JP2014120599A - 半導体発光素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1の導電型を有する第1の半導体層16と、第2の導電型を有する第2の半導体層18と、第1の半導体層及び第2の半導体層との間に設けられた発光層17と、からなる半導体構造層15を少なくとも含む発光構造体10を有し、第2の半導体層側の発光構造体の表面を光取出し面とし、光取出し面は、その表面上に頂部から底部に向かって延びる溝を備えた錐状又は柱状の突起からなる凹凸構造50を有している。
【選択図】図1
Description
10、70 発光構造体
15、75 半導体構造層
18 n型半導体層
79 透明導電体層
50、80 凹凸構造
51、81 突起
51A、81A 溝
55、85 マスク
Claims (7)
- 第1の導電型を有する第1の半導体層と、第2の導電型を有する第2の半導体層と、前記第1の半導体層及び前記第2の半導体層との間に設けられた発光層と、からなる半導体構造層を少なくとも含む発光構造体を有し、前記第2の半導体層側の前記発光構造体の表面を光取出し面とする半導体発光素子であって、
前記光取出し面は、その表面上に頂部から底部に向かって延びる溝を備えた錐状又は柱状の突起からなる凹凸構造を有していることを特徴とする半導体発光素子。 - 前記光取出し面は前記第2の半導体層の表面であることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子。
- 前記発光構造体は前記第2の半導体層上に形成された透光性の導電体層を含み、
前記光取出し面は前記導電体層の表面であることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子。 - 第1の導電型を有する第1の半導体層と、第2の導電型を有する第2の半導体層と、前記第1の半導体層及び前記第2の半導体層との間に設けられた発光層と、からなる半導体構造層を少なくとも含む発光構造体を有し、前記第2の半導体層側の前記発光構造体の表面を光取出し面とする半導体発光素子の製造方法であって、
前記第1の半導体層、前記発光層、及び前記第2の半導体層を順次積層する工程と、
前記光取出し面上に所定形状の複数のマスクを形成する工程と、
前記マスク上から前記光取出し面にドライエッチングを行って、前記光取出し面上に頂部から底部に向かって延びる溝を備えた錐状又は柱状の突起からなる凹凸構造を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 前記ドライエッチングを行う工程は、前記マスクの側面に凹部を形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項4に記載の半導体発光素子。
- 前記マスクを形成する工程は、前記マスクの側面に凹部を形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項4に記載の半導体発光素子。
- 前記マスクの前記凹部は熱変形によって形成されることを特徴とする請求項5に記載の半導体発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003218383A (ja) * | 2002-01-18 | 2003-07-31 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
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