JP5726586B2 - 多光軸光電センサ - Google Patents
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Description
Ta≦3.115[ms]
ここで、投光スキャン処理の最長周期をTmax(=3.115[ms])とする。
N<130.75
すなわち、以上のような条件の場合、光軸の数を130個以下に設定することで、上述した国際規格を満たしつつダブルスキャンが可能となる。一方、光軸の数が131個以上の場合には、例えば次のような問題が生じるおそれがある。
m−a≦x≦m+a
1≦x≦n
なる関係を満たす全ての整数xのうち、いずれかの整数x番目の光軸について前回までの各投光スキャン処理において遮光が検出されていることを条件に、前記m番目の光軸が遮光状態であると判定する判定手段と、該判定手段の判定結果に基づく検出信号を出力する出力手段と、を備えることを要旨とする。
同図2に示すように、この処理では、まず、内蔵するカウンタの値Cが「1」に設定されるとともに(ステップS1)、シフトレジスタ22のカウンタの値Sが「1」に設定される(ステップS2)。そして、続くステップS3の処理として、受光タイミングに至ったか否かが判断される。この処理では、具体的には、シフトレジスタ22のカウンタの値Sを設定した時点からの経過時間が内部タイマにより計測されるとともに、計測された時間が一定時間tdに達することをもって受光タイミングに至ったと判断される。そして、受光タイミングに至った場合には(ステップS3:YES)、遮光検出処理が実行される(ステップS4)。この遮光検出処理では、まず、投光器1に同期信号が送信される。これにより、図5(a)に示すように、例えば時刻t1でシフトレジスタ22のカウンタの値Sが「1」に設定されてスイッチング素子SW(1)がオンされたとすると、図5(e)に示すように、その時点から一定時間tdが経過した時刻t2の時点で投光素子T(1)が投光して光軸L(1)が形成される。このとき、受光素子J(1)の受光信号がコンパレータ21に入力されて、その出力信号が制御部23に入力される。また、遮光検出処理では、コンパレータ21の出力に基づいて光軸L(C)の入光及び遮光が検出される。具体的には、コンパレータ21の出力が論理ハイレベルである場合には、光軸L(C)の入光が検出される。また、コンパレータ21の出力が論理ローレベルである場合には、光軸L(C)の遮光が検出される。そして、図2に示すように、続くステップS5の処理として、受光状態判定処理が実行される。この受光状態判定処理では、ステップS4の処理により検出された光軸L(C)の受光状態と、前回の投光スキャン処理時に検出された光軸L(C)の受光状態とに基づいて光軸L(C)の入光状態及び遮光状態が判定される。なお、前回の光軸L(C)の受光状態は、検出フラグFb(C)のオン/オフに基づいて判断される。検出フラグFb(C)は、前回の投光スキャン処理の際に光軸L(C)の入光が検出されている場合にはオンに設定されている。また、前回の投光スキャン処理の際に光軸L(C)の遮光が検出されている場合にはオフに設定されている。この検出フラグFb(C)の設定は、ステップS5の受光状態判定処理を通じて行われる。次に図4を参照して受光状態判定処理の手順について詳述する。
(1)複数の光軸L(1)〜L(n)のうちの特定の光軸の遮光が検出されたとき、前回の投光スキャン処理の際に特定の光軸又はこれに隣接する光軸の遮光が検出されていることを条件に、特定の光軸は遮光状態であると判定することとした。これにより、光軸数の増加などに起因して特定の光軸が連続して遮光されないような状況であっても、特定の光軸の遮光が適切に判定されるようになるため、誤出力を防止することができるようになる。
・上記実施形態では、特定の光軸L(m)の遮光が検出されたとき、先の図3に例示したステップS9及びS10の処理を実行して検出フラグFb(m−1),Fb(m+1)をオフに補正することにより、光軸L(m)に隣接する光軸L(m−1),L(m+1)も遮光であるとみなすこととしたが、ステップS9,S10を省略することも可能である。この場合、先の図4に例示したステップS51の処理において、検出フラグFb(C−1),Fb(C),Fb(C+1)のいずれかがオフに設定されていることをもって肯定判定すればよい。また、ステップS54の処理において、検出フラグFb(C−1),Fb(C),Fb(C+1)のいずれかがオンに設定されていることをもって肯定判定すればよい。
m−a≦x≦m+a・・(4)
1≦x≦n・・・(5)
そして、式(3)〜(5)を満たす全ての整数xについて光軸L(x)を遮光に補正すればよい。すなわち、先の図3に例示したステップS10の処理において検出フラグFb(x)をオフに設定すればよい。これにより、式(3)〜(5)を満たす全ての整数xのうち、いずれかの整数x番目の光軸L(x)について前回の投光スキャン処理において遮光が検出されることを条件に、光軸L(m)が遮光状態であると判定されるようになる。なお、この方法を利用すれば、先の図10に例示した各設定値を適宜変更した場合であっても、遮光に補正する光軸の範囲を設定することができる。
Claims (6)
- 一列状に配置されて、一端側から他端側に向けて順次投光する投光スキャン処理を周期的に行う複数の投光手段と、
該複数の投光手段にそれぞれ対向して配置されるとともに、前記投光手段からの光を受光してその受光量に応じた受光信号を出力する複数の受光手段と、
前記複数の投光手段が順次投光した際に、それらと対をなす受光手段との間で形成される複数の光軸の入光及び遮光を、投光の行われた投光手段に対応する受光手段からの受光信号に基づいて検出する検出手段と、
今回の投光スキャン処理において前記検出手段により前記複数の光軸のうち、特定の光軸の遮光が検出された際に、前回までの各投光スキャン処理において前記特定の光軸の遮光又はこれに隣接する光軸の遮光が検出されていることを条件に、前記特定の光軸が遮光状態であると判定する判定手段と、 該判定手段の判定結果に基づく検出信号を出力する出力手段と、
を備えることを特徴とする多光軸光電センサ。 - 前記判定手段は、前記検出手段により前記特定の光軸の遮光が検出されたとき、同特定の光軸に隣接する光軸についても遮光が検出されたとみなすものである
請求項1に記載の多光軸光電センサ。 - 請求項1又は2に記載の多光軸光電センサにおいて、
今回の投光スキャン処理において前記検出手段により前記特定の光軸の遮光が検出されたときに、前回までの各投光スキャン処理において前記特定の光軸の遮光が検出されていることのみを条件に同特定の光軸が遮光状態であると判定する方法を第1判定方法と、前回までの各投光スキャン処理において前記特定の光軸又はこれに隣接する光軸の遮光が検出されていることを条件に前記特定の光軸が遮光状態であると判定する方法を第2判定方法とするとき、前記判定手段において前記第1判定方法及び前記第2判定方法のいずれを用いるかを切り替える切り替え手段を更に備える
ことを特徴とする多光軸光電センサ。 - 請求項1〜3のいずれか一項に記載の多光軸光電センサにおいて、
今回の投光スキャン処理において前記検出手段により前記特定の光軸の遮光が検出された際に、前回までの各投光スキャン処理において前記特定の光軸に隣接する光軸の遮光が検出されていることを条件に前記特定の光軸が遮光状態であると判定したとき、その旨を報知する報知手段を更に備える
ことを特徴とする多光軸光電センサ。 - 前記判定手段は、今回の投光スキャン処理において前記検出手段により前記特定の光軸の遮光が検出された際に、前回の投光スキャン処理において前記特定の光軸の遮光又はこれに隣接する光軸の遮光が検出されていることを条件に、前記特定の光軸が遮光状態であると判定するものである
請求項1〜4のいずれか一項に記載の多光軸光電センサ。 - 一列状に配置されて、一端側から他端側に向けて順次投光する投光スキャン処理を行うn(2以上の整数)個の投光手段と、
該n個の投光手段に対向して配置されるとともに、前記投光手段からの光を受光してその受光量に応じた受光信号を出力するn個の受光手段と、
前記n個の投光手段が順次投光した際に、それらと対をなす受光手段との間で前記一端側から前記他端側に向けて順次形成されるn個の光軸の入光及び遮光を、投光の行われた投光手段に対向する受光手段からの受光信号に基づいて検出する検出手段と、
前記投光スキャン処理の実行を通じて前記検出手段により前記一端側からm番目の光軸の遮光が検出された際に、前記nの値に基づいて定められる整数をaとし、
m−a≦x≦m+a
1≦x≦n
なる関係を満たす全ての整数xのうち、いずれかの整数x番目の光軸について前回までの各投光スキャン処理において遮光が検出されていることを条件に、前記m番目の光軸が遮光状態であると判定する判定手段と、
該判定手段の判定結果に基づく検出信号を出力する出力手段と、
を備えることを特徴とする多光軸光電センサ。
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