JP2014127679A - 発光装置及びその製造方法 - Google Patents

発光装置及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2014127679A
JP2014127679A JP2012285396A JP2012285396A JP2014127679A JP 2014127679 A JP2014127679 A JP 2014127679A JP 2012285396 A JP2012285396 A JP 2012285396A JP 2012285396 A JP2012285396 A JP 2012285396A JP 2014127679 A JP2014127679 A JP 2014127679A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
emitting element
heat dissipation
substrate
emitting device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2012285396A
Other languages
English (en)
Inventor
Yosuke Murakami
洋介 村上
Yutaka Harada
豊 原田
Hiroto Osaki
裕人 大崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Corp
Original Assignee
Panasonic Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Corp filed Critical Panasonic Corp
Priority to JP2012285396A priority Critical patent/JP2014127679A/ja
Publication of JP2014127679A publication Critical patent/JP2014127679A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

【課題】高出力動作を行う発光装置における放熱特性を向上できるようにする。
【解決手段】発光装置は、基板2と、基板2の上に配置された発光素子1と、基板2の上に配置され、発光素子1を覆うと共に、その少なくとも一部が基板2と接続された放熱層4とを有している。放熱層4は、発光素子1の上面を露出する開口部4aを有し、放熱層4における開口部4aの縁部は、発光素子1の上面と接続されている。
【選択図】図1

Description

本発明は、発光ダイオード(LED:light emitting diode)等の発光素子を備えた発光装置及びその製造方法に関する。
近年、車載用途及び照明用途等の光源としてLEDを用いるLED発光装置が用いられ、このLED発光装置には、比較的に高い出力が必要とされている。さらに、LED発光装置は、高出力動作時の高温環境下において、発光素子及び波長変換材料における発光効率が低下することから、その発光特性が劣化するため、高い放熱構造が必要とされる。例えば、下記の特許文献1には、基板上に搭載された発光素子と、該発光素子を覆うように形成された樹脂と、該樹脂の側面と接触する異方性熱伝導材とを備えた半導体発光装置が記載されている。該半導体発光装置は、異方性熱伝導材が樹脂から離れた位置で基板と接続されることにより、放熱性を高める構造としている。
特開2011−119459号公報
しかしながら、特許文献1に記載された従来の半導体発光装置の構成には、以下のような問題がある。
従来の半導体発光装置は、発光素子の上面及び側面を樹脂で覆っているため、異方性熱伝導材による放熱効果(いわゆる、熱引き効果)は、樹脂の側面からとなる。すなわち、特許文献1に記載の半導体発光装置は、発光素子から離れた基板に、樹脂を介した異方性熱伝導材によって熱を伝えている。このため、従来の半導体発光装置の構造では、発光素子の放熱特性を向上させることが困難である。
本発明は、前記の問題を解決し、高出力動作を行う発光装置における放熱特性を向上することができるようにすることを目的とする。
前記の目的を達成するため、本発明は、発光装置を、発光面を露出する開口部が設けられた放熱層を発光素子の上面で接するように覆うと共に端部が基板と接続された構成とする。
具体的に、本発明に係る発光装置は、基板と、基板の上に配置された発光素子と、基板の上に配置され、発光素子を覆うと共に、その少なくとも一部が基板と接続された放熱層とを備え、放熱層は、発光素子の上面を露出する開口部を有し、放熱層における開口部の縁部は、発光素子の上面と接続されている。
本発明の発光装置によると、発光素子を覆うと共にその少なくとも一部が基板と接続された放熱層は、発光素子の上面を露出する開口部を有し、該放熱層における開口部の縁部が発光素子の上面と接続されている。このように、放熱層は、発光素子における発光面を覆うことなく発光素子の上面と接続されているため、発光素子との間で熱伝導路が直接的に形成されるため、放熱特性を確実に向上することができる。
本発明の発光装置において、開口部の開口面積は、発光素子の上面の面積よりも小さくてもよい。このようにすると、発光素子からの発光光の横方向への無駄な拡がりを抑制できるので、シャープエッジな配光特性を得ることができる。ここで、シャープエッジとは、発光素子の上面の法線方向(光軸方向)に対して、低い角度領域の発光光を極力抑えた配光特性の形態を指す。
本発明の発光装置において、放熱層における開口部の縁部は、発光素子の上面と接着層を介して接続されていてもよい。
本発明の発光装置において、基板には、第1のビアが形成され、放熱層は第1のビアと接続されていてもよい。このようにすると、第1の放熱用ビアから基板の裏面に効率良く放熱することができる。
本発明の発光装置において、放熱層における開口部の断面形状は、放熱層の下面から上面に向かって狭くなるテーパ状であってもよい。
本発明の発光装置において、基板の上における発光素子の側方の領域には反射層が配置され、反射層は発光素子の側面の少なくとも一部と接していてもよい。
本発明の発光装置において、放熱層における開口部の内側には、発光素子からの光を受け、受けた光の波長を変換する波長変換層が配置され、波長変換層の側面は、放熱層と接していてもよい。このようにすると、波長変換層の放熱性を向上することができる。
本発明の発光装置において、放熱層における発光素子の側方の領域には、該放熱層を表裏方向に貫く貫通孔が設けられていてもよい。
本発明の発光装置において、基板には、複数の発光素子が配置され、放熱層は、各発光素子の上面とそれぞれ接していてもよい。
この場合に、基板における発光素子同士の間の領域に、第2のビアが形成されており、発光素子同士の間の領域において、第2のビアと放熱層とが接続されていてもよい。
本発明の発光装置において、放熱層は、一体に形成された部材であってもよい。
本発明に係る発光装置の製造方法は、基板に、表裏方向に貫通する少なくとも2つの第1の貫通孔を互いに間隔をおいて形成する工程と、第1の貫通孔に、基板よりも熱伝導率が高い部材を配することによりビアを形成する工程と、基板の上におけるビア同士の間の領域に、発光素子をビアから間隔をおいて固着する工程と、基板の上に、発光素子の上面と対向する領域に開口部を有する共に、発光素子の外側でその表裏方向に貫通する第2の貫通孔を設けた放熱層を、開口部の縁部が発光素子の上面と接し且つその少なくとも一端がビアと接するように保持する工程と、第2の貫通孔から、光を反射する反射粒子を含有した樹脂材を充填することにより、基板の上における発光素子の側方の領域に反射層を設ける工程とを備えている。
本発明の発光装置の製造方法は、放熱層の開口部に、発光素子からの光を受け、受けた光の波長と異なる波長の光を発する波長変換層を形成する工程をさらに備えていてもよい。
本発明に係る発光装置及びその製造方法によると、高出力動作を行う発光装置における放熱特性を向上することができる。
図1(a)及び図1(b)は第1の実施形態に係る発光装置を示し、図1(a)は平面図であり、図1(b)は図1(a)のIb−Ib線における断面図である。 図2は第1の実施形態の一変形例に係る発光装置を示す断面図である。 図3(a)〜図3(e)は第1の実施形態に係る発光装置の製造方法を示す工程順の断面図である。 図4(a)〜図4(d)は第1の実施形態の一変形例に係る発光装置の製造方法を示す工程順の断面図である。 図5(a)及び図5(b)は第2の実施形態に係る発光装置を示し、図5(a)は平面図であり、図5(b)は図5(a)のVb−Vb線における断面図である。 図6(a)〜図6(e)は第2の実施形態に係る発光装置の製造方法を示す工程順の断面図である。 図7(a)及び図7(b)は第3の実施形態に係る発光装置を示し、図7(a)は平面図であり、図7(b)は図7(a)のVIIb−VIIb線における断面図である。 図8(a)及び図8(b)は第3の実施形態の第1変形例に係る発光装置を示し、図8(a)は平面図であり、図8(b)は図8(a)のVIIIb−VIIIb線における断面図である。 図9(a)及び図9(b)は第3の実施形態の第2変形例に係る発光装置を示し、図9(a)は平面図であり、図9(b)は図9(a)のIXb−IXb線における断面図である。
(第1の実施形態)
第1の実施形態に係る発光装置について、図1(a)及び図1(b)を参照しながら説明する。
図1(a)及び図1(b)に示すように、本実施形態に係る発光装置は、少なくとも主面上に所望の配線及び接続端子が形成された基板2における該主面上に、LED等からなる発光素子1が複数のバンプ7によって接合されている。
基板2の上の発光素子1の周囲には、反射層6が例えばその上面を発光素子1の上面と揃うように形成されている。反射層6は、発光素子1の側面と接して形成され、横方向(発光素子1の上面に平行な方向)への発光を反射して、発光素子1の上面の法線方向への出力を向上させる。
基板2の上には、発光素子1の上面と対向する領域に開口部4aを有する放熱層4が、開口部4aの縁部が発光素子1の上面の周縁部と接し、且つその端部が基板1の上面と接するように固着されている。開口部4aには、波長変換層3が充填されて形成されている。波長変換層3は、発光素子1からの発光光が入力され、入力された発光光の波長と異なる波長の光を放射するだけでなく、その側面から発光素子1の熱を放熱層4へと放熱する。ここで、放熱層4は、一体に形成された部材を用いることができる。
基板2における放熱層4の端部と接する領域には、基板2を表裏方向に貫通する放熱用ビア5が形成されている。
この構成により、本実施形態に係る発光装置を構成する放熱層4は、発光素子1の上面の一部と直接に接することにより、基板2における発光素子1の直下の領域への放熱だけでなく、発光素子1の上面からも放熱することが可能となる。
その上、本実施形態に係る放熱層4は、その端部が基板2及び該基板2に設けられた放熱用ビア5と接続されることにより、基板2の下側へも効率良く放熱することができる。
ここで、放熱層4に設けられた、発光素子1の発光面である上面を露出する開口部4aは、発光素子1の上面の面積よりも小さい。すなわち、放熱層4は、開口部4aの周縁部で発光素子1における発光面の周縁部を覆う構造を持つ。これにより、発光素子1から出射される光の配光の拡がりが抑えられるので、シャープエッジな配光特性を得ることができる。従って、例えば、高放熱特性が求められる車載用ヘッドランプ等への適応が可能となる。
発光素子1には、例えば窒化ガリウム(GaN)系の青色LEDを用いることができる。但し、GaN系に限られず、他の化合物半導体を用いた青色LEDでもよく、また、他の色の光を発光するLEDでもよい。さらには、有機EL(organic electro-luminescence)等のLED以外の発光素子を用いてもよい。実装方法としては、公知の手法である、例えば金(Au)からなるバンプ7等を用いて接続することができる。
基板2には、セラミック若しくは窒化アルミニウム(AlN)等からなる基板、金属フレーム、又はシリコン(Si)等からなる接続端子若しくは回路が形成された回路基板を用いることができる。
放熱用ビア5は、実装される発光素子1の幅寸法よりも大きい間隔で設けられている。放熱用ビア5は、基板2に設けられたビアホール(via hole)2aに、銅(Cu)、アルミニウム(Al)又は金(Au)等の、熱伝導性に優れた金属を形成することにより構成される。なお、放熱用ビア5は、図1(b)に示すように、基板2を表裏方向に貫く単一のビアから形成されていてもよく、また、複数のビア及び複数の配線を組み合わせて構成されていてもよい。
放熱層4の開口部4aに形成される波長変換層3は、その高さが放熱層4の上面よりも高くても低くても構わない。但し、放熱特性と光学特性とを考慮した場合、放熱層4の上面と同等で且つ平坦であることが望ましい。波長変換層3の材料としては、蛍光体を含む有機樹脂又は無機材料等を適用することができる。波長変換層3に蛍光体を添加する場合は、例えばYAG(イットリウム アルミニウム ガーネット)系蛍光体若しくは希土類(セリウム、ランタノイド)蛍光体を混合した蛍光体含有樹脂、又は無機材料を用いることができる。特に、車載用等の高出力用途の場合は、ガラス又はセラミック等の無機材料を用いることができる。なお、発光素子1からの発光光の波長を変換する必要がない場合には、波長変換層3には、必ずしも波長変換用の蛍光体等を添加する必要はない。
放熱層4における開口部4aの周縁部の下面は、発光素子1の上面の周縁部と接着層を介して接していてもよい。接着層に用いる接着材には、例えばシリコーン樹脂等の耐熱性及び耐光性に優れた熱硬化性樹脂等を用いることができる。また、接着層の厚さは、放熱性を高めるために、できる限り薄くすると良い。また、放熱層4の材料には、Cu、Al又はAu等の熱伝導性に優れた金属を用いることができる。また、これらは、非透明材料であることも、シャープエッジな配光特性を得るためには重要となる。
反射層6は、発光素子1の側面に設けることにより、横方向への発光の損失が軽減され、発光素子1の上面の法線方向における出力の向上を図ることができる。その際、発光素子1の側面と反射層6との隙間は小さいほど良く、さらには、その隙間は無いほうが良い。また、反射層6は、バンプ7で接続された基板2の主面と発光素子1の下面との隙間にも設けることにより、発光素子1の下方への発光の損失を軽減することができる。
反射層6の構成材料としては、光を反射する反射粒子を含む有機樹脂等を適用できる。反射粒子としては、二酸化チタン(TiO)等の、可視光領域において高反射率である材料を用いることができる。
(第1の実施形態の一変形例)
図2に、第1の実施形態の一変形例を示す。
図2に示すように、放熱層4の開口部4aにおける縁部の断面形状が、放熱層4の下面から、すなわち発光素子1の上面から放熱層4の上面に向かって狭くなるテーパ状としている。ここでの断面は、発光素子1の上面における法線方向の断面である。このようにすると、発光素子1の上面における法線方向への光の取り出し効率が向上して、シャープエッジな配光特性の向上と、全光束の向上との両立を図ることができる。
なお、放熱層4の開口部4aにおける縁部の断面形状は、図1及び図2に示した形状に限られない。
(第1の実施形態の製造方法)
以下、第1の実施形態に係る発光装置の製造方法の一例について、図3(a)〜図3(e)を参照しながら説明する。
まず、図3(a)に示すように、基板2における発光素子3の搭載位置を挟む領域に、少なくとも2つのビアホール2aを発光素子3の搭載位置からそれぞれ間隔をおいて形成する。その後、形成されたビアホール2aの内部に、Cu、Al又はAu等の金属材料を、めっきにより又は充填することにより、放熱用ビア5を形成する。
次に、図3(b)に示すように、基板2の主面上に発光素子1を載置し、Auからなる複数のバンプ7によって、基板2の主面に形成された端子等と接合する。
次に、図3(c)に示すように、基板2の主面上における発光素子1の周囲の領域に、該発光素子1の各側面と密着するように反射層6を形成する。反射層6は、その上面が発光素子1の上面と同等の高さとなるように形成する。
次に、図3(d)に示すように、基板2の主面上に、発光素子1の上面と対向する領域に開口部4aを有し、例えばCu、Al又はAu等からなる放熱層4を載置する。放熱層4は、発光素子1及び反射層6を覆う部分の下面が発光素子1及び反射層6と同等の高さとなり、その端部が基板2の主面と接続されるように加工する。また、開口部4aの開口面積は、発光素子1の上面の面積よりも小さくなるように形成する。放熱層4における開口部4aの周縁部の下面に接着材(図示せず)を塗布し硬化することにより、発光素子1の上面の周縁部と接着する。また、このとき、放熱層4の両端部は、基板2の主面上において、放熱用ビア5とそれぞれ金属接合により固着する。
次に、図3(e)に示すように、蛍光体を含有した樹脂を放熱層4の開口部4aに充填して硬化することにより、該開口部4aの内部に波長変換層3を形成する。
(第1の実施形態の製造方法の一変形例)
以下、第1の実施形態に係る発光装置の製造方法の一変形例について、図4(a)〜図4(d)を参照しながら説明する。
本変形例に係る製造方法は、波長変換層3に無機材料を用いた構成である点が、図3に示した製造方法と異なる点である。
まず、図4(a)及び図4(b)に示すように、第1の実施形態の製造方法と同様に、基板2の主面上に発光素子1を搭載した後、搭載された発光素子1の周囲に反射層6を形成する。
次に、図4(c)に示すように、放熱層4の開口部4aには、あらかじめ波長変換層3を接着しておく。その後、波長変換層3が開口部4aに接着された状態の放熱層4を、発光素子1及び反射層6を覆うように、基板2の主面上に載置する。
次に、図4(d)に示すように、放熱層4の下面と、波長変換層3及び放熱層4の開口部4aの周縁部とを接着材で接着する。接着材には、例えば、シリコーン樹脂等の耐熱性及び耐光性に優れた熱硬化性樹脂等を用いることができる。
(第2の実施形態)
以下、第2の実施形態に係る発光装置について、図5(a)及び図5(b)を参照しながら説明する。
図5(a)及び図5(b)に示すように、第2の実施形態に係る発光装置は、放熱層4における発光素子1の側方の領域に、該発光素子1を挟むように2つの貫通孔4bが設けられている点が、第1の実施形態とは異なる。
本実施形態においては、放熱層4を基板2の上に発光素子1を覆うように接着した後に、貫通孔4bを用いて、反射層6の構成材料である反射粒子を含有した樹脂を注入することが可能となる。その結果、反射層6の形成が容易となり、製造方法の簡易化を図ることができる。このとき、貫通孔4bは、樹脂の注入時におけるボイドを防止するための空気孔としても機能する。
なお、本実施形態においては、2つの貫通孔4bを設けたが、貫通孔4bの個数は、設計仕様に応じて、適宜増減すればよい。
また、注入した樹脂は、貫通孔4bの内部にまで形成してもよく、さらには貫通孔4bから溢れて形成してもよい。このようにすると、樹脂と放熱層4との接触面積が増大するため、例えば、使用環境下において放熱層4が反射層6又は発光素子1の上面から外れてしまう等の不具合を防止できるので、放熱効果を維持することが可能となる。
(第2の実施形態の製造方法)
以下、第2の実施形態に係る発光装置の製造方法の一例について、図6(a)〜図6(e)を参照しながら説明する。
まず、図6(a)及び図6(b)に示すように、第1の実施形態の製造方法と同様に、複数の放熱用ビア5が設けられた基板2の主面上に発光素子1を搭載する。
次に、図6(c)に示すように、基板2の上に、発光素子1の上面と対向する領域に開口部4aを有する共に、発光素子1の外側でその表裏方向に貫通する貫通孔4bを設けた放熱層4を用意する。続いて、用意した放熱層4を、開口部4aの周縁部が発光素子1の上面と接し且つ両端部が放熱用ビア5と接するように接着する。
次に、図6(d)に示すように、放熱層4に設けられた貫通孔4bからディスペンサ9を用いて、反射粒子を含有した樹脂を充填する。
次に、図6(e)に示すように、充填された樹脂を硬化させて、反射層6を形成する。このように、第2の実施形態によると、発光素子1の周囲に、該発光素子1の側面と密着し且つその上面と高さが揃った反射層6を容易に形成することができる。
(第3の実施形態)
以下、第3の実施形態に係る発光装置について、図7(a)及び図7(b)を参照しながら説明する。
図7(a)及び図7(b)に示すように、第3の実施形態に係る発光装置は、1つの基板2の主面上に、複数の発光素子1が互いに間隔をおいて行列状に配置されている。各発光素子1は、基板2の主面上にそれぞれバンプ7を介して実装されている。
複数の発光素子1を覆う放熱層4は、例えば1枚の金属板により形成されている。放熱層4には、各発光素子1の上面の周縁部を覆う複数の開口部4aが設けられている。各開口部4aには、波長変換層3がそれぞれ形成されている。放熱層4の両端部は、基板2に設けられた放熱用ビア5と金属接合により接続されている。
また、基板2の主面上における各発光素子1同士の間の領域には、反射層6が充填されて形成されている。
第3の実施形態に係る発光装置の製造方法は、複数の発光素子1を用意する点が異なるだけで、第1の実施形態に係る発光装置の製造方法と同様に行うことができる。
(第3の実施形態の第1変形例)
以下、第3の実施形態の第1変形例に係る発光装置について、図8(a)及び図8(b)を参照しながら説明する。
図8(a)及び図8(b)に示すように、第1変形例に係る発光装置は、第2の実施形態に係る発光装置と同様に、放熱層4における短辺側の端部と該端部側の発光素子1との間の領域、及び隣り合う発光素子1同士の間の領域に、それぞれ貫通孔4bが設けられている。
これにより、本変形例に係る発光装置は、その製造時に反射層6の形成が容易となる。また、必要であれば、ボイドの防止するための空気穴として、より多くの貫通孔8を設けてもよい。
第1変形例に係る発光装置の製造方法は、複数の発光素子1を用意する点が異なるだけで、第2の実施形態に係る発光装置の製造方法と同様に行うことができる。
(第3の実施形態の第2変形例)
以下、第3の実施形態の第2変形例に係る発光装置について、図9(a)及び図9(b)を参照しながら説明する。
図9(a)及び図9(b)に示すように、第2変形例に係る発光装置は、上記の第1変形例に係る構成に加え、基板2における各発光素子1同士の間で且つ貫通孔4bが形成される領域に、それぞれ放熱用ビア5が形成されている。
さらに、放熱層4は、各発光素子1同士の間に形成された放熱用ビア5とそれぞれ金属接合により接続されている。また、放熱層4における各発光素子1同士の間に形成された貫通孔4bは、放熱用ビア5を挟んでそれぞれ1つずつ設けられる。これにより、反射層6を構成する反射粒子を含有した樹脂を発光素子1の側面及び下面に充填することができる。
このように、本変形例に係る発光装置は、1枚の放熱層4と放熱用ビア5との接続箇所が放熱層4の両端部だけでなく、基板2の中央部分で複数箇所と接続されるため、基板2の下方への放熱特性が、より優れたパッケージ構造とすることができる。
第2変形例に係る発光装置の製造方法は、基板2に対して複数の放熱用ビア5を発光素子1の搭載位置の間にそれぞれ形成し、放熱層4を各放熱用ビア5と接続する形状とする点が異なるだけで、第1変形例に係る発光装置の製造方法と同様に行うことができる。
なお、上記の各実施形態及びその変形例に係る発光装置は一例に過ぎず、本発明の効果を得られる限りは、構成又はその構成部材を適宜変更してもよい。
また、上記の各実施形態及びその変形例においては、発光素子について記載したが、これに限られず、イメージセンサ等の受光素子又はレーザ素子等の放熱に課題を有する光学素子の全般に適用することができる。
本発明に係る発光装置及びその製造方法は、高放熱特性が求められる発光装置に有用である。
1 発光素子
2 基板
2a ビアホール(貫通孔)
3 波長変換層
4 放熱層
4a 開口部
4b 貫通孔
5 放熱用ビア
6 反射層
7 バンプ
9 ディスペンサ

Claims (13)

  1. 基板と、
    前記基板の上に配置された発光素子と、
    前記基板の上に配置され、前記発光素子を覆うと共に、その少なくとも一部が前記基板と接続された放熱層とを備え、
    前記放熱層は、前記発光素子の上面を露出する開口部を有し、
    前記放熱層における前記開口部の縁部は、前記発光素子の上面と接続されていることを特徴とする発光装置。
  2. 前記開口部の開口面積は、前記発光素子の上面の面積よりも小さいことを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
  3. 前記放熱層における前記開口部の縁部は、前記発光素子の上面と接着層を介して接続されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の発光装置。
  4. 前記基板には、第1のビアが形成され、
    前記放熱層は、前記第1のビアと接続されていることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の発光装置。
  5. 前記放熱層における前記開口部の断面形状は、前記放熱層の下面から上面に向かって狭くなるテーパ状であることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の発光装置。
  6. 前記基板の上における前記発光素子の側方の領域には反射層が配置され、
    前記反射層は、前記発光素子の側面の少なくとも一部と接していることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の発光装置。
  7. 前記放熱層における前記開口部の内側には、前記発光素子からの光を受け、受けた光の波長を変換する波長変換層が配置され、
    前記波長変換層の側面は、前記放熱層と接していることを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の発光装置。
  8. 前記放熱層における前記発光素子の側方の領域には、該放熱層を表裏方向に貫く貫通孔が設けられていることを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載の発光装置。
  9. 前記基板には、複数の前記発光素子が配置され、
    前記放熱層は、前記各発光素子の上面とそれぞれ接していることを特徴とする請求項1から8のいずれか1項に記載の発光装置。
  10. 前記基板における前記発光素子同士の間の領域に、第2のビアが形成されており、
    前記発光素子同士の間の領域において、前記第2のビアと前記放熱層とが接続されていることを特徴とする請求項9に記載の発光装置。
  11. 前記放熱層は、一体に形成された部材であることを特徴とする請求項1から10のいずれか1項に記載の発光装置。
  12. 基板に、表裏方向に貫通する少なくとも2つの第1の貫通孔を互いに間隔をおいて形成する工程と、
    前記第1の貫通孔に、前記基板よりも熱伝導率が高い部材を配することにより、ビアを形成する工程と、
    前記基板の上における前記ビア同士の間の領域に、発光素子を前記ビアから間隔をおいて固着する工程と、
    前記基板の上に、前記発光素子の上面と対向する領域に開口部を有する共に、前記発光素子の外側でその表裏方向に貫通する第2の貫通孔を設けた放熱層を、前記開口部の縁部が前記発光素子の上面と接し且つその少なくとも一部が前記ビアと接するように保持する工程と、
    前記第2の貫通孔から、光を反射する反射粒子を含有した樹脂材を充填することにより、前記基板の上における前記発光素子の側方の領域に反射層を設ける工程とを備えていることを特徴とする発光装置の製造方法。
  13. 前記放熱層の前記開口部に、前記発光素子からの光を受け、受けた光の波長と異なる波長の光を発する波長変換層を形成する工程をさらに備えていることを特徴とする請求項12に記載の発光装置。
JP2012285396A 2012-12-27 2012-12-27 発光装置及びその製造方法 Pending JP2014127679A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012285396A JP2014127679A (ja) 2012-12-27 2012-12-27 発光装置及びその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012285396A JP2014127679A (ja) 2012-12-27 2012-12-27 発光装置及びその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2014127679A true JP2014127679A (ja) 2014-07-07

Family

ID=51406924

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012285396A Pending JP2014127679A (ja) 2012-12-27 2012-12-27 発光装置及びその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2014127679A (ja)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016072471A (ja) * 2014-09-30 2016-05-09 日亜化学工業株式会社 透光部材及びその製造方法ならびに発光装置及びその製造方法
JP2017157723A (ja) * 2016-03-02 2017-09-07 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP2018509763A (ja) * 2015-03-11 2018-04-05 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. 発光デバイス冷却
JP2018125464A (ja) * 2017-02-02 2018-08-09 豊田合成株式会社 発光装置の製造方法
EP3493280A1 (en) 2017-11-30 2019-06-05 Nichia Corporation Light emitting device and method of manufacturing same
US10468567B2 (en) 2016-09-28 2019-11-05 Nichia Corporation Light-emitting device and method of manufacturing the same
JP2020053504A (ja) * 2018-09-26 2020-04-02 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
US11211531B2 (en) 2019-11-14 2021-12-28 Nuvoton Technology Corporation Japan Light-emitting device
US11242961B2 (en) 2020-04-28 2022-02-08 Nichia Corporation Method of manufacturing light-emitting device
US11367818B2 (en) 2019-09-27 2022-06-21 Nichia Corporation Method of manufacturing light-emitting device
US11391884B2 (en) 2018-03-30 2022-07-19 Nichia Corporation Method of manufacturing light emitting device
US11973165B2 (en) 2020-09-25 2024-04-30 Nichia Corporation Method of manufacturing light emitting device

Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10636764B2 (en) 2014-09-30 2020-04-28 Nichia Corporation Light emitting device
US9825001B2 (en) 2014-09-30 2017-11-21 Nichia Corporation Light emitting device with light transmissive member and method for manufacturing thereof
JP2016072471A (ja) * 2014-09-30 2016-05-09 日亜化学工業株式会社 透光部材及びその製造方法ならびに発光装置及びその製造方法
US10290607B2 (en) 2014-09-30 2019-05-14 Nichia Corporation Method for manufacturing light emitting device including light emitting element and color conversion material layer
JP2018509763A (ja) * 2015-03-11 2018-04-05 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. 発光デバイス冷却
JP2017157723A (ja) * 2016-03-02 2017-09-07 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
US10468567B2 (en) 2016-09-28 2019-11-05 Nichia Corporation Light-emitting device and method of manufacturing the same
US10586900B2 (en) 2016-09-28 2020-03-10 Nichia Corporation Light-emitting device
JP2018125464A (ja) * 2017-02-02 2018-08-09 豊田合成株式会社 発光装置の製造方法
EP3493280A1 (en) 2017-11-30 2019-06-05 Nichia Corporation Light emitting device and method of manufacturing same
EP3706179A1 (en) 2017-11-30 2020-09-09 Nichia Corporation Light emitting device and method of manufacturing same
US10741727B2 (en) 2017-11-30 2020-08-11 Nichia Corporation Light emitting device and method of manufacturing same
US10957822B2 (en) 2017-11-30 2021-03-23 Nichia Corporation Light emitting device and method of manufacturing same
US11391884B2 (en) 2018-03-30 2022-07-19 Nichia Corporation Method of manufacturing light emitting device
JP2020053504A (ja) * 2018-09-26 2020-04-02 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
US11221113B2 (en) 2018-09-26 2022-01-11 Nichia Corporation Light-emitting device and method for manufacturing the same
JP7108182B2 (ja) 2018-09-26 2022-07-28 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
US11585495B2 (en) 2018-09-26 2023-02-21 Nichia Corporation Light-emitting device including light-transmissive member, light -reflective member, and light-shielding frame
US11367818B2 (en) 2019-09-27 2022-06-21 Nichia Corporation Method of manufacturing light-emitting device
US11211531B2 (en) 2019-11-14 2021-12-28 Nuvoton Technology Corporation Japan Light-emitting device
US11784291B2 (en) 2019-11-14 2023-10-10 Nuvoton Technology Corporation Japan Light-emitting device
US11242961B2 (en) 2020-04-28 2022-02-08 Nichia Corporation Method of manufacturing light-emitting device
US11973165B2 (en) 2020-09-25 2024-04-30 Nichia Corporation Method of manufacturing light emitting device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2014127679A (ja) 発光装置及びその製造方法
TWI608637B (zh) 發光裝置及其製造方法
KR100983836B1 (ko) Led조명 기구
JP6065811B2 (ja) 発光装置及びその製造方法
JP5273486B2 (ja) 照明装置
US9130140B2 (en) Light-emitting device including a heat dissipation hole
US8791471B2 (en) Multi-chip light emitting diode modules
JP4826470B2 (ja) 発光装置
US8890203B2 (en) LED module
JP2009111346A (ja) Ledアレイおよびその製造方法
JP4678391B2 (ja) 照明装置
JP2006501658A (ja) オプトエレクトロニクス構成素子および構成素子・モジュール
JP2008071955A (ja) 発光装置
JP2004207367A (ja) 発光ダイオード及び発光ダイオード配列板
TWI395346B (zh) 發光元件的封裝結構
JP2007243054A (ja) 発光装置
JP6638748B2 (ja) 発光素子及び発光装置
KR102261956B1 (ko) 발광 모듈 및 이를 구비한 라이트 유닛
JP5055837B2 (ja) 発光装置
JP2007324204A (ja) 発光装置
CN109994458B (zh) 发光装置
KR100726969B1 (ko) 서브마운트를 적용하지 않는 고방열기판을 구비한발광다이오드 패키지
JP2011176054A (ja) 発光装置
JP5849691B2 (ja) 発光素子の実装方法
JP2017017162A (ja) 発光装置