JP4424093B2 - 磁気センサ - Google Patents
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Description
基板と、
前記基板上に形成されたトランジスタ作成層と、
前記トランジスタ作成層上に形成されたメタル配線層と、
前記メタル配線層上に形成された絶縁層と、
前記絶縁層上に形成された磁気センサ層と、
前記磁気センサ層上に形成された保護層を兼ねる薄膜抵抗層と、
磁気抵抗効果素子と、
前記磁気抵抗効果素子の近傍に形成されるとともに抵抗値が外部磁界により変化せず且つ加わる応力により変化する応力検出素子と、
前記磁気抵抗効果素子の抵抗値に応じた検出値を前記応力検出素子の抵抗値に基づいて補正する補正手段と、
を備え、前記補正された検出値に基づいて外部磁界を検出する磁気センサにおいて、
前記磁気抵抗効果素子は前記磁気センサ層内に形成され、
前記応力検出素子は前記薄膜抵抗層内に形成されるとともに前記磁気抵抗効果素子の直上であって前記磁気センサの平面視において同磁気抵抗効果素子と略一致した位置に形成されていることを特徴とする。
この場合、前記応力検出素子は薄膜抵抗であってよい。
基板と、
前記基板上に形成されたトランジスタ作成層と、
前記トランジスタ作成層上に形成されたメタル配線層と、
前記メタル配線層上に形成された絶縁層と、
前記絶縁層上に形成された磁気センサ層と、
前記磁気センサ層上に形成された保護層を兼ねる薄膜抵抗層と、
を備える磁気センサであって、
前記磁気センサ層内に形成され一つの向きの外部磁界の大きさが増大するにつれて抵抗値が増大する第1磁気抵抗効果素子と、
前記磁気センサ層内に形成され一つの向きの外部磁界の大きさが増大するにつれて抵抗値が増大する第2磁気抵抗効果素子と、
前記磁気センサ層内に形成され前記一つの向きと反対の向きの外部磁界の大きさが増大するにつれて抵抗値が増大する第3磁気抵抗効果素子と、
前記磁気センサ層内に形成され前記一つの向きと反対の向きの外部磁界の大きさが増大するにつれて抵抗値が増大する第4磁気抵抗効果素子と、
前記第1磁気抵抗効果素子の一端と前記第4磁気抵抗効果素子の一端とを接続する第1接続部と、
前記第2磁気抵抗効果素子の一端と前記第3磁気抵抗効果素子の一端とを接続する第2接続部と、
前記第1磁気抵抗効果素子の他端と前記第3磁気抵抗効果素子の他端とを接続する第3接続部と、
前記第4磁気抵抗効果素子の他端と前記第2磁気抵抗効果素子の他端とを接続する第4接続部と、
前記第1接続部と前記第2接続部との間に所定の電圧を付与するとともに前記第3接続部と前記第4接続部との間の電位差を取り出す第1接続導線と、を備えている。
前記薄膜抵抗層内であって前記第1磁気抵抗効果素子の近傍且つ直上であって前記磁気センサの平面視において同第1磁気抵抗効果素子と略一致した位置に形成されるとともに抵抗値が外部磁界により変化せず且つ加わる応力により変化する第1応力検出素子と、
前記薄膜抵抗層内であって前記第2磁気抵抗効果素子の近傍且つ直上であって前記磁気センサの平面視において同第2磁気抵抗効果素子と略一致した位置に形成されるとともに抵抗値が外部磁界により変化せず且つ加わる応力により変化する第2応力検出素子と、
前記薄膜抵抗層内であって前記第3磁気抵抗効果素子の近傍且つ直上であって前記磁気センサの平面視において同第3磁気抵抗効果素子と略一致した位置に形成されるとともに抵抗値が外部磁界により変化せず且つ加わる応力により変化する第3応力検出素子と、
前記薄膜抵抗層内であって前記第4磁気抵抗効果素子の近傍且つ直上であって前記磁気センサの平面視において同第4磁気抵抗効果素子と略一致した位置に形成されるとともに抵抗値が外部磁界により変化せず且つ加わる応力により変化する第4応力検出素子と、
前記第1応力検出素子の一端と前記第4応力検出素子の一端とを接続する第5接続部と、
前記第2応力検出素子の一端と前記第3応力検出素子の一端とを接続する第6接続部と、
前記第1応力検出素子の他端と前記第3応力検出素子の他端とを接続する第7接続部と、
前記第4応力検出素子の他端と前記第2応力検出素子の他端とを接続する第8接続部と、
前記第5接続部と前記第6接続部との間に所定の電圧を付与するとともに前記第7接続部と前記第8接続部との間の電位差を取り出す第2接続導線と、
前記第3接続部と前記第4接続部との間の電位差に応じた値を前記第7接続部と前記第8接続部との間の電位差に基づいて補正して補正後の電位差を出力する補正手段と、
を備え、前記補正後の電位差に基づいて外部磁界を検出する磁気センサである。
Claims (6)
- 基板と、
前記基板上に形成されたトランジスタ作成層と、
前記トランジスタ作成層上に形成されたメタル配線層と、
前記メタル配線層上に形成された絶縁層と、
前記絶縁層上に形成された磁気センサ層と、
前記磁気センサ層上に形成された保護層を兼ねる薄膜抵抗層と、
磁気抵抗効果素子と、
前記磁気抵抗効果素子の近傍に形成されるとともに抵抗値が外部磁界により変化せず且つ加わる応力により変化する応力検出素子と、
前記磁気抵抗効果素子の抵抗値に応じた検出値を前記応力検出素子の抵抗値に基づいて補正する補正手段と、
を備え、前記補正された検出値に基づいて外部磁界を検出する磁気センサにおいて、
前記磁気抵抗効果素子は前記磁気センサ層内に形成され、
前記応力検出素子は前記薄膜抵抗層内に形成されるとともに前記磁気抵抗効果素子の直上であって前記磁気センサの平面視において同磁気抵抗効果素子と略一致した位置に形成されていることを特徴とする磁気センサ。 - 請求項1に記載の磁気センサにおいて、
前記応力検出素子が薄膜抵抗である磁気センサ。 - 基板と、
前記基板上に形成されたトランジスタ作成層と、
前記トランジスタ作成層上に形成されたメタル配線層と、
前記メタル配線層上に形成された絶縁層と、
前記絶縁層上に形成された磁気センサ層と、
前記磁気センサ層上に形成された保護層を兼ねる薄膜抵抗層と、
を備える磁気センサであって、
前記磁気センサ層内に形成され一つの向きの外部磁界の大きさが増大するにつれて抵抗値が増大する第1磁気抵抗効果素子と、
前記磁気センサ層内に形成され一つの向きの外部磁界の大きさが増大するにつれて抵抗値が増大する第2磁気抵抗効果素子と、
前記磁気センサ層内に形成され前記一つの向きと反対の向きの外部磁界の大きさが増大するにつれて抵抗値が増大する第3磁気抵抗効果素子と、
前記磁気センサ層内に形成され前記一つの向きと反対の向きの外部磁界の大きさが増大するにつれて抵抗値が増大する第4磁気抵抗効果素子と、
前記第1磁気抵抗効果素子の一端と前記第4磁気抵抗効果素子の一端とを接続する第1接続部と、
前記第2磁気抵抗効果素子の一端と前記第3磁気抵抗効果素子の一端とを接続する第2接続部と、
前記第1磁気抵抗効果素子の他端と前記第3磁気抵抗効果素子の他端とを接続する第3接続部と、
前記第4磁気抵抗効果素子の他端と前記第2磁気抵抗効果素子の他端とを接続する第4接続部と、
前記第1接続部と前記第2接続部との間に所定の電圧を付与するとともに前記第3接続部と前記第4接続部との間の電位差を取り出す第1接続導線と、
前記薄膜抵抗層内であって前記第1磁気抵抗効果素子の近傍且つ直上であって前記磁気センサの平面視において同第1磁気抵抗効果素子と略一致した位置に形成されるとともに抵抗値が外部磁界により変化せず且つ加わる応力により変化する第1応力検出素子と、
前記薄膜抵抗層内であって前記第2磁気抵抗効果素子の近傍且つ直上であって前記磁気センサの平面視において同第2磁気抵抗効果素子と略一致した位置に形成されるとともに抵抗値が外部磁界により変化せず且つ加わる応力により変化する第2応力検出素子と、
前記薄膜抵抗層内であって前記第3磁気抵抗効果素子の近傍且つ直上であって前記磁気センサの平面視において同第3磁気抵抗効果素子と略一致した位置に形成されるとともに抵抗値が外部磁界により変化せず且つ加わる応力により変化する第3応力検出素子と、
前記薄膜抵抗層内であって前記第4磁気抵抗効果素子の近傍且つ直上であって前記磁気センサの平面視において同第4磁気抵抗効果素子と略一致した位置に形成されるとともに抵抗値が外部磁界により変化せず且つ加わる応力により変化する第4応力検出素子と、
前記第1応力検出素子の一端と前記第4応力検出素子の一端とを接続する第5接続部と、
前記第2応力検出素子の一端と前記第3応力検出素子の一端とを接続する第6接続部と、
前記第1応力検出素子の他端と前記第3応力検出素子の他端とを接続する第7接続部と、
前記第4応力検出素子の他端と前記第2応力検出素子の他端とを接続する第8接続部と、
前記第5接続部と前記第6接続部との間に所定の電圧を付与するとともに前記第7接続部と前記第8接続部との間の電位差を取り出す第2接続導線と、
前記第3接続部と前記第4接続部との間の電位差に応じた値を前記第7接続部と前記第8接続部との間の電位差に基づいて補正して補正後の電位差を出力する補正手段と、
を備え、前記補正後の電位差に基づいて外部磁界を検出する磁気センサ。 - 基板と、
前記基板上に形成されたトランジスタ作成層と、
前記トランジスタ作成層上に形成されたメタル配線層と、
前記メタル配線層上に形成された絶縁層と、
前記絶縁層上に形成された磁気センサ層と、
前記磁気センサ層上に形成された保護層と、
磁気抵抗効果素子と、
前記磁気抵抗効果素子の近傍に形成されるとともに抵抗値が外部磁界により変化せず且つ加わる応力により変化する応力検出素子と、
前記磁気抵抗効果素子の抵抗値に応じた検出値を前記応力検出素子の抵抗値に基づいて補正する補正手段と、
を備え、前記補正された検出値に基づいて外部磁界を検出する磁気センサにおいて、
前記磁気抵抗効果素子は前記磁気センサ層内に形成され、
前記応力検出素子は前記メタル配線層内に形成されるとともに前記磁気抵抗効果素子の直下であって前記磁気センサの平面視において同磁気抵抗効果素子と略一致した位置に形成されていることを特徴とする磁気センサ。 - 基板と、
前記基板上に形成されたトランジスタ作成層と、
前記トランジスタ作成層上に形成されたメタル配線層と、
前記メタル配線層上に形成された絶縁層と、
前記絶縁層上に形成された磁気センサ層と、
前記磁気センサ層上に形成された保護層と、
を備える磁気センサであって、
前記磁気センサ層内に形成され一つの向きの外部磁界の大きさが増大するにつれて抵抗値が増大する第1磁気抵抗効果素子と、
前記磁気センサ層内に形成され一つの向きの外部磁界の大きさが増大するにつれて抵抗値が増大する第2磁気抵抗効果素子と、
前記磁気センサ層内に形成され前記一つの向きと反対の向きの外部磁界の大きさが増大するにつれて抵抗値が増大する第3磁気抵抗効果素子と、
前記磁気センサ層内に形成され前記一つの向きと反対の向きの外部磁界の大きさが増大するにつれて抵抗値が増大する第4磁気抵抗効果素子と、
前記第1磁気抵抗効果素子の一端と前記第4磁気抵抗効果素子の一端とを接続する第1接続部と、
前記第2磁気抵抗効果素子の一端と前記第3磁気抵抗効果素子の一端とを接続する第2接続部と、
前記第1磁気抵抗効果素子の他端と前記第3磁気抵抗効果素子の他端とを接続する第3接続部と、
前記第4磁気抵抗効果素子の他端と前記第2磁気抵抗効果素子の他端とを接続する第4接続部と、
前記第1接続部と前記第2接続部との間に所定の電圧を付与するとともに前記第3接続部と前記第4接続部との間の電位差を取り出す第1接続導線と、
前記メタル配線層内であって前記第1磁気抵抗効果素子の近傍且つ直下であって前記磁気センサの平面視において同第1磁気抵抗効果素子と略一致した位置に形成されるとともに抵抗値が外部磁界により変化せず且つ加わる応力により変化する第1応力検出素子と、
前記メタル配線層内であって前記第2磁気抵抗効果素子の近傍且つ直下であって前記磁気センサの平面視において同第2磁気抵抗効果素子と略一致した位置に形成されるとともに抵抗値が外部磁界により変化せず且つ加わる応力により変化する第2応力検出素子と、
前記メタル配線層内であって前記第3磁気抵抗効果素子の近傍且つ直下であって前記磁気センサの平面視において同第3磁気抵抗効果素子と略一致した位置に形成されるとともに抵抗値が外部磁界により変化せず且つ加わる応力により変化する第3応力検出素子と、
前記メタル配線層内であって前記第4磁気抵抗効果素子の近傍且つ直下であって前記磁気センサの平面視において同第4磁気抵抗効果素子と略一致した位置に形成されるとともに抵抗値が外部磁界により変化せず且つ加わる応力により変化する第4応力検出素子と、
前記第1応力検出素子の一端と前記第4応力検出素子の一端とを接続する第5接続部と、
前記第2応力検出素子の一端と前記第3応力検出素子の一端とを接続する第6接続部と、
前記第1応力検出素子の他端と前記第3応力検出素子の他端とを接続する第7接続部と、
前記第4応力検出素子の他端と前記第2応力検出素子の他端とを接続する第8接続部と、
前記第5接続部と前記第6接続部との間に所定の電圧を付与するとともに前記第7接続部と前記第8接続部との間の電位差を取り出す第2接続導線と、
前記第3接続部と前記第4接続部との間の電位差に応じた値を前記第7接続部と前記第8接続部との間の電位差に基づいて補正して補正後の電位差を出力する補正手段と、
を備え、前記補正後の電位差に基づいて外部磁界を検出する磁気センサ。 - 請求項1乃至請求項5の何れか一項に記載の磁気センサであって、
前記基板はリードフレーム上に配置され、同基板及び同リードフレームは樹脂により被覆されている磁気センサ。
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