CN114623851A - 光电传感器及其控制方法 - Google Patents

Abstract

本申请实施例提供一种光电传感器及其控制方法。所述光电传感器包括：投光部，其在判定周期的投光周期内发送光信号，其中，所述判定周期包括一个测量周期和在所述测量周期之后的至少一个投光周期；受光部，其接收光信号，得到接收信号；控制部，其包括：干扰检测单元，其根据所述测量周期内的所述接收信号确定所述判定周期内对所述光电传感器造成干扰的干扰类型；以及光控制单元，其根据所述干扰类型确定所述投光部在所述投光周期内的投光方式，使所述投光部在所述判定周期的所述至少一个投光周期内以所述投光方式发送信号。由此，能够提高光电传感器的综合抗干扰能力。

Description

光电传感器及其控制方法

技术领域

本申请实施例涉及光电技术领域，尤其涉及一种光电传感器及其控制方法。

背景技术

光电传感器在受到电磁波干扰时容易发生误检测或误动作等问题。其中，电磁波干扰例如来自于其他光电传感器、自然光、白炽灯、荧光灯、节能灯、变频灯、LED灯等。

例如，在光电传感器与一台或多台其他光电传感器在同一空间内完成预定任务的过程中，可能存在其他光电传感器与当前光电传感器的投光频率特征相同或相似。在此情况下，该其他光电传感器的投光可能会对当前光电传感器造成干扰。为了便于描述，将此类光或此类干扰称为干涉光或干涉干扰。

在现有技术中，已知有多种抵抗电磁波干扰的方法。例如，利用光学带通滤波片的特征对光电传感器接收到的信号进行滤波，以去除光学带通滤波片的频带之外的干扰(光学滤波法)；或者，使受光和判断电路只在投光期间开启，以避开非投光期间内的干扰(同步投光法)；或者，在一个判定周期内，将多个连续信号判断为有效信号，以减少光电传感器的误动作(数字滤波法)；等等。

应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述，不能仅仅因为这些方案在本申请的背景技术部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。

发明内容

发明人发现：随着工业自动化快速发展，需要在同一空间内布置较多的光电传感器。因此，发生干涉干扰的光电传感器的台数也不断增加。现有技术在一定程度上能够抵抗部分干扰。但是，在发生干涉干扰的光电传感器的台数较多时，仅根据现有技术无法保证光电传感器的正确动作。

为了解决上述技术问题中的至少一个，本申请实施例提供一种光电传感器及其控制方法，能够提高光电传感器进行干扰检测的准确性，减少光电传感器因受到外部干扰而发生误动作的可能性。

根据本申请实施例的一个方面，提供一种光电传感器，其中，所述光电传感器包括：投光部，其在判定周期的投光周期内投光，其中，所述投光周期包括在投光之前的第一监测周期和在投光之后的第二监测周期；受光部，其在所述第一监测周期内接收第一光信号，在所述第二监测周期内接收第二光信号；以及控制部，其根据所述第一光信号的强度的变化趋势确定所述第一监测周期内的第一干扰类型，根据所述第一干扰类型确定在所述投光周期内的投光方式，根据所述第二光信号的强度的变化趋势确定所述第二监测周期内的第二干扰类型，根据所述第二干扰类型确定在所述投光周期之后的下一个投光周期的投光方式。

根据本申请实施例的另一个方面，提供一种光电传感器的控制方法，其中，所述方法包括：在判定周期内，在投光周期的投光之前的第一监测周期内接收第一光信号，根据所述第一光信号的强度的变化趋势确定所述第一监测周期内的第一干扰类型，根据所述第一干扰类型确定在所述投光周期内的投光方式；以及在所述投光周期的投光之后的第二监测周期内接收第二光信号，根据所述第二光信号的强度的变化趋势确定所述第二监测周期内的第二干扰类型，根据所述第二干扰类型确定在所述投光周期之后的下一个投光周期的投光方式。

本申请实施例的有益效果之一在于：通过在判定周期的每个投光周期内，在投光之前和之后分别设置第一监测周期内和第二监测周期，并且，根据第一监测周期内接收的第一光信号的强度的变化趋势确定第一干扰类型，根据第一干扰类型确定当前的投光周期的投光方式；根据第二监测周期内接收的第二光信号的强度的变化趋势确定第二干扰类型，根据第二干扰类型确定下一个的投光周期的投光方式。即，在投光的前后均根据接收光信号的强度变化趋势来确定干扰类型以调整投光方式，由此，能够防止干扰信号的漏检测，提高干扰检测的准确性，从而减少光电传感器因受到外部干扰而发生误动作的可能性，能够有效应用于多台光电传感器同时工作的场景。

参照后文的说明和附图，详细公开了本申请实施例的特定实施方式，指明了本申请实施例的原理可以被采用的方式。应该理解，本申请的实施方式在范围上并不因而受到限制。在所附权利要求的精神和条款的范围内，本申请的实施方式包括许多改变、修改和等同。

附图说明

所包括的附图用来提供对本申请实施例的进一步的理解，其构成了说明书的一部分，用于例示本申请的实施方式，并与文字描述一起来阐释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的实施方式。在附图中：

图1是本申请实施例的光电传感器的控制方法的一示意图；

图2是本申请实施例的判定周期的一示意图；

图3是本申请实施例的干扰类型的一示意图；

图4是本申请实施例的光电传感器的控制方法的一流程图；

图5是本申请实施例的光电传感器的结构的一示意图；

图6是本申请实施例的光电传感器的硬件构成的一示意图。

具体实施方式

参照附图，通过下面的说明书，本申请实施例的前述以及其它特征将变得明显。在说明书和附图中，具体公开了本申请的特定实施方式，其表明了其中可以采用本申请实施例的原则的部分实施方式，应了解的是，本申请不限于所描述的实施方式，相反，本申请实施例包括落入所附权利要求的范围内的全部修改、变型以及等同物。

在本申请实施例中，术语“第一”、“第二”等用于对不同元素从称谓上进行区分，但并不表示这些元素的空间排列或时间顺序等，这些元素不应被这些术语所限制。术语“和/或”包括相关联列出的术语的一种或多个中的任何一个和所有组合。术语“包含”、“包括”、“具有”等是指所陈述的特征、元素、元件或组件的存在，但并不排除存在或添加一个或多个其他特征、元素、元件或组件。

在本申请实施例中，单数形式“一”、“该”等包括复数形式，应广义地理解为“一种”或“一类”而并不是限定为“一个”的含义；此外术语“所述”应理解为既包括单数形式也包括复数形式，除非上下文另外明确指出。此外术语“根据”应理解为“至少部分根据……”，术语“基于”应理解为“至少部分基于……”，除非上下文另外明确指出。

针对一种实施方式描述和/或示出的特征可以以相同或类似的方式在一个或更多个其它实施方式中使用，与其它实施方式中的特征相组合，或替代其它实施方式中的特征。术语“包括/包含”在本文使用时指特征、整件、步骤或组件的存在，但并不排除一个或更多个其它特征、整件、步骤或组件的存在或附加。

第一方面的实施例

本申请实施例提供一种光电传感器的控制方法。图1是本申请实施例的光电传感器的控制方法的一示意图，如图1所示，该方法包括：

步骤101，在判定周期内，在投光周期的投光之前的第一监测周期内接收第一光信号，根据第一光信号的强度的变化趋势确定第一监测周期内的第一干扰类型，根据第一干扰类型确定在投光周期内的投光方式；

步骤102，在投光周期的投光之后的第二监测周期内接收第二光信号，根据第二光信号的强度的变化趋势确定第二监测周期内的第二干扰类型，根据第二干扰类型确定在投光周期之后的下一个投光周期的投光方式。

根据本申请实施例，通过在判定周期的每个投光周期内，在投光之前和之后分别设置第一监测周期内和第二监测周期，并且，根据第一监测周期内接收的第一光信号的强度的变化趋势确定第一干扰类型，根据第一干扰类型确定当前的投光周期的投光方式；根据第二监测周期内接收的第二光信号的强度的变化趋势确定第二干扰类型，根据第二干扰类型确定下一个的投光周期的投光方式。即，在投光的前后均根据接收光信号的强度变化趋势来确定干扰类型以调整投光方式，由此，能够防止干扰信号的漏检测，提高干扰检测的准确性，从而减少光电传感器因受到外部干扰而发生误动作的可能性，能够有效应用于多台光电传感器同时工作的场景。

此外，根据第一光信号和/或第二光信号的强度(大小)的变化趋势确定第一干扰类型和/或第二干扰类型，能够进一步明确干扰与投光脉冲在时间上的位置关系，从而能够将干扰进一步进行细分，能够更有针对性的对当前的投光时刻或下一投光周期的投光时刻进行调整。与仅根据第一光信号和第二光信号的强度(大小)确定干扰类型的方式相比，能够提高光电传感器规避干扰的能力。

值得注意的是，图1仅示意性地对本申请实施例进行了说明，但本申请不限于此。例如可以适当地调整各个步骤之间的执行顺序，此外还可以增加其他的一些步骤或者减少其中的某些步骤。本领域的技术人员可以根据上述内容进行适当地变型，而不仅限于图1的记载。

在一些实施例中，光电传感器可以是各种类型的光电传感器，例如，其可以是槽型光电传感器、对射型光电传感器、反光板型光电开关、扩散反射型光电开关等等。另外，该光电传感器可以用于各种用途，例如，其可以用于检测物体、测量距离、光通信等等。

以下，为了便于描述，将光电传感器受到的电磁波等干扰简称为干扰光或环境光或干扰。

在一些实施例中，一个判定周期可以包括至少一个投光周期。光电传感器可以在投光周期内发射投光脉冲，并根据在投光周期内接收的光信号来确定光电传感器的输出结果。

在一些实施例中，在一个投光周期内，可以发射一个投光脉冲。

图2是本申请实施例的判定周期的一示意图。例如，如图2所示，一个判定周期包括8个投光周期，即投光周期1至投光周期8。

在一个判定周期包括8个投光周期的情况下，如果在该8个投光周期内，光电传感器接收到连续的8个脉冲，可以认为光电传感器接收到有效信号，光电传感器输出与有效信号对应的输出结果。但是，本申请不限于此，也可以采用其他方式确定光电传感器的输出结果。值得注意的是，图2仅示意性地对本申请实施例的判定周期的结构进行了说明，但本申请不限于此，判定周期也可以是其他结构，例如，判定周期包括其他数量的投光周期，或者，在投光周期之外的设置用于其他用途的周期。

在一些实施例中，一个投光周期可以包括至少一个第一监测周期，或者，至少一个第二监测周期，或者，至少一个第一监测周期和至少一个第二监测周期。其中，在一个投光周期内，第一监测周期可以在投光脉冲之前，第二监测周期可以在投光脉冲之后。

在一些实施例中，可以根据投光脉冲的预定时序确定第一监测周期的位置。例如，第一监测周期可以位于预定时序之前的且与预定时序相邻的时间区间。由于第一监测周期位于投光脉冲附近，因此，能够在即将要发射投光脉冲之前检测干扰，并根据当前检测到的干扰有针对性的对即将要发射的投光脉冲的时序进行调整，从而能够规避当前检测到的干扰。

在一些实施例中，第一监测周期的时长可以与投光时长(投光脉冲宽度)接近。例如，第一监测周期的时长可以为投光脉冲宽度的1倍至1.5倍。但是，本申请不限于此，只要在第一监测周期内接收的第一光信号能够反应出干扰光的变化趋势即可。

在一些实施例中，第二监测周期可以位于投光脉冲附近的位置。例如，在投光脉冲结束后，经过规定时间长度的位置开始第二监测周期。其中，该规定时间长度可以与投光时长有关，例如，可以是投光时长的1倍至2倍。由于在投光脉冲结束后、经过1-2倍的投光时长之后，开始对第二光信号进行监测，能够避免传感器自身发射的脉冲对第二光信号造成干扰。

在一些实施例中，第二监测周期的时长可以与投光时长(投光脉冲宽度)接近。例如，第二监测周期的时长可以为投光脉冲宽度的1倍至1.5倍。但是，本申请不限于此，只要在第二监测周期内接收的第二光信号能够反应出干扰光的变化趋势即可。

在一些实施例中，第一干扰类型和第二干扰类型可以包括无干扰、远端干扰、近端干扰以及其他类型的干扰。其中，对于第一干扰类型而言，远端干扰的开始时刻比近端干扰的开始时刻距离投光脉冲的开始时刻更远。对于第二干扰类型而言，远端干扰的结束时刻比近端干扰的结束时刻距离投光脉冲的结束时刻更远。但是，本申请不限于此，第一干扰类型和第二干扰类型也可以是其他类型的干扰。

在一些实施例中，远端干扰和近端干扰可以是光电传感器接收到的其他光电传感器的干扰(干涉干扰)。但是，本申请不限于此，远端干扰和近端干扰也可以是其他类型的干扰。

图3是本申请实施例的干扰类型的一示意图。如图3所示，在每个投光周期中，分别对第一监测周期内的第一光信号进行前端比较、对第二监测周期内的第二光信号进行后端比较。

以投光周期1为例，在投光之前进行前端比较：当第一光信号的强度在第一监测周期内不变时，确定第一干扰类型为无干扰(即正常受光)；当第一光信号的强度在第一监测周期内呈逐渐增大的趋势时，确定第一干扰类型为远端干扰，换句话说，在第一监测周期内检测到第一光信号即将结束时，第一干扰类型为远端干扰；当第一光信号的强度在第一监测周期内呈逐渐减小的趋势时，确定第一干扰类型为近端干扰，换句话说，在第一监测周期内检测到第一光信号刚刚开始时，第一干扰类型为近端干扰；当第一光信号的强度在第一监测周期内呈其他变化趋势时，例如，第一光信号的强度先减小后增大等，确定第一干扰类型为其他干扰。

以投光周期2为例，在投光之后进行后端比较：当第二光信号的强度在第二监测周期内不变时，确定第二干扰类型为无干扰(即正常受光)；当第二光信号的强度在第二监测周期内呈逐渐增大的趋势时，确定第二干扰类型为近端干扰，换句话说，在第二监测周期内检测到第二光信号即将结束时，第二干扰类型为近端干扰；当第二光信号的强度在第二监测周期内呈逐渐减小的趋势时，确定第二干扰类型为远端干扰，换句话说，在第二监测周期内检测到第二光信号刚刚开始时，第二干扰类型为远端干扰；当第二光信号的强度在第二监测周期内呈其他变化趋势时，例如，第二光信号的强度先减小后增大等，确定第二干扰类型为其他干扰。

值得注意的是，图3仅示意性地示出了干扰类型的判断方式，但本申请不限于此。图3中示出的受光信号的波形为先减小后增大的变化趋势，在受光信号为先增大后减小的变化趋势时，干扰类型的判断方式可以适应性的进行调整。

例如，当第一光信号的强度在第一监测周期内不变时，确定第一干扰类型为无干扰；当第一光信号的强度在第一监测周期内呈逐渐增大的趋势时，确定第一干扰类型为近端干扰；当第一光信号的强度在第一监测周期内呈逐渐减小的趋势时，确定第一干扰类型为远端干扰；当第一光信号的强度在第一监测周期内呈其他变化趋势时，确定第一干扰类型为其他干扰。

又例如，当第二光信号的强度在第二监测周期内不变时，确定第二干扰类型为无干扰；当第二光信号的强度在第二监测周期内呈逐渐增大的趋势时，确定第二干扰类型为远端干扰；当第二光信号的强度在第二监测周期内呈逐渐减小的趋势时，确定第二干扰类型为近端干扰；当第二光信号的强度在第二监测周期内呈其他变化趋势时，例如，第二光信号的强度先增大后减小等，确定第二干扰类型为其他干扰。

值得注意的是，第一光信号或第二光信号的强度在第一监测周期或第二监测周期内不变可以是指第一光信号或第二光信号的强度在第一监测周期或第二监测周期内没有超过规定的阈值。第一光信号或第二光信号的强度在第一监测周期或第二监测周期内逐渐减小或逐渐增大可以是指第一光信号或第二光信号的强度在第一监测周期或第二监测周期内超过规定的阈值、并且逐渐减小或逐渐增大。其中，规定的阈值可以与光电传感器动作阈值有关，例如，光电传感器动作阈值的0.5倍-0.8倍。

在一些实施例中，可以按照如下方式根据干扰类型确定投光周期内的投光方式。例如，在根据第一干扰类型确定在投光周期内的投光方式时，可以按照如下方式中的至少一个进行确定：

当第一干扰类型为无干扰时，确定投光方式为按照预定时序投光；当第一干扰类型为近端干扰时，确定投光方式为在预定时序的基础上延迟第一时长后投光；当第一干扰类型为远端干扰时，确定投光方式为在预定时序的基础上延迟第二时长后投光；当第一干扰类型为其他干扰时，确定投光方式为在预定时序的基础上延迟第三时长后投光，其中，第三时长大于或等于第一时长，第一时长大于第二时长。

如图3所示，在第一干扰类型为无干扰时，可以认为光电传感器在短时间内不会受到其他传感器的干扰，因此，可以按照预定时序进行投光。在第一干扰类型为近端干扰时，可以认为当前检测到的干扰刚刚开始、并且可能会持续一段时间，因此，可以在预定时序的基础上延迟较长的第一时长后再进行投光。在第一干扰类型为远端干扰时，可以认为当前检测到的干扰即将结束，因此，可以在预定时序的基础上延迟较短的第二时长后再进行投光。当第一干扰类型为其他干扰时，由于不确定干扰出现的时刻，为了可靠的规避该干扰，可以在预定时序的基础上延迟较长的第三时长后进行投光。

在一些实施例中，第一时长可以为投光脉冲宽度的1.5倍至2倍，如此，即便近端干扰在第一监测周期内刚刚开始，在发射投光脉冲时，该近端干扰也接近或已经结束了，因此，能够规避该近端干扰。第二时长可以为投光脉冲宽度的0.5倍，如此，由于远端干扰在第一监测周期内已接近结束了，将投光脉冲在预定时序的基础上0.5*投光脉冲宽度就可以避开该远端干扰。第三时长可以为投光脉冲宽度的2倍，由此，不管该其他干扰具体在何时开始都可以进行规避。

在一些实施例中，在根据第二干扰类型确定在下一个投光周期内的投光方式时，可以按照如下方式中的至少一个进行确定：

当第二干扰类型为无干扰时，确定投光方式为按照预定时序投光；当第二干扰类型为近端干扰时，确定投光方式为在预定时序的基础上第四时长后投光；当第二干扰类型为远端干扰时，确定投光方式为在预定时序的基础上延迟第五时长后投光；以及当第二干扰类型为其他干扰时，确定投光方式为在预定时序的基础上延迟第六时长后投光，其中，第五时长大于或等于第六时长，第六时长大于第四时长。

如图3所示，在第二干扰类型为无干扰时，可以认为光电传感器在此次投光未受到干扰，因此，在下一次投光时，可以按照预定时序进行投光。在第二干扰类型为近端干扰时，可以认为当前检测到的干扰即将结束，也就是说，当前检测的干扰的开始时刻可能落在投光脉冲的脉冲宽度内，在投光脉冲结束后，该干扰也即将结束。因此，为了避免在下一次投光还受到近端干扰，可以在下一次投光时，在预定时序的基础上延迟第四时长后再进行投光；并且，由于该干扰即将结束，可以将第四时长设置得较短。在第二干扰类型为远端干扰时，可以认为当前检测到的干扰刚刚开始，也就是说，在投光脉冲结束后马上有干扰出现。因此，为了避免在下一次投光受到该远端干扰的影响，可以在下一次投光时，在预定时序的基础上延迟第五时长后再进行投光；并且，由于该干扰才刚刚开始，可以将第五时长设置得较长。当第二干扰类型为其他干扰时，由于不确定干扰出现的时刻，为了可靠的规避该干扰，可以在下一次投光时，在预定时序的基础上延迟较长的第六时长后进行投光。

在一些实施例中，第四时长可以为投光脉冲宽度的2倍，由于近端干扰在第二监测周期内即将结束，通过将下次投光在预定时序的基础上延迟2倍的脉宽能够可靠地避开该近端干扰。第五时长可以为投光脉冲宽度的2.5倍至3倍，由于远端干扰在第二监测周期内刚刚开始，通过将下次投光在预定时序的基础上延迟2.5倍至3倍的脉宽能够可靠地避开该远端干扰，并且，能够避免在下一个投光周期的第一监测周期内检测到与该干扰对应的下一次干扰，能够简化延迟策略。第六时长可以为投光脉冲宽度的2倍至2.5倍，由此，不管该其他干扰具体在何时开始都可以进行规避。

值得注意的是，以上仅对第一时长至第六时长的取值进行示例性的说明，但是本申请不限于此，也可以采用其他长度的第一时长至第六时长。

通过根据不同的第一干扰类型或第二干扰类型制定相应的延迟策略，能够有效地规避当前检测到的干扰，从而能够减少光电传感器因受到外部干扰而发生误动作的可能性，能够允许多台传感器同时工作。

在一些实施例中，如图1所示，光电传感器的控制方法还可以包括：

步骤103，在投光周期内检测到干扰的情况下，改变投光周期的下一个投光周期的时长；或者，在投光周期内检测到干扰的情况下，改变判定周期的下一个判定周期内的投光周期的时长。

由于在投光周期的第一监测周期和/或第二监测周期内检测到干扰的情况下，对当前判定周期的下一个投光周期进行变频或者对下一个判定周期内的投光周期进行变频，从而能够调整投光脉冲的发射时刻，能够在下一个投光周期或下一个判定周期的投光周期内规避该干扰。

在一些实施例中，可以按照如下方式改变投光周期的时长。例如，从预定的多个投光周期时长中随机选择一个时长作为投光周期的下一个投光周期的时长；或者，从预定的多个投光周期时长中随机选择一个时长作为判定周期的下一个判定周期内的投光周期的时长。

例如，可以预先设定多个投光周期时长，以正常投光周期时长为100μs为例，该多个投光周期时长可以设定为90μs、93μs、96μs等。在投光周期时长调整后，也可以适应性的调整光电传感器的投光时刻，从而能够将投光脉冲的预定周期向前或向后进行调整。

在一些实施例中，在一个投光周期内检测到干扰的情况下，可以仅改变下一个投光周期的时长，或者，也可以改变当前判定周期的剩余投光周期的时长，又或者，可以改变下一个判定周期的所有投光周期的时长。但是，本申请不限于此，也可以改变其他投光周期的时长。

图4是本申请实施例的光电传感器的控制方法的一流程图。以下结合图4对该控制方法进行示例性的说明。如图4所示，光电传感器的控制方法包括：

步骤401，对光电传感器接收到的信号进行幅值监控，例如，分别在第一监测周期和第二监测周期对第一光信号和第二光信号进行幅值监控；

步骤402，根据幅值监控的结果进行前端比较，确定第一干扰类型；

步骤403，判断第一干扰类型是否为无干扰，判断结果为是时，执行步骤404，否则执行步骤405；

步骤404，按照预定时序立即投光；

步骤405，判断第一干扰类型是否为近端干扰，判断结果为是时，执行步骤406，否则执行步骤407；

步骤406，在预定时序的基础上延迟第一时长后投光；

步骤407，判断第一干扰类型是否为远端干扰，判断结果为是时，执行步骤408，否则执行步骤409；

步骤408，在预定时序的基础上延迟第二时长后投光；

步骤409，确定第一干扰类型为其他干扰；

步骤410，在预定时序的基础上延迟第三时长后投光；

步骤411，根据幅值监控的结果进行后端比较，确定第二干扰类型；

步骤412，判断第二干扰类型是否为无干扰，判断结果为是时，执行步骤420，否则执行步骤413；

步骤413，判断第二干扰类型是否为近端干扰，判断结果为是时，执行步骤414，否则执行步骤415；

步骤414，在下次投光的预定时序的基础上延迟第四时长后投光；

步骤415，判断第二干扰类型是否为远端干扰，判断结果为是时，执行步骤416，否则执行步骤417；

步骤416，在下次投光的预定时序的基础上延迟第五时长后投光；

步骤417，确定第二干扰类型为其他干扰；

步骤418，在预定时序的基础上延迟第六时长后投光；

步骤419，进行下次投光变频；

步骤420，判断第一干扰类型是否为无干扰，判断结果为是时，执行步骤421，判断结果为否时，执行步骤419；

步骤421，判断判定周期是否结束，判断结果为是时，结束，判断结果为否时，返回步骤401。

以上仅对与本申请相关的各步骤或过程进行了说明，但本申请不限于此。光电传感器的控制方法还可以包括其他步骤或者过程，关于这些步骤或者过程的具体内容，可以参考现有技术。

根据上述实施例，通过在判定周期的每个投光周期内，在投光之前和之后分别设置第一监测周期内和第二监测周期，并且，根据第一监测周期内接收的第一光信号的强度的变化趋势确定第一干扰类型，根据第一干扰类型确定当前的投光周期的投光方式；根据第二监测周期内接收的第二光信号的强度的变化趋势确定第二干扰类型，根据第二干扰类型确定下一个的投光周期的投光方式。即，在投光的前后均根据接收光信号的强度变化趋势来确定干扰类型以调整投光方式，由此，能够防止干扰信号的漏检测，提高干扰检测的准确性，从而减少光电传感器因受到外部干扰而发生误动作的可能性，能够有效应用于多台光电传感器同时工作的场景。

第二方面的实施例

本申请实施例提供一种光电传感器，与第一方面的实施例相同的内容不再赘述。

图5是本申请实施例的光电传感器的结构的一示意图，如图5所示，该传感器500可以包括：投光部501、受光部502和控制部503。其中，投光部501在判定周期的投光周期内投光，其中，投光周期包括在投光之前的第一监测周期和在投光之后的第二监测周期；受光部502在第一监测周期内接收第一光信号，在第二监测周期内接收第二光信号；以及控制部503根据第一光信号的强度的变化趋势确定第一监测周期内的第一干扰类型，根据第一干扰类型确定在投光周期内的投光方式，根据第二光信号的强度的变化趋势确定第二监测周期内的第二干扰类型，根据第二干扰类型确定在投光周期之后的下一个投光周期的投光方式。

在一些实施例中，控制部503按照如下方式中的至少一种确定第一干扰类型：

当第一光信号的强度在第一监测周期内不变时，确定第一干扰类型为无干扰；

当第一光信号的强度在第一监测周期内呈逐渐增大的趋势时，确定第一干扰类型为远端干扰；

当第一光信号的强度在第一监测周期内呈逐渐减小的趋势时，确定第一干扰类型为近端干扰；以及

当第一光信号的强度在第一监测周期内呈其他变化趋势时，确定第一干扰类型为其他干扰。

在一些实施例中，控制部503按照如下方式中的至少一种确定第二干扰类型：

当第二光信号的强度在第二监测周期内不变时，确定第二干扰类型为无干扰；

当第二光信号的强度在第二监测周期内呈逐渐增大的趋势时，确定第二干扰类型为近端干扰；

当第二光信号的强度在第二监测周期内呈逐渐减小的趋势时，确定第二干扰类型为远端干扰；以及

当第二光信号的强度在第二监测周期内呈其他变化趋势时，确定第二干扰类型为其他干扰。

在一些实施例中，控制部503按照如下方式中的至少一种确定在投光周期内的投光方式：

当第一干扰类型为无干扰时，确定投光方式为按照预定时序投光；

当第一干扰类型为近端干扰时，确定投光方式为在预定时序的基础上延迟第一时长后投光；

当第一干扰类型为远端干扰时，确定投光方式为在预定时序的基础上延迟第二时长后投光；以及

当第一干扰类型为其他干扰时，确定投光方式为在预定时序的基础上延迟第三时长后投光，其中，第三时长大于或等于第一时长，第一时长大于第二时长。

在一些实施例中，第一时长为投光脉冲宽度的1.5倍至2倍；第二时长为投光脉冲宽度的0.5倍；第三时长为投光脉冲宽度的2倍。

在一些实施例中，控制部503按照如下方式中的至少一种确定在投光周期之后的下一个投光周期的投光方式：

当第二干扰类型为无干扰时，确定投光方式为按照预定时序投光；

当第二干扰类型为近端干扰时，确定投光方式为在预定时序的基础上延迟第四时长后投光；

当第二干扰类型为远端干扰时，确定投光方式为在预定时序的基础上延迟第五时长后投光；以及

当第二干扰类型为其他干扰时，确定投光方式为在预定时序的基础上延迟第六时长后投光，其中，第五时长大于或等于第六时长，第六时长大于第四时长。

在一些实施例中，第四时长为投光脉冲宽度的2倍；第五时长为投光脉冲宽度的2.5倍至3倍；第六时长为投光脉冲宽度的2倍至2.5倍。

在一些实施例中，第一监测周期和/或第二监测周期的时长为投光脉冲宽度的1倍至1.5倍。

在一些实施例中，控制部503在投光周期内检测到干扰的情况下，改变投光周期的下一个投光周期的时长；或者，在投光周期内检测到干扰的情况下，改变判定周期的下一个判定周期内的投光周期的时长。

在一些实施例中，控制部503按照如下方式改变投光周期的下一个投光周期的时长：从预定的多个投光周期时长中随机选择一个时长作为投光周期的下一个投光周期的时长；或者，按照如下方式改变所述判定周期的下一个判定周期内的投光周期的时长包括：从预定的多个投光周期时长中随机选择一个时长作为判定周期的下一个判定周期内的投光周期的时长。

图6是本申请实施例的光电传感器600的一硬件构成图。在一些实施例中，如图6所示，光电传感器600包括投光部601、受光部602和控制部603，其分别实现投光部501、受光部502和控制部503的功能。

其中，如图6所示，投光部601可以包括功率LED、用于幅值调整的电阻以及驱动三极管。受光部602可以包括光电二极管、I/V取样电阻以及放大电路。但是，本申请不限于此，投光部601和受光部602也可以为其他形式。

如图6所示，控制部603可以包括MCU即其外设。具体来说，控制部603包括：

AMP(信号放大器)，其用于信号放大处理；PCMP(前端阈值比较器)，其用于投光前端信号阈值比较，结果输出给MCU；NCMP(后端阈值比较器)，其用于投光后端信号阈值比较，结果输出给MCU；ADC(信号数模转换)，其用于模拟信号采样成数字信号；MCU(核心算法处理单元)，其接受PCMP和NCMP的输出信号，控制ADC模块，同时通过算法处理，控制投光脉冲延时发射；以及脉冲延时发射(Pulse generator)，其用于进行投光脉冲延迟发射。

以下，结合图6，以投光脉冲宽度为2μs为例，对光电传感器600的工作原理进行示例性的说明，光电传感器600的工作过程如下：

1、逻辑单元启动一个判定周期的判定；

2、在判定周期的第一个节拍可以进行干扰特征测量，例如，将比较器PCMP打开，此时环境的干扰光通过受光部602(受光放大电路)出现在比较器PCMP的输入端；

3、当干扰信号出现，且其强度大于阈值时，MCU检测到PCMP输出变化，打开ADC采样，记录一段时间内ADC数值变化，判断是近端干扰，还是远端干扰。判断完成后，对当前投光周期的投光信号进行相应的延迟，然后投光；

4、如果PCMP没有监测到干扰信号，则按照正常时序投光，且正常ADC采样；

5、投光结束后，延迟2-4μs，比较器NCMP打开，此时环境的干扰光通过受光放大电路出现在比较器NCMP输入端；

6、当干扰信号出现，且其强度大于阈值时，MCU检测到NCMP输出变化，打开ADC采样，记录一段时间内ADC数值变化，判断是近端干扰，还是远端干扰。判断完成后，对下一投光周期的投光信号进行相应的延迟，且当前判定周期结束，本次判断寄存器状态改变；

7、如果NCMP没有监测到干扰信号，则判定周期结束，本次判断寄存器状态改变；

8、如果上个判定周期内，有干扰信号出现，当前投光周期在一定范围内随机变频；

9、如果判定周期内8次发射脉冲完了，对状态寄存器内的数据进行判断，当为全1时，表示当前周期内接收的信号有效，改变光电传感器输出状态为“1”；当不全为1时，则说明当前传感器状态不稳定，不改变光电传感器的当前输出状态；

10、重启新的判定周期进行判定。

图6示例性的说明了本申请实施例的光电传感器的硬件构成，但是，其不是对本申请的光电传感器的硬件构成的限制，本申请实施例的光电传感器也可以采用其他硬件结构来实现类似的功能。

以上仅对与本申请相关的各部件进行了说明，但本申请不限于此。光电传感器500、600还可以包括其他部件，关于这些部件的具体内容，可以参考现有技术。此外，以上仅以光电传感器500、600的一些结构为例对本申请实施例进行了示例性说明，但本申请不限于这些结构，还可以对这些结构进行适当的变型，这些变型的实施方式均应包含在本申请实施例的范围之内。

以上各个实施例仅对本申请实施例进行了示例性说明，但本申请不限于此，还可以在以上各个实施例的基础上进行适当的变型。例如，可以单独使用上述各个实施例，也可以将以上各个实施例中的一种或多种结合起来。

根据上述实施例，通过在判定周期的每个投光周期内，在投光之前和之后分别设置第一监测周期内和第二监测周期，并且，根据第一监测周期内接收的第一光信号的强度的变化趋势确定第一干扰类型，根据第一干扰类型确定当前的投光周期的投光方式；根据第二监测周期内接收的第二光信号的强度的变化趋势确定第二干扰类型，根据第二干扰类型确定下一个的投光周期的投光方式。即，在投光的前后均根据接收光信号的强度变化趋势来确定干扰类型以调整投光方式，由此，能够防止干扰信号的漏检测，提高干扰检测的准确性，从而减少光电传感器因受到外部干扰而发生误动作的可能性，能够有效应用于多台光电传感器同时工作的场景。

本申请以上的装置和方法可以由硬件实现，也可以由硬件结合软件实现。本申请涉及这样的计算机可读程序，当该程序被逻辑部件所执行时，能够使该逻辑部件实现上文所述的装置或构成部件，或使该逻辑部件实现上文所述的各种方法或步骤。本申请还涉及用于存储以上程序的存储介质，如硬盘、磁盘、光盘、DVD、flash存储器等。

结合本申请实施例描述的方法/装置可直接体现为硬件、由处理器执行的软件模块或二者组合。例如，图中所示的功能框图中的一个或多个和/或功能框图的一个或多个组合，既可以对应于计算机程序流程的各个软件模块，亦可以对应于各个硬件模块。这些软件模块，可以分别对应于图中所示的各个步骤。这些硬件模块例如可利用现场可编程门阵列(FPGA)将这些软件模块固化而实现。

软件模块可以位于RAM存储器、闪存、ROM存储器、EPROM存储器、EEPROM存储器、寄存器、硬盘、移动磁盘、CD-ROM或者本领域已知的任何其它形式的存储介质。可以将一种存储介质耦接至处理器，从而使处理器能够从该存储介质读取信息，且可向该存储介质写入信息；或者该存储介质可以是处理器的组成部分。处理器和存储介质可以位于ASIC中。该软件模块可以存储在移动终端的存储器中，也可以存储在可插入移动终端的存储卡中。例如，若设备(如移动终端)采用的是较大容量的MEGA-SIM卡或者大容量的闪存装置，则该软件模块可存储在该MEGA-SIM卡或者大容量的闪存装置中。

针对附图中描述的功能方框中的一个或多个和/或功能方框的一个或多个组合，可以实现为用于执行本申请所描述功能的通用处理器、数字信号处理器(DSP)、专用集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)或者其它可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件或者其任意适当组合。针对附图描述的功能方框中的一个或多个和/或功能方框的一个或多个组合，还可以实现为计算设备的组合，例如，DSP和微处理器的组合、多个微处理器、与DSP通信结合的一个或多个微处理器或者任何其它这种配置。

Claims (20)

1.一种光电传感器的控制方法，其特征在于，所述方法包括：

在判定周期内，在投光周期的投光之前的第一监测周期内接收第一光信号，根据所述第一光信号的强度的变化趋势确定所述第一监测周期内的第一干扰类型，根据所述第一干扰类型确定在所述投光周期内的投光方式；以及

在所述投光周期的投光之后的第二监测周期内接收第二光信号，根据所述第二光信号的强度的变化趋势确定所述第二监测周期内的第二干扰类型，根据所述第二干扰类型确定在所述投光周期之后的下一个投光周期的投光方式。

2.根据权利要求1所述的方法，所述根据所述第一光信号的强度的变化趋势确定所述第一监测周期内的第一干扰类型包括以下中的至少一个：

当所述第一光信号的强度在所述第一监测周期内不变时，确定所述第一干扰类型为无干扰；

当所述第一光信号的强度在所述第一监测周期内呈逐渐增大的趋势时，确定所述第一干扰类型为远端干扰；

当所述第一光信号的强度在所述第一监测周期内呈逐渐减小的趋势时，确定所述第一干扰类型为近端干扰；以及

当所述第一光信号的强度在所述第一监测周期内呈其他变化趋势时，确定所述第一干扰类型为其他干扰。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述第二光信号的强度的变化趋势确定所述第二监测周期内的第二干扰类型包括以下中的至少一个：

当所述第二光信号的强度在所述第二监测周期内不变时，确定所述第二干扰类型为无干扰；

当所述第二光信号的强度在所述第二监测周期内呈逐渐增大的趋势时，确定所述第二干扰类型为近端干扰；

当所述第二光信号的强度在所述第二监测周期内呈逐渐减小的趋势时，确定所述第二干扰类型为远端干扰；以及

当所述第二光信号的强度在所述第二监测周期内呈其他变化趋势时，确定所述第二干扰类型为其他干扰。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一干扰类型确定在所述投光周期内的投光方式包括以下中的至少一个：

当所述第一干扰类型为无干扰时，确定所述投光方式为按照预定时序投光；

当所述第一干扰类型为近端干扰时，确定所述投光方式为在预定时序的基础上延迟第一时长后投光；

当所述第一干扰类型为远端干扰时，确定所述投光方式为在预定时序的基础上延迟第二时长后投光；以及

当所述第一干扰类型为其他干扰时，确定所述投光方式为在预定时序的基础上延迟第三时长后投光，

其中，所述第三时长大于或等于所述第一时长，所述第一时长大于所述第二时长。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，

所述第一时长为投光脉冲宽度的1.5倍至2倍；所述第二时长为投光脉冲宽度的0.5倍；所述第三时长为投光脉冲宽度的2倍。

6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据所述第二干扰类型确定在所述投光周期之后的下一个投光周期的投光方式包括以下中的至少一个：

当所述第二干扰类型为无干扰时，确定所述投光方式为按照预定时序投光；

当所述第二干扰类型为近端干扰时，确定所述投光方式为在预定时序的基础上延迟第四时长后投光；

当所述第二干扰类型为远端干扰时，确定所述投光方式为在预定时序的基础上延迟第五时长后投光；以及

当所述第二干扰类型为其他干扰时，确定所述投光方式为在预定时序的基础上延迟第六时长后投光，

其中，所述第五时长大于或等于所述第六时长，所述第六时长大于所述第四时长。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，

所述第四时长为投光脉冲宽度的2倍；所述第五时长为投光脉冲宽度的2.5倍至3倍；所述第六时长为投光脉冲宽度的2倍至2.5倍。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述第一监测周期和/或所述第二监测周期的时长为投光脉冲宽度的1倍至1.5倍。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述投光周期内检测到干扰的情况下，改变所述投光周期的下一个投光周期的时长；或者，在所述投光周期内检测到干扰的情况下，改变所述判定周期的下一个判定周期内的投光周期的时长。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，

所述改变所述投光周期的下一个投光周期的时长包括：从预定的多个投光周期时长中随机选择一个时长作为所述投光周期的下一个投光周期的时长；或者，

所述改变所述判定周期的下一个判定周期内的投光周期的时长包括：从预定的多个投光周期时长中随机选择一个时长作为所述判定周期的下一个判定周期内的投光周期的时长。

11.一种光电传感器，其特征在于，所述光电传感器包括：

投光部，其在判定周期的投光周期内投光，其中，所述投光周期包括在投光之前的第一监测周期和在投光之后的第二监测周期；

受光部，其在所述第一监测周期内接收第一光信号，在所述第二监测周期内接收第二光信号；以及

控制部，其根据所述第一光信号的强度的变化趋势确定所述第一监测周期内的第一干扰类型，根据所述第一干扰类型确定在所述投光周期内的投光方式，根据所述第二光信号的强度的变化趋势确定所述第二监测周期内的第二干扰类型，根据所述第二干扰类型确定在所述投光周期之后的下一个投光周期的投光方式。

12.根据权利要求11所述的传感器，其特征在于，所述控制部按照如下方式中的至少一种确定所述第一干扰类型：

当所述第一光信号的强度在所述第一监测周期内不变时，确定所述第一干扰类型为无干扰；

当所述第一光信号的强度在所述第一监测周期内呈逐渐增大的趋势时，确定所述第一干扰类型为远端干扰；

当所述第一光信号的强度在所述第一监测周期内呈逐渐减小的趋势时，确定所述第一干扰类型为近端干扰；以及

当所述第一光信号的强度在所述第一监测周期内呈其他变化趋势时，确定所述第一干扰类型为其他干扰。

13.根据权利要求11所述的传感器，其特征在于，所述控制部按照如下方式中的至少一种确定所述第二干扰类型：

当所述第二光信号的强度在所述第二监测周期内不变时，确定所述第二干扰类型为无干扰；

当所述第二光信号的强度在所述第二监测周期内呈逐渐增大的趋势时，确定所述第二干扰类型为近端干扰；

当所述第二光信号的强度在所述第二监测周期内呈逐渐减小的趋势时，确定所述第二干扰类型为远端干扰；以及

当所述第二光信号的强度在所述第二监测周期内呈其他变化趋势时，确定所述第二干扰类型为其他干扰。

14.根据权利要求12所述的传感器，其特征在于，所述控制部按照如下方式中的至少一种确定在所述投光周期内的投光方式：

当所述第一干扰类型为无干扰时，确定所述投光方式为按照预定时序投光；

当所述第一干扰类型为近端干扰时，确定所述投光方式为在预定时序的基础上延迟第一时长后投光；

当所述第一干扰类型为远端干扰时，确定所述投光方式为在预定时序的基础上延迟第二时长后投光；以及

当所述第一干扰类型为其他干扰时，确定所述投光方式为在预定时序的基础上延迟第三时长后投光，

其中，所述第三时长大于或等于所述第一时长，所述第一时长大于所述第二时长。

15.根据权利要求14所述的传感器，其特征在于，

所述第一时长为投光脉冲宽度的1.5倍至2倍；所述第二时长为投光脉冲宽度的0.5倍；所述第三时长为投光脉冲宽度的2倍。

16.根据权利要求13所述的传感器，其特征在于，所述控制部按照如下方式中的至少一种确定在所述投光周期之后的下一个投光周期的投光方式：

当所述第二干扰类型为无干扰时，确定所述投光方式为按照预定时序投光；

当所述第二干扰类型为近端干扰时，确定所述投光方式为在预定时序的基础上延迟第四时长后投光；

当所述第二干扰类型为远端干扰时，确定所述投光方式为在预定时序的基础上延迟第五时长后投光；以及

当所述第二干扰类型为其他干扰时，确定所述投光方式为在预定时序的基础上延迟第六时长后投光，

其中，所述第五时长大于或等于所述第六时长，所述第六时长大于所述第四时长。

17.根据权利要求16所述的传感器，其特征在于，

所述第四时长为投光脉冲宽度的2倍；所述第五时长为投光脉冲宽度的2.5倍至3倍；所述第六时长为投光脉冲宽度的2倍至2.5倍。

18.根据权利要求11所述的传感器，其特征在于，

所述第一监测周期和/或所述第二监测周期的时长为投光脉冲宽度的1倍至1.5倍。

19.根据权利要求11所述的传感器，其特征在于，

所述控制部在所述投光周期内检测到干扰的情况下，改变所述投光周期的下一个投光周期的时长；或者，在所述投光周期内检测到干扰的情况下，改变所述判定周期的下一个判定周期内的投光周期的时长。

20.根据权利要求19所述的传感器，其特征在于，

所述控制部按照如下方式改变所述投光周期的下一个投光周期的时长：从预定的多个投光周期时长中随机选择一个时长作为所述投光周期的下一个投光周期的时长；或者，

所述控制部按照如下方式改变所述判定周期的下一个判定周期内的投光周期的时长包括：从预定的多个投光周期时长中随机选择一个时长作为所述判定周期的下一个判定周期内的投光周期的时长。

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