JP2014131165A - 光電センサ - Google Patents
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Abstract
【課題】複数の光電センサ間での相互干渉状態を回避する光電センサを提供する。
【解決手段】弁別部61が受光信号を閾値で弁別し、その出力をアップダウンカウンタ62でカウントして入光状態か遮光状態かを判定する。パターン決定回路9は、遮光状態から入光状態に遷移する期間の投光タイミングを規定した投光パターン#1〜#nの中から任意に1つの投光パターンを選択し、遷移途中で投光タイミングをずらす。
【選択図】図1
【解決手段】弁別部61が受光信号を閾値で弁別し、その出力をアップダウンカウンタ62でカウントして入光状態か遮光状態かを判定する。パターン決定回路9は、遮光状態から入光状態に遷移する期間の投光タイミングを規定した投光パターン#1〜#nの中から任意に1つの投光パターンを選択し、遷移途中で投光タイミングをずらす。
【選択図】図1
Description
この発明は、複数台を隣接配置した場合の相互干渉状態を回避する光電センサに関するものである。
反射形と呼ばれる検出方式の光電センサは、投光部と受光部を、検出対象物の存在する検出領域に対して同じ側に並べて設置し、投光部から発した光の検出対象物による反射光を受光部で受光することで、その受光量の変化から入光状態(検出)か遮光状態(非検出)かを判定する。
複数の反射形光電センサを隣接配置して使用する場合、自機以外の投光が入光する相互干渉状態を防止するために、外乱光を検出して自機の投光タイミングをずらしていた(例えば、特許文献1参照)。
しかしながら、従来の相互干渉防止機能では投光タイミングのずらし方が一律であるため、2台が同じタイミングで動作して同じタイミングで遮光状態から入光状態になるとき、外乱光か自機の投光かを区別することができないという課題があった。その状態でクロックが少しずつずれていくことにより、光量が変化して、誤動作する場合があった。
光電スイッチの投光周期は数十μs〜数百μsであるため、例えば8時間の使用を考えるとその間に2台が同じタイミングになる確率は無視できないレベルとなる。
光電スイッチの投光周期は数十μs〜数百μsであるため、例えば8時間の使用を考えるとその間に2台が同じタイミングになる確率は無視できないレベルとなる。
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたもので、複数の光電センサ間での相互干渉状態を回避する光電センサを提供することを目的とする。
この発明に係る光電センサは、所定の投光パターンに従って検出領域へ投光する投光部と、投光部からの光が検出対象物に反射した反射光を受光し、受光量に応じたレベルの受光信号を出力する受光部と、受光部からの受光信号を所定の閾値で弁別して出力する弁別部と、弁別部の出力の有無に応じてカウントアップまたはカウントダウンし、カウント値に応じて入光状態か遮光状態かを判定するアップダウンカウンタと、アップダウンカウンタのカウント値が入光状態と遮光状態の間を遷移する期間の投光タイミングを規定した投光パターンを複数記憶している投光パターン記憶部と、投光パターン記憶部に記憶された複数の投光パターンの中から任意に1つの投光パターンを選択して投光部へ与え、アップダウンカウンタのカウント値が入光状態と遮光状態の間を遷移する期間の投光タイミングを所定の投光パターンの投光タイミングからずらすパターン決定部とを備えるものである。
この発明によれば、入光状態と遮光状態の間を遷移する期間の投光タイミングを所定の投光パターンの投光タイミングからずらすようにしたので、入光状態を判定する前段階の遷移途中で投光タイミングをずらすことができ、複数の光電センサ間での相互干渉状態を回避する光電センサを提供することができる。
実施の形態1.
図1は、この発明の実施の形態1に係る光電センサ1の構成を示すブロック図である。この光電センサ1は、投光素子2(例えば、発光ダイオード)と、投光駆動回路3と、受光素子4(例えば、フォトダイオード)と、受光回路5と、判定回路6と、投光パターン記憶部7と、セレクタ8と、パターン決定回路9とから構成される。
図1は、この発明の実施の形態1に係る光電センサ1の構成を示すブロック図である。この光電センサ1は、投光素子2(例えば、発光ダイオード)と、投光駆動回路3と、受光素子4(例えば、フォトダイオード)と、受光回路5と、判定回路6と、投光パターン記憶部7と、セレクタ8と、パターン決定回路9とから構成される。
光電センサ1を反射形として構成する場合、投光素子2および投光駆動回路3からなる投光部と、受光素子4および受光回路5からなる受光部とを、検出対象物10の存在する検出領域に対して同じ側に並べて設置し、投光部から発した光の検出対象物10による反射光を受光部で受光することで、その受光量の変化から入光状態(検出状態)か遮光状態(非検出状態)かを判定する。
セレクタ8は、パターン決定回路9が決定した投光パターン番号(#1〜#n)の投光パターンを投光パターン記憶部7から選択して投光駆動回路3および受光回路5へ出力する。投光駆動回路3は、投光パターンに従ってスイッチング素子を駆動して投光素子2を発光させ、パルス光を検出領域へ投光する。受光素子4は、検出領域からの反射光を受光して、受光量に応じた電流を出力する。
受光回路5は、受光素子4の出力電流を電圧に変換する電流−電圧変換回路、電圧信号を増幅する増幅回路、増幅した電圧信号からノイズを除去するフィルタ回路などを有し、受光量のレベルに応じた受光信号を生成する。また、受光回路5は外乱光検出部51を有し、外乱光検出部51は自機の投光タイミングの前後の自発光のパルスが検出されないタイミングでの受光レベルを監視し、受光レベルがあるレベルを超えた場合は外乱光を検出したとして、投光駆動回路3に指示を与えてパルス光の投光周期をずらし、自発光が外乱光に重ならないようにする。
判定回路6は、受光回路5から入力される受光信号を所定の閾値で弁別してデジタル信号に変換する弁別部61と、このデジタル信号の有無に応じてカウント値をカウントアップまたはカウントダウンするアップダウンカウンタ62とを有する。判定回路6は、アップダウンカウンタ62のカウント値が最大値のときに入光状態と判定してオン信号を出力し、カウント値が最小値の0のときに遮光状態と判定してオフ信号を出力する。
投光パターン記憶部7は、n種類の投光パターン#1〜#nを記憶している。例えば、判定方式をデジタル積分(アップダウンカウンタ62によるアップダウンカウント)方式としアップダウンカウンタ62に5段のカウンタを用いた場合、カウント値が遮光状態(カウント値0)と入光状態(カウント値5)との間を遷移する間に、投光周期をずらすような投光パターンとする。
パターン決定回路9は、セレクタ8を制御して、投光パターン記憶部7の記憶する投光パターン#1〜#nの中の1つの投光パターンを選択し、投光駆動回路3および受光回路5へ出力する。
図2に投光パターン#1〜#4の表を示し、図3(a)〜(d)に投光パターン#1〜#4のグラフを示す。ここに示す投光パターンは一例であり、これらに限定されるものではない。図示するように、アップダウンカウンタ62のカウント値が0の遮光状態のとき、およびカウント値が5の入光状態のとき、投光パターン#1〜#4の投光周期は100μsであり、投光パターンによらず同じタイミングでパルス光を投光する。一方、カウント値が1〜4に変化するとき、すなわち、遮光状態から入光状態への遷移途中または入光状態から遮光状態への遷移途中、カウント値ごとに異なる投光周期が設定されている。さらに、カウント値が1〜4に変化する時間が投光パターンごとに異なる(投光パターン#1では380μs、投光パターン#2では360μs、投光パターン#3では350μs、投光パターン#4では370μs)。
例えば、自機が投光パターン#1に従って投光し、隣接配置された他機が投光パターン#2に従って投光している場合、遮光から入光への遷移途中で投光パルスのタイミングのずれが発生する。従って、干渉状態であったとしても、遷移途中で必ずタイミングがずれるようになり、外乱光検出部51において自発光と干渉光とを正しく判別することができる。また、カウント値が1〜4に変化する時間が異なるので、これ以降は自発光と干渉光がずれるようになり、干渉状態を回避することができる。
また、アップダウンカウンタ62のカウント値が最大値になって判定回路6からオン信号を外部出力する前に、外乱光検出部51が外乱光を検出することになるため、外乱光を自発光と混同することによる誤動作を防ぐことができる。加えて、遷移途中で外乱光を検出した場合に外乱光検出部51が動作して投光周期をさらにずらすことにより、以降は干渉光を避けるような投光タイミングになるので、干渉状態を回避して誤動作を防ぐことができる。
なお、外乱光検出部51が外乱光を検出すると投光周期をさらにずらす構成にしたが、投光周期をずらさない構成にしても、入光と遮光の遷移途中で投光パターン#1〜#4のいずれかを実行することにより以降の投光タイミングがずれるため、干渉状態を回避できる。
ただし、外乱光検出部51が投光周期をさらにずらす構成にした場合には、より効果的に干渉状態を回避できる。この構成の場合、投光パターン間のタイミング差は、遮光と入光の遷移途中で必ず外乱光検出部51が動作するレベルのタイミング差にすることが望ましい。
ただし、外乱光検出部51が投光周期をさらにずらす構成にした場合には、より効果的に干渉状態を回避できる。この構成の場合、投光パターン間のタイミング差は、遮光と入光の遷移途中で必ず外乱光検出部51が動作するレベルのタイミング差にすることが望ましい。
また、図2および図3の例では、4種類の投光パターンを示したが、この数を増やすことで複数の光電センサ1が同じ投光パターンを選択する確率を減らすことができる。
また、図2および図3の例では、アップダウンカウンタ62のカウント値ごとに投光周期を変えた投光パターンを設定したが、カウント値1〜4のときの投光周期を変えてもよい。図4(a)〜(d)に、投光周期が異なる投光パターン#1〜#4のグラフを示す。図4の例では、カウント値1および5のとき、投光パターン#1〜#4の投光周期は100μsとする。一方、カウント値が1〜4の間、投光パターン#1の投光周期は90μs(図4(a))、投光パターン#2は85μs(図4(b))、投光パターン#3は80μs(図4(c))、投光パターン#4は75μs(図4(d))とする。
従来の相互干渉防止機能の1つである異周波タイプでは、光電センサ1ごとの投光周期が定常的に異なるのに対し、本実施の形態1では遮光と入光の遷移の期間だけ投光周期が異なる構成である。両者の差としては、異周波タイプでは光電センサ1ごとに応答時間が異なるのに対し、本実施の形態1では投光パターン間の周期差が小さいため応答時間の仕様を変えずに対応できる。
ただし、厳密には投光パターンごとに応答時間が異なるが、応答時間の仕様は理論上の値にクロック誤差およびその他のマージンを加算して決定するため、多少の周期差はマージンで吸収でき、製品の仕様としては同じ応答時間になる。
以上より、実施の形態1に係る光電センサ1は、所定の投光パターン(例えば、100μs周期)に従って検出領域へ投光する、投光素子2および投光駆動回路3からなる投光部と、投光部からの光が検出対象物10に反射した反射光を受光して受光量に応じたレベルの受光信号を出力する、受光素子4および受光回路5からなる受光部と、受光部からの受光信号を所定の閾値で弁別して出力する弁別部61と、弁別部61の出力の有無に応じてカウントアップまたはカウントダウンし、カウント値に応じて入光状態か遮光状態かを判定するアップダウンカウンタ62と、アップダウンカウンタ62のカウント値が入光状態と遮光状態の間を遷移する期間の投光タイミングを規定した投光パターン#1〜#nを記憶している投光パターン記憶部7と、投光パターン記憶部7に記憶された投光パターン#1〜#nの中から任意に1つの投光パターンを選択して投光駆動回路3へ与え、アップダウンカウンタ62のカウント値が入光状態と遮光状態の間を遷移する期間の投光タイミングを上述の所定の投光パターンからずらすパターン決定回路9とを備えるように構成した。このため、遮光状態から入光状態へ遷移する期間および入光状態から遮光状態へ遷移する期間の投光タイミングを、通常の投光パターンの投光タイミングからずらすことができ、複数の光電センサ1間での相互干渉状態を回避することができる。また、入光状態を判定する前段階の遷移途中で投光タイミングをずらすことができるので、誤動作を防ぐことができる。
実施の形態2.
図5は、本実施の形態2に係る光電センサ1のパターン決定回路9の構成例を示すブロック図である。なお、本実施の形態2の光電センサ1は、図1に示す光電センサ1と図面上では同様の構成であるため、パターン決定回路9以外は図1を援用する。
図5は、本実施の形態2に係る光電センサ1のパターン決定回路9の構成例を示すブロック図である。なお、本実施の形態2の光電センサ1は、図1に示す光電センサ1と図面上では同様の構成であるため、パターン決定回路9以外は図1を援用する。
相互干渉状態を回避するために、光電センサ1ごとに異なる投光パターンを選択する確率が高くなるようにパターン決定回路9を構成する必要がある。図5の例では、パターン決定回路9が、発振回路91と、電源投入時リセット回路92と、パターン選択用カウンタ93と、デコーダ94とを備える。パターン選択用カウンタ93は、発振回路91が出力する投光パルス生成のためのクロック信号clk(またはその分周)により動作し、光電センサ1の電源投入時に電源投入時リセット回路92が出力するリセット信号rstによりカウント値をリセットする。従って、異なる光電センサ1間において、パターン選択用カウンタ93のカウント値が別となる確率を高くすることができる。
デコーダ94は、パターン選択用カウンタ93のmビットのカウント値をnビットにデコードし、デコード値をセレクタ8へ出力する。セレクタ8は、判定回路6から出力されるラッチ信号(後述する)によりデコード値をラッチして、ラッチしたデコード値に対応する番号の投光パターン#1〜#nを選択して、投光駆動回路3および受光回路5へ出力する。
図6に、デコーダ94の一例を示す。この例では、パターン選択用カウンタ93をQ1〜Q8の8ビットのカウンタで構成し、デコーダ94を2つのEXOR(排他的論理和)回路94a,94bで構成する。セレクタ8は、EXOR回路94aの出力値sel1とEXOR回路94bの出力値sel2が(0,0)のとき投光パターン#1を選択し、(0,1)のときは投光パターン#2を選択し、(1,0)のときは投光パターン#3を選択し、(1,1)のときは投光パターン#4を選択する。
図7に、パターン選択用カウンタ93のカウント値に対してセレクタ8が選択した投光パターンの番号#1〜#4を示す。グラフの横軸はデコード前のカウント値、縦軸が投光パターンの選択値(即ち、番号)を表しており、カウント値と投光パターンとの関係がばらばらのように見える。従って、異なる光電センサ1間において、選択する投光パターンが別となる確率を高くすることができる。
判定回路6がラッチ信号を出力するタイミングとしては、入光状態から遮光状態に遷移したタイミングが考えられる。具体的には、入光状態において、アップダウンカウンタ62のカウント値が1から0になったタイミングで、判定回路6からセレクタ8へラッチ信号を出力する。
あるいは、遮光状態において、アップダウンカウンタ62のカウント値が0から1になったタイミングで、判定回路6からセレクタ8へラッチ信号を出力する。この場合は、カウント値が1のときの投光周期を、カウント値が0のときの投光周期と同じにする必要がある。
あるいは、入光状態において、アップダウンカウンタ62のカウント値が2から1になったタイミングで、判定回路6からセレクタ8へラッチ信号を出力する。なお、カウンタ値は一例であって、1〜4のいずれか他の値でもよい。
あるいは、遮光状態において、アップダウンカウンタ62のカウント値が0から1になったタイミングで、判定回路6からセレクタ8へラッチ信号を出力する。この場合は、カウント値が1のときの投光周期を、カウント値が0のときの投光周期と同じにする必要がある。
あるいは、入光状態において、アップダウンカウンタ62のカウント値が2から1になったタイミングで、判定回路6からセレクタ8へラッチ信号を出力する。なお、カウンタ値は一例であって、1〜4のいずれか他の値でもよい。
なお、図5の例では、電源投入時リセット回路92を使用して電源投入のタイミングでパターン選択用カウンタ93をリセットするようにしたが、リセットするタイミングはこれに限定されるものではない。以下に、変形例を示す。
図8は、パターン決定回路9の変形例を示すブロック図であり、電源投入時リセット回路92の代わりに遮光判定回路95を備える。遮光判定回路95は、アップダウンカウンタ62のカウント値が最小値の0のときに判定回路6から入力されるオフ信号により、入光状態から遮光状態になったタイミングを判定し、このタイミングでリセット信号rstを出力する。従って、パターン選択用カウンタ93は、入光状態から遮光状態になったときにカウント値をリセットする。リセット後はパターン選択用カウンタ93が遮光状態の期間をカウントしていき、入光状態になるときに判定回路6から出力されるオン信号をラッチ信号にしてセレクタ8がパターン選択用カウンタ93のカウント値をラッチし、投光パターンを選択する。
図9は、パターン決定回路9の変形例を示すブロック図であり、パターン選択用カウンタ93の代わりに、カウンタの一種であるM系列生成回路(疑似乱数生成部)96を備える。図10に、M系列生成回路96として使用する線形帰還シフトレジスタ(LFSR)の回路図を示す。M系列生成回路96は、発振回路91のクロック信号clkで同期されたm個のDフリップフロップ(DFF)と、デコーダのEXOR回路とにより構成されており、任意のDFFの出力の排他的論理和をとり、その値をシフトレジスタの入力とする。シフトレジスタの出力OUTはM系列の疑似乱数列になるため、異なる光電センサ1間で選択する投光パターンが別となる確率を高くすることができる。
なお、光電センサ1にボタンを設け、ユーザがこのボタンを手動で操作した場合に、M系列生成回路96を構成するm個のDFFのうち、出力をEXOR回路に戻すDFFを切り替え、M系列符号の生成式を変えるように構成してもよい。どのDFFの出力をEXOR回路に戻すかによりシフトレジスタの出力するM系列符号が別のものになるため、異なる光電センサ1間で選択する投光パターンが別となる確率を高くすることができる。
図11は、パターン決定回路9の変形例を示すブロック図であり、2つのM系列生成回路96a,96bを備える。M系列生成回路96aを構成するDFFの数とM系列生成回路96bを構成するDFFの数を変えることにより系列長を変え、その出力をデコードする。2種類のM系列生成回路96aa,96bを使用することにより、1種類のM系列生成回路96を使用する場合に比べ、繰り返し周期が長くなるため、デコードの種類を増やすことができる。従って、選択可能な投光パターン数が増え、異なる光電センサ1間で選択する投光パターンが別となる確率を高くすることができる。
以上より、実施の形態2によれば、パターン決定回路9は、投光パターン記憶部7に記憶された複数の投光パターン#1〜#nの中から、パターン選択用カウンタ93がカウントする動作状況(例えば、電源投入からの経過時間、入光状態と遮光状態の判定が切り替わったときからの経過時間)に応じた1つの投光パターンを選択するように構成した。このため、異なる光電センサ1間で選択する投光パターンが別となる確率を高くすることができ、相互干渉状態をより確実に回避することができる。
また、実施の形態2によれば、パターン決定回路9は、M系列符号を生成するM系列生成回路96を有し、投光パターン記憶部7に記憶された複数の投光パターン#1〜#nの中からM系列生成回路96の生成する値に応じた1つの投光パターンを選択するように構成した。このため、異なる光電センサ1間で選択する投光パターンが別となる確率を高くすることができ、相互干渉状態をより確実に回避することができる。
なお、M系列符号は一例であり、疑似乱数列を生成できればどのような回路構成であってもよい。
なお、M系列符号は一例であり、疑似乱数列を生成できればどのような回路構成であってもよい。
また、実施の形態2によれば、パターン決定回路9は、パターン選択用カウンタ93の値またはM系列生成回路96の値を、投光パターン記憶部7に記憶された複数の投光パターンの番号#1〜#nにデコードするデコーダ94を有する構成にした。このため、パターン選択用カウンタ93またはM系列生成回路96の出力値のランダム性を高めることができ、異なる光電センサ1間で選択する投光パターンが別となる確率を高くすることができる。
なお、図5、図8、図9および図11ではパターン決定回路9が発振回路91を備える構成にしたが、これに限定されるものではなく、投光駆動回路3が発振回路91を備え、そのクロック信号clkをパターン決定回路9に入力する構成にしてもよい。
以上、本発明の実施形態を図面を参照して詳述してきたが、具体的な構成は、上述した実施の形態の構成に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変更などがあっても本発明に含まれることは言うまでもない。
1 光電センサ
2 投光素子
3 投光駆動回路
4 受光素子
5 受光回路
6 判定回路
7 投光パターン記憶部
8 セレクタ
9 パターン決定回路
10 検出対象物
51 外乱光検出部
61 弁別部
62 アップダウンカウンタ
91 発振回路
92 電源投入時リセット回路
93 パターン選択用カウンタ
94 デコーダ
94a,94b EXOR回路
95 遮光判定回路
96,96a,96b M系列生成回路(疑似乱数生成部)
2 投光素子
3 投光駆動回路
4 受光素子
5 受光回路
6 判定回路
7 投光パターン記憶部
8 セレクタ
9 パターン決定回路
10 検出対象物
51 外乱光検出部
61 弁別部
62 アップダウンカウンタ
91 発振回路
92 電源投入時リセット回路
93 パターン選択用カウンタ
94 デコーダ
94a,94b EXOR回路
95 遮光判定回路
96,96a,96b M系列生成回路(疑似乱数生成部)
Claims (9)
- 所定の投光パターンに従って検出領域へ投光する投光部と、
前記投光部からの光が検出対象物に反射した反射光を受光し、受光量に応じたレベルの受光信号を出力する受光部と、
前記受光部からの受光信号を所定の閾値で弁別して出力する弁別部と、
前記弁別部の出力の有無に応じてカウントアップまたはカウントダウンし、カウント値に応じて入光状態か遮光状態かを判定するアップダウンカウンタと、
前記アップダウンカウンタのカウント値が入光状態と遮光状態の間を遷移する期間の投光タイミングを規定した投光パターンを複数記憶している投光パターン記憶部と、
前記投光パターン記憶部に記憶された前記複数の投光パターンの中から任意に1つの投光パターンを選択して前記投光部へ与え、前記アップダウンカウンタのカウント値が入光状態と遮光状態の間を遷移する期間の投光タイミングを前記所定の投光パターンの投光タイミングからずらすパターン決定部とを備える光電センサ。 - 前記パターン決定部は、前記投光パターン記憶部に記憶された前記複数の投光パターンの中から、動作状況に応じた1つの投光パターンを選択することを特徴とする請求項1記載の光電センサ。
- 前記パターン決定部は、電源投入からの経過時間を計時するパターン選択用カウンタを有し、前記投光パターン記憶部に記憶された前記複数の投光パターンの中から当該パターン選択用カウンタの値に応じた1つの投光パターンを選択することを特徴とする請求項2記載の光電センサ。
- 前記パターン決定部は、前記アップダウンカウンタの入光状態と遮光状態の判定が切り替わったときからの経過時間を計時するパターン選択用カウンタを有し、前記投光パターン記憶部に記憶された前記複数の投光パターンの中から当該パターン選択用カウンタの値に応じた1つの投光パターンを選択することを特徴とする請求項2記載の光電センサ。
- 前記パターン決定部は、前記アップダウンカウンタのカウント値が特定の値になったときの前記パターン選択用カウンタの値に応じた1つの投光パターンを選択することを特徴とする請求項3または請求項4記載の光電センサ。
- 前記パターン決定部は、疑似乱数列を生成する疑似乱数生成部を有し、前記投光パターン記憶部に記憶された前記複数の投光パターンの中から当該疑似乱数生成部の生成する値に応じた1つの投光パターンを選択することを特徴とする請求項1記載の光電センサ。
- 前記パターン決定部は、前記アップダウンカウンタのカウント値が特定の値になったときの前記疑似乱数生成部の生成する値に応じた1つの投光パターンを選択することを特徴とする請求項6記載の光電センサ。
- 前記パターン決定部は、前記パターン選択用カウンタの値を、前記投光パターン記憶部に記憶された前記複数の投光パターンの番号にデコードするデコーダを有することを特徴とする請求項3から請求項5のうちのいずれか1項記載の光電センサ。
- 前記パターン決定部は、前記疑似乱数生成部の値を、前記投光パターン記憶部に記憶された前記複数の投光パターンの番号にデコードするデコーダを有することを特徴とする請求項6または請求項7記載の光電センサ。
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CN107132582A (zh) * | 2016-02-29 | 2017-09-05 | 欧姆龙株式会社 | 光电传感器及其控制方法 |
CN110614856A (zh) * | 2019-09-04 | 2019-12-27 | 广州市三环永新科技有限公司 | 一种打印介质检测装置、方法和打印机 |
CN114200534A (zh) * | 2021-12-09 | 2022-03-18 | 欧姆龙(上海)有限公司 | 光电传感器及其控制方法 |
CN114623851A (zh) * | 2022-03-08 | 2022-06-14 | 欧姆龙(上海)有限公司 | 光电传感器及其控制方法 |
-
2012
- 2012-12-28 JP JP2012287685A patent/JP2014131165A/ja active Pending
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