JP2014153054A - 磁界検出装置、電流検出装置、半導体集積回路、および、磁界検出方法 - Google Patents
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- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 477
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims abstract description 257
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 14
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims abstract description 172
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims abstract description 132
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 37
- 230000005290 antiferromagnetic effect Effects 0.000 claims description 25
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 268
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 55
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 55
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 description 28
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 20
- 230000008569 process Effects 0.000 description 14
- 230000008859 change Effects 0.000 description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- 229910020598 Co Fe Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910002519 Co-Fe Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 6
- 229910000521 B alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 230000004044 response Effects 0.000 description 5
- 229910000914 Mn alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N nobelium Chemical compound [No] ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002551 Fe-Mn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020068 MgAl Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003286 Ni-Mn Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000037361 pathway Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical group [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 238000009738 saturating Methods 0.000 description 1
- 230000001568 sexual effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000011895 specific detection Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
【解決手段】2個以上の検出用素子101,102と、2個以上の参照用素子111,112と、参照用素子111,112の自由層の磁化容易軸方向にバイアス磁界を印加する磁界印加用配線151とを備え、参照用素子および検出用素子は磁化方向が固定された固着層と外部磁界によって磁化方向が変化する自由層とが積層された構造を有し、参照用素子111,112は、固着層の磁化方向と自由層の無磁界における磁化方向とが平行の状態のものと反平行の状態のものとを含み、平行の状態のものと反平行の状態のものに印加するバイアス磁界の向きは互いに180°異なり、検出用素子101,102は、固着層の磁化方向と自由層の無磁界における磁化方向とが異なる。
【選択図】図5
Description
図5は、本発明の実施の形態1における磁界検出装置を示す上面図である。ここに示す磁界検出装置は、4個の検出用磁気抵抗効果素子101a、101b、102a、102b(以下、検出用素子と表記する。)と4個の参照用磁気抵抗効果素子111a、111b、112a、112b(以下、参照用素子と表記する。)を有している。これらの磁気抵抗効果素子は、上面から見た場合に、それぞれ、同面積かつ同形状の角丸長方形を有しており、検出用素子と参照用素子とで、長手方向が90°異なるように配置されている。また、検出用素子の個数と、参照用素子の個数とは、共に4個で、同数となっている。
図9は、本発明の実施の形態2における磁界検出装置を示す上面図である。ここに示す磁界検出装置は2個の検出用素子101a、101bと2個の参照用素子111a、111bを有している。これらの素子101a,101b,111a,111bは、実施の形態1で説明した素子101a,111a等と同じであり、詳細な説明は省略する。尚、本実施の形態においても、これらの素子101,111は、上面から見た場合に、それぞれ、同面積かつ同形状の角丸長方形を有しており、検出用素子101と参照用素子111とで、長手方向が90°異なるように配置されている。また、検出用素子101の個数と、参照用素子111の個数とは、共に2個で、同数となっている。
図10は、本発明の実施の形態3における磁界検出装置を示す上面図である。本実施の形態の磁界検出装置は、図5に示した実施の形態1の磁界検出装置における検出用素子101a,101b、102a、102bおよび参照用素子111a、111b、112a、112bを、それぞれ同数で並列接続したものである。
本発明の実施の形態4について、図11を参照して説明する。図11に示される構成は、磁界印加用配線151を除いては、実施の形態1と同じ構成である。本実施の形態では、図11に示すように、磁界印加用配線151Aが、検出用素子101a,101bおよび102a、102bの真下にも延在し、その部分においては、それぞれの検出用素子の長手方向と直交する方向を向いている。
図13は、本発明の実施の形態5における電流検出装置を示す上面図である。図13の構成は、図5に示した実施の形態1と基本的に同じ構成の磁界検出器を用いているが、図13では、検出用素子101a、101bと、検出用素子102a、102bとが、それぞれ、互いに隣接する位置に配置されている。本発明の実施の形態5における電流検出装置では、これらの検出用素子101、102の直下には、これらの検出用素子とは電気的に絶縁された、検出用測定対象となる電流Ilineが流れる金属配線152が設けられている。この金属配線152は、検出用素子101,102の長手方向に沿った方向に配置されている。
本発明の実施の形態6における磁界検出装置の上面図を図16に示す。図16に示される構成は、磁界印加用の配線151Cを除いては、実施の形態1と同じ構成によるものである。ここでは、磁界印加用配線151Cが、参照用素子111、112だけでなく、検出用素子101、102の直下にも延在し、検出用素子101、102においては、それぞれの素子の長手方向に沿った方向を向いて磁界印加用配線151Cが配置されている。
Claims (10)
- 外部磁界に応じた出力信号を出力する磁界検出装置であって、
基板上に設けられた2個以上の磁界検出用磁気抵抗効果素子と、
前記基板上に設けられた2個以上の参照用磁気抵抗効果素子と、
前記2個以上の参照用磁気抵抗効果素子の自由層の磁化容易軸方向に磁界を同時に印加するバイアス磁界印加用配線と
を備え、
前記参照用磁気抵抗効果素子および前記磁界検出用磁気抵抗効果素子は、それぞれ、反強磁性層と前記反強磁性層により磁化方向が固定された磁性体層とからなる固着層と、前記外部磁界によって磁化方向が変化する磁性体層からなる自由層とが積層された構造を有し、
前記2個以上の参照用磁気抵抗効果素子は、前記固着層の磁化方向と前記自由層の無磁界における磁化方向とが平行の状態のものと反平行の状態のものとを含んでおり、
前記バイアス磁界印加用配線が印加する磁界の方向は、前記2個以上の参照用磁気抵抗効果素子のうち、前記固着層の磁化方向と前記自由層の無磁界における磁化方向とが平行の状態のものに対する磁界と、前記固着層の磁化方向と前記自由層の無磁界における磁化方向とが反平行の状態のものに対する磁界とで、互いに180°異なり、
前記磁界検出用磁気抵抗効果素子は、前記固着層の磁化方向と前記自由層の無磁界における磁化方向とが異なる、
磁界検出装置。 - 前記参照用磁気抵抗効果素子と前記磁界検出用磁気抵抗効果素子とは、同一面積で、長手方向が互いに90°異なる向きに配置され、その個数は互いに等しい
請求項1に記載の磁界検出装置。 - 前記バイアス磁界印加用配線は、同一平面内で180°折り返した1本の配線であることを特徴とする請求項1または2に記載の磁界検出装置。
- 前記バイアス磁界印加用配線は、前記参照用磁気抵抗効果素子と同時に、前記磁界検出用磁気抵抗効果素子にも前記磁界を印加する
請求項1から3までのいずれか1項に記載の磁界検出装置。 - 前記バイアス磁界印加用配線は、前記参照用磁気抵抗効果素子の自由層の磁化容易軸方向と前記磁界検出用磁気抵抗効果素子の自由層の磁化容易軸方向に同時に前記磁界を印加する
請求項4に記載の磁界検出装置。 - 前記バイアス磁界印加用配線は、前記参照用磁気抵抗効果素子の自由層の磁化容易軸方向と前記磁界検出用磁気抵抗効果素子の自由層の磁化困難軸方向に同時に前記磁界を印加する
請求項4に記載の磁界検出装置。 - 請求項1から6までのいずれか1項に記載の磁界検出装置を用いた電流検出装置。
- 請求項7記載の電流検出器を備えた半導体集積回路。
- 外部磁界に応じた出力信号を出力する磁界検出方法であって、
基板上に設けられた2個以上の磁界検出用磁気抵抗効果素子と、前記基板上に設けられた2個以上の参照用磁気抵抗効果素子と、前記2個以上の参照用磁気抵抗効果素子の自由層の磁化容易軸方向にバイアス磁界を同時に印加するバイアス磁界印加用配線とを備えた磁界検出装置を用意するステップと、
前記外部磁界を印加した磁界下において、前記バイアス磁界印加用配線により前記参照用磁気抵抗効果素子に所定のバイアス磁界を印加した状態で、前記出力信号を検出するステップと
を備え、
前記参照用磁気抵抗効果素子および前記磁界検出用磁気抵抗効果素子は、それぞれ、反強磁性層と前記反強磁性層により磁化方向が固定された磁性体層とからなる固着層と、外部磁界によって磁化方向が変化する磁性体層からなる自由層とが積層された構造を有し、
前記2個以上の参照用磁気抵抗効果素子は、前記固着層の磁化方向と前記自由層の無磁界における磁化方向とが平行の状態のものと反平行の状態のものとを含んでおり、
前記バイアス磁界印加用配線が印加する磁界の方向は、前記2個以上の参照用磁気抵抗効果素子のうち、前記固着層の磁化方向と前記自由層の無磁界における磁化方向とが平行の状態のものに対する磁界と、前記固着層の磁化方向と前記自由層の無磁界における磁化方向とが反平行の状態のものに対する磁界とで、互いに180°異なり、
前記磁界検出用磁気抵抗効果素子は、前記固着層の磁化方向と前記自由層の無磁界における磁化方向とが異なる、
磁界検出方法。 - 外部磁界に応じた出力信号を出力する磁界検出方法であって、
基板上に設けられた2個以上の磁界検出用磁気抵抗効果素子と、前記基板上に設けられた2個以上の参照用磁気抵抗効果素子と、前記2個以上の参照用磁気抵抗効果素子の自由層の磁化容易軸方向、かつ、前記2個以上の磁界検出用磁気抵抗素子の自由層の磁化困難軸方向に同時に磁界を印加するバイアス磁界印加用配線とを備えた磁界検出装置を用意するステップと、
前記外部磁界を印加しない無磁界において、前記バイアス磁界印加用配線にバイアス用電流を流すことにより、参照用磁気抵抗効果素子の自由層の磁化容易軸方向および前記磁界検出用磁気抵抗効果素子の前記自由層の磁化困難軸方向に磁界を印加した状態で、前記出力信号を検出するステップと、
前記出力信号が所定値か否かを判定し、前記出力信号が所定値になる前記バイアス用電流の値を求めるステップと、
前記外部磁界を印加した磁界下において、前記バイアス磁界印加用配線に、前記出力信号が所定値になる前記バイアス用電流を流すことにより、前記磁界検出用磁気抵抗効果素子および前記参照用磁気抵抗効果素子にバイアス磁界を印加した状態で、前記出力信号を検出するステップと
を備え、
前記参照用磁気抵抗効果素子および前記磁界検出用磁気抵抗効果素子は、それぞれ、反強磁性層と前記反強磁性層により磁化方向が固定された磁性体層とからなる固着層と、外部磁界によって磁化方向が変化する磁性体層からなる自由層とが積層された構造を有し、
前記2個以上の参照用磁気抵抗効果素子は、前記固着層の磁化方向と前記自由層の無磁界における磁化方向とが平行の状態のものと反平行の状態のものとを含んでおり、
前記バイアス磁界印加用配線が印加する磁界の方向は、前記2個以上の参照用磁気抵抗効果素子のうち、前記固着層の磁化方向と前記自由層の無磁界における磁化方向とが平行の状態のものに対する磁界と、前記固着層の磁化方向と前記自由層の無磁界における磁化方向とが反平行の状態のものに対する磁界とで、互いに180°異なり、
前記磁界検出用磁気抵抗効果素子は、前記固着層の磁化方向と前記自由層の無磁界における磁化方向とが異なる、
磁界検出方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013019836A JP5924695B2 (ja) | 2013-02-04 | 2013-02-04 | 磁界検出装置、電流検出装置、半導体集積回路、および、磁界検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013019836A JP5924695B2 (ja) | 2013-02-04 | 2013-02-04 | 磁界検出装置、電流検出装置、半導体集積回路、および、磁界検出方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014153054A true JP2014153054A (ja) | 2014-08-25 |
JP5924695B2 JP5924695B2 (ja) | 2016-05-25 |
Family
ID=51575080
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013019836A Active JP5924695B2 (ja) | 2013-02-04 | 2013-02-04 | 磁界検出装置、電流検出装置、半導体集積回路、および、磁界検出方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5924695B2 (ja) |
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