式ガスセンサの検査方法。
【選択図】図3
Description
初期状態の薄膜式ガスセンサにて測定された前記ガス検知層の抵抗値Rと前記検知対象ガスのガス濃度Xとの関係を下記(式1)により定義し、
R=aXb ・・・(式1)
前記抵抗値R及び前記ガス濃度Xから成る直交座標系にて、前記ガス濃度Xが4000ppm以上である領域における前記抵抗値R及び前記ガス濃度Xから成る2つの測定点を用いて、前記(式1)の係数a及び勾配係数bを算出した場合に、前記勾配係数bが0.8以上となっている。そのため、薄膜式ガスセンサは、このような条件を初期状態で満たすことによって検査対象ガスの検知性能を長期間に渡って維持できる。
S=R2000/R0 ・・・(式2)
前記ガス感度Sが12以下となっている。そのため、薄膜式ガスセンサは、このような条件を初期状態で満たすことによって検査対象ガスの検知性能を長期間に渡って維持できる。
R=aXb ・・・(式3)
前記抵抗値R及び前記ガス濃度Xから成る直交座標上にて、前記ガス濃度Xが4000ppm以上である領域における前記抵抗値R及び前記ガス濃度Xから成る2つの測定点を用いて、前記(式3)の係数a及び勾配係数bを算出し、前記算出された係数a及び勾配係数bと、前記ガス濃度Xが0ppmである時に初期状態の薄膜式ガスセンサにて測定された前記ガス検知層の抵抗値R0とを用いて、前記(式3)によってゼロガス濃度X0を算出した場合に、前記ゼロガス濃度X0が150ppm以上となっている。そのため、薄膜式ガスセンサは、このような条件を初期状態で満たすことによって検査対象ガスの検知性能を長期間に渡って維持できる。
R=aXb ・・・(式4)
前記抵抗値R及び前記ガス濃度Xから成る直交座標系にて、前記ガス濃度Xが4000ppm以上である領域における前記抵抗値R及び前記ガス濃度Xから成る2つの測定点を用いて、前記(式4)の係数a及び勾配係数bを算出し、前記勾配係数bを前記指標値とし、前記勾配係数bの閾値を0.8と設定し、前記勾配係数bが前記閾値の0.8以上である場合に、前記測定された薄膜式ガスセンサが良品であると判定する。そのため、長期間に渡って検査対象ガスの検知性能を維持できる薄膜式ガスセンサを、製品初期段階でさらに確実に選別できる。
S=R2000/R0 ・・・(式5)
前記ガス感度Sを前記指標値とし、前記ガス感度Sの閾値を12と設定し、前記ガス感度Sが前記閾値の12以下である場合に、前記測定された薄膜式ガスセンサが良品であると判定する。そのため、長期間に渡って検査対象ガスの検知性能を維持できる薄膜式ガスセンサを、製品初期段階でさらに確実に選別できる。
R=aXb ・・・(式6)
前記抵抗値R及び前記ガス濃度Xから成る直交座標上にて、前記ガス濃度Xが4000ppm以上である領域における前記抵抗値R及び前記ガス濃度Xから成る2つの測定点を用いて、前記(式6)の係数a及び勾配係数bを算出し、前記算出された係数a及び勾配係数bと、前記ガス濃度Xが0ppmである時に初期状態の薄膜式ガスセンサにて測定された前記ガス検知層の抵抗値R0とを用いて、前記(式6)によってゼロガス濃度X0を算出し、前記ゼロガス濃度X0を前記指標値とし、前記ゼロガス濃度X0の閾値を150ppmと設定し、前記ゼロガス濃度X0が前記閾値の150ppm以上である場合に、前記測定された薄膜式ガスセンサが良品であると判定する。そのため、長期間に渡って検査対象ガスの検知性能を維持できる薄膜式ガスセンサを、製品初期段階でさらに確実に選別できる。
本発明の第1実施形態に係る薄膜式ガスセンサ及びその検査方法について以下に説明する。図1に示すように、ガス検知装置に用いられる薄膜式ガスセンサ1は、検知対象ガスを検知するセンサ素子2を有している。センサ素子2はテーブル3上に配置されており、センサ素子2の底部とテーブル3の頂面とが当接している。テーブル3は複数のステム4によって支持されている。ステム4は、上下方向に延びる棒状に形成されている。また、テーブル3上には、センサ素子2を囲むようにキャップ5が配置されている。キャップ5は、上下方向に延びる筒状に形成されており、キャップ5の底部には底部開口5aが設けられ、テーブル3の頂面とキャップ5の底部開口5aの周縁部とが当接している。キャップ5の頂部には頂部開口5bが設けられ、キャップ5の頂部には、頂部開口5bを覆うように網状の上部ネット6が取付けられている。キャップ5の内部には、網状の下部ネット7が上部ネット6の下方に間隔を空けて配置されている。上部ネット6と下部ネット7との間には、活性炭から構成されたフィルタ8が配置されている。薄膜式ガスセンサ1は、センサ素子2、テーブル3、ステム4、キャップ5、上部ネット6、下部ネット7、及びフィルタ8を収容する筐体9を有しており、筐体9は上下方向に延びる筒状に形成されている。筐体9の頂部には、通気開口9aが設けられている。
本発明の第2実施形態に係る薄膜式ガスセンサ及びその検査方法について以下に説明する。第2実施形態は、基本的には、第1実施形態と同様になっている。第1実施形態と同様な要素は、第1実施形態と同様の符号および名称を用いて説明する。ここでは、第1実施形態と異なる構成について説明する。
本発明の第3実施形態に係る薄膜式ガスセンサ及びその検査方法について以下に説明する。第3実施形態は、基本的には、第1実施形態と同様になっている。第1実施形態と同様な要素は、第1実施形態と同様の符号および名称を用いて説明する。ここでは、第1実施形態と異なる構成について説明する。
本発明の実施例1について説明する。実施例1においては、本発明の第1実施形態に係る薄膜式ガスセンサ1の検査方法を用いて、複数の薄膜式ガスセンサ1を検査する。検査対象の薄膜式ガスセンサ1は、第1実施形態で説明したセンサ素子2の好ましい構成の一例におけるセンサ素子2を有しており、センサ素子2は、第1実施形態で説明したセンサ素子2の製造方法の好ましい一例のように作製されている。また、薄膜式ガスセンサ1については、ガス漏れ警報を発する基準となるガス検知層14の抵抗値(以下、「警報抵抗値」という)が所定の値に定められている。
本発明の実施例2について説明する。実施例2においては、本発明の第2実施形態に係る薄膜式ガスセンサ1の検査方法を用いて、複数の薄膜式ガスセンサ1を検査する。検査対象の薄膜式ガスセンサ1は、実施例1と同様のセンサ素子2を有しており、センサ素子2は、実施例1と同様に作製されている。また、薄膜式ガスセンサ1については、実施例1と同様に、警報抵抗値が所定の値に定められている。
本発明の実施例3について説明する。実施例3においては、本発明の第3実施形態に係る薄膜式ガスセンサ1の検査方法を用いて、複数の薄膜式ガスセンサ1を検査する。検査対象の薄膜式ガスセンサ1は、実施例1と同様のセンサ素子2を有しており、センサ素子2は、実施例1と同様に作製されている。また、薄膜式ガスセンサ1については、実施例1と同様に、警報抵抗値が所定の値に定められている。
2 センサ素子
12 ヒータ層
14 ガス検知層
R,R0 抵抗値
X ガス濃度
X0 ゼロガス濃度
D1 第1の測定点
D2 第2の測定点
D3 第3の測定点
D4 第4の測定点
D5 第5の測定点
D6 第6の測定点
L1,L2 直線
b 勾配係数
T,T’,T’’ 警報濃度変動比
S ガス感度
Claims (7)
- 検知対象ガスとの接触により電気的特性が変化する、ガス検知層と前記ガス検知層を加熱可能なヒータ層とを有するセンサ素子を備え、
前記ヒータ層により加熱された前記ガス検知層の抵抗値に基づいて前記検知対象ガスを検知可能とするように構成された薄膜式ガスセンサであって、
初期状態の薄膜式ガスセンサにて測定された前記ガス検知層の抵抗値Rと前記検知対象ガスのガス濃度Xとの関係を下記(式1)により定義し、
R=aXb ・・・(式1)
前記抵抗値R及び前記ガス濃度Xから成る直交座標系にて、前記ガス濃度Xが4000ppm以上である領域における前記抵抗値R及び前記ガス濃度Xから成る2つの測定点を用いて、前記(式1)の係数a及び勾配係数bを算出した場合に、
前記勾配係数bが0.8以上となっている、薄膜式ガスセンサ。 - 検知対象ガスとの接触により電気的特性が変化する、ガス検知層と前記ガス検知層を加熱可能なヒータ層とを有するセンサ素子を備え、
前記ヒータ層により加熱された前記ガス検知層の抵抗値に基づいて前記検知対象ガスを検知可能とするように構成された薄膜式ガスセンサであって、
前記検知対象ガスのガス濃度Xが2000ppmである時に初期状態の薄膜式ガスセンサにて測定された前記ガス検知層の抵抗値R2000と、前記ガス濃度Xが0ppmである時に初期状態の薄膜式ガスセンサにて測定された前記ガス検知層の抵抗値R0との比であるガス感度Sを、下記(式2)により定義した場合に、
S=R2000/R0 ・・・(式2)
前記ガス感度Sが12以下となっている、薄膜式ガスセンサ。 - 検知対象ガスとの接触により電気的特性が変化する、ガス検知層と前記ガス検知層を加熱可能なヒータ層とを有するセンサ素子を備え、
前記ヒータ層により加熱された前記ガス検知層の抵抗値に基づいて前記検知対象ガスを検知可能とするように構成された薄膜式ガスセンサであって、
初期状態の薄膜式ガスセンサにて測定された前記ガス検知層の抵抗値Rと前記検知対象ガスのガス濃度Xとの関係を下記(式3)により定義し、
R=aXb ・・・(式3)
前記抵抗値R及び前記ガス濃度Xから成る直交座標上にて、前記ガス濃度Xが4000ppm以上である領域における前記抵抗値R及び前記ガス濃度Xから成る2つの測定点を用いて、前記(式3)の係数a及び勾配係数bを算出し、
前記算出された係数a及び勾配係数bと、前記ガス濃度Xが0ppmである時に初期状態の薄膜式ガスセンサにて測定された前記ガス検知層の抵抗値R0とを用いて、前記(式3)によってゼロガス濃度X0を算出した場合に、
前記ゼロガス濃度X0が150ppm以上となっている、薄膜式ガスセンサ。 - 検知対象ガスとの接触により電気的特性が変化する、ガス検知層と前記ガス検知層を加熱可能なヒータ層とを有するセンサ素子を備え、
前記ヒータ層により加熱された前記ガス検知層の抵抗値に基づいて前記検知対象ガスを検知可能とするように構成された薄膜式ガスセンサの検査方法であって、
初期状態の前記薄膜式ガスセンサにて測定された前記ガス検知層の抵抗値R及び前記検知対象ガスのガス濃度Xを用いて所定の指標値を算出し、予め設定された前記指標値の閾値を基準として薄膜式ガスセンサの良否を判定する検査方法。 - 前記抵抗値Rと前記ガス濃度Xとの関係を下記(式4)により定義し、
R=aXb ・・・(式4)
前記抵抗値R及び前記ガス濃度Xから成る直交座標系にて、前記ガス濃度Xが4000ppm以上である領域における前記抵抗値R及び前記ガス濃度Xから成る2つの測定点を用いて、前記(式4)の係数a及び勾配係数bを算出し、
前記勾配係数bを前記指標値とし、
前記勾配係数bの閾値を0.8と設定し、
前記勾配係数bが前記閾値の0.8以上である場合に、前記測定された薄膜式ガスセンサが良品であると判定する請求項4に記載の薄膜式ガスセンサの検査方法。 - 前記ガス濃度Xが2000ppmである時に初期状態の薄膜式ガスセンサにて測定された前記ガス検知層の抵抗値R2000と、前記ガス濃度Xが0ppmである時に初期状態の薄膜式ガスセンサにて測定された前記ガス検知層の抵抗値R0との比であるガス感度Sを下記(式5)によって定義し、
S=R2000/R0 ・・・(式5)
前記ガス感度Sを前記指標値とし、
前記ガス感度Sの閾値を12と設定し、
前記ガス感度Sが前記閾値の12以下である場合に、前記測定された薄膜式ガスセンサが良品であると判定する請求項4に記載の薄膜式ガスセンサの検査方法。 - 前記抵抗値Rと前記ガス濃度Xとの関係を下記(式6)により定義し、
R=aXb ・・・(式6)
前記抵抗値R及び前記ガス濃度Xから成る直交座標上にて、前記ガス濃度Xが4000ppm以上である領域における前記抵抗値R及び前記ガス濃度Xから成る2つの測定点を用いて、前記(式6)の係数a及び勾配係数bを算出し、
前記算出された係数a及び勾配係数bと、前記ガス濃度Xが0ppmである時に初期状態の薄膜式ガスセンサにて測定された前記ガス検知層の抵抗値R0とを用いて、前記(式6)によってゼロガス濃度X0を算出し、
前記ゼロガス濃度X0を前記指標値とし、
前記ゼロガス濃度X0の閾値を150ppmと設定し、
前記ゼロガス濃度X0が前記閾値の150ppm以上である場合に、前記測定された薄膜式ガスセンサが良品であると判定する請求項4に記載の薄膜式ガスセンサの検査方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013052228A JP2014178199A (ja) | 2013-03-14 | 2013-03-14 | 薄膜式ガスセンサ及びその検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013052228A JP2014178199A (ja) | 2013-03-14 | 2013-03-14 | 薄膜式ガスセンサ及びその検査方法 |
Related Child Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017044974A Division JP6411567B2 (ja) | 2017-03-09 | 2017-03-09 | 薄膜式ガスセンサの検査方法 |
JP2017044973A Division JP6397072B2 (ja) | 2017-03-09 | 2017-03-09 | 薄膜式ガスセンサの検査方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014178199A true JP2014178199A (ja) | 2014-09-25 |
Family
ID=51698305
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013052228A Pending JP2014178199A (ja) | 2013-03-14 | 2013-03-14 | 薄膜式ガスセンサ及びその検査方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2014178199A (ja) |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60228950A (ja) * | 1984-04-04 | 1985-11-14 | ツエルベルス・アクチエンゲゼルシヤフト | ガス混合物内の還元性ガスを検出するための方法および装置 |
US5470756A (en) * | 1990-03-19 | 1995-11-28 | British Gas Plc | Gas sensors |
JPH1194786A (ja) * | 1991-04-05 | 1999-04-09 | Bg Plc | 酸化錫ガスセンサーおよび製造方法 |
JP2000221152A (ja) * | 1999-01-29 | 2000-08-11 | Fis Kk | ガス検出装置 |
JP2000292397A (ja) * | 1999-04-02 | 2000-10-20 | Fuji Electric Co Ltd | ガスセンサ |
US20100098593A1 (en) * | 2008-10-16 | 2010-04-22 | Apollo, Inc. | Sensitive Materials for Gas Sensing and Method of Making Same |
JP2012167954A (ja) * | 2011-02-10 | 2012-09-06 | Fuji Electric Co Ltd | ガス検知装置 |
-
2013
- 2013-03-14 JP JP2013052228A patent/JP2014178199A/ja active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60228950A (ja) * | 1984-04-04 | 1985-11-14 | ツエルベルス・アクチエンゲゼルシヤフト | ガス混合物内の還元性ガスを検出するための方法および装置 |
US5470756A (en) * | 1990-03-19 | 1995-11-28 | British Gas Plc | Gas sensors |
JPH1194786A (ja) * | 1991-04-05 | 1999-04-09 | Bg Plc | 酸化錫ガスセンサーおよび製造方法 |
JP2000221152A (ja) * | 1999-01-29 | 2000-08-11 | Fis Kk | ガス検出装置 |
JP2000292397A (ja) * | 1999-04-02 | 2000-10-20 | Fuji Electric Co Ltd | ガスセンサ |
US20100098593A1 (en) * | 2008-10-16 | 2010-04-22 | Apollo, Inc. | Sensitive Materials for Gas Sensing and Method of Making Same |
JP2012167954A (ja) * | 2011-02-10 | 2012-09-06 | Fuji Electric Co Ltd | ガス検知装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6168919B2 (ja) | ガス検知装置及びガス検知方法 | |
JP5946004B2 (ja) | ガス検出装置およびその方法 | |
JP5961016B2 (ja) | ガス検知装置 | |
JP2007024508A (ja) | 薄膜ガスセンサ | |
JP5319027B2 (ja) | ガス検知装置およびガス検知方法 | |
JP4585756B2 (ja) | 半導体式ガスセンサ、および半導体式ガスセンサを用いたガスの監視方法 | |
JP6397072B2 (ja) | 薄膜式ガスセンサの検査方法 | |
JP5926519B2 (ja) | ガス検知装置 | |
JP2017223557A (ja) | ガスセンサ | |
JP2009282024A (ja) | ガスセンサ及びガス検出器 | |
JP4830714B2 (ja) | 薄膜ガスセンサの異常検知方法 | |
JP6411567B2 (ja) | 薄膜式ガスセンサの検査方法 | |
JP2011002358A (ja) | 半導体ガスセンサの間欠駆動方法 | |
JP2005134251A (ja) | 薄膜ガスセンサ | |
JP4970584B2 (ja) | 薄膜ガスセンサ | |
JP2014178199A (ja) | 薄膜式ガスセンサ及びその検査方法 | |
JP6284300B2 (ja) | 薄膜式ガスセンサ | |
JP2007017217A (ja) | 薄膜ガスセンサ | |
JP4329944B2 (ja) | 半導体ガスセンサの駆動方法 | |
JP4851610B2 (ja) | 薄膜ガスセンサ | |
JP4779076B2 (ja) | 薄膜ガスセンサ | |
JP2010066009A (ja) | 薄膜ガスセンサ | |
JP2005098947A (ja) | 薄膜ガスセンサ | |
JP5129553B2 (ja) | 水素検知素子 | |
JP3976265B2 (ja) | 薄膜ガスセンサ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20151130 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161118 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20170117 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170309 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170801 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170929 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20180302 |