JP2014156366A - Al4SiC4粉の製造方法、MgO−Cれんがの製造方法、及びMgO−Cれんが - Google Patents
Al4SiC4粉の製造方法、MgO−Cれんがの製造方法、及びMgO−Cれんが Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】Al4SiC4粉の製造方法において、金属Al、金属Si、および、Cの混合粉を、不活性ガス雰囲気中で、マイクロ波により加熱して、平均粒径1μm以下のAl4SiC4粉を製造する。また、MgO−Cれんがの製造方法において、MgO−Cれんがの原料配合中に、少なくともバインダー及び樹脂の添加量と同量となるように上記で得られたAl4SiC4粉を添加して製造する。
【選択図】図1
Description
(2)前記加熱の際に、前記混合粉の温度を金属Siの融点以上とすることを特徴とする(1)に記載のAl4SiC4粉の製造方法。
(3)MgO−Cれんがの原料配合中に、少なくともバインダー及び樹脂の添加量と同量となるように(1)又は(2)に記載の方法で得られたAl4SiC4粉を添加して製造することを特徴とするMgO−Cれんがの製造方法。
(4)前記Al4SiC4粉を前記MgO−Cれんがの原料配合中に添加する際、前記MgO−Cれんがの原料の1つであるMgO粉とAl4SiC4粉とを最初に混合し、その後残りの配合原料を混合すると共に、配合原料中のAl4SiC4粉の割合が10質量%以下となるように製造することを特徴とする(3)に記載のMgO−Cれんがの製造方法。
(5)原料にはMgO、C、平均粒径1μm以下のAl4SiC4粉、バインダー、及び樹脂が配合され、前記MgOと前記Cの合計の配合割合を100質量%としたとき、前記MgOが70〜99質量%、前記Cが1〜30質量%配合され、且つ、配合原料全体における前記Al4SiC4粉の割合が1〜10質量%で製造されることを特徴とするMgO−Cれんがの製造方法。
(6)原料にはMgO、C、平均粒径1μm以下のAl4SiC4粉、バインダー、及び樹脂が配合され、前記MgOと前記Cの合計の配合割合を100質量%としたとき、前記MgOが70〜99質量%、前記Cが1〜30質量%配合され、且つ、配合原料全体における前記Al4SiC4粉の割合が1〜10質量%で製造されたことを特徴とするMgO−Cれんが。
Al4SiC4粉末の製造原料としては、金属Al、金属Si、及び、C粉末を用いる。金属Alと、金属Siは、粉末状でなくてもAl4SiC4化の反応は生じるが、生産効率を考えると、粉末状であることが好ましい。以下に、好ましい形態の製造方法の一例を挙げる。
4Al(g) + Si(g) + C → Al4SiC4
で表される反応が起きると考えられる。そのため、金属Alガス、金属Siガスの気相反応を経て合成されたAl4SiC4は微粉として合成される。
Al4SiC4粉末をMgO−Cれんがの酸化防止剤として添加する際は、MgO−Cれんがの坏土混練中、又は、坏土混練前に添加するのがよい。マイクロ波で合成したAl4SiC4粉末は平均粒径が1μm以下と微粉であるため、比表面積が高く凝集しやすい。そこで、れんが組織中に均一に分散させるためには、MgO骨材と予備混合を行い、その後、他の原料と混合して、混練するのが好ましい。これにより、Al4SiC4粉末の微粉としての添加による耐酸化性向上効果が発揮される。すなわち、本発明に係るMgO−Cれんがの製造方法においては、マイクロ波で合成したAl4SiC4粉末を、MgO−Cれんがの坏土混練中、又は、坏土混練前に添加する以外は、通常のMgO−Cれんがの製造方法と同様に製造することができる。
Al4SiC4 → 4Al(g) + SiC + 3C …(1)
4Al(g) + SiC + 3C + 4Mg(g) + 12CO(g)
→ 2MgO・Al2O3 + (2MgO)・SiO2 + 16C …(2)
なお、Mg,CはもともとMgO,黒鉛として存在し、MgO−C反応によりMg(g),CO(g)が発生するが、れんが内に温度勾配が発生する実炉で用いる場合、Al4SiC4の反応温度域以下の領域からもこれらのガスは発生するため、Mg(g),CO(g)の減少の影響は小さい。よってスピネル及びフォルステライトの生成による膨張だけを考慮すればよい。
図1にマイクロ波照射試験装置の概要を示す。マグネトロン型2.45GHzマイクロ波発振機をE波、H波調整を行うチューナに接続し、導波管を通して雰囲気制御型アプリケーターに接続する。チューナ及びアプリケーターは石英ガラスにより遮蔽し、石英ガラス板近傍より、アプリケーター内にArガスを流入し、雰囲気制御を行った。
比較例1…電気炉合成Al4SiC4 2.4%添加、黒鉛13%、バインダー2%のMgO−C(予備混合あり)
比較例2…電気炉合成Al4SiC4 3.6%添加、黒鉛13%、バインダー2%のMgO−C(予備混合あり)
本発明例3…マイクロ波合成Al4SiC4 2.4%添加、黒鉛13%、バインダー2%のMgO−C(予備混合なし)
本発明例4…マイクロ波合成Al4SiC4 3.6%添加、黒鉛13%、バインダー2%のMgO−C(予備混合なし)
本発明例5…マイクロ波合成Al4SiC4 2.4%添加、黒鉛13%、バインダー2%のMgO−C(予備混合あり)
本発明例6…マイクロ波合成Al4SiC4 3.6%添加、黒鉛13%、バインダー2%のMgO−C(予備混合あり)
(なお、ここで言う%は、質量%を表す。)
本発明例8…マイクロ波合成Al4SiC4 1.2%添加、黒鉛13%、バインダー2%のMgO−C(予備混合あり)
本発明例9…マイクロ波合成Al4SiC4 4.8%添加、黒鉛13%、バインダー2%のMgO−C(予備混合あり)
本発明例10…マイクロ波合成Al4SiC4 6.0%添加、黒鉛13%、バインダー2%のMgO−C(予備混合あり)
本発明例11…マイクロ波合成Al4SiC4 1.0%添加、黒鉛3%、バインダー2%のMgO−C(予備混合あり)
本発明例12…マイクロ波合成Al4SiC4 2.0%添加、黒鉛3%、バインダー2%のMgO−C(予備混合あり)
本発明例13…マイクロ波合成Al4SiC4 3.0%添加、黒鉛3%、バインダー2%のMgO−C(予備混合あり)
本発明例14…マイクロ波合成Al4SiC4 4.0%添加、黒鉛3%、バインダー2%のMgO−C(予備混合あり)
本発明例15…マイクロ波合成Al4SiC4 0.5%添加、黒鉛1%、バインダー1.5%のMgO−C(予備混合あり)
本発明例16…マイクロ波合成Al4SiC4 1.0%添加、黒鉛1%、バインダー1.5%のMgO−C(予備混合あり)
本発明例17…マイクロ波合成Al4SiC4 1.5%添加、黒鉛1%、バインダー1.5%のMgO−C(予備混合あり)
本発明例18…マイクロ波合成Al4SiC4 2.0%添加、黒鉛1%、バインダー1.5%のMgO−C(予備混合あり)
本発明例19…マイクロ波合成Al4SiC4 3.0%添加、黒鉛1%、バインダー1.5%のMgO−C(予備混合あり)
本発明例20…マイクロ波合成Al4SiC4 4.0%添加、黒鉛1%、バインダー1.5%のMgO−C(予備混合あり)
(なお、ここで言う%は、質量%を表す。)
比較例5…電気炉合成Al4SiC4 1.0%添加、黒鉛1%のMgO−C(予備混合あり)
比較例6…電気炉合成Al4SiC4 1.5%添加、黒鉛1%のMgO−C(予備混合あり)
(なお、ここで言う%は、質量%を表す。)
比較例8…電気炉合成Al4SiC4 2.0%添加、黒鉛3%のMgO−C(予備混合あり)
(なお、ここで言う%は、質量%を表す。)
Claims (6)
- 金属Al、金属Si、及びCの混合粉を、不活性ガス雰囲気中で、マイクロ波により加熱して、平均粒径1μm以下のAl4SiC4粉を製造することを特徴とするAl4SiC4粉の製造方法。
- 前記加熱の際に、前記混合粉の温度を金属Siの融点以上とすることを特徴とする請求項1に記載のAl4SiC4粉の製造方法。
- MgO−Cれんがの原料配合中に、少なくともバインダー及び樹脂の添加量と同量となるように請求項1又は2に記載の方法で得られたAl4SiC4粉を添加して製造することを特徴とするMgO−Cれんがの製造方法。
- 前記Al4SiC4粉を前記MgO−Cれんがの原料配合中に添加する際、前記MgO−Cれんがの原料の1つであるMgO粉とAl4SiC4粉とを最初に混合し、その後残りの配合原料を混合すると共に、配合原料中のAl4SiC4粉の割合が10質量%以下となるように製造することを特徴とする請求項3に記載のMgO−Cれんがの製造方法。
- 原料にはMgO、C、平均粒径1μm以下のAl4SiC4粉、バインダー、及び樹脂が配合され、前記MgOと前記Cの合計の配合割合を100質量%としたとき、前記MgOが70〜99質量%、前記Cが1〜30質量%配合され、且つ、配合原料全体における前記Al4SiC4粉の割合が1〜10質量%で製造されることを特徴とするMgO−Cれんがの製造方法。
- 原料にはMgO、C、平均粒径1μm以下のAl4SiC4粉、バインダー、及び樹脂が配合され、前記MgOと前記Cの合計の配合割合を100質量%としたとき、前記MgOが70〜99質量%、前記Cが1〜30質量%配合され、且つ、配合原料全体における前記Al4SiC4粉の割合が1〜10質量%で製造されたことを特徴とするMgO−Cれんが。
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