JP2014166957A - 炭化珪素半導体およびその製造方法と製造装置 - Google Patents
炭化珪素半導体およびその製造方法と製造装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014166957A JP2014166957A JP2014089900A JP2014089900A JP2014166957A JP 2014166957 A JP2014166957 A JP 2014166957A JP 2014089900 A JP2014089900 A JP 2014089900A JP 2014089900 A JP2014089900 A JP 2014089900A JP 2014166957 A JP2014166957 A JP 2014166957A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon carbide
- gas
- nitrogen
- carbide semiconductor
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014089900A JP2014166957A (ja) | 2014-04-24 | 2014-04-24 | 炭化珪素半導体およびその製造方法と製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014089900A JP2014166957A (ja) | 2014-04-24 | 2014-04-24 | 炭化珪素半導体およびその製造方法と製造装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010262775A Division JP5648442B2 (ja) | 2010-11-25 | 2010-11-25 | 炭化珪素半導体 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015051636A Division JP5896346B2 (ja) | 2015-03-16 | 2015-03-16 | 炭化珪素半導体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2014166957A true JP2014166957A (ja) | 2014-09-11 |
| JP2014166957A5 JP2014166957A5 (enExample) | 2015-01-29 |
Family
ID=51616869
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014089900A Pending JP2014166957A (ja) | 2014-04-24 | 2014-04-24 | 炭化珪素半導体およびその製造方法と製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2014166957A (enExample) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016051975A1 (ja) * | 2014-10-01 | 2016-04-07 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素エピタキシャル基板 |
| JP2016117609A (ja) * | 2014-12-19 | 2016-06-30 | 昭和電工株式会社 | SiCエピタキシャルウェハの製造方法及びSiCエピタキシャル成長装置 |
| JP2016154223A (ja) * | 2015-02-13 | 2016-08-25 | パナソニック株式会社 | Cvd装置および化合物半導体エピタキシャル基板の製造方法 |
| JPWO2017154710A1 (ja) * | 2016-03-11 | 2019-01-10 | Jsr株式会社 | 重合触媒、共重合体、重合体組成物及び架橋重合体 |
| CN118064871A (zh) * | 2023-12-29 | 2024-05-24 | 苏州精材半导体科技有限公司 | 一种电阻率均匀的碳化硅膜及其制备方法 |
| CN119041030A (zh) * | 2024-11-01 | 2024-11-29 | 山东天岳先进科技股份有限公司 | 一种大尺寸、低电阻4h碳化硅晶棒、低电阻4h碳化硅晶片及制备方法 |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0380197A (ja) * | 1989-08-21 | 1991-04-04 | Showa Denko Kk | 半導体SiC単結晶の製造法 |
| JPH0629228A (ja) * | 1992-07-10 | 1994-02-04 | Nec Corp | 結晶成長方法 |
| JPH07131067A (ja) * | 1993-11-08 | 1995-05-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 炭化ケイ素ウエハの製造方法及び炭化ケイ素発光ダイオード素子の製造方法 |
| JPH1041544A (ja) * | 1996-07-19 | 1998-02-13 | Toyoda Gosei Co Ltd | 半導体発光素子の製造方法 |
| JPH11162850A (ja) * | 1997-08-27 | 1999-06-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 炭化珪素基板およびその製造方法、並びに炭化珪素基板を用いた半導体素子 |
| JPH11312650A (ja) * | 1998-01-17 | 1999-11-09 | Hanbekku Corp | 化合物半導体製造用水平反応炉 |
| JP2002057109A (ja) * | 2000-08-10 | 2002-02-22 | Hoya Corp | 炭化珪素製造方法、炭化珪素及び半導体装置 |
| JP2002239341A (ja) * | 2001-02-19 | 2002-08-27 | Ebara Corp | Nh3を含むガスの処理方法及び処理装置 |
| JP2002252176A (ja) * | 2001-02-23 | 2002-09-06 | Shikusuon:Kk | Cvd装置および薄膜製造方法 |
| JP2004525509A (ja) * | 2001-02-12 | 2004-08-19 | エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド | ドーパント前駆体を用いた製造方法 |
-
2014
- 2014-04-24 JP JP2014089900A patent/JP2014166957A/ja active Pending
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0380197A (ja) * | 1989-08-21 | 1991-04-04 | Showa Denko Kk | 半導体SiC単結晶の製造法 |
| JPH0629228A (ja) * | 1992-07-10 | 1994-02-04 | Nec Corp | 結晶成長方法 |
| JPH07131067A (ja) * | 1993-11-08 | 1995-05-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 炭化ケイ素ウエハの製造方法及び炭化ケイ素発光ダイオード素子の製造方法 |
| JPH1041544A (ja) * | 1996-07-19 | 1998-02-13 | Toyoda Gosei Co Ltd | 半導体発光素子の製造方法 |
| JPH11162850A (ja) * | 1997-08-27 | 1999-06-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 炭化珪素基板およびその製造方法、並びに炭化珪素基板を用いた半導体素子 |
| JPH11312650A (ja) * | 1998-01-17 | 1999-11-09 | Hanbekku Corp | 化合物半導体製造用水平反応炉 |
| JP2002057109A (ja) * | 2000-08-10 | 2002-02-22 | Hoya Corp | 炭化珪素製造方法、炭化珪素及び半導体装置 |
| JP2004525509A (ja) * | 2001-02-12 | 2004-08-19 | エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド | ドーパント前駆体を用いた製造方法 |
| JP2002239341A (ja) * | 2001-02-19 | 2002-08-27 | Ebara Corp | Nh3を含むガスの処理方法及び処理装置 |
| JP2002252176A (ja) * | 2001-02-23 | 2002-09-06 | Shikusuon:Kk | Cvd装置および薄膜製造方法 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016051975A1 (ja) * | 2014-10-01 | 2016-04-07 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素エピタキシャル基板 |
| JP2016117609A (ja) * | 2014-12-19 | 2016-06-30 | 昭和電工株式会社 | SiCエピタキシャルウェハの製造方法及びSiCエピタキシャル成長装置 |
| US10262863B2 (en) | 2014-12-19 | 2019-04-16 | Showa Denko K.K. | Method for manufacturing SiC epitaxial wafer by simultaneously utilizing an N-based gas and a CI-based gas, and SiC epitaxial growth apparatus |
| JP2016154223A (ja) * | 2015-02-13 | 2016-08-25 | パナソニック株式会社 | Cvd装置および化合物半導体エピタキシャル基板の製造方法 |
| JPWO2017154710A1 (ja) * | 2016-03-11 | 2019-01-10 | Jsr株式会社 | 重合触媒、共重合体、重合体組成物及び架橋重合体 |
| CN118064871A (zh) * | 2023-12-29 | 2024-05-24 | 苏州精材半导体科技有限公司 | 一种电阻率均匀的碳化硅膜及其制备方法 |
| CN118064871B (zh) * | 2023-12-29 | 2025-05-09 | 苏州精材半导体科技有限公司 | 一种电阻率均匀的碳化硅膜及其制备方法 |
| CN119041030A (zh) * | 2024-11-01 | 2024-11-29 | 山东天岳先进科技股份有限公司 | 一种大尺寸、低电阻4h碳化硅晶棒、低电阻4h碳化硅晶片及制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4839646B2 (ja) | 炭化珪素半導体の製造方法および炭化珪素半導体の製造装置 | |
| JP2014166957A (ja) | 炭化珪素半導体およびその製造方法と製造装置 | |
| WO2015114961A1 (ja) | 炭化珪素エピタキシャル基板および炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法 | |
| JP2018522412A (ja) | 単結晶シリコン上でのエピタキシャル3C−SiCの成長 | |
| JP2014166957A5 (enExample) | ||
| US9368345B2 (en) | Method of manufacturing silicon carbide semiconductor substrate and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device | |
| JP6915627B2 (ja) | 炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法 | |
| CN107109694A (zh) | 晶体生长装置、碳化硅单晶的制造方法、碳化硅单晶基板和碳化硅外延基板 | |
| JP5943509B2 (ja) | 炭化珪素基板への成膜方法 | |
| JP5896346B2 (ja) | 炭化珪素半導体 | |
| US10337119B2 (en) | Method of manufacturing silicon carbide epitaxial substrate | |
| JP2018108916A (ja) | 炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法 | |
| JP2015122540A5 (enExample) | ||
| JP2018168052A (ja) | 炭化珪素単結晶インゴットの製造方法 | |
| JP5648442B2 (ja) | 炭化珪素半導体 | |
| JP2018177616A (ja) | 炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法 | |
| JP2015042602A (ja) | 炭化珪素半導体基板の製造方法および炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
| US9269572B2 (en) | Method for manufacturing silicon carbide semiconductor substrate | |
| JP5761264B2 (ja) | SiC基板の製造方法 | |
| JP2018022853A (ja) | 炭化珪素半導体基板および炭化珪素半導体基板の製造方法 | |
| US20140065800A1 (en) | Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device | |
| JP2014232799A (ja) | 炭化珪素半導体基板の製造方法 | |
| JP2014103363A (ja) | 炭化珪素半導体基板の製造方法 | |
| JP7143638B2 (ja) | 炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法 | |
| US20200219981A1 (en) | Silicon carbide epitaxial substrate |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141210 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150107 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150209 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150316 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20150831 |