JP2014165222A - 長波長帯面発光レーザ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】(100)面から7°傾けたInP基板上100上に、MOCVD法で、InPに格子整合した第1反射鏡101としてn−InAlGaAs(λg=1.2μm)/InP層を56ペア成長させる。次に、第1スペーサー層としてn−InP層102、InAlGaAs/InAlGaAs圧縮歪活性層103、p−InP第2スペーサー層104、トンネル接合層である高濃度ドープしたp+−InAlGaAs/n+−InGaAs層105を成長させる。最後に、metamorphicなSiドープしたn型GaAs/Al0.98Ga0.02As層を順次成長させ、InPに格子不整合した第2反射鏡106を形成する。
【選択図】図1
Description
図1に、本発明の実施形態1に係る1.3μm帯の長波長面発光半導体レーザの断面構造を示す。(100)面から
図5に、本発明の実施形態2に係る長波長面発光半導体レーザの断面構造を示す。(100)面から
101,501 第1反射鏡
102,502 第1スペーサー層
103,503 量子井戸活性層
104,504 第2スペーサー層
105,505 トンネル接合層
106,506 第2反射鏡
Claims (3)
- 前記第1反射鏡と前記量子井戸活性層との間及び前記量子井戸活性層と前記第2反射鏡との間にそれぞれInP層がさらに積層されたことを特徴とする請求項1又は2に記載の長波長帯面発光レーザ。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021038680A1 (ja) * | 2019-08-26 | 2021-03-04 | 日本電信電話株式会社 | 面発光レーザおよびその作製方法 |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01270599A (ja) * | 1988-04-22 | 1989-10-27 | Nec Corp | 半導体積層構造及びその半導体結晶の成長方法 |
JPH07249824A (ja) * | 1994-03-10 | 1995-09-26 | Hitachi Ltd | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
JPH0832168A (ja) * | 1994-07-14 | 1996-02-02 | Hitachi Ltd | 半導体レーザ装置 |
JPH09260787A (ja) * | 1996-03-26 | 1997-10-03 | Hitachi Ltd | InP系半導体素子 |
JP2002511661A (ja) * | 1998-04-14 | 2002-04-16 | バンドウィドス 9 インコーポレイテッド | 緩い格子の垂直光学キャビテイ |
US6721348B2 (en) * | 2001-09-18 | 2004-04-13 | Avalon Photonics Ag | Indium phosphide-based vertical-cavity surface-emitting laser |
JP2005123416A (ja) * | 2003-10-17 | 2005-05-12 | Ricoh Co Ltd | 面発光レーザ素子およびその作製方法および面発光レーザアレイおよび光伝送システム |
JP2009188238A (ja) * | 2008-02-07 | 2009-08-20 | Nec Corp | 面発光レーザ及びその製造方法 |
JP2009283854A (ja) * | 2008-05-26 | 2009-12-03 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体装置 |
JP2010219393A (ja) * | 2009-03-18 | 2010-09-30 | Nec Corp | 面発光レーザアレイ |
JP2013229381A (ja) * | 2012-04-24 | 2013-11-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 長波長帯面発光レーザの作製方法 |
-
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Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01270599A (ja) * | 1988-04-22 | 1989-10-27 | Nec Corp | 半導体積層構造及びその半導体結晶の成長方法 |
JPH07249824A (ja) * | 1994-03-10 | 1995-09-26 | Hitachi Ltd | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
JPH0832168A (ja) * | 1994-07-14 | 1996-02-02 | Hitachi Ltd | 半導体レーザ装置 |
JPH09260787A (ja) * | 1996-03-26 | 1997-10-03 | Hitachi Ltd | InP系半導体素子 |
JP2002511661A (ja) * | 1998-04-14 | 2002-04-16 | バンドウィドス 9 インコーポレイテッド | 緩い格子の垂直光学キャビテイ |
US6721348B2 (en) * | 2001-09-18 | 2004-04-13 | Avalon Photonics Ag | Indium phosphide-based vertical-cavity surface-emitting laser |
JP2005123416A (ja) * | 2003-10-17 | 2005-05-12 | Ricoh Co Ltd | 面発光レーザ素子およびその作製方法および面発光レーザアレイおよび光伝送システム |
JP2009188238A (ja) * | 2008-02-07 | 2009-08-20 | Nec Corp | 面発光レーザ及びその製造方法 |
JP2009283854A (ja) * | 2008-05-26 | 2009-12-03 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体装置 |
JP2010219393A (ja) * | 2009-03-18 | 2010-09-30 | Nec Corp | 面発光レーザアレイ |
JP2013229381A (ja) * | 2012-04-24 | 2013-11-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 長波長帯面発光レーザの作製方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021038680A1 (ja) * | 2019-08-26 | 2021-03-04 | 日本電信電話株式会社 | 面発光レーザおよびその作製方法 |
JPWO2021038680A1 (ja) * | 2019-08-26 | 2021-03-04 | ||
JP7310897B2 (ja) | 2019-08-26 | 2023-07-19 | 日本電信電話株式会社 | 面発光レーザの作製方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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