JP2014165482A - 配線基板 - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体素子を安定的に稼働できる配線基板を提供することを課題とする。
【解決手段】半導体素子Sの搭載部1aを有する絶縁基板1と、搭載部1aに被着された半導体素子接続パッド7と、半導体素子接続パッド7と一体的に形成されており半導体素子接続パッド7から搭載部1aの外側に延在する帯状の配線導体3aと、搭載部1aの外側に形成され帯状の配線導体3aと一体的に帯状の配線導体3aの幅より大きい径のランド導体8と、絶縁基板1の上面に被着されており半導体素子接続パッド7を露出させるとともに配線導体3aおよびランド導体8を覆う第1のソルダーレジスト層4と、第1のソルダーレジスト層4上に被着されており上面視で搭載部1aを囲繞する開口部5aを有する第2のソルダーレジスト層5とを具備する配線基板10であって、開口部5aの開口辺5cが帯状の配線導体3aとランド導体8との境界上から離隔した位置に形成されている。
【選択図】図1
【解決手段】半導体素子Sの搭載部1aを有する絶縁基板1と、搭載部1aに被着された半導体素子接続パッド7と、半導体素子接続パッド7と一体的に形成されており半導体素子接続パッド7から搭載部1aの外側に延在する帯状の配線導体3aと、搭載部1aの外側に形成され帯状の配線導体3aと一体的に帯状の配線導体3aの幅より大きい径のランド導体8と、絶縁基板1の上面に被着されており半導体素子接続パッド7を露出させるとともに配線導体3aおよびランド導体8を覆う第1のソルダーレジスト層4と、第1のソルダーレジスト層4上に被着されており上面視で搭載部1aを囲繞する開口部5aを有する第2のソルダーレジスト層5とを具備する配線基板10であって、開口部5aの開口辺5cが帯状の配線導体3aとランド導体8との境界上から離隔した位置に形成されている。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体素子等を搭載する配線基板に関するものである。
図3(a)および(b)に、半導体集積回路素子等の半導体素子Sを搭載するための従来の配線基板20を示す。図3(a)に示すように、配線基板20は、半導体素子Yが搭載された配線基板Xを半田バンプを介して上側に接合する、いわゆるパッケージオンパッケージといわれる構造体に利用される場合がある。
配線基板20は、上面中央部に半導体素子Sを搭載するための搭載部11aを有するとともに、上下に貫通する複数のスルーホール12を有する絶縁基板11と、絶縁基板11の上下面およびスルーホール12内に被着された配線導体13と、絶縁基板11の上下面に被着された第1のソルダーレジスト層14と、絶縁基板11の上面において第1のソルダーレジスト層14上に被着された第2のソルダーレジスト層15とを有している。
また、配線基板20は、上面外周部に配線基板Xの接合に用いる半田バンプを被着させる複数の第1接合パッド16が、配線導体13の一部により形成されている。
配線基板20は、上面中央部に半導体素子Sを搭載するための搭載部11aを有するとともに、上下に貫通する複数のスルーホール12を有する絶縁基板11と、絶縁基板11の上下面およびスルーホール12内に被着された配線導体13と、絶縁基板11の上下面に被着された第1のソルダーレジスト層14と、絶縁基板11の上面において第1のソルダーレジスト層14上に被着された第2のソルダーレジスト層15とを有している。
また、配線基板20は、上面外周部に配線基板Xの接合に用いる半田バンプを被着させる複数の第1接合パッド16が、配線導体13の一部により形成されている。
搭載部11aには、半導体素子Sの電極Tと電気的に接続するための複数の半導体素子接続パッド17が形成されている。そして、この半導体素子接続パッド17に、半導体素子Sの電極Tを半田バンプを介して接続することにより、配線基板20の上面に半導体素子Sが電気的に接続される。
絶縁基板11の上面に被着された配線導体13は、複数の帯状の配線導体13aを含んでいる。帯状の配線導体13aは、半導体素子接続パッド17と一体的に形成されている。そして、帯状の配線導体13aは、半導体素子接続パッド17から搭載部11aの外側に延在するように配設されている。
また、帯状の配線導体13aは、搭載部11aの外側において帯状の配線導体13aと一体的に形成されたランド導体18を備えている。ランド導体18は、帯状の配線導体13aの幅よりも大きい径を有しており、スルーホール12内の配線導体13上に一体的に形成されている。半導体素子接続パッド17や配線導体13、あるいはランド導体18は、例えば銅箔や銅めっき等の銅から形成される。これらの熱膨張係数は17〜18ppm/℃程度である。
また、帯状の配線導体13aは、搭載部11aの外側において帯状の配線導体13aと一体的に形成されたランド導体18を備えている。ランド導体18は、帯状の配線導体13aの幅よりも大きい径を有しており、スルーホール12内の配線導体13上に一体的に形成されている。半導体素子接続パッド17や配線導体13、あるいはランド導体18は、例えば銅箔や銅めっき等の銅から形成される。これらの熱膨張係数は17〜18ppm/℃程度である。
絶縁基板11の下面に被着された配線導体13は、外部の電気回路基板と接続するための複数の外部接続パッド19を備えている。これらの外部接続パッド19は、スルーホール12内に被着された配線導体13を介して半導体素子接続パッド17の一部に電気的に接続されている。これにより半導体素子Sが外部の電気回路基板に電気的に接続され、半導体素子Sと外部の電気回路基板との間で配線導体13を介して信号を伝送することにより半導体素子Sが稼働する。
第1のソルダーレジスト層14は、絶縁基板11の上下面に形成されており、半導体素子接続パッド17および第1接続パッド16および外部接続パッド19を露出させる開口部14a、14b、14cを有している。
第2のソルダーレジスト層15は、絶縁基板11の上面におけるソルダーレジスト層14上に形成されている。そして、上面視で搭載部11aを囲繞する開口部15aおよび第1接合パッドを露出させる開口部15bを有している。
ところで、図3(b)に示すように、搭載部11aを囲繞する開口部15aの開口辺15cが、帯状の配線導体13aとランド導体18との境界上に重なって形成される場合がある。
第1および第2のソルダーレジスト層14、15は、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含有する樹脂系絶縁材料から成る。これらの熱膨張係数は30〜80ppm/℃程度である。
第2のソルダーレジスト層15は、絶縁基板11の上面におけるソルダーレジスト層14上に形成されている。そして、上面視で搭載部11aを囲繞する開口部15aおよび第1接合パッドを露出させる開口部15bを有している。
ところで、図3(b)に示すように、搭載部11aを囲繞する開口部15aの開口辺15cが、帯状の配線導体13aとランド導体18との境界上に重なって形成される場合がある。
第1および第2のソルダーレジスト層14、15は、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含有する樹脂系絶縁材料から成る。これらの熱膨張係数は30〜80ppm/℃程度である。
半導体素子Sの電極Tを半導体素子接続パッド17に接続するときには、周知のフリップチップ技術が好適に用いられる。具体的には、例えば各半導体素子接続パッド17上にあらかじめ半田を溶着させておき、半導体素子Sの電極Tをそれぞれ対応する半田上に載置する。その後、230〜260℃程度の高温でリフロー処理を行ない、半田を溶融させた後、冷却して半田を電極Tに固着させることで電極Tと半導体素子接続パッド17とを接合する。
上述のように、第2のソルダーレジスト層15の開口辺15cが、帯状の配線導体13aとランド導体18との境界上に重なる状態で形成された状態でリフロー処理が行われると、ランド導体18と第2のソルダーレジスト層15との熱膨張係数が大きく異なるため、ランド導体18と第2のソルダーレジスト層15との熱伸縮量に差が生じる。このため、表面積の大きなランド導体18は、上面に被覆されている第2のソルダーレジスト層15による応力の影響を大きく受ける。これにより、第2のソルダーレジスト層15による応力が帯状の配線導体13aとランド導体18との境界に集中してしまう。このため、帯状の配線導体13aとランド導体18との境界にクラックが生じることがある。その結果、半導体素子Sと外部の電気回路基板との間で信号を伝送することができなくなり、半導体素子Sを安定的に稼働させることができない場合がある。
本発明は、帯状の配線導体とランド導体との境界にクラックが生じることを抑制し、半導体素子を安定的に稼働させることが可能な配線基板を提供することを課題とする。
本発明の配線基板は、上面中央部に半導体素子が搭載される搭載部を有する絶縁基板と、搭載部の上面に被着された半導体素子接続パッドと、絶縁基板の上面に半導体素子接続パッドと一体的に形成されており、半導体素子接続パッドから搭載部の外側に延在するように配設された帯状の配線導体と、搭載部の外側における絶縁基板上面に配線導体と一体的に形成されており、配線導体の幅より大きい径を有するランド導体と、絶縁基板の上面に被着されており、半導体素子接続パッドを露出させるとともに配線導体およびランド導体を覆う第1のソルダーレジスト層と、第1のソルダーレジスト層上に被着されており、上面視で搭載部を囲繞する開口部を有する第2のソルダーレジスト層と、を具備して成る配線基板であって、開口部の開口辺が、配線導体とランド導体との境界上から離隔した位置に形成されていることを特徴とするものである。
本発明の配線基板は、第2のソルダーレジスト層の開口部の開口辺が配線導体とランド導体との境界上から離隔した位置に形成されている。このため、配線基板の熱伸縮時にランド導体が第2のソルダーレジスト層から受ける応力を、配線導体とランド導体との境界に集中してしまうことを回避することができる。これにより、配線導体とランド導体との境界にクラックが生じることを抑制できる。その結果、半導体素子を安定的に稼働させることが可能な配線基板を提供することができる。
次に、本発明の実施形態の一例を図1(a)、(b)および図2(a)、(b)を基に説明する。図1(a)に示すように本例の配線基板10は、主として絶縁基板1と、配線導体3と、第1のソルダーレジスト層4と、第2のソルダーレジスト層5とを具備している。
絶縁基板1は、その上面中央部に、半導体素子Sが搭載される搭載部1aを有しているとともに上下に貫通する複数のスルーホール2を有している。搭載部1aは半導体素子Sに対応する大きさおよび形状をしている。また、絶縁基板1の下面は、外部の電気回路基板と接続するための接続面となっている。そして、絶縁基板1の上下面およびスルーホール2内に配線導体3が被着されている。
また、絶縁基板1は、その上面外周部に、半導体素子Yが搭載された配線基板Xの接合に用いる半田バンプを被着させる複数の第1接合パッド6が、配線導体3の一部により形成されている。
また、絶縁基板1は、その上面外周部に、半導体素子Yが搭載された配線基板Xの接合に用いる半田バンプを被着させる複数の第1接合パッド6が、配線導体3の一部により形成されている。
絶縁基板1は、例えばガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させた電気絶縁材料から成る。そして、ドリル加工やレーザ加工、あるいはブラスト加工によりスルーホール2を形成する。
絶縁基板1は、この例では単層構造であるが、同一または異なる電気絶縁材料から成る複数の絶縁層を多層に積層した多層構造であってもよい。
絶縁基板1は、この例では単層構造であるが、同一または異なる電気絶縁材料から成る複数の絶縁層を多層に積層した多層構造であってもよい。
搭載部1aには、半導体素子Sの電極Tと電気的に接続するための複数の半導体素子接続パッド7が形成されている。そして、この半導体素子接続パッド7に、半導体素子Sの電極Tを半田バンプを介して接続することにより、配線基板10の上面に半導体素子Sが電気的に接続される。
絶縁基板1の上面に被着された配線導体3は、複数の帯状の配線導体3aを含んでいる。これらの帯状の配線導体3aは、半導体素子接続パッド7と一体的に形成されている。そして、帯状の配線導体3aは、半導体素子接続パッド7から搭載部1aの外側に延在するように配設されている。
また、帯状の配線導体3aは、搭載部1aの外側において帯状の配線導体3aと一体的に形成されたランド導体8を備えている。ランド導体8は、帯状の配線導体3aの幅よりも大きい径を有しており、スルーホール2内の配線導体3上に一体的に形成されている。
また、帯状の配線導体3aは、搭載部1aの外側において帯状の配線導体3aと一体的に形成されたランド導体8を備えている。ランド導体8は、帯状の配線導体3aの幅よりも大きい径を有しており、スルーホール2内の配線導体3上に一体的に形成されている。
絶縁基板1の下面に被着された配線導体3は、外部の電気回路基板と接続するための複数の外部接続パッド9を備えている。これらの外部接続パッド9は、スルーホール2内に被着された配線導体3を介して半導体素子接続パッド7の一部に電気的に接続されている。これにより半導体素子Sが外部の電気回路基板に電気的に接続され、半導体素子Sと外部の電気回路基板との間で配線導体3を介して信号を伝送することにより半導体素子Sが稼働する。
このような、半導体素子接続パッド7や配線導体3、あるいはランド導体8は、周知のサブトラクティブ法やセミアディティブ法により、例えば銅箔や銅めっき等の銅から形成されている。これらの熱膨張係数は17〜18ppm/℃程度である。また、帯状の配線導体3aの幅は10〜30μm程度、ランド導体の直径はφ100〜140μm程度であり、厚みが10〜20μm程度である。
このような、半導体素子接続パッド7や配線導体3、あるいはランド導体8は、周知のサブトラクティブ法やセミアディティブ法により、例えば銅箔や銅めっき等の銅から形成されている。これらの熱膨張係数は17〜18ppm/℃程度である。また、帯状の配線導体3aの幅は10〜30μm程度、ランド導体の直径はφ100〜140μm程度であり、厚みが10〜20μm程度である。
第1のソルダーレジスト層4は、絶縁基板1の上下面に形成されており、半導体素子接続パッド7および第1接続パッド6および外部接続パッド9を露出させる開口部4a、4b、4cを有している。
第2のソルダーレジスト層5は、絶縁基板1の上面におけるソルダーレジスト層4上に形成されている。そして、上面視で搭載部1aを囲繞する開口部5aおよび第1接合パッドを露出させる開口部5bを有している。
本例においては、図1(b)に示すように、搭載部1aを囲繞する開口部5aの開口辺5cが、帯状の配線導体3aとランド導体8との境界上から離隔した位置に形成されている。なお、帯状の配線導体3aとランド導体8との境界とは、帯状の配線導体3aの側面とランド導体8の側面との間に形成される屈曲部を指す。開口辺5cは、帯状の配線導体3aとランド導体8との境界上から50μm以上離隔した位置に形成することが好ましい。50μmより小さいと配線基板10の熱伸縮時に、表面積が大きいランド導体8が上面に被覆された第2のソルダーレジスト層5から受ける応力を、帯状の配線導体3aとランド導体8との境界から離れた位置に作用させる効果が小さくなり、クラック発生を抑制することが困難になる。
第1および第2のソルダーレジスト層4、5は、例えばエポキシ樹脂やポリイミド樹脂等の熱硬化性樹脂を含有する電気絶縁材料から成る樹脂ペーストまたはフィルムを絶縁基板1の上に塗布または貼着して熱硬化させることにより形成される。これらの熱膨張係数は30〜80ppm/℃程度である。
第2のソルダーレジスト層5は、絶縁基板1の上面におけるソルダーレジスト層4上に形成されている。そして、上面視で搭載部1aを囲繞する開口部5aおよび第1接合パッドを露出させる開口部5bを有している。
本例においては、図1(b)に示すように、搭載部1aを囲繞する開口部5aの開口辺5cが、帯状の配線導体3aとランド導体8との境界上から離隔した位置に形成されている。なお、帯状の配線導体3aとランド導体8との境界とは、帯状の配線導体3aの側面とランド導体8の側面との間に形成される屈曲部を指す。開口辺5cは、帯状の配線導体3aとランド導体8との境界上から50μm以上離隔した位置に形成することが好ましい。50μmより小さいと配線基板10の熱伸縮時に、表面積が大きいランド導体8が上面に被覆された第2のソルダーレジスト層5から受ける応力を、帯状の配線導体3aとランド導体8との境界から離れた位置に作用させる効果が小さくなり、クラック発生を抑制することが困難になる。
第1および第2のソルダーレジスト層4、5は、例えばエポキシ樹脂やポリイミド樹脂等の熱硬化性樹脂を含有する電気絶縁材料から成る樹脂ペーストまたはフィルムを絶縁基板1の上に塗布または貼着して熱硬化させることにより形成される。これらの熱膨張係数は30〜80ppm/℃程度である。
このように、本発明においては、第2のソルダーレジスト層5の開口部5aの開口辺5cが、帯状の配線導体3aとランド導体8との境界上から離隔した位置に形成されている。このため、配線基板10の熱伸縮時に、表面積が大きいランド導体8が上面に被覆された第2のソルダーレジスト層5から受ける応力を、帯状の配線導体3aとランド導体8との境界から離れた位置に作用させることができる。これにより、帯状の配線導体3aとランド導体8との境界にクラックが生じることを抑制できる。その結果、半導体素子Sを安定的に稼働させることが可能な配線基板10を提供することができる。
なお、本発明は上述の実施形態の一例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能である。例えば、上述の実施形態の一例では、図1(b)に示したように、第2のソルダーレジスト層5の開口辺5cを、帯状の配線導体3a上に形成しているが、図2(a)に示すように、第2のソルダーレジスト層5の開口辺5dを、ランド導体8上に形成しても良い。
また、図2(b)に示すように、第2のソルダーレジスト層5の開口辺5eを、帯状の配線導体3aとランド導体8との境界付近だけを、境界上から離隔した位置に形成してもよい。
また、上述の実施形態の一例では、図1(a)に示したように、配線基板10がパッケージオンパッケージ構造に用いられる場合を示したが、パッケージオンパッケージ構造に用いられる場合に限定されるものではない。
また、図2(b)に示すように、第2のソルダーレジスト層5の開口辺5eを、帯状の配線導体3aとランド導体8との境界付近だけを、境界上から離隔した位置に形成してもよい。
また、上述の実施形態の一例では、図1(a)に示したように、配線基板10がパッケージオンパッケージ構造に用いられる場合を示したが、パッケージオンパッケージ構造に用いられる場合に限定されるものではない。
1 絶縁基板
1a 搭載部
3a 帯状の配線導体
4 第1のソルダーレジスト層
5 第2のソルダーレジスト層
5a 開口部
5c 開口辺
7 半導体素子接続パッド
8 ランド導体
10 配線基板
S 半導体素子
1a 搭載部
3a 帯状の配線導体
4 第1のソルダーレジスト層
5 第2のソルダーレジスト層
5a 開口部
5c 開口辺
7 半導体素子接続パッド
8 ランド導体
10 配線基板
S 半導体素子
Claims (1)
- 上面中央部に半導体素子が搭載される搭載部を有する絶縁基板と、前記搭載部の上面に被着された半導体素子接続パッドと、前記絶縁基板の上面に前記半導体素子接続パッドと一体的に形成されており、前記半導体素子接続パッドから前記搭載部の外側に延在するように配設された帯状の配線導体と、前記搭載部の外側における前記絶縁基板上面に前記配線導体と一体的に形成されており、前記配線導体の幅より大きい径を有するランド導体と、前記絶縁基板の上面に被着されており、前記半導体素子接続パッドを露出させるとともに前記配線導体および前記ランド導体を覆う第1のソルダーレジスト層と、前記第1のソルダーレジスト層上に被着されており、上面視で前記搭載部を囲繞する開口部を有する第2のソルダーレジスト層と、を具備して成る配線基板であって、前記開口部の開口辺が、前記配線導体と前記ランド導体との境界上から離隔した位置に形成されていることを特徴とする配線基板。
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Cited By (1)
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KR20170048000A (ko) * | 2015-10-26 | 2017-05-08 | 삼성전자주식회사 | 인쇄회로기판 및 이를 가지는 반도체 패키지 |
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KR20170048000A (ko) * | 2015-10-26 | 2017-05-08 | 삼성전자주식회사 | 인쇄회로기판 및 이를 가지는 반도체 패키지 |
KR102434435B1 (ko) * | 2015-10-26 | 2022-08-19 | 삼성전자주식회사 | 인쇄회로기판 및 이를 가지는 반도체 패키지 |
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