JP2014143399A5 - - Google Patents

Claims (14)

1. 他の基板に接合される接合面と、
   前記接合面に形成された凹部と、
   前記凹部内に形成され、表面の少なくとも一部が前記接合面よりも下方に位置する導通領域と、
   前記凹部内における前記導通領域の前記表面上の空間に連通した空洞部と、
   を備える基板。
2. 前記空洞部は、前記接合面に開口している請求項１に記載の基板。
3. 前記空洞部は、前記導通領域の周囲に形成されている請求項１または２に記載の基板。
4. 前記空洞部は、前記接合面に形成された多孔質層を含む請求項１から３のいずれか一項に記載の基板。
5. 前記空洞部は、前記基板の周縁部まで連通する部分を有する請求項１から請求項４までのいずれか一項に記載の基板。
6. 前記空洞部の一部は、前記他の基板の前記表面に形成された突出部と相補的な形状を有する部分を含む請求項１から請求項５までのいずれか一項に記載の基板。
7. 基板の接合面に凹部を形成する段階と、
   表面の少なくとも一部が前記接合面よりも下方に位置する導通領域を、前記凹部内に形成する段階と、
   前記凹部内における前記導通領域の前記表面上の空間に連通した空洞部を形成する段階と、
   前記接合面を他の基板の接合面に接触させる段階と、
   前記接合面同士を接触させた後に、前記導通領域を前記他の基板の導通領域に接触させる段階と、
   を含む基板接合方法。
8. 前記空洞部を形成する段階は、前記基板の周縁部まで連通する部分を形成する段階を含み、
   前記接合する段階は、前記基板および前記他の基板の間を、前記空洞部を通じて脱気する段階を含む請求項７に記載の基板接合方法。
9. 前記脱気する段階は、前記基板および前記他の基板の少なくとも一方を加熱する段階を含む請求項８に記載の基板接合方法。
10. 前記脱気する段階は、前記基板および前記他の基板の接合に先立って前記基板および前記他の基板の間を、前記空洞部を通じて脱気する段階を含む請求項８または請求項９に記載の基板接合方法。
11. 前記脱気する段階は、前記基板および前記他の基板を接合しつつ、前記基板および前記他の基板の間を、前記空洞部を通じて脱気する段階を含む請求項８から請求項１０までのいずれか一項に記載の基板接合方法。
12. 前記導通領域を包囲するバリア層の少なくとも一部を前記空洞部の内部において除去する段階を更に含む請求項７から１１のいずれか一項に記載の基板接合方法。
13. 前記空洞部を形成する段階は、前記基板が前記他の基板に接合された場合に、前記他の基板に設けられた導通領域の縁部を包含する領域に形成される請求項７から請求項１２までのいずれか一項に記載の基板接合方法。
14. 前記空洞部を形成する段階は、
    前記基板において他の回路に接続されない独立導通領域を形成する段階と、
    前記独立導通領域の周囲に、前記基板の周縁部まで連通する部分を前記空洞部に形成する段階と
    を含む請求項７から請求項１３までのいずれか一項に記載の基板接合方法。