JP2014138056A - 枚葉式エピタキシャルウェーハ製造装置およびそれを用いたエピタキシャルウェーハの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】上面中央部にウェーハを載置するためのウェーハポケット12が設けられたサセプタ14と、前記サセプタ14を支持し且つ回転せしめるためのサポートシャフト16と、を含み、前記サポートシャフト16が、回転可能な主支柱18と、前記主支柱18に設けられ、前記サセプタ14の下面を支持する複数のアーム部20と、を有し、前記サセプタ14は、前記サセプタの下面に複数のサセプタ凹部22を有し、前記アーム部20が、前記サセプタの下面を垂直に支持するための石英製頭部24を有し、前記石英製頭部24の少なくとも一部が前記サセプタ凹部22に遊び空間のない状態で密接嵌合せしめられて前記サセプタ凹部22の幅方向内表面と接触せしめられるようにした。
【選択図】図1
Description
石英製頭部を用いた図1に示す枚葉式エピタキシャルウェーハ製造装置を用いて、直径300mm、主表面の面方位(100)のP型シリコン単結晶ウェーハ上に、目標厚さ5μmにてP型シリコンエピタキシャル層(抵抗率10Ω・cm)を成長させ、ウェーハ載置ずれ量とEP厚均一性にて評価を行った。石英製頭部としては、図3(a)に示されるような板状頭部のものを使用した。
ウェーハ載置ずれは、サセプタ貫通孔パターン転写法にて評価した。サセプタ貫通孔パターン転写法とは、貫通孔を有するサセプタ上にウェーハを載置し、エピタキシャル層を成長させる温度でエッチングガスを導入することで、ウェーハ裏面に貫通孔パターンを転写させた後、裏面に転写した貫通孔パターンの位置を測定し、ウェーハの載置位置の偏心量を評価する手法である。ウェーハ載置ずれ量は、0.2mmであった。結果を表1に示す。
EP厚均一性はウェーハ外周縁から2mmの外周部エピタキシャル層膜厚差にて評価を行った。ウェーハの載置ずれが起きると、外周部のエピタキシャル層の膜厚が周方向で不均一になることが分かっており、またそれがEP厚均一性を悪化させる原因となっている。外周部エピタキシャル層膜厚差は、42nmであった。結果を表2に示す。
図4に示した従来の枚葉式エピタキシャルウェーハ製造装置を用い、実施例1と同様に、直径300mm、主表面の面方位(100)のP型シリコン単結晶ウェーハ上に、目標厚さ5μmにてP型シリコンエピタキシャル層(抵抗率10Ω・cm)を成長させ、実施例1と同様にして、ウェーハ載置ずれ量とEP厚均一性にて評価を行った。ウェーハ載置ずれ量は0.6mmであった。結果を表1に示す。また、外周部エピタキシャル層膜厚差は65nmであった。結果を表2に示す。
Claims (4)
- 上面中央部にウェーハを載置するためのウェーハポケットが設けられたサセプタと、
前記サセプタを支持し且つ回転せしめるためのサポートシャフトと、を含み、
前記サポートシャフトが、回転可能な主支柱と、前記主支柱に設けられ、前記サセプタの下面を支持する複数のアーム部と、を有し、
前記サセプタは、前記サセプタの下面に複数のサセプタ凹部を有し、
前記アーム部が、前記サセプタの下面を垂直に支持するための石英製頭部を有し、前記石英製頭部の少なくとも一部が前記サセプタ凹部に遊び空間のない状態で密接嵌合せしめられて前記サセプタ凹部の幅方向内表面と接触せしめられることを特徴とする枚葉式エピタキシャルウェーハ製造装置。 - 前記サポートシャフトのアーム部が、少なくともその石英製頭部が角柱状であることを特徴とする請求項1記載の枚葉式エピタキシャルウェーハ製造装置。
- 前記角柱状頭部が、板状頭部とされてなることを特徴とする請求項2記載の枚葉式エピタキシャルウェーハ製造装置。
- 請求項1〜3いずれか1項記載の枚葉式エピタキシャルウェーハ製造装置を用い、前記サセプタのウェーハポケットにウェーハを載置し、前記ウェーハ上にエピタキシャル層を気相成長させることを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107475690A (zh) * | 2017-08-30 | 2017-12-15 | 武汉华星光电技术有限公司 | 玻璃基板承载装置、加工辅助机构以及辅助加工的方法 |
JP2019121680A (ja) * | 2018-01-04 | 2019-07-22 | 信越半導体株式会社 | ウェーハ処理装置及びエピタキシャルウェーハの製造方法 |
JP2020102590A (ja) * | 2018-12-25 | 2020-07-02 | 株式会社Sumco | 気相成長装置およびエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000103696A (ja) * | 1998-07-29 | 2000-04-11 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコンエピタキシャルウェ―ハおよびその製造方法 |
JP2001508599A (ja) * | 1997-01-23 | 2001-06-26 | エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド | ウェハ支持システム |
JP2005260095A (ja) * | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | エピタキシャル成長装置 |
JP2007088303A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Sumco Techxiv株式会社 | ウェーハ支持構造及びウェーハ製造装置 |
JP2007522681A (ja) * | 2004-02-13 | 2007-08-09 | エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド | オートドーピングおよび裏面堆積を減少させるための基板支持システム |
JP2008235830A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Sumco Techxiv株式会社 | 気相成長装置 |
-
2013
- 2013-01-16 JP JP2013005313A patent/JP6047854B2/ja active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001508599A (ja) * | 1997-01-23 | 2001-06-26 | エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド | ウェハ支持システム |
JP2000103696A (ja) * | 1998-07-29 | 2000-04-11 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコンエピタキシャルウェ―ハおよびその製造方法 |
JP2007522681A (ja) * | 2004-02-13 | 2007-08-09 | エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド | オートドーピングおよび裏面堆積を減少させるための基板支持システム |
JP2005260095A (ja) * | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | エピタキシャル成長装置 |
JP2007088303A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Sumco Techxiv株式会社 | ウェーハ支持構造及びウェーハ製造装置 |
JP2008235830A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Sumco Techxiv株式会社 | 気相成長装置 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107475690A (zh) * | 2017-08-30 | 2017-12-15 | 武汉华星光电技术有限公司 | 玻璃基板承载装置、加工辅助机构以及辅助加工的方法 |
JP2019121680A (ja) * | 2018-01-04 | 2019-07-22 | 信越半導体株式会社 | ウェーハ処理装置及びエピタキシャルウェーハの製造方法 |
JP2020102590A (ja) * | 2018-12-25 | 2020-07-02 | 株式会社Sumco | 気相成長装置およびエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 |
WO2020137021A1 (ja) * | 2018-12-25 | 2020-07-02 | 株式会社Sumco | 気相成長装置およびエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 |
JP7035996B2 (ja) | 2018-12-25 | 2022-03-15 | 株式会社Sumco | 気相成長装置およびエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 |
US11846039B2 (en) | 2018-12-25 | 2023-12-19 | Sumco Corporation | Vapor deposition device and method for manufacturing epitaxial silicon wafer |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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