JP2014177584A - 硬化性樹脂組成物、封止材、及びこれを用いた電子デバイス製品 - Google Patents

硬化性樹脂組成物、封止材、及びこれを用いた電子デバイス製品 Download PDF

Info

Publication number
JP2014177584A
JP2014177584A JP2013053447A JP2013053447A JP2014177584A JP 2014177584 A JP2014177584 A JP 2014177584A JP 2013053447 A JP2013053447 A JP 2013053447A JP 2013053447 A JP2013053447 A JP 2013053447A JP 2014177584 A JP2014177584 A JP 2014177584A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin composition
curable resin
sealing material
electronic device
curing agent
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2013053447A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroyuki Okudaira
浩之 奥平
Akira Takakura
朗 高倉
Hiroshi Kato
寛 加藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denso Corp
Original Assignee
Denso Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Denso Corp filed Critical Denso Corp
Priority to JP2013053447A priority Critical patent/JP2014177584A/ja
Priority to DE201410103124 priority patent/DE102014103124A1/de
Priority to US14/208,009 priority patent/US20140264959A1/en
Publication of JP2014177584A publication Critical patent/JP2014177584A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293Organic, e.g. plastic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/33Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of a plurality of layer connectors
    • H01L2224/331Disposition
    • H01L2224/3318Disposition being disposed on at least two different sides of the body, e.g. dual array
    • H01L2224/33181On opposite sides of the body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

【課題】硬化物の耐熱性及び靱性に優れた硬化性樹脂組成物、これを用いた封止材、及びこれを用いた電子デバイス製品を提供する。
【解決手段】主剤と硬化剤とを含有する硬化性樹脂組成物、この硬化性樹脂組成物を硬化させてなる硬化物からなる封止材11、及びこの封止材11を用いた電子デバイス製品1である。硬化性樹脂組成物は、主剤として分子内にマレイミド基を2つ以上有するマレイミド化合物を含有し、硬化剤として下記の一般式(1)で表されるジアミン化合物を含有することを特徴とする組成物。
Figure 2014177584

(式中、Aは、酸素原子又は硫黄原子であり、Xは、水素原子、炭素数6以下のアルキル基、又はアリール基であり、nは1〜10の自然数である。)
【選択図】図3

Description

本発明は、主剤と硬化剤とを含有する硬化性樹脂組成物、該硬化性樹脂組成物の硬化物からなる封止材、及び該封止材を用いた電子デバイス製品に関する。
電子デバイス製品においては、衝撃、圧力、湿度、熱等の外部環境から半導体素子などの電子部品を保護するために、封止材が用いられている。封止材としては、主剤がエポキシ樹脂であり、硬化剤がフェノール樹脂であるエポキシ/フェノール系封止材が広く用いられていた。近年、電子デバイス製品の半導体基板が、Si基板からより高性能なSiC基板へと推移しており、このSiC基板を用いた電子デバイス製品は、200〜250℃程度の高温環境下での使用が想定される。一方、エポキシ/フェノール系封止材の耐熱温度は150〜200℃であるため、耐熱性がさらに優れた封止材の開発が要求されている。
耐熱性に優れた材料として、従来、マレイミド化合物とポリアミンとが配合された耐熱性樹脂組成物が開発されている(特許文献1参照)。このようなマレイミド系樹脂の耐熱性樹脂組成物は、その硬化物が優れた耐熱性を示すことができる。
特開昭63−68637号公報
しかしながら、マレイミド系樹脂を用いた耐熱性樹脂組成物の硬化物は、耐熱性に優れる反面、従来のエポキシ/フェノール系封止材に比べて、靱性が低く脆いという欠点がある。例えばエポキシ/フェノール系封止材に適用されていた柔軟化材料を添加することにより、マレイミド化合物とポリアミンとが配合された耐熱性樹脂組成物に靱性を付与することは可能であるが、この場合には耐熱性が低下してしまう。
そこで、高温環境下で使用されるパワーデバイス等に用いられる封止材としては、耐熱性及び靱性に優れた新たな材料の開発が望まれている。
本発明は、かかる背景に鑑みてなされたものであり、硬化物の耐熱性及び靱性に優れた硬化性樹脂組成物、これを用いた封止材、及びこれを用いた電子デバイス製品を提供しようとするものである。
本発明の一態様は、主剤と硬化剤とを含有する硬化性樹脂組成物であって、
上記主剤として分子内にマレイミド基を2つ以上有するマレイミド化合物を含有し、上記硬化剤として下記の一般式(1)で表されるジアミン化合物を含有することを特徴とする硬化性樹脂組成物にある(請求項1)。
Figure 2014177584
(式中、Aは、酸素原子又は硫黄原子であり、Xは、水素原子、炭素数6以下のアルキル基、又はアリール基であり、nは1〜10の自然数である)
本発明の他の態様は、上記硬化性樹脂組成物を硬化させてなる硬化物からなることを特徴とする封止材にある(請求項6)。
本発明のさらに他の態様は、上記封止材を用いたことを特徴とする電子デバイス製品にある(請求項7)。
上記硬化性樹脂組成物は、主剤として上記マレイミド化合物を含有し、硬化剤として上記一般式(1)で表される特定のジアミン化合物を含有する。そして、上記硬化性樹脂組成物を硬化してなる硬化物は、優れた耐熱性と靱性を兼備する。これは、上記硬化性樹脂組成物の硬化物においては、マレイミド部位同士の強い相互作用と、硬化剤が平面に並ぶことによる強いスタッキング硬化により、硬化物の靱性を向上できるためであると考えられる。
上記硬化性樹脂組成物の硬化物からなる封止材は、その優れた耐熱性と靱性を発揮することができる。そのため、例えばSiC基板を用いた電子デバイス製品向けの封止材として好適である。
また、上記封止材を用いた電子デバイス製品は、例えば温度200℃超える高温環境下においても封止材がその機能を充分に発揮することができる。そのため、高温での信頼性に優れた電子デバイス製品として利用することができる。
実施例1における、フェニレンオキサイド骨格ジアミン(n=3)からなる硬化剤についての熱分析データ解析の結果を示す説明図。 実施例2における、フェニレンスルフィド骨格ジアミン(n=3)からなる硬化剤の核磁気共鳴(NMR)スペクトルを示す説明図。 実施例8における、電子デバイス製品の断面構造を示す説明図。
次に、上記硬化性樹脂組成物の好ましい実施形態について説明する。
硬化性樹脂組成物は、主剤としてマレイミド化合物を含有し、硬化剤としてジアミン化合物を含有する。
主剤と硬化剤との配合割合は、一般的な主剤と硬化剤との関係になるように、主剤と硬化剤の官能基の当量比に基づいて適宜調整することができる。具体的には、両者の官能基の当量比が例えば0.5〜1.5の範囲、好ましくは0.8〜1.2の範囲、より好ましくは0.9〜1.1の範囲となるように適宜調整することができる。
上記硬化性樹脂組成物においては、主剤のマレイミド当量と硬化剤のアミン当量との比を0.9〜1.1の範囲に調整することができる。また、後述のように、主剤としてさらにエポキシ樹脂を含有する場合には、主剤の官能基当量の合計(マレイミド当量とエポキシ当量との合計)と、硬化剤の当量(アミン当量)との比を例えば0.9〜1.1の範囲に調整することができる。最も好ましくは1がよい。
上記硬化性樹脂組成物は、主剤として、分子内にマレイミド基を2つ以上有するマレイミド化合物を含有する。
マレイミド化合物としては、例えば4,4−ジフェニルメタンビスマレイミド、m−フェニレンビスマレイミド、ビスフェノールAジフェニルエーテルビスマレイミド、3,3−ジメチル−5,5−ジフェニルメタンビスマレイミド、4−メチル−1,3−フェニレンビスマレイミド、1,6−ビスマレイミド−(2,2,4−トリメチル)ヘキサン等の2官能タイプのビスマレイミド化合物を用いることができる。また、フェニルメタンマレイミド等の多官能タイプを用いることもできる。好ましくはマレイミド化合物のマレイミド基は、2つ以上かつ5つ以下がよい。また、2つ以上5以下のマレイミド基を有するマレイミド化合物の混合物を用いることもできる。より好ましくは、マレイミド基が2つのビスマレイミド化合物を少なくとも含むことがよく、このビスマレイミド化合物を主成分とするマレイミド化合物を用いることがさらに好ましい。この場合には、上記硬化性樹脂組成物の硬化物における樹脂構造中の立体障害を小さくし、靱性をより向上させることができる。
また、上記硬化性樹脂組成物は、上記主剤としてさらにエポキシ樹脂を含有することが好ましい(請求項5)。
この場合には、上記硬化性樹脂組成物の硬化物の靱性をより向上させることができる。主剤中のエポキシ樹脂の割合を増やすと、靱性がより向上する傾向にある。
また、上記硬化性樹脂組成物は、硬化剤として、上記一般式(1)で表されるジアミン化合物を含有する。上記一般式(1)において、Aは、酸素原子又は硫黄原子であり、Xは、水素原子、炭素数6以下のアルキル基、又はアリール基であり、nは1〜10の自然数である。また、上記一般式(1)において、アミノ基、Xは、ベンゼン環のいずれの位置に結合していてもよい。即ち、オルト位、メタ位、パラ位のいずれの位置に結合していてもよい。
上記硬化剤としては、上記一般式(1)で表される化合物のうち、1種又は2種以上の化合物を用いることができる。
また、上記一般式(1)におけるベンゼン骨格は、上記一般式(1)におけるA原子を介してメタ位又はパラ位でつながっていることが好ましい(請求項2)。
この場合には、上記硬化性樹脂組成物の硬化物における樹脂構造中の立体障害をより小さくし、靱性をより向上させることができる。より好ましくは、一般式(1)におけるベンゼン骨格は、A原子を介してすべてパラ位でつながっていることがよい。
また、上記一般式(1)におけるアミノ基はA原子に対してパラ位に結合していることが好ましい。
上記一般式(1)におけるXは、水素又はメチル基であることが好ましく、水素であることがより好ましい(請求項3)。
この場合には、上記硬化性樹脂組成物の硬化物における樹脂構造中の立体障害をより小さくし、靱性をより向上させることができる。
また、上記一般式(1)におけるnが大きくなりすぎるとジアミン化合物の合成が困難になる。かかる観点から、上記一般式におけるnは上述のごとく1〜10であることが好ましく、1〜5であることがより好ましく、1〜3であることがさらに好ましい。
一般式(1)で表される化合物としては、nが1〜10の範囲にある化合物から選ばれる1種、又はnの値が異なる2種以上の混合物を用いることができる。耐熱性と靱性をより向上できるという観点から、n=3であるジアミン化合物を少なくとも用いることがさらにより好ましい。
また、上記一般式(1)におけるAは、酸素原子であることが好ましい(請求項4)。
この場合には、上記硬化性樹脂組成物の接着性を高めることができ、封止材としてより好適になる。
また、上記一般式(1)におけるAが硫黄原子の場合には、耐熱性及び靱性がより向上する傾向にある。
また、硬化性樹脂組成物の硬化を促進させるために、硬化性樹脂組成物は、硬化触媒を含有することができる。硬化触媒としては、マレイミド樹脂の硬化反応に用いられる市販の硬化触媒を用いることができる。硬化触媒としては、例えば酸性触媒、アミン類、イミダゾール類、リン系触媒などがある。より具体的には、例えば、p−トルエンスルホン酸、メチルイミダゾール、フェニルイミダゾール、トリフェニルホスフィン、又はこれらの塩等を用いることができる。
また、硬化性樹脂組成物は、シリカなどのフィラーを含有することが好ましい。この場合には、上記硬化性樹脂組成物の線膨張係数を調整することができる。そのため、この場合には、上記硬化性樹脂組成物が電子デバイス製品の封止材としてより好適になる。フィラーの含有量は、硬化性樹脂組成物の用途により最適量が異なる。例えばパワーデバイス製品に用いる場合には、組成物全量中のフィラーの含有量を60〜95質量%にすることが好ましく、70〜90質量%にすることがより好ましく、75〜85質量%にすることがさらに好ましい。具体的には所望の線膨張係数になるように適宜調整することができる。
次に、上記封止材及び上記電子デバイス製品の好ましい実施形態について説明する。
封止材は、上記硬化性樹脂組成物の硬化物からなり、例えば電子デバイス製品等に好適である。特に、SiC基板等を用いたパワーデバイス用の封止材として好適である。この場合には、上記硬化性樹脂組成物の硬化物が有する優れた耐熱性及び靱性を充分にいかすことができる。特に、SiC基板等を用いたパワーデバイスにおいては、例えば240℃を超える高温環境下に曝されるおそれがあるため、上記硬化性樹脂組成物の硬化物の優れた耐熱性をいかすことができる。
また、電子デバイス製品としては、例えば、車両用、特にハイブリッド車(HV)用のパワーコントロールユニット(PCU)に用いられる半導体モジュール(パワーカード)がある。半導体モジュールにおけるパワーデバイス(電力制御用半導体素子)を封止する封止材として、上記硬化性樹脂組成物の硬化物を用いることができる。
(実施例1)
次に、上記硬化性樹脂組成物の実施例について説明する。
本例においては、主剤としてマレイミド化合物を含有し、硬化剤として特定のジアミン化合物を含有する硬化性樹脂組成物を作製し、その硬化物の特性を評価する。
まず、硬化剤として、下記の式(2)で表されるジアミン化合物を合成する。
Figure 2014177584
具体的には、まず、反応溶媒としてのN,N−ジメチルアセトアミドに、4,4’−ジヒドロキシジフェニルエーテルとp−クロロニトロベンゼンとを、当量比でOH:Cl=1:1.1となる割合で混合した。次いで、反応溶媒を温度80℃まで昇温させた後、反応溶媒に炭酸カリウムを4,4’−ジヒドロキシジフェニルエーテルの水酸基との当量比がOH:炭酸カリウム=1:1.1となる割合で添加した。
次いで、反応溶媒を温度125℃で5時間加熱して反応させた。その後、反応溶液をイオン交換水に投入して再沈殿を行い、ろ過により固形物を得た。さらに、固形物を熱メタノールにて洗浄した後、ろ過により固形物を得た。得られた固形物を乾燥させることにより、両末端にニトロ基を有するフェニレンエーテルオリゴマー(n=3)を得た。フェニレンエーテルオリゴマーの収率は90%であった。
次に、反応溶媒として、イソプロピルアルコールとテトラヒドロフランとの混合溶媒を作製した。この反応溶媒に、上記のようにして作製した両末端にニトロ基を有するフェニレンエーテルオリゴマーとパラジウムカーボンとを添加した。フェニレンエーテルオリゴマーとパラジウムカーボンとの配合比は質量比で1:0.05(フェニレンエーテルオリゴマー:パラジウムカーボン)とした。
次いで、反応溶媒を温度55℃まで昇温させた後、反応溶媒に水加ヒドラジンを1時間かけて添加した。水加ヒドラジンの添加量は、フェニレンエーテルオリゴマーのニトロ基と水加ヒドラジンとの当量比が1:4(ニトロ基:水加ヒドラジン)となる割合に調整した。次いで、温度60℃で5時間加熱して反応させることにより、フェニレンエーテルオリゴマーの末端のニトロ基をアミノ基に還元させた。次いで、熱時ろ過によりパラジウムカーボンを反応溶媒から除去した後、減圧濃縮を行い、仕込み量に対して2/3量(体積)の溶媒を留去した。次いで、留去した溶媒と同量(体積)のイソプロピルアルコールを新たに添加し、温度80℃まで昇温した。その後、冷却を行うことに固形物を析出させた。
次いで、ろ過により固形物を得た後、乾燥させた。これにより、両末端にアミノ基を有するフェニレンエーテルオリゴマー(n=3)、即ち、上記式(2)で表されるジアミン化合物(硬化剤A)を得た。その収率は85%であった。得られたジアミン化合物について、エスアイアイ・ナノテクノロジー(株)製の示差走査熱量計「EXSTAR6000」を用いて、示差走査熱量分析(DSC)を行った。その結果、得られたジアミン化合物においては、温度126℃付近に目的物の融点を示す鋭いピークが確認された。参考までに、その結果を図1に示す。なお、図1は、DSC曲線と時間の関係、並びに温度と時間の関係を示し、同図において、左側の縦軸は熱流(mW)を示し、横軸は時間(分)を示し、右側の縦軸は温度(℃)を示す。図1中には、DSC測定の測定条件を併記してある。
また、図示を省略するが、核磁気共鳴(NMR)測定により、得られたジアミン化合物の構造を確認し、高速液体クロマトグラフィ(HPLC)によって、得られた化合物の純度を確認している。
次に、上記のようにして作製した上記式(2)で表されるジアミン化合物(硬化剤A)を硬化剤として用いて硬化性樹脂組成物を作製する。
具体的には、まず、マレイミド化合物として、フェニルメタン型ビスマレイミド(大和化成工業(株)製のBMI−2300、マレイミド当量179)を準備し、硬化触媒(トリフェニルホスフィン塩(TPP塩))として、城北化学工業(株)製の「JPB659」を準備し、フィラー(球状シリカ)として(株)龍森製の「RD−8」を準備した。
そして、これらのマレイミド化合物、ジアミン化合物、硬化触媒、及びフィラーを後述の表1の実施例1に示す配合割合で、温度110℃に加熱したオープンロール(東洋精機(株)製)に投入し、5分間混練した。このようにして、硬化性樹脂組成物を得た。
次に、本例において得られた硬化性樹脂組成物の硬化物を作製し、その耐熱性及び靱性を評価した。
具体的には、まず、硬化性樹脂組成物をトランスファー成形(型温:200℃、5分間)することにより、成形し、硬化させて硬化物(成形体)を得た。本例においては、成形体を加工することにより、耐熱性評価用の硬化物として、立方体状のTMA用試験片(5mm×5mm×5mm)を作製し、さらに、靱性評価用の硬化物として、板状の曲げ試験片(幅10mm×長さ80mm×厚み4mm)を作製した。
耐熱性の評価は、TMA用試験片のガラス転移温度Tgを測定することにより行った。
ガラス転移温度Tgは、エスアイアイ・ナノテクノロジー(株)製の熱機械分析(TMA)装置「EXSTAR6000」を用いて、降温速度5℃/minで温度320から室温(25℃)まで降温させる過程で測定した。その結果を後述の表1に示す。なお、耐熱性の評価は、ガラス転移温度が250℃以上の場合を「◎」とし、250℃未満かつ240℃以上を「○」とし、240℃未満の場合を「×」として評価した。
また、靱性の評価は、曲げ試験片の曲げ歪を測定することにより行った。
曲げ歪は、JIS K 7171(2008年)
に準拠した3点曲げ試験により測定した。曲げ歪の測定は、支点間距離:64mm、試験速度:2mm/min、測定温度:室温(25℃)という測定条件で行った。なお、曲げ歪は、下記の式で求められる。
曲げ歪(%)=たわみ量×6×厚み/(支点間距離)2
その結果を後述の表1に示す。なお、靱性の評価は、曲げ歪が0.7%以上の場合を「◎」とし、0.7%未満かつ0.4%以上の場合を「○」とし、0.4%未満の場合を「×」として評価した。
(実施例2〜7、比較例1及び2)
次に、実施例1とは、主剤、硬化剤、硬化触媒、及びフィラーの種類や配合割合を変更して硬化性樹脂組成物を作製する。
各実施例及び比較例の硬化性樹脂組成物の作製にあたっては、実施例1で作製した上記式(2)で表されるジアミン化合物からなる硬化剤Aの他に、さらに5種類の硬化剤(硬化剤B〜F)を用いた。まず、これらの硬化剤B〜Fについて説明する。
硬化剤Bは、下記の式(3)で表されるジアミン化合物である。
Figure 2014177584
上記式(3)で表されるジアミン化合物(硬化剤B)は、以下のようにして合成した。
具体的には、まず、反応溶媒としてのN,N−ジメチルアセトアミドに、ジチオフェニレンスルフィドとp−クロロニトロベンゼンとを、SH基とCl基との当量比が1:1.1(SH:Cl)となる割合で混合した。次いで、反応溶媒を温度60℃まで昇温させた後、反応溶媒に炭酸カリウムをジチオフェニレンスルフィドのSH基との当量比がSH:炭酸カリウム=1:1.1となる割合で添加した。
次いで、反応溶媒を温度120℃で5時間加熱して反応させた。その後、反応溶液をイオン交換水に投入して再沈殿を行い、ろ過により固形物を得た。さらに、固形物を熱エタノールにて洗浄した後、固形物を乾燥させた。これにより、両末端にニトロ基を有するフェニレンスルフィドオリゴマー(n=3)を得た。フェニレンスルフィドオリゴマーの収率は80%であった。
次に、反応溶媒としてのイソプロピルアルコールに、上記のようにして作製した両末端にニトロ基を有するフェニレンスルフィドオリゴマーとパラジウムカーボンとを添加した。フェニレンスルフィドオリゴマーとパラジウムカーボンとの配合比は質量比で1:0.05(フェニレンスルフィドオリゴマー:パラジウムカーボン)とした。
次いで、反応溶媒を温度70℃まで昇温させた後、反応溶媒に水加ヒドラジンを1時間かけて添加した。水加ヒドラジンの添加量は、フェニレンスルフィドオリゴマーのニトロ基と水加ヒドラジンとの当量比が1:4(ニトロ基:水加ヒドラジン)となる割合に調整した。次いで、温度80℃で5時間加熱して反応させることにより、フェニレンスルフィドオリゴマーの末端のニトロ基をアミノ基に還元させた。次いで、熱時ろ過によりパラジウムカーボンを反応溶媒から除去した後、冷却を行うことに固形物を析出させた。
次いで、ろ過により固形物を得た後、乾燥させた。これにより、両末端にアミノ基を有するフェニレンスルフィドオリゴマー(n=3)、即ち、上記式(3)で表されるジアミン化合物(硬化剤B)を得た。その収率は75%であった。また、核磁気共鳴(NMR)測定により、得られたジアミン化合物の構造を確認した。参考までに、上記式(3)で表されるフェニレンスルフィドオリゴマー(n=3)のNMRスペクトルを図2に示す。
また、硬化剤Cは、下記の式(4)で表されるジアミン化合物である。硬化剤Cとしては、和歌山精化工業(株)製の「TPE−R」を用いた。
Figure 2014177584
また、硬化剤Dは、下記の式(5)で表されるジアミン化合物である。硬化剤Dとしては、和歌山精化工業(株)製の「ASD」を用いた。
Figure 2014177584
また、硬化剤Eは、ジアミノジフェニルスルホン(DDS)である。硬化剤Eとしては、ハンツマン社製の「Aradur 9664−1」を用いた。
また、硬化剤Fは、フェノールである。硬化剤Fとしては、DIC(株)製の「TD−2131」を用いた。
また、実施例5〜7においては、主剤として、マレイミド化合物だけでなく、エポキシ樹脂を併用した。エポキシ樹脂としては、ナフタレン型エポキシ樹脂であるDIC(株)製の「HP−4710」を用いた。
また、実施例2〜7、比較例1及び2においては、実施例1と同様のマレイミド化合物(主剤)、硬化触媒、フィラーを用いた。
そして、主剤、硬化剤、硬化触媒、フィラーを表1に示す配合割合で配合し、実施例1と同様にして混練を行って、各実施例及び比較例にかかる硬化性樹脂組成物を作製した。
また、実施例1と同様にして、各実施例及び比較例にかかる硬化性樹脂組成物を硬化させて硬化物(成形体)を作製し、実施例1と同様にして耐熱性及び靱性の評価を行った。その結果を表1に示す。
Figure 2014177584
表1より知られるごとく、主剤としてマレイミド化合物を含有し、硬化剤として式(2)〜(5)で表されるジアミン化合物、即ち、上記一般式(1)で表されるジアミン化合物を含有する硬化性樹脂組成物を用いることにより、耐熱性及び靱性に優れた硬化物が得られることがわかる。
(実施例8)
次に、実施例1において作製した硬化性樹脂組成物の硬化物を封止材として用いた電子デバイス製品の実施例について説明する。
図3に示すごとく、本例の電子デバイス製品1は、ハイブリッド車用のパワーコントロールユニットに用いられる半導体モジュール(パワーカード)である。この電子デバイス製品1においては、パワーデバイス101、銅スペーサー102、及び放熱用銅板103、104がリフロー方式によりはんだ付けされて電子部品10を構成し、この電子部品10が電極端子105、106と共に封止材11により封止されている。なお、図3において、パワーデバイス101と銅スペーサー102との間、及びパワーデバイス101と放熱用銅板104との間の領域は、はんだからなる接合部108、109である。
電子デバイス製品1の作製にあたっては、まず、電子部品10にプライマーを塗布した後、電子部品10を型内に配置した。次いで、トランスファー成形により、実施例1の硬化性樹脂組成物を温度200℃の型内に流し込んで成形した。その後温度250℃で4時間保持することにより硬化性樹脂組成物を硬化させた。このようにして、実施例1の硬化性樹脂組成物の硬化物を封止材11として用いた電子デバイス製品1を得た(図3参照)。
本例の電子デバイス製品1においては、耐熱性及び靱性に優れた実施例1の硬化性樹脂組成物(表1参照)の硬化物を封止材11として用いている。そのため、電子デバイス製品1は、例えば温度240℃程度の高温環境下においても封止材がその機能を充分に発揮できると共に、封止材が優れた靱性を発揮することができる。それ故、電子デバイス製品1は、高温での信頼性に優れている。
(実施例9)
上述の実施例8においては、実施例1において作製した硬化性樹脂組成物(フェニレンオキサイド骨格ジアミン)の硬化物を封止材として用いた電子デバイス製品の例を示した。本例は、実施例2において作製した硬化性樹脂組成物(フェニレンスルフィド骨格ジアミン)の硬化物を封止材として用いた電子デバイス製品を作製する例である。
本例においては、実施例2の硬化性樹脂組成物を用いた点を除いては、上述の実施例8と同様の構成の電子デバイス製品(半導体モジュール)を作製した(図3参照)。実施例2の硬化性樹脂組成物も耐熱性及び靱性に優れるため(表1参照)、本例において作製した電子デバイス製品も、例えば温度240℃程度の高温環境下においても封止材がその機能を充分に発揮できると共に、封止材が優れた靱性を発揮することができる。そのため、本例の電子デバイス製品も、高温での信頼性に優れている。
(比較例3)
本例は、比較例1の硬化性樹脂組成物の硬化物を封止材として用いた電子デバイス製品を作製する例である。
本例においては、比較例1の硬化性樹脂組成物を用いた点を除いては、上述の実施例8と同様の構成の電子デバイス製品(半導体モジュール)を作製した(図3参照)。比較例1の硬化性樹脂組成物は耐熱性に優れる反面、靱性が低いため(表1参照)、本例において作製した電子デバイス製品は、信頼性が不十分となる。
(実施例8、実施例9、比較例3の比較)
次いで、実施例8、実施例9、比較例3において作製した電子デバイス製品について、冷熱サイクル試験を行って、封止材の接着性の評価を行った。
具体的には、各電子デバイス製品を温度250℃まで加熱し、この温度250℃で30分間保持した後、温度−40℃まで冷却し、この温度−40℃で30分間保持するという冷熱サイクルを合計500サイクル繰り返し行った。この冷熱サイクル試験は、楠本化成(株)製のエタックNT−W(水冷仕様)シリーズを用いて行った。各50、100、250、500サイクル目に、各電子デバイス製品における電子部品と封止材との剥離を目視により確認した。50サイクル目に初めて剥離が観察された場合を「×」として評価し、100サイクル目に初めて剥離が観察された場合を「△」とし、250サイクル目に初めて剥離が観察された場合を「○」として評価し、500サイクル目に初めて剥離が観察された場合を「○」として評価した。なお、今回の評価において、500サイクル目にも剥離が観察されるものは無かった。その結果を表2に示す。
Figure 2014177584
表2より知られるごとく、硬化剤A、即ち、フェニレンオキサイド骨格ジアミンを硬化剤として用いた実施例1の硬化性樹脂組成物を封止材とする実施例8の電子デバイス製品及び、硬化剤B、即ちフェニレンスルフィド骨格ジアミンを硬化剤として用いた実施例1の硬化性樹脂組成物を封止材とする実施例8の電子デバイス製品は、封止材の接着性に優れていた。これに対し、硬化材E、即ちDDSを硬化剤として用いた比較例3の硬化性樹脂組成物を封止材とする比較例3の電子デバイス製品は、接着性が不十分であった。また、実施例8及び実施例9との比較から、フェニレンスルフィド骨格ジアミン(硬化材B)を硬化剤として用いた実施例2の硬化性樹脂組成物よりも、フェニレンオキサイド骨格ジアミンを硬化剤として用いた実施例1の硬化性樹脂組成物を用いた方が接着性に優れることがわかる。即ち、封止材の接着性の観点からは、上記一般式(1)のAは、酸素原子であることが好ましいことがわかる。
なお、上述の実施例8及び9においては、それぞれ実施例1及び2の硬化性樹脂組成物を用いたが、耐熱性及び靱性に優れた実施例3〜7の硬化性樹脂組成物(表1参照)を用いても、信頼性の高い電子デバイス製品を実現することができる。
1 電子デバイス製品
10 電子部品
11 封止材

Claims (7)

  1. 主剤と硬化剤とを含有する硬化性樹脂組成物であって、
    上記主剤として分子内にマレイミド基を2つ以上有するマレイミド化合物を含有し、上記硬化剤として下記の一般式(1)で表されるジアミン化合物を含有することを特徴とする硬化性樹脂組成物。
    Figure 2014177584
    (式中、Aは、酸素原子又は硫黄原子であり、Xは、水素原子、炭素数6以下のアルキル基、又はアリール基であり、nは1〜10の自然数である。)
  2. 請求項1に記載の硬化性樹脂組成物において、上記一般式(1)におけるベンゼン骨格は、上記一般式(1)におけるA原子を介してメタ位又はパラ位でつながっていることを特徴とする硬化性樹脂組成物。
  3. 請求項1又は2に記載の硬化性樹脂組成物において、上記一般式(1)におけるXは、水素原子であることを特徴する硬化性樹脂組成物。
  4. 請求項1〜3のいずれか1項に記載の硬化性樹脂組成物において、上記一般式(1)におけるAは、酸素原子であることを特徴する硬化性樹脂組成物。
  5. 請求項1〜4のいずれか1項に記載の硬化性樹脂組成物において、上記主剤としてさらにエポキシ樹脂を含有することを特徴とする硬化性樹脂組成物。
  6. 請求項1〜5のいずれか1項に記載の硬化性樹脂組成物を硬化させてなる硬化物からなることを特徴とする封止材(11)。
  7. 請求項6に記載の封止材(11)を用いたことを特徴とする電子デバイス製品(1)。
JP2013053447A 2013-03-15 2013-03-15 硬化性樹脂組成物、封止材、及びこれを用いた電子デバイス製品 Pending JP2014177584A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013053447A JP2014177584A (ja) 2013-03-15 2013-03-15 硬化性樹脂組成物、封止材、及びこれを用いた電子デバイス製品
DE201410103124 DE102014103124A1 (de) 2013-03-15 2014-03-10 Härtende Harzzusammensetzung, Dichtungsmaterial und elektronische Vorrichtung, die das Dichtungsmaterial verwendet
US14/208,009 US20140264959A1 (en) 2013-03-15 2014-03-13 Hardening resin composition, sealing material, and electronic device using the sealing material

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013053447A JP2014177584A (ja) 2013-03-15 2013-03-15 硬化性樹脂組成物、封止材、及びこれを用いた電子デバイス製品

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2014177584A true JP2014177584A (ja) 2014-09-25

Family

ID=51419094

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013053447A Pending JP2014177584A (ja) 2013-03-15 2013-03-15 硬化性樹脂組成物、封止材、及びこれを用いた電子デバイス製品

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20140264959A1 (ja)
JP (1) JP2014177584A (ja)
DE (1) DE102014103124A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017536465A (ja) * 2014-12-04 2017-12-07 ヴァレオ エキプマン エレクトリク モトゥール 電子部品を封入する方法
US10301517B2 (en) 2016-03-30 2019-05-28 Asahi Kasei Kabushiki Kaisha Thermosetting resin composition

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5704184B2 (ja) 2013-03-15 2015-04-22 株式会社デンソー 樹脂添加剤、ポリフェニレンスルフィド樹脂組成物、電装部品

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01217038A (ja) * 1988-02-26 1989-08-30 Mitsubishi Petrochem Co Ltd 耐熱性樹脂組成物
JPH02238053A (ja) * 1989-03-13 1990-09-20 Toshiba Corp マレイミド樹脂組成物、及び樹脂封止型半導体装置
JPH08311400A (ja) * 1995-05-18 1996-11-26 Nippon Steel Chem Co Ltd 耐熱性プレコート材料

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5749621A (en) * 1980-09-09 1982-03-23 Hitachi Ltd Preparation of heat-resistant resin
JPS6368637A (ja) 1986-09-10 1988-03-28 Mitsubishi Petrochem Co Ltd 耐熱性樹脂組成物
US5629379A (en) * 1994-09-27 1997-05-13 Harper; John D. Anhydride-hardened epoxy resin with polybutadiene-maleic anhydride adduct
JP2005350647A (ja) * 2004-05-11 2005-12-22 Nitto Denko Corp 液状エポキシ樹脂組成物
US20090143511A1 (en) * 2004-07-13 2009-06-04 Hitachi Chemical Co., Ltd. Encapsulated epoxy-resin molding compound, and electronic component device
WO2008026406A1 (fr) * 2006-08-29 2008-03-06 Jsr Corporation Composition de résine isolante photosensible, produit durcissant à base de ladite composition et plaquette de circuits imprimés dotée dudit produit
MY143209A (en) * 2006-10-06 2011-03-31 Hitachi Chemical Co Ltd Liquid resin composition for electronic part sealing, and electronic part apparatus utilizing the same

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01217038A (ja) * 1988-02-26 1989-08-30 Mitsubishi Petrochem Co Ltd 耐熱性樹脂組成物
JPH02238053A (ja) * 1989-03-13 1990-09-20 Toshiba Corp マレイミド樹脂組成物、及び樹脂封止型半導体装置
JPH08311400A (ja) * 1995-05-18 1996-11-26 Nippon Steel Chem Co Ltd 耐熱性プレコート材料

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017536465A (ja) * 2014-12-04 2017-12-07 ヴァレオ エキプマン エレクトリク モトゥール 電子部品を封入する方法
US10301517B2 (en) 2016-03-30 2019-05-28 Asahi Kasei Kabushiki Kaisha Thermosetting resin composition

Also Published As

Publication number Publication date
DE102014103124A1 (de) 2014-09-18
US20140264959A1 (en) 2014-09-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6546527B2 (ja) 組成物、エポキシ樹脂硬化剤、エポキシ樹脂組成物、熱硬化性組成物、硬化物、半導体装置、および層間絶縁材料
JP5983590B2 (ja) 硬化性樹脂組成物、封止材、及びこれを用いた電子デバイス製品
Song et al. Synthesis, characterization and properties of novel crystalline epoxy resin with good melt flowability and flame retardancy based on an asymmetrical biphenyl unit
JP2014177584A (ja) 硬化性樹脂組成物、封止材、及びこれを用いた電子デバイス製品
CN107207706B (zh) 鏻化合物、含有其的环氧树脂组成物及使用其制造的半导体装置
KR101813758B1 (ko) 포스포늄계 화합물, 이를 포함하는 에폭시 수지 조성물, 및 이를 사용하여 제조된 반도체 소자
KR101802583B1 (ko) 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물, 및 이를 사용하여 제조된 반도체 소자
JP2009051874A (ja) 耐熱性液状フェノールノボラック樹脂、その製造方法ならびにその硬化物
JP6168005B2 (ja) 電装部品
JP2003342354A (ja) 新規なボレート化合物およびエポキシ樹脂硬化促進剤
JP2014148577A (ja) エポキシ組成物、及び、エポキシ樹脂成形体
JP7314489B2 (ja) フェノール樹脂及びその製造方法、並びにエポキシ樹脂組成物及びその硬化物
KR102570300B1 (ko) 조성물, 에폭시 수지 경화제, 에폭시 수지 조성물, 열경화성 조성물, 경화물, 반도체 장치, 및 층간 절연 재료
KR101768287B1 (ko) 포스포늄계 화합물, 이를 포함하는 에폭시수지 조성물, 및 이를 사용하여 제조된 반도체 소자
TW202012536A (zh) 環氧樹脂組成物、印刷配線基板以及半導體密封材料
KR20160060468A (ko) 페놀 수지 및 그 제조 방법
JPH06256364A (ja) 有機ケイ素化合物、その製法及びそれを含有する樹脂組成物
JP2012017414A (ja) エポキシ樹脂用硬化促進剤およびエポキシ樹脂系組成物
JP7168157B2 (ja) 高耐熱樹脂硬化物用組成物、それを用いた電子部品及び半導体装置
JP2009298960A (ja) 新規なホスホニウムチオシアネート化合物およびエポキシ樹脂用硬化促進剤
JPH0676475B2 (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
KR101768303B1 (ko) 포스포늄계 화합물, 이를 포함하는 에폭시수지 조성물, 및 이를 사용하여 제조된 반도체 소자
JP5704184B2 (ja) 樹脂添加剤、ポリフェニレンスルフィド樹脂組成物、電装部品
JP2007070286A (ja) 新規なホスホニウムボレート化合物およびエポキシ樹脂硬化促進剤
JPH01153713A (ja) シリコーン変性エポキシ樹脂の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20140718

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20150218

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150224

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150414

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20150630