JP2014166957A5 - - Google Patents

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20180233562A1 (en) * 2014-10-01 2018-08-16 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Silicon carbide epitaxial substrate
JP6362266B2 (ja) 2014-12-19 2018-07-25 昭和電工株式会社 ＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法及びＳｉＣエピタキシャル成長装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2749898B2 (ja) * 1989-08-21 1998-05-13 昭和電工株式会社 半導体ＳｉＣ単結晶の製造法
JPH0629228A (ja) * 1992-07-10 1994-02-04 Nec Corp 結晶成長方法
JPH07131067A (ja) * 1993-11-08 1995-05-19 Sanyo Electric Co Ltd 炭化ケイ素ウエハの製造方法及び炭化ケイ素発光ダイオード素子の製造方法
JP3671532B2 (ja) * 1996-07-19 2005-07-13 豊田合成株式会社 半導体発光素子の製造方法
JPH11162850A (ja) * 1997-08-27 1999-06-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 炭化珪素基板およびその製造方法、並びに炭化珪素基板を用いた半導体素子
US6214116B1 (en) * 1998-01-17 2001-04-10 Hanvac Corporation Horizontal reactor for compound semiconductor growth
JP3650727B2 (ja) * 2000-08-10 2005-05-25 Ｈｏｙａ株式会社 炭化珪素製造方法
AU2002306436A1 (en) * 2001-02-12 2002-10-15 Asm America, Inc. Improved process for deposition of semiconductor films
JP3999941B2 (ja) * 2001-02-19 2007-10-31 株式会社荏原製作所 Ｎｈ３を含むガスの処理方法及び処理装置
JP4374786B2 (ja) * 2001-02-23 2009-12-02 住友電気工業株式会社 Ｃｖｄ装置および薄膜製造方法

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