JP2014120529A - Circuit board, led module and led package, and method of manufacturing circuit board - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a circuit board in which sulfurization of silver plating is suppressed on the LED reflection surface, and to provide an LED module using such a circuit board, and an LED package.SOLUTION: A circuit board comprises a metal substrate (base metal substrate 2) composed of one kind selected from copper, a copper alloy, aluminum, a columnar metal part (metal bump 3) formed on the metal substrate and comprises one kind selected from copper, a copper alloy, aluminum, nickel, an insulation resin layer (insulation resin layer 4) formed around the side face of the columnar metal part, a metal layer (pad 6c) formed on the insulation resin layer and columnar metal part, and a silver plating layer (LED side silver plating layer 10) formed at least above a metal layer on the columnar metal part. A zinc oxide film (surface zinc oxide film 11) is formed on the silver plating layer surface.

Description

本発明は、LED(Light Emitting Diode:発光ダイオード))を搭載するための回路基板、この回路基板上にLEDチップを搭載したLEDモジュール及びLEDパッケージ、並びに回路基板の製造方法に関する。   The present invention relates to a circuit board for mounting an LED (Light Emitting Diode), an LED module and an LED package having an LED chip mounted on the circuit board, and a method for manufacturing the circuit board.

従来より、樹脂回路基板、セラミック基板又はリードフレーム上に、LEDチップが直接搭載されたLEDモジュール及びLEDパッケージが、例えば、照明光源、液晶テレビジョン装置等のバックライトの光源に用いられている(例えば特許文献1乃至3参照)。
最近、LEDは、特に、高輝度化が進むと同時に、5万時間以上の輝度の維持が要求されるようになり、そのLEDチップを搭載する回路基板に対しては、LEDチップの温度を下げるべく、放熱性が高く、また、大気中の硫黄の影響を受けにくい回路基板が要求されるようになっている。
Conventionally, an LED module and an LED package in which an LED chip is directly mounted on a resin circuit board, a ceramic substrate, or a lead frame are used as a light source of a backlight such as an illumination light source or a liquid crystal television device ( For example, see Patent Documents 1 to 3.
In recent years, LEDs have been required to maintain luminance for more than 50,000 hours at the same time as the increase in luminance, and the temperature of the LED chip is lowered for the circuit board on which the LED chip is mounted. Accordingly, there is a demand for circuit boards that have high heat dissipation and are not easily affected by sulfur in the atmosphere.

回路基板は、ベース基板である金属基板(以下、「ベース金属基板」とも称する。)上にLEDチップを搭載するための柱状金属部(以下、「金属バンプ」とも称する。)が形成されている。
この金属バンプは、ベース金属基板とLEDチップとを電気的に接続するとともに、LEDチップが発する熱をベース金属基板に放熱する。
In the circuit board, a columnar metal portion (hereinafter also referred to as “metal bump”) for mounting an LED chip is formed on a metal substrate (hereinafter also referred to as “base metal substrate”) as a base substrate. .
The metal bumps electrically connect the base metal substrate and the LED chip and radiate heat generated by the LED chip to the base metal substrate.

特開2009−278012号公報JP 2009-278012 A 特開平4−338692号公報Japanese Patent Laid-Open No. 4-338692 特開平5−29371号公報Japanese Patent Laid-Open No. 5-29371

最近のLEDでは、ハイパワー化による放熱不足により、輝度低下の問題が発生するとともに、環境の厳しい屋外での使用により、信頼性低下の改善も必要となってきている。
特に、ハイパワーLEDモジュールになると、屋外で用いられる機会が増え、高温下、大気中で、水分及び大気中の不純物に暴露され、輝度が著しく低下するという信頼性上の問題が起きている。
大気中不純物としての硫黄が、回路基板上に搭載された、LEDチップ、及び、LEDチップにより発光された光を高い輝度で反射させるために形成された銀めっき層に対し、硫化作用を引き起こし、生成された硫化銀による腐食を起こして反射率を低下し、輝度を低下させるという問題があった。
In recent LEDs, there is a problem of luminance reduction due to insufficient heat dissipation due to high power, and improvement in reliability reduction is also required due to outdoor use in severe environments.
In particular, in the case of a high power LED module, there is an increased chance of being used outdoors, and there is a problem of reliability that the brightness is significantly reduced due to exposure to moisture and impurities in the atmosphere at high temperatures in the atmosphere.
Sulfur as an atmospheric impurity causes a sulfurization action on the LED chip mounted on the circuit board and the silver plating layer formed to reflect the light emitted by the LED chip with high brightness, There is a problem in that the corrosion is caused by the generated silver sulfide, the reflectance is lowered, and the luminance is lowered.

本発明者らは、鋭意研究の結果、まず、放熱性を高めるために、金属バンプを形成した回路基板を用い、このバンプ上の銀めっき層に、無機物皮膜を形成(被覆)する技術を見出し、この回路基板上にLEDチップを搭載したLEDモジュール、及び、LEDパッケージを提供するに至った。
本発明は、このような点に基づいて完成したものである。具体的には、放熱性の高い金属バンプを形成した回路基板上の銀めっき層に、電解処理により、酸化亜鉛の皮膜を形成することにより、硫化による輝度低下の少ない回路基板を得た。
As a result of diligent research, the present inventors first discovered a technique for forming (covering) an inorganic film on a silver plating layer on a bump using a circuit board on which a metal bump is formed in order to improve heat dissipation. An LED module having an LED chip mounted on the circuit board and an LED package have been provided.
The present invention has been completed based on these points. Specifically, a zinc oxide film was formed on the silver plating layer on the circuit board on which metal bumps having high heat dissipation were formed by electrolytic treatment, thereby obtaining a circuit board with less luminance reduction due to sulfurization.

すなわち、本発明の回路基板は、銅、銅合金、アルミニウムから選択される1種からなる金属基板(ベース金属基板2)と、金属基板上に形成され、銅、銅合金、アルミニウム、ニッケルから選択される1種からなる金属を用いた柱状金属部(金属バンプ3)と、柱状金属部の側面周囲に形成された絶縁樹脂層(絶縁樹脂層4)と、絶縁樹脂層上及び柱状金属部上に形成された金属層(金属めっき層6)とを備え、金属基板の全金属層(第1周辺パターン部6a、第2周辺パターン部6b、パッド6c)上には、ニッケルめっき層、パラジウムめっき層、金めっき層がそれぞれ必要に応じて形成され、少なくとも柱状金属部上のパッド6c上においては、これら形成しためっき層の最上層上にさらに銀めっき層(銀めっき層10)が形成され、この銀めっき層上に酸化亜鉛皮膜(表面酸化亜鉛皮膜11)を形成している(図1(i)参照)。   That is, the circuit board of the present invention is formed on a metal substrate (base metal substrate 2) selected from copper, copper alloy, and aluminum, and selected from copper, copper alloy, aluminum, and nickel. A columnar metal portion (metal bump 3) using one kind of metal, an insulating resin layer (insulating resin layer 4) formed around the side surface of the columnar metal portion, an insulating resin layer, and a columnar metal portion A metal layer (metal plating layer 6) formed on the substrate, and a nickel plating layer and a palladium plating are formed on all metal layers (first peripheral pattern portion 6a, second peripheral pattern portion 6b, pad 6c) of the metal substrate. A layer and a gold plating layer are formed as necessary, and at least on the pad 6c on the columnar metal part, a silver plating layer (silver plating layer 10) is further formed on the uppermost layer of the formed plating layer. Forming a zinc oxide film (the surface zinc oxide film 11) in the silver-plated layer (see FIG. 1 (i)).

また、本発明のLEDモジュール及びLEDパッケージにおいては、このような金属層上にLEDチップが搭載されている。   In the LED module and the LED package of the present invention, the LED chip is mounted on such a metal layer.

また、本発明の回路基板の製造方法は、金属基板(ベース金属基板2)上に柱状金属部を形成し、柱状金属部の形状に対応した柱状の穴部分(穴部分4a)が形成されている絶縁樹脂層(絶縁樹脂層4)の穴部分に柱状金属部(金属バンプ3)を挿入する。次に、絶縁樹脂層上に金属層を配置し、得られた積層物を加熱及び加圧することにより、金属基板と絶縁樹脂層と金属層(金属層5)とを圧着させる。その後、柱状金属部上に金属層(金属めっき層6)を形成し、柱状金属部上の金属層(金属めっき層6)の上方に少なくとも銀めっき層(銀めっき層10)を形成し、銀めっき層表面に酸化亜鉛皮膜(表面酸化亜鉛皮膜11)を形成する。   In the circuit board manufacturing method of the present invention, a columnar metal portion is formed on a metal substrate (base metal substrate 2), and a columnar hole portion (hole portion 4a) corresponding to the shape of the columnar metal portion is formed. A columnar metal part (metal bump 3) is inserted into the hole of the insulating resin layer (insulating resin layer 4). Next, a metal layer is arrange | positioned on an insulating resin layer, and a metal substrate, an insulating resin layer, and a metal layer (metal layer 5) are crimped | bonded by heating and pressurizing the obtained laminated body. Thereafter, a metal layer (metal plating layer 6) is formed on the columnar metal portion, and at least a silver plating layer (silver plating layer 10) is formed above the metal layer (metal plating layer 6) on the columnar metal portion. A zinc oxide film (surface zinc oxide film 11) is formed on the surface of the plating layer.

或いは、本発明の回路基板の製造方法は、金属基板(ベース金属基板2)上に柱状金属部(金属バンプ3)を形成し、金属基板上及び柱状金属部上に絶縁樹脂層を配置する。次に、この絶縁樹脂層上に金属層(金属層5)を配置し、得られた積層物を加熱及び加圧することにより、金属基板と絶縁樹脂層と金属層を圧着させる。その後、柱状金属部上の絶縁樹脂層を除去し、柱状金属部上に金属層(金属めっき層6)を形成する。この柱状金属部上の金属層(金属めっき層6)の上方に少なくとも銀めっき層(銀めっき層10)を形成し、銀めっき層表面に酸化亜鉛皮膜(表面酸化亜鉛皮膜11)を形成する。   Alternatively, in the method for manufacturing a circuit board according to the present invention, a columnar metal portion (metal bump 3) is formed on a metal substrate (base metal substrate 2), and an insulating resin layer is disposed on the metal substrate and the columnar metal portion. Next, a metal layer (metal layer 5) is disposed on the insulating resin layer, and the resulting laminate is heated and pressed to pressure-bond the metal substrate, the insulating resin layer, and the metal layer. Thereafter, the insulating resin layer on the columnar metal part is removed, and a metal layer (metal plating layer 6) is formed on the columnar metal part. At least a silver plating layer (silver plating layer 10) is formed above the metal layer (metal plating layer 6) on the columnar metal portion, and a zinc oxide film (surface zinc oxide film 11) is formed on the surface of the silver plating layer.

このような本発明の回路基板の製造方法によれば、金属バンプを有するため、放熱性が高く、また、酸化亜鉛皮膜により銀めっき層の硫化を抑制することが可能な高信頼性の回路基板を容易に製造することができる。   According to such a circuit board manufacturing method of the present invention, since the metal bump is provided, the heat dissipation is high, and the highly reliable circuit board capable of suppressing the sulfidation of the silver plating layer by the zinc oxide film. Can be easily manufactured.

本発明によれば、LEDチップが発光する光の反射光を受ける面(以下、「LED反射面」ともいう。)における銀めっきの硫化が抑制された回路基板を提供することができ、そのような回路基板の金属層上にLEDチップを搭載するLEDモジュール、さらには、外部端子を有し、LEDチップを搭載するLEDパッケージを提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the circuit board by which the sulfidation of the silver plating in the surface (henceforth "LED reflective surface") which receives the reflected light of the light which a LED chip light-emits was suppressed can be provided. It is possible to provide an LED module on which an LED chip is mounted on a metal layer of a circuit board, and further an LED package having an external terminal and mounting the LED chip.

第1の実施形態の回路基板の製造方法における準備工程の一例を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating an example of the preparation process in the manufacturing method of the circuit board of 1st Embodiment. 第1の実施形態の回路基板の製造方法におけるレジスト配置工程(1)の一例を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating an example of the resist arrangement | positioning process (1) in the manufacturing method of the circuit board of 1st Embodiment. 第1の実施形態の回路基板の製造方法におけるバンプ形成工程の一例を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating an example of the bump formation process in the manufacturing method of the circuit board of 1st Embodiment. 第1の実施形態の回路基板の製造方法における層配置工程の一例を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating an example of the layer arrangement | positioning process in the manufacturing method of the circuit board of 1st Embodiment. 第1の実施形態の回路基板の製造方法におけるプレス工程の一例を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating an example of the press process in the manufacturing method of the circuit board of 1st Embodiment. 第1の実施形態の回路基板の製造方法における凸部除去工程の一例を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating an example of the convex part removal process in the manufacturing method of the circuit board of 1st Embodiment. 第1の実施形態の回路基板の製造方法における金属めっき工程の一例を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating an example of the metal plating process in the manufacturing method of the circuit board of 1st Embodiment. 第1の実施形態の回路基板の製造方法におけるレジスト配置工程(2)の一例を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating an example of the resist arrangement | positioning process (2) in the manufacturing method of the circuit board of 1st Embodiment. 第1の実施形態の回路基板の製造方法におけるパターン形成工程の一例を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating an example of the pattern formation process in the manufacturing method of the circuit board of 1st Embodiment. 第1の実施形態の回路基板の製造方法における多層金属めっき工程の一例を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating an example of the multilayer metal plating process in the manufacturing method of the circuit board of 1st Embodiment. 第1の実施形態の回路基板の製造方法における酸化亜鉛処理工程の一例を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating an example of the zinc oxide process process in the manufacturing method of the circuit board of 1st Embodiment. 第1の実施形態の回路基板の製造方法における酸化亜鉛処理工程の他の例を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating the other example of the zinc oxide process process in the manufacturing method of the circuit board of 1st Embodiment. 第1の実施形態の回路基板の製造方法における絶縁樹脂層への穴部分の形成を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating formation of the hole part to the insulating resin layer in the manufacturing method of the circuit board of 1st Embodiment. 第2の実施形態の回路基板の製造方法における準備工程の一例を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating an example of the preparation process in the manufacturing method of the circuit board of 2nd Embodiment. 第2の実施形態の回路基板の製造方法におけるレジスト配置工程(1)の一例を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating an example of the resist arrangement | positioning process (1) in the manufacturing method of the circuit board of 2nd Embodiment. 第2の実施形態の回路基板の製造方法におけるバンプ形成工程の一例を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating an example of the bump formation process in the manufacturing method of the circuit board of 2nd Embodiment. 第2の実施形態の回路基板の製造方法における層配置工程の一例を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating an example of the layer arrangement | positioning process in the manufacturing method of the circuit board of 2nd Embodiment. 第2の実施形態の回路基板の製造方法におけるプレス工程の一例を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating an example of the press process in the manufacturing method of the circuit board of 2nd Embodiment. 第2の実施形態の回路基板の製造方法における凸部除去工程の一例を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating an example of the convex part removal process in the manufacturing method of the circuit board of 2nd Embodiment. 第2の実施形態の回路基板の製造方法における金属めっき工程の一例を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating an example of the metal plating process in the manufacturing method of the circuit board of 2nd Embodiment. 第2の実施形態の回路基板の製造方法におけるレジスト配置工程(2)の一例を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating an example of the resist arrangement | positioning process (2) in the manufacturing method of the circuit board of 2nd Embodiment. 第2の実施形態の回路基板の製造方法におけるパターン形成工程の一例を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating an example of the pattern formation process in the manufacturing method of the circuit board of 2nd Embodiment. 第2の実施形態の回路基板の製造方法における多層金属めっき工程の一例を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating an example of the multilayer metal plating process in the manufacturing method of the circuit board of 2nd Embodiment. 第2の実施形態の回路基板の製造方法における酸化亜鉛処理工程の一例を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating an example of the zinc oxide process process in the manufacturing method of the circuit board of 2nd Embodiment. 第1の実施形態の回路基板の製造方法における酸化亜鉛処理工程の他の例を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating the other example of the zinc oxide process process in the manufacturing method of the circuit board of 1st Embodiment. 第1の実施形態の回路基板を用いたLEDモジュールの側面断面図である。It is side surface sectional drawing of the LED module using the circuit board of 1st Embodiment. 第3の実施形態の回路基板の製造方法における準備工程の一例を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating an example of the preparation process in the manufacturing method of the circuit board of 3rd Embodiment. 第3の実施形態の回路基板の製造方法におけるレジスト配置工程(1)の一例を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating an example of the resist arrangement | positioning process (1) in the manufacturing method of the circuit board of 3rd Embodiment. 第3の実施形態の回路基板の製造方法における回路形成工程の一例を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating an example of the circuit formation process in the manufacturing method of the circuit board of 3rd Embodiment. 第3の実施形態の回路基板の製造方法における層配置工程の一例を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating an example of the layer arrangement | positioning process in the manufacturing method of the circuit board of 3rd Embodiment. 第3の実施形態の回路基板の製造方法におけるプレス工程の一例を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating an example of the press process in the manufacturing method of the circuit board of 3rd Embodiment. 第3の実施形態の回路基板の製造方法における凸部除去工程の一例を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating an example of the convex part removal process in the manufacturing method of the circuit board of 3rd Embodiment. 第3の実施形態の回路基板の製造方法における金属めっき工程の一例を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating an example of the metal plating process in the manufacturing method of the circuit board of 3rd Embodiment. 第3の実施形態の回路基板の製造方法におけるレジスト配置工程(2)の一例を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating an example of the resist arrangement | positioning process (2) in the manufacturing method of the circuit board of 3rd Embodiment. 第3の実施形態の回路基板の製造方法における表面パターン形成工程の一例を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating an example of the surface pattern formation process in the manufacturing method of the circuit board of 3rd Embodiment. 第3の実施形態の回路基板の製造方法におけるレジスト配置工程(3)の一例を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating an example of the resist arrangement | positioning process (3) in the manufacturing method of the circuit board of 3rd Embodiment. 第3の実施形態の回路基板の製造方法における裏面パターン形成工程の一例を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating an example of the back surface pattern formation process in the manufacturing method of the circuit board of 3rd Embodiment. 第3の実施形態の回路基板の製造方法における多層金属めっき工程の一例を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating an example of the multilayer metal plating process in the manufacturing method of the circuit board of 3rd Embodiment. 第3の実施形態の回路基板の製造方法における酸化亜鉛処理工程の一例を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating an example of the zinc oxide process process in the manufacturing method of the circuit board of 3rd Embodiment. 第3の実施形態の回路基板を用いたLEDパッケージの側面断面図である。It is side surface sectional drawing of the LED package using the circuit board of 3rd Embodiment.

以下、本発明を適用した実施形態について説明する。
本発明に係る回路基板は、例えば後に示す図1(k)を参照してわかるように、銅、銅合金、アルミニウムから選択される1種からなるベース金属基板2と、このベース金属基板2上に形成され、銅、銅合金、アルミニウム、ニッケルから選択される1種からなる金属バンプ3と、金属バンプ3の側面周囲に形成された絶縁樹脂層4と、金属バンプ3及び絶縁樹脂層4上に形成された金属層(金属層5及び金属めっき層6(第1周辺パターン部6a、第2周辺パターン部6b、パッド6c))とを有する回路基板において、少なくとも金属バンプ3上においてはパッド6cの上方にLED側銀めっき層10が形成され、このLED側銀めっき層10上に、表面酸化亜鉛皮膜11が形成されている。回路基板上における全ての回路部(第1周辺パターン部6a、第2周辺パターン部6b、金属バンプ3上のパッド6c)にLED側ニッケルめっき層7cと、LED側パラジウムめっき層8cと、LED側金めっき層9cと、LED側銀めっき層10とを形成する。その後、表面酸化亜鉛皮膜11を形成する処理を行ってもよく、また、パッド6c以外の金属層(金属層5、第1周辺パターン部6a、第2周辺パターン部6b)には、それぞれ第1電極側ニッケルめっき層7a及び第1電極側金めっき層9a、第2電極側ニッケルめっき層7b及び第2電極側金めっき層9bを形成するようにしてもよい。
Embodiments to which the present invention is applied will be described below.
The circuit board according to the present invention includes, for example, a base metal substrate 2 made of one selected from copper, copper alloy, and aluminum, as shown in FIG. A metal bump 3 made of one selected from copper, copper alloy, aluminum and nickel, an insulating resin layer 4 formed around the side surface of the metal bump 3, and the metal bump 3 and the insulating resin layer 4 In the circuit board having the metal layer (the metal layer 5 and the metal plating layer 6 (first peripheral pattern portion 6a, second peripheral pattern portion 6b, pad 6c)) formed on the metal bump 3, at least the pad 6c is formed on the metal bump 3. An LED side silver plating layer 10 is formed above the surface, and a surface zinc oxide film 11 is formed on the LED side silver plating layer 10. LED side nickel plating layer 7c, LED side palladium plating layer 8c, and LED side on all circuit parts (first peripheral pattern part 6a, second peripheral pattern part 6b, pad 6c on metal bump 3) on the circuit board The gold plating layer 9c and the LED side silver plating layer 10 are formed. Thereafter, a treatment for forming the surface zinc oxide film 11 may be performed, and the metal layers (metal layer 5, first peripheral pattern portion 6a, second peripheral pattern portion 6b) other than the pad 6c are respectively provided with the first. You may make it form the electrode side nickel plating layer 7a and the 1st electrode side gold plating layer 9a, the 2nd electrode side nickel plating layer 7b, and the 2nd electrode side gold plating layer 9b.

次に、このような本発明の回路基板を製造する製造方法について説明する。   Next, a manufacturing method for manufacturing such a circuit board of the present invention will be described.

<第1の実施形態>
第1の実施形態の回路基板を製造する製造工程の一例について説明する。
この第1の実施形態の回路基板の製造工程は、以下の順序による各工程からなる。
1−1.準備工程
1−2.レジスト配置工程(1)
1−3.バンプ形成工程
1−4.層配置工程
1−5.プレス工程
1−6.凸部除去工程
1−7.金属めっき工程
1−8.レジスト配置工程(2)
1−9.パターン形成工程
1−10.多層金属めっき(ニッケル、パラジウム、金、銀めっき)工程
1−11.酸化亜鉛処理工程
<First Embodiment>
An example of a manufacturing process for manufacturing the circuit board according to the first embodiment will be described.
The manufacturing process of the circuit board according to the first embodiment includes the following steps.
1-1. Preparation step 1-2. Resist placement process (1)
1-3. Bump formation process 1-4. Layer arrangement step 1-5. Pressing process 1-6. Convex part removal process 1-7. Metal plating step 1-8. Resist placement process (2)
1-9. Pattern forming step 1-10. Multi-layer metal plating (nickel, palladium, gold, silver plating) step 1-11. Zinc oxide treatment process

(1−1.準備工程)
まず、図1(a)に示すように、後のバンプ形成工程でベース金属基板2及び金属バンプ3を形成するための金属板1を準備する。
金属板1の厚みは、特に限定されないが、例えば、10μm乃至30000μmとすることができる。
金属板1を構成する金属としては、金属バンプ3を形成することから、放熱性及び高い電気伝導性の金属であることが好ましい。具体的には、銅、銅合金、アルミニウムから選択される1種の金属が好ましく、特に、熱伝導性や電気伝導性の点から、銅がより好ましい。
(1-1. Preparation process)
First, as shown in FIG. 1A, a metal plate 1 for forming a base metal substrate 2 and metal bumps 3 in a later bump formation step is prepared.
Although the thickness of the metal plate 1 is not specifically limited, For example, it can be set as 10 micrometers-30000 micrometers.
The metal constituting the metal plate 1 is preferably a metal with high heat dissipation and high electrical conductivity since the metal bumps 3 are formed. Specifically, one type of metal selected from copper, a copper alloy, and aluminum is preferable, and copper is particularly preferable from the viewpoint of thermal conductivity and electrical conductivity.

(1−2.レジスト配置工程(1))
次に、エッチングレジストMを、図1(b)に示すように、金属板1上の金属バンプ3を形成する位置に配置する。
(1−3.バンプ形成工程)
次に、図1(c)に示すように、エッチングレジストMを用いて、金属板1の選択的なエッチングを行うことにより、回路基板上におけるLEDチップの搭載位置に金属バンプ(柱状金属部)3を形成する。金属バンプ3の形状は、特に限定されず、例えば三角形、四角形でも良いが、通常は、上面が円形の柱状である。
(1-2. Resist placement step (1))
Next, as shown in FIG. 1B, the etching resist M is disposed at a position where the metal bump 3 is formed on the metal plate 1.
(1-3. Bump formation process)
Next, as shown in FIG. 1C, by selectively etching the metal plate 1 using the etching resist M, metal bumps (columnar metal portions) are formed on the LED chip mounting position on the circuit board. 3 is formed. The shape of the metal bump 3 is not particularly limited and may be, for example, a triangle or a quadrangle, but is usually a columnar shape with a circular upper surface.

金属バンプ3を構成する金属としては、上述したように、放熱性及び高い電気伝導性の金属であることが好ましく、具体的には、銅、銅合金、アルミニウム、ニッケルから選択される1種からなる金属が好ましく、特に、熱伝導性や電気伝導性の点から、銅がより好ましい。   As described above, the metal constituting the metal bump 3 is preferably a metal with high heat dissipation and high electrical conductivity, and specifically, from one selected from copper, copper alloy, aluminum, and nickel. In particular, copper is more preferable from the viewpoint of thermal conductivity and electrical conductivity.

エッチングレジストMとしては、感光性樹脂やドライフィルムレジスト(フォトレジスト)等が挙げられる。   Examples of the etching resist M include a photosensitive resin and a dry film resist (photoresist).

エッチングの方法としては、金属板1を構成する各金属の種類に応じた各種エッチング液を用いたエッチング方法が挙げられる。
金属板1が銅である場合には、過硫酸アンモニウム、過酸化水素−硫酸等の市販のアルカリエッチング液を使用できる。このようなエッチング液により、金属板1におけるエッチングレジストMで表面がマスクされた部分以外の部分をエッチングした後、エッチングレジストMを除去する。
As an etching method, an etching method using various etching liquids according to the type of each metal constituting the metal plate 1 can be used.
When the metal plate 1 is copper, a commercially available alkaline etching solution such as ammonium persulfate or hydrogen peroxide-sulfuric acid can be used. After etching a portion of the metal plate 1 other than the portion whose surface is masked with the etching resist M, the etching resist M is removed.

エッチングレジストMを除去する方法としては、薬剤除去、剥離除去など、エッチングレジストMの種類に応じて適宜選択すればよい。例えば、スクリーン印刷により形成された感光性のインクである場合、アルカリ等の薬品にて除去される。   The method for removing the etching resist M may be selected as appropriate according to the type of the etching resist M, such as chemical removal and peeling removal. For example, in the case of photosensitive ink formed by screen printing, it is removed with chemicals such as alkali.

金属バンプの形成方法は、上述の金属バンプ3を形成する例に限定されない。例えば、特許第3217381号、特許第3178677号に記載されている方法で金属バンプを形成するようにしてもよい。   The formation method of the metal bump is not limited to the example of forming the metal bump 3 described above. For example, metal bumps may be formed by the methods described in Japanese Patent Nos. 3217381 and 3178777.

このように、金属バンプ3を形成した回路基板とすることで、後に、放熱性の高いLEDモジュールを得ることができる。また、金属バンプ3の上面の面積(バンプ面積)を従来よりも大きいもの(例えば9mm以上の面積)とすることにより、LEDモジュールにおいて、より高い放熱性を確保することができる。 Thus, by using the circuit board on which the metal bumps 3 are formed, an LED module with high heat dissipation can be obtained later. Moreover, by making the area (bump area) of the upper surface of the metal bump 3 larger (for example, an area of 9 mm 2 or more) than before, higher heat dissipation can be ensured in the LED module.

(1−4.層配置工程)
次に、図1(d)に示すように、ベース金属基板2上に絶縁樹脂層4を配置し、その絶縁樹脂層4上に金属層5を配置する。
絶縁樹脂層4としては、金属バンプ3の形状に対応した柱状の穴部分4aが形成されたものを用いる。この層配置工程では、絶縁樹脂層4の穴部分4aに金属バンプ3を挿入するバンプ挿入工程を有する。
絶縁樹脂層4の上面側における穴部分の面積(以下、これを「穴面積」ともいう。)は、金属バンプ3のバンプ面積よりも僅かに大きい。
(1-4. Layer arrangement process)
Next, as shown in FIG. 1D, the insulating resin layer 4 is disposed on the base metal substrate 2, and the metal layer 5 is disposed on the insulating resin layer 4.
As the insulating resin layer 4, a layer in which a columnar hole portion 4 a corresponding to the shape of the metal bump 3 is formed is used. This layer arranging step includes a bump insertion step of inserting the metal bump 3 into the hole portion 4 a of the insulating resin layer 4.
The area of the hole portion on the upper surface side of the insulating resin layer 4 (hereinafter also referred to as “hole area”) is slightly larger than the bump area of the metal bump 3.

バンプ挿入工程では、ベース金属基板2上に形成された金属バンプ3の上面の中心と、絶縁樹脂層4の上面側における穴部分の中心とが重なるようにして、絶縁樹脂層4の穴部分4aに金属バンプ3を挿入する。これにより、ベース金属基板2上の金属バンプ3が形成されていない位置に絶縁樹脂層4が配置される。
このようにして、ベース金属基板2上に絶縁樹脂層4が配置され、少なくとも金属バンプ3の側面周囲に絶縁樹脂層が形成される。
穴部分4aが形成された絶縁樹脂層4を用いることで、金属バンプ3のバンプ面積が大きい場合であっても、その金属バンプ3上に樹脂が存在しないことから、接続信頼性(電気的及び機械的)の高い高性能な回路基板を製造することができる。
In the bump insertion step, the center of the upper surface of the metal bump 3 formed on the base metal substrate 2 and the center of the hole portion on the upper surface side of the insulating resin layer 4 overlap so that the hole portion 4a of the insulating resin layer 4 is overlapped. Insert metal bumps 3 into Thereby, the insulating resin layer 4 is arrange | positioned in the position where the metal bump 3 on the base metal substrate 2 is not formed.
In this way, the insulating resin layer 4 is disposed on the base metal substrate 2, and the insulating resin layer is formed at least around the side surface of the metal bump 3.
By using the insulating resin layer 4 in which the hole portion 4a is formed, even when the bump area of the metal bump 3 is large, no resin exists on the metal bump 3, so that connection reliability (electrical and electrical) A high-performance circuit board with high mechanical properties can be manufactured.

絶縁樹脂層4を構成する絶縁性材料は、特に限定されない。例えば、加熱及び加圧によって変形して固化すると共に、通常の配線基板に要求される耐熱性を有する絶縁性樹脂に、絶縁樹脂層4の強度を上げる所定の材料を含有するものを挙げることができる。例えば、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂等の各種反応硬化性樹脂からなる絶縁性樹脂に、ガラス繊維(ガラスクロス)、セラミック繊維、アラミド繊維等の繊維を複合させてなる複合体(プリプレグ)等を挙げることができる。   The insulating material constituting the insulating resin layer 4 is not particularly limited. For example, a material containing a predetermined material for increasing the strength of the insulating resin layer 4 is included in the insulating resin having heat resistance required for a normal wiring board while being deformed and solidified by heating and pressing. it can. For example, composites (prepregs) in which fibers such as glass fibers (glass cloth), ceramic fibers, and aramid fibers are combined with insulating resins made of various reaction curable resins such as polyimide resins, phenol resins, and epoxy resins. Can be mentioned.

絶縁樹脂層4をこのような複合体とすることで、ドリル加工等により穴部分4aを形成する際に、絶縁樹脂層4に割れ、剥がれ等の形状変化が生じないようにすることができる。
特に、ガラスクロスは、容易に絶縁樹脂層4の強度を上げることができるため、好適である。
絶縁樹脂層4の複合体における絶縁性樹脂としては、硬化状態下において、ベース金属基板2との接合力に優れ、さらには耐電圧特性等を損なわない樹脂を挙げることができる。
By forming the insulating resin layer 4 as such a composite, it is possible to prevent the insulating resin layer 4 from undergoing a shape change such as cracking or peeling when the hole portion 4a is formed by drilling or the like.
In particular, glass cloth is preferable because the strength of the insulating resin layer 4 can be easily increased.
Examples of the insulating resin in the composite of the insulating resin layer 4 include resins that are excellent in bonding strength with the base metal substrate 2 in a cured state and that do not impair the withstand voltage characteristics.

このような樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂の他、各種のエンジニアリングプラスチック等を、単独で、または2種以上混合して用いることができる。この内、エポキシ樹脂が金属同士の接合力に優れるので好ましい。
エポキシ樹脂の中では、例えば、流動性が高い、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールA型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂構造を両末端に有するトリブロックポリマー、ビスフェノールF型エポキシ樹脂構造を両末端に有するトリブロックポリマーが好ましい。
As such a resin, for example, in addition to an epoxy resin, a phenol resin, and a polyimide resin, various engineering plastics can be used alone or in admixture of two or more. Among these, an epoxy resin is preferable because it is excellent in bonding strength between metals.
Among epoxy resins, for example, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, hydrogenated bisphenol A type epoxy resin, hydrogenated bisphenol F type epoxy resin, and bisphenol A type epoxy resin structure with high fluidity at both ends A triblock polymer having a bisphenol F type epoxy resin structure at both ends is preferable.

絶縁樹脂層4の絶縁性樹脂には、熱伝導性を高めるために熱伝導性フィラーを含ませるようにしてもよい。   The insulating resin of the insulating resin layer 4 may contain a heat conductive filler in order to increase the heat conductivity.

図2(a)に示すように、穴部分4aを形成するための絶縁樹脂層4は、所定の厚さを有する絶縁性の部材である。この絶縁樹脂層4の厚さは、特に限定されないが、金属バンプ3の高さと同程度であることが好ましい。なお、後のプレス工程で加圧されることを考慮し、金属バンプ3の高さよりもやや厚いものであってもよい。   As shown in FIG. 2A, the insulating resin layer 4 for forming the hole portion 4a is an insulating member having a predetermined thickness. The thickness of the insulating resin layer 4 is not particularly limited, but is preferably about the same as the height of the metal bump 3. In consideration of pressurization in a subsequent pressing step, the metal bump 3 may be slightly thicker than the height.

絶縁樹脂層4における穴部分4aは、例えば以下のような形成方法によって形成することができる。
図2(b)に示すように、絶縁樹脂層4に穴部分4aを形成する際には、凸型の先端加工部30aを有するドリル或いはルーター等の加工器具30を用いてドリル加工を行う。
これにより、図2(c)の絶縁樹脂層4の上面図に示すように、絶縁樹脂層4の上面と下面とを貫通する円形の穴部分4aを形成する。
The hole 4a in the insulating resin layer 4 can be formed by the following forming method, for example.
As shown in FIG. 2B, when the hole portion 4a is formed in the insulating resin layer 4, drilling is performed using a processing tool 30 such as a drill or a router having a convex tip processing portion 30a.
Thereby, as shown in the top view of the insulating resin layer 4 in FIG. 2C, a circular hole portion 4a penetrating the upper and lower surfaces of the insulating resin layer 4 is formed.

なお、このようなドリル加工に代えて、金型を用いた金属プレス加工等の従来一般に行われているプレス加工、或いはトムソン刃により絶縁樹脂層4を打ち抜くことにより、穴部分4aを形成するようにしてもよい。   Instead of such drilling, the hole portion 4a is formed by punching the insulating resin layer 4 with a conventional press working such as metal pressing using a metal mold or a Thomson blade. It may be.

さらになお、この穴部分4aの形状は、図2(c)に示すように、絶縁樹脂層4の上方から見た場合に、上側の面が円形の円柱形状を想定しているが、この形状に限定される趣旨ではない。金属バンプ3の形状に適合させて、上側の面の形状が正方形、長方形、三角形状等であってもよく、何れの形状であってもよい。また、この円柱の形状も、絶縁樹脂層4の上側から下側まで同じ長さである必要はない。例えば、穴の形状は円錐台であってよい。   Furthermore, as shown in FIG. 2 (c), the shape of the hole portion 4a is assumed to be a cylindrical shape whose upper surface is circular when viewed from above the insulating resin layer 4. It is not intended to be limited to. According to the shape of the metal bump 3, the shape of the upper surface may be a square, a rectangle, a triangle, or the like, or any shape. In addition, the shape of the column need not be the same length from the upper side to the lower side of the insulating resin layer 4. For example, the shape of the hole may be a truncated cone.

金属層5は、特に限定されないが、銅箔とすることができる。銅箔としては、各種市販のものを使用することができる。   The metal layer 5 is not particularly limited, but can be a copper foil. Various commercially available copper foils can be used.

(1−5.プレス工程)
次に、図1(e)に示すように、金属層5上面を加熱及び加圧する(熱プレス)。これにより、ベース金属基板2と、絶縁樹脂層4と、金属層5とを圧着させる。
金属バンプ3の存在により、熱プレスによって金属層5が凹状に変形することに対応して金属バンプ3上に凸部Aが形成され、プレス工程では、凸部Aを有する積層体が形成される。
(1-5. Pressing process)
Next, as shown in FIG.1 (e), the upper surface of the metal layer 5 is heated and pressurized (hot press). Thereby, the base metal substrate 2, the insulating resin layer 4, and the metal layer 5 are pressure-bonded.
Due to the presence of the metal bump 3, a convex portion A is formed on the metal bump 3 in response to the metal layer 5 being deformed into a concave shape by hot pressing, and in the pressing step, a laminate having the convex portion A is formed. .

加熱及び加圧の方法としては、加熱加圧装置(熱ラミネータ、加熱プレス装置)等を用いて行えばよく、その際、空気の混入を避けるために、雰囲気を真空(真空ラミネータ等)にしてもよい。加熱温度、圧力等の諸条件は、絶縁樹脂層4の材料や厚さに応じて適宜設定すればよいが、圧力としては、例えば0.5MPa乃至30MPaとすることができる。   As a heating and pressurizing method, a heating / pressurizing device (thermal laminator, heating press device) or the like may be used. In this case, in order to avoid air contamination, the atmosphere is set to a vacuum (vacuum laminator, etc.). Also good. Various conditions such as heating temperature and pressure may be set as appropriate according to the material and thickness of the insulating resin layer 4, and the pressure may be set to 0.5 MPa to 30 MPa, for example.

シート材は、加熱プレス時に凹状変形を許容する材料であればよく、クッション紙、ゴムシート、エラストマーシート、不織布、織布、多孔質シート、発泡体シート、金属箔、これらの複合体等を挙げることができる。特に、クッション紙、ゴムシート、エラストマーシート、発泡体シート、これらの複合体等の弾性変形可能なものが好ましい。   The sheet material only needs to be a material that allows concave deformation at the time of heating press, and examples thereof include cushion paper, rubber sheet, elastomer sheet, nonwoven fabric, woven fabric, porous sheet, foam sheet, metal foil, and composites thereof. be able to. In particular, elastically deformable materials such as cushion paper, rubber sheets, elastomer sheets, foam sheets, and composites thereof are preferable.

(1−6.凸部除去工程)
次に、図1(f)に示すように、金属バンプ3上の凸部Aを除去する処理を行い、金属バンプ3の上面が露出されて平坦面Bが形成される。この凸部Aの除去の際には、金属層5上面と金属バンプ3上面とが平坦化するように、凸部Aを除去する。これにより、ベース金属基板2の底面から金属バンプ3の上面までの高さと、ベース金属基板2の底面から金属層5の上面までの高さとが同一となるようにする。
(1-6. Projection removal process)
Next, as shown in FIG. 1 (f), a process of removing the protrusion A on the metal bump 3 is performed, and the upper surface of the metal bump 3 is exposed to form a flat surface B. When removing the protrusion A, the protrusion A is removed so that the upper surface of the metal layer 5 and the upper surface of the metal bump 3 are flattened. Thus, the height from the bottom surface of the base metal substrate 2 to the top surface of the metal bump 3 is made equal to the height from the bottom surface of the base metal substrate 2 to the top surface of the metal layer 5.

凸部Aを除去する方法としては、研削、研磨等を挙げることができる。
例えば、ダイヤモンド製等の硬質刃を回転板の半径方向に複数配置した硬質回転刃を有する研削装置を使用する方法や、サンダ、ベルトサンダー、グラインダ、平面研削盤、硬質砥粒成形品等を用いる方法等が挙げられる。
研削装置を使用すると、硬質回転刃を回転させながら、固定支持された配線基板の上面に沿って移動させることによって、金属バンプ3の上面を平坦化することができる。
研磨の方法としては、例えば、ベルトサンダー、バフ研磨等により軽く研磨する方法が挙げられる。
Examples of the method for removing the convex portion A include grinding and polishing.
For example, a method using a grinding apparatus having a hard rotating blade in which a plurality of hard blades made of diamond or the like are arranged in the radial direction of the rotating plate, a sander, a belt sander, a grinder, a surface grinder, a hard abrasive molded product, or the like is used. Methods and the like.
When the grinding apparatus is used, the upper surface of the metal bump 3 can be flattened by moving the hard rotary blade along the upper surface of the wiring substrate fixedly supported.
Examples of the polishing method include a method of lightly polishing by a belt sander, buffing or the like.

(1−7.金属めっき工程)
次に、図1(g)に示すように、露出された、金属バンプ3上面、絶縁樹脂層4上面、及び金属層5上面を覆うように、例えば無電解めっき及び電解めっきにより、金属めっき層6を形成する。或いは、図示しないが、露出された金属バンプ3上面のみを金属めっきしてもよい。
金属めっき層6のめっき金属種としては、例えば銅、銀、ニッケル等が好ましい。金属めっき層6を形成する方法としては、例えば、エッチングレジストを使用してパターン形成するパネルめっき法や、パターンめっき用レジストを使用してめっきで形成するパターンめっき法等が挙げられる。
(1-7. Metal plating process)
Next, as shown in FIG. 1G, a metal plating layer is formed by, for example, electroless plating and electrolytic plating so as to cover the exposed metal bump 3 upper surface, insulating resin layer 4 upper surface, and metal layer 5 upper surface. 6 is formed. Alternatively, although not shown, only the exposed upper surface of the metal bump 3 may be metal-plated.
As the plating metal species of the metal plating layer 6, for example, copper, silver, nickel and the like are preferable. Examples of the method for forming the metal plating layer 6 include a panel plating method for forming a pattern using an etching resist, and a pattern plating method for forming by plating using a resist for pattern plating.

(1−8.レジスト配置工程(2))
次に、図1(h)に示すように、エッチングレジストN,N,Nをそれぞれ金属めっき層6の後述の第1周辺パターン部6a、第2周辺パターン部6b、パッド6cを形成する部分の上面に配置する。
(1-8. Resist placement step (2))
Next, as shown in FIG. 1H, etching resists N 1 , N 2 , and N 3 are formed to form a first peripheral pattern portion 6a, a second peripheral pattern portion 6b, and a pad 6c, which will be described later, of the metal plating layer 6, respectively. It arranges on the upper surface of the part to do.

(1−9.パターン形成工程)
次に、図1(i)に示すように、エッチングレジストN,N,Nによる所定のパターンで金属めっき層6を部分的にエッチングする。これにより、パターン部、すなわち、LEDチップが搭載されるパッド6c、及び、第1周辺パターン部6a、第2周辺パターン部6bを形成する。これにより、絶縁樹脂層4が、これらのパターン部が形成されていない部分(非パターン部4b)から露出されるようになる。
(1-9. Pattern formation step)
Next, as shown in FIG. 1I, the metal plating layer 6 is partially etched with a predetermined pattern by etching resists N 1 , N 2 , and N 3 . Thereby, the pattern part, that is, the pad 6c on which the LED chip is mounted, the first peripheral pattern part 6a, and the second peripheral pattern part 6b are formed. Thereby, the insulating resin layer 4 comes to be exposed from the part (non-pattern part 4b) in which these pattern parts are not formed.

この金属バンプ3を挟む第1周辺パターン部6a、第2周辺パターン部6bは、アノード又はカソードである電極とされる。
第1周辺パターン部6aがカソードを形成した場合は、第2周辺パターン部6bがアノードを形成する。アノード又はカソードの関係は、この逆であってもよい。
The first peripheral pattern portion 6a and the second peripheral pattern portion 6b sandwiching the metal bump 3 are electrodes that are anodes or cathodes.
When the first peripheral pattern portion 6a forms a cathode, the second peripheral pattern portion 6b forms an anode. The anode or cathode relationship may be reversed.

パッド6cの幅は、特に限定されないが、実装されるLEDチップの幅よりも小さくする必要がある。パッド6cの上面の形状は、四角形、円形等の何れでもよい。非パターン部4bの幅は、短絡を防止することができれば特に限定されない。   The width of the pad 6c is not particularly limited, but needs to be smaller than the width of the LED chip to be mounted. The shape of the upper surface of the pad 6c may be any of a quadrangle and a circle. The width of the non-pattern part 4b is not particularly limited as long as a short circuit can be prevented.

エッチングレジストN,N,Nを除去する方法としては、薬剤除去、剥離除去等、エッチングレジストN,N,Nの種類に応じて適宜選択すればよい。例えば、スクリーン印刷により形成された感光性のインクである場合、アルカリ等の薬品にて除去される。 As a method for removing the etching resist N 1, N 2, N 3 , drug removed, peeled off or the like may be appropriately selected depending on the type of the etching resist N 1, N 2, N 3 . For example, in the case of photosensitive ink formed by screen printing, it is removed with chemicals such as alkali.

(1−10.多層金属めっき(ニッケルめっき、パラジウムめっき、金めっき、銀めっき)工程)
図1(j)に示すように、第1周辺パターン部6a上に、第1電極側ニッケルめっき層7a、第1電極側パラジウムめっき層8a、第1電極側金めっき層9aを順に形成することで、第1電極部13を構成する。
また、第2周辺パターン部6b上に、第2電極側ニッケルめっき層7b、第2電極側パラジウムめっき層8b、第2電極側金めっき層9bを順に形成することで、第2電極部14を構成する。
また、パッド6c上には、LED側ニッケルめっき層7c、LED側パラジウムめっき層8c、LED側金めっき層9c、LED側銀めっき層10を順に形成する。
(1-10. Multi-layer metal plating (nickel plating, palladium plating, gold plating, silver plating) process)
As shown in FIG. 1 (j), a first electrode side nickel plating layer 7a, a first electrode side palladium plating layer 8a, and a first electrode side gold plating layer 9a are sequentially formed on the first peripheral pattern portion 6a. Thus, the first electrode portion 13 is configured.
Further, the second electrode portion 14 is formed by sequentially forming the second electrode side nickel plating layer 7b, the second electrode side palladium plating layer 8b, and the second electrode side gold plating layer 9b on the second peripheral pattern portion 6b. Configure.
On the pad 6c, an LED side nickel plating layer 7c, an LED side palladium plating layer 8c, an LED side gold plating layer 9c, and an LED side silver plating layer 10 are formed in this order.

これらの多層金属めっき(ニッケルめっき、パラジウムめっき、金めっき、銀めっき)について、以下に詳述する。   These multilayer metal plating (nickel plating, palladium plating, gold plating, silver plating) will be described in detail below.

LED側銀めっき層10は、回路基板にLEDチップを搭載してなるLEDモジュールにおいて、LEDチップが発光する光の反射効率を高めるために形成されるものである。LED側銀めっき層10を形成するめっき処理としては、電解銀めっきでも無電解銀めっきのいずれでもよいが、高い反射率を実現するためには、電解銀めっきが望ましく、厚さは0.1μm乃至10μmが望ましい。
電解銀めっきを行う場合、ベース金属基板2(銅板等)より電極をとり、導通しているパッド6cに対して選択的に電解めっきを行う。
The LED side silver plating layer 10 is formed in order to improve the reflection efficiency of the light which a LED chip light-emits in the LED module which mounts an LED chip on a circuit board. The plating treatment for forming the LED side silver plating layer 10 may be either electrolytic silver plating or electroless silver plating, but in order to achieve high reflectivity, electrolytic silver plating is desirable and the thickness is 0.1 μm. It is desirable to be 10 μm.
When performing electrolytic silver plating, an electrode is taken from the base metal substrate 2 (copper plate or the like), and the electrolytic plating is selectively performed on the conductive pad 6c.

LED側ニッケルめっき層7cは、金属層5及びパッド6c(銅層等)からのLED側銀めっき層10内部への金属(銅等)の拡散を抑えるために形成するものである。LED側ニッケルめっき層7cは、電解めっき又は無電解めっきにより、0.1μm乃至30μmの厚みに形成される。なお、LED側ニッケルめっき層7cは、必ずしも形成しなくてもよい。   The LED side nickel plating layer 7c is formed to suppress diffusion of metal (copper or the like) from the metal layer 5 and the pad 6c (copper layer or the like) into the LED side silver plating layer 10 inside. The LED side nickel plating layer 7c is formed to a thickness of 0.1 μm to 30 μm by electrolytic plating or electroless plating. Note that the LED-side nickel plating layer 7c is not necessarily formed.

第1周辺パターン部6a、第2周辺パターン部6bの上方には、後述するように、金属ワイヤ(金線)(後に図4で示す第1金属ワイヤ42a、第2金属ワイヤ42b)をワイヤボンディングする。このため、ワイヤボンディングにおける信頼性を向上させるために、第1周辺パターン部6a、第2周辺パターン部6bに、それぞれ第1電極側ニッケルめっき層7a、第2電極側ニッケルめっき層7bを形成し、第1電極側ニッケルめっき層7a、第2電極側ニッケルめっき層7b上に、それぞれ第1電極側パラジウムめっき層8a、第2電極側パラジウムめっき層8bを形成し、第1電極側パラジウムめっき層8a、第2電極側パラジウムめっき層8b上に、それぞれ第1電極側金めっき層9a,第2電極側金めっき層9bを形成する。
第1電極側ニッケルめっき層7a、第2電極側ニッケルめっき層7bは、無電解めっきで、第1周辺パターン部6a、第2周辺パターン部6b上に、例えば0.1μm乃至30μm厚みでそれぞれ形成するものである。
第1電極側パラジウムめっき層8a、第2電極側パラジウムめっき層8bは、無電解めっきで、第1電極側ニッケルめっき層7a、第2電極側ニッケルめっき層7b上に、例えば0.01μm乃至5μm厚みでそれぞれ形成するものである。
第1電極側金めっき層9a、第2電極側金めっき層9bは、無電解めっきで、第1電極側パラジウムめっき層8a、第2電極側パラジウムめっき層8b上に、例えば0.0001μm乃至5μm厚みでそれぞれ形成するものである。
As will be described later, metal wires (gold wires) (first metal wire 42a and second metal wire 42b shown in FIG. 4 later) are wire-bonded above the first peripheral pattern portion 6a and the second peripheral pattern portion 6b. To do. Therefore, in order to improve the reliability in wire bonding, the first electrode side nickel plating layer 7a and the second electrode side nickel plating layer 7b are formed on the first peripheral pattern portion 6a and the second peripheral pattern portion 6b, respectively. The first electrode side palladium plating layer 8b and the second electrode side palladium plating layer 8b are formed on the first electrode side nickel plating layer 7a and the second electrode side nickel plating layer 7b, respectively. A first electrode side gold plating layer 9a and a second electrode side gold plating layer 9b are respectively formed on 8a and the second electrode side palladium plating layer 8b.
The first electrode side nickel plating layer 7a and the second electrode side nickel plating layer 7b are formed by electroless plating, for example, with a thickness of 0.1 μm to 30 μm on the first peripheral pattern portion 6a and the second peripheral pattern portion 6b, respectively. To do.
The first electrode side palladium plating layer 8a and the second electrode side palladium plating layer 8b are electroless plating, for example, 0.01 μm to 5 μm on the first electrode side nickel plating layer 7a and the second electrode side nickel plating layer 7b. Each is formed with a thickness.
The first electrode side gold plating layer 9a and the second electrode side gold plating layer 9b are electroless plating, for example, 0.0001 μm to 5 μm on the first electrode side palladium plating layer 8a and the second electrode side palladium plating layer 8b. Each is formed with a thickness.

なお、第1電極側ニッケルめっき層7a、第2電極側ニッケルめっき層7b、第1電極側パラジウムめっき層8a、第2電極側パラジウムめっき層8b、第1電極側金めっき層9a、第2電極側金めっき層9bは、必ずしも形成しなくてもよい。また、第1電極側ニッケルめっき層7a、第2電極側ニッケルめっき層7b上に、第1電極側金めっき層9a、第2電極側金めっき層9bをそれぞれ直接形成するようにしてもよい。しかしながら、ワイヤボンディングにおいてより一層の信頼性の向上を図るためには、第1電極側ニッケルめっき層7aと第1電極側金めっき層9aとの間に第1電極側パラジウムめっき層8aを、また、第2電極側ニッケルめっき層7bと第2電極側金めっき層9bとの間に第2電極側パラジウムめっき層8bを形成するようにすることが望ましい。   In addition, the 1st electrode side nickel plating layer 7a, the 2nd electrode side nickel plating layer 7b, the 1st electrode side palladium plating layer 8a, the 2nd electrode side palladium plating layer 8b, the 1st electrode side gold plating layer 9a, the 2nd electrode The side gold plating layer 9b is not necessarily formed. Alternatively, the first electrode side gold plating layer 9a and the second electrode side gold plating layer 9b may be directly formed on the first electrode side nickel plating layer 7a and the second electrode side nickel plating layer 7b, respectively. However, in order to further improve the reliability in wire bonding, the first electrode side palladium plating layer 8a is provided between the first electrode side nickel plating layer 7a and the first electrode side gold plating layer 9a. The second electrode side palladium plating layer 8b is preferably formed between the second electrode side nickel plating layer 7b and the second electrode side gold plating layer 9b.

LED側ニッケルめっき層7c、LED側パラジウムめっき層8c、LED側金めっき層9cは、第1周辺パターン部6a、第2周辺パターン部6b上のめっき処理と同様の処理により、パッド6c上に順に、同様の厚みで形成するものである。なお、LED側ニッケルめっき層7c、LED側パラジウムめっき層8c、LED側金めっき層9cは、必ずしも形成しなくてもよい。   The LED side nickel plating layer 7c, the LED side palladium plating layer 8c, and the LED side gold plating layer 9c are sequentially formed on the pad 6c by the same process as the plating process on the first peripheral pattern part 6a and the second peripheral pattern part 6b. These are formed with the same thickness. Note that the LED-side nickel plating layer 7c, the LED-side palladium plating layer 8c, and the LED-side gold plating layer 9c are not necessarily formed.

なお、このような多層めっき処理に代え、処理工程の簡略化のために、第1周辺パターン部6a、第2周辺パターン部6b上、パッド6c上には、電解めっきにより、第1電極側ニッケルめっき層7a、第2電極側ニッケルめっき層7b、LED側ニッケルめっき層7cをそれぞれ形成し、第1電極側ニッケルめっき層7a、第2電極側ニッケルめっき層7b、LED側ニッケルめっき層7c上に、電解めっきにより、第1電極側銀めっき層10a、第2電極側銀めっき層10b、LED側銀めっき層10をそれぞれ形成するようにしてもよい。   In place of such a multilayer plating process, the first electrode side nickel is formed on the first peripheral pattern portion 6a, the second peripheral pattern portion 6b, and the pad 6c by electrolytic plating in order to simplify the processing process. A plating layer 7a, a second electrode-side nickel plating layer 7b, and an LED-side nickel plating layer 7c are respectively formed on the first electrode-side nickel plating layer 7a, the second electrode-side nickel plating layer 7b, and the LED-side nickel plating layer 7c. The first electrode side silver plating layer 10a, the second electrode side silver plating layer 10b, and the LED side silver plating layer 10 may be formed by electrolytic plating.

(1−11.酸化亜鉛処理工程)
次に、亜鉛が溶解された加温硝酸溶液中に多層金属めっき処理がされた回路基板(図1(j))を浸漬し、ベース金属基板2より陰極の電極をとり、電解処理を行う。
これにより、図1(k)に示すように、金属バンプ3の上方のLED側銀めっき層10上に表面酸化亜鉛皮膜11を形成する。この表面酸化亜鉛皮膜11を形成することで、回路基板のLEDチップを搭載する側においてLED側銀めっき層10が大気中の硫黄によって腐食されるのを抑制することができる。
(1-11. Zinc oxide treatment step)
Next, the circuit board (FIG. 1 (j)) that has been subjected to the multilayer metal plating process is immersed in a heated nitric acid solution in which zinc is dissolved, and a cathode electrode is taken from the base metal board 2 to perform an electrolytic process.
Thereby, as shown in FIG.1 (k), the surface zinc oxide film | membrane 11 is formed on the LED side silver plating layer 10 above the metal bump 3. As shown in FIG. By forming this surface zinc oxide film 11, it is possible to suppress the LED side silver plating layer 10 from being corroded by sulfur in the atmosphere on the side of the circuit board on which the LED chip is mounted.

なお、図1(l)に示すように、ベース金属基板2の裏面側及び金属バンプ3上側の両方を陰極として電解処理することにより、金属バンプ3上方に表面酸化亜鉛皮膜11を形成するとともに、さらに、ベース金属基板2の裏面上に裏面酸化亜鉛皮膜12を形成するようにしてもよい。これにより、回路基板のLEDチップを搭載する側だけでなく、ベース金属基板2の裏面側も、ベース金属基板2を構成する金属(例えば銅)が大気中の不純物(硫黄、酸素等)により腐食されるのを抑制することができる。   As shown in FIG. 1 (l), by performing electrolytic treatment using both the back side of the base metal substrate 2 and the upper side of the metal bump 3 as a cathode, a surface zinc oxide film 11 is formed above the metal bump 3, Further, the back surface zinc oxide film 12 may be formed on the back surface of the base metal substrate 2. As a result, the metal (for example, copper) constituting the base metal substrate 2 is corroded by impurities (sulfur, oxygen, etc.) in the atmosphere on the back side of the base metal substrate 2 as well as the side on which the LED chip is mounted on the circuit board Can be suppressed.

加温硝酸溶液としては、亜鉛濃度が1g/L〜10g/L、pH4乃至pH6程度の硝酸溶液であることが好ましく、溶液温度は、室温(10乃至28℃程度)乃至80℃程度が好ましく、40℃乃至60℃程度がより好ましい。
なお、このような酸化亜鉛皮膜を形成する電解処理(酸化亜鉛処理)を行う前に、回路基板の銀めっき層の表面を硝酸によって洗浄する処理を行うようにしてもよい。
陽極には亜鉛板を用いる。電流密度は0.01A/dm乃至0.1A/dm程度が望ましく、電解時間は、1分以内で酸化亜鉛皮膜が十分に形成される。実際の電解時間は、5秒程度でよく、厚さ数nm〜数百nmの薄い酸化亜鉛皮膜でよい。このような薄い酸化亜鉛皮膜であっても、大気中の硫黄による腐食を十分に抑制することができる。
The heated nitric acid solution is preferably a nitric acid solution having a zinc concentration of 1 g / L to 10 g / L and a pH of about 4 to pH 6, and the solution temperature is preferably room temperature (about 10 to 28 ° C.) to about 80 ° C. About 40 to 60 ° C. is more preferable.
In addition, you may make it perform the process which wash | cleans the surface of the silver plating layer of a circuit board with nitric acid before performing the electrolytic process (zinc oxide process) which forms such a zinc oxide film | membrane.
A zinc plate is used for the anode. The current density was 0.01 A / dm 2 to 0.1 A / dm 2 about desirably, electrolysis time is zinc oxide film within one minute is sufficiently formed. The actual electrolysis time may be about 5 seconds, and may be a thin zinc oxide film having a thickness of several nanometers to several hundred nanometers. Even with such a thin zinc oxide film, corrosion due to sulfur in the atmosphere can be sufficiently suppressed.

このように、パッド6c上において、LED側ニッケルめっき層7c、LED側パラジウムめっき層8c、LED側金めっき層9c、LED側銀めっき層10を順に形成し、LED側銀めっき層10表面に表面酸化亜鉛皮膜11を形成することにより、LED搭載部15を構成する。   Thus, on the pad 6c, the LED side nickel plating layer 7c, the LED side palladium plating layer 8c, the LED side gold plating layer 9c, and the LED side silver plating layer 10 are formed in this order, and the surface is formed on the surface of the LED side silver plating layer 10 The LED mounting portion 15 is configured by forming the zinc oxide film 11.

<第2の実施形態>
次に、第2の実施形態の回路基板を製造する製造工程の一例について説明する。なお、第1の実施形態と同一の処理については説明を省略する。
この第2の実施形態の回路基板の製造工程は、以下の順序による各工程からなる。
2−1.準備工程
2−2.レジスト配置工程(1)
2−3.バンプ形成工程
2−4.層配置工程
2−5.プレス工程
2−6.凸部除去工程
2−7.金属めっき工程
2−8.レジスト配置工程(2)
2−9.パターン形成工程
2−10.多層金属めっき(ニッケル、パラジウム、金、銀めっき)工程
2−11.酸化亜鉛処理工程
<Second Embodiment>
Next, an example of a manufacturing process for manufacturing the circuit board according to the second embodiment will be described. Note that description of the same processing as in the first embodiment is omitted.
The manufacturing process of the circuit board according to the second embodiment includes the following processes.
2-1. Preparation step 2-2. Resist placement process (1)
2-3. Bump formation process 2-4. Layer arrangement step 2-5. Pressing step 2-6. Convex part removal process 2-7. Metal plating step 2-8. Resist placement process (2)
2-9. Pattern forming step 2-10. Multi-layer metal plating (nickel, palladium, gold, silver plating) step 2-11. Zinc oxide treatment process

(2−1.準備工程)
まず、図3(a)に示すように、後のバンプ形成工程でベース金属基板2及び金属バンプ3を形成するための金属板1を準備する。
(2-1. Preparation process)
First, as shown in FIG. 3A, a metal plate 1 for forming a base metal substrate 2 and metal bumps 3 in a later bump formation step is prepared.

(2−2.レジスト配置工程(1))
次に、エッチングレジストMを、図3(b)に示すように、金属板1上の金属バンプ3を形成する位置に配置する。
(2−3.バンプ形成工程)
次に、図3(c)に示すように、エッチングレジストMを用いて、金属板1の選択的なエッチングを行うことにより、回路基板上におけるLEDチップの搭載位置に金属バンプ(柱状金属部)3を形成する。
(2-2. Resist placement step (1))
Next, as shown in FIG. 3B, the etching resist M is disposed at a position where the metal bump 3 is formed on the metal plate 1.
(2-3. Bump formation process)
Next, as shown in FIG. 3C, by selectively etching the metal plate 1 using the etching resist M, metal bumps (columnar metal portions) are formed on the LED chip mounting position on the circuit board. 3 is formed.

(2−4.層配置工程)
次に、図3(d)に示すように、ベース金属基板2上に絶縁樹脂層400を配置し、その絶縁樹脂層400上に金属層5を配置する。
絶縁樹脂層400は、第1の実施形態で用いた絶縁樹脂層4とは異なり、穴部分4aが形成されていない単層構造であるが、それ以外の点(材料、サイズ等)については絶縁樹脂層4と同じ構成である。この絶縁樹脂層400を構成する絶縁性材料は、特に限定されず、上述の絶縁樹脂層4を構成する材料として挙げた何れの材料でもよい。絶縁樹脂層400としては、上述の絶縁樹脂層4と同様に、複合体(プリプレグ)を好ましく適用することができる。
(2-4. Layer arrangement process)
Next, as illustrated in FIG. 3D, the insulating resin layer 400 is disposed on the base metal substrate 2, and the metal layer 5 is disposed on the insulating resin layer 400.
Unlike the insulating resin layer 4 used in the first embodiment, the insulating resin layer 400 has a single-layer structure in which the hole portion 4a is not formed. However, other points (material, size, etc.) are insulated. The configuration is the same as that of the resin layer 4. The insulating material constituting the insulating resin layer 400 is not particularly limited, and any of the materials mentioned as the material constituting the insulating resin layer 4 described above may be used. As the insulating resin layer 400, a composite body (prepreg) can be preferably applied as in the case of the insulating resin layer 4 described above.

(2−5.プレス工程)
次に、図3(e)に示すように、金属層5上面を加熱及び加圧する(熱プレス)。これにより、ベース金属基板2と、絶縁樹脂層400と、金属層5とを圧着させて張り合わせる。その結果、金属バンプ3上に絶縁樹脂層400及び金属層5による凸部A’を有する積層体が形成される。
(2-5. Pressing process)
Next, as shown in FIG.3 (e), the upper surface of the metal layer 5 is heated and pressurized (hot press). Accordingly, the base metal substrate 2, the insulating resin layer 400, and the metal layer 5 are bonded together by pressure bonding. As a result, a laminated body having a convex portion A ′ made of the insulating resin layer 400 and the metal layer 5 is formed on the metal bump 3.

(2−6.凸部除去工程)
次に、図3(f)に示すように、金属バンプ3上の凸部A’を除去する処理を行い、金属バンプ3の上面が露出されて平坦面Bが形成される。
(2-6. Projection removal step)
Next, as shown in FIG. 3F, a process of removing the protrusion A ′ on the metal bump 3 is performed, and the upper surface of the metal bump 3 is exposed to form a flat surface B.

(2−7.めっき工程)
次に、図3(g)に示すように、露出された、金属バンプ3上面、絶縁樹脂層4上面、及び金属層5上面を覆うように、例えば無電解めっき及び電解めっきにより、金属めっき層6を形成する。或いは、図示しないが、露出された金属バンプ3上面のみに金属めっき層6を形成するようにしてもよい。
(2-7. Plating process)
Next, as shown in FIG. 3G, a metal plating layer is formed by, for example, electroless plating and electrolytic plating so as to cover the exposed metal bump 3 upper surface, insulating resin layer 4 upper surface, and metal layer 5 upper surface. 6 is formed. Alternatively, although not shown, the metal plating layer 6 may be formed only on the upper surface of the exposed metal bump 3.

(2−8.レジスト配置工程(2))
次に、図3(h)に示すように、エッチングレジストN,N,Nをそれぞれ金属めっき層6の第1周辺パターン部6a、第2周辺パターン部6b、パッド6cを形成する部分の上面に配置する。
(2-8. Resist placement step (2))
Next, as shown in FIG. 3H, etching resists N 1 , N 2 , and N 3 are formed on the metal plating layer 6 to form the first peripheral pattern portion 6a, the second peripheral pattern portion 6b, and the pad 6c, respectively. Place on the top surface.

(2−9.パターン形成工程)
次に、図3(i)に示すように、エッチングレジストN,N,Nによる所定のパターンで金属めっき層6を部分的にエッチングする。これにより、パッド6c、及び、第1周辺パターン部6a、第2周辺パターン部6bを形成し、さらには、絶縁樹脂層4が、非パターン部4bから露出されるようになる。
(2-9. Pattern formation step)
Next, as shown in FIG. 3I, the metal plating layer 6 is partially etched with a predetermined pattern using etching resists N 1 , N 2 , and N 3 . Thus, the pad 6c, the first peripheral pattern portion 6a, and the second peripheral pattern portion 6b are formed, and further, the insulating resin layer 4 is exposed from the non-pattern portion 4b.

(2−10.多層金属めっき(ニッケル、パラジウム、金、銀めっき)工程)
図3(j)に示すように、第1周辺パターン部6a上に、第1電極側ニッケルめっき層7a、第1電極側パラジウムめっき層8a、第1電極側金めっき層9aを順に形成することで、第1電極部13を構成する。
また、第2周辺パターン部6b上に、第2電極側ニッケルめっき層7b、第2電極側パラジウムめっき層8b、第2電極側金めっき層9bを順に形成することで、第2電極部14を構成する。
また、パッド6c上には、LED側ニッケルめっき層7c、LED側パラジウムめっき層8c、LED側金めっき層9c、LED側銀めっき層10を順に形成する。
(2-10. Multi-layer metal plating (nickel, palladium, gold, silver plating) process)
As shown in FIG. 3 (j), the first electrode side nickel plating layer 7a, the first electrode side palladium plating layer 8a, and the first electrode side gold plating layer 9a are sequentially formed on the first peripheral pattern portion 6a. Thus, the first electrode portion 13 is configured.
Further, the second electrode portion 14 is formed by sequentially forming the second electrode side nickel plating layer 7b, the second electrode side palladium plating layer 8b, and the second electrode side gold plating layer 9b on the second peripheral pattern portion 6b. Configure.
On the pad 6c, an LED side nickel plating layer 7c, an LED side palladium plating layer 8c, an LED side gold plating layer 9c, and an LED side silver plating layer 10 are formed in this order.

(2−11.酸化亜鉛処理工程)
次に、亜鉛が溶解された加温硝酸溶液中に多層金属めっき処理がされた回路基板(図3(j))を浸漬し、ベース金属基板2より陰極の電極をとり、電解処理を行う。これにより、図3(k)に示すように、金属バンプ3の上方のLED側銀めっき層10上に表面酸化亜鉛皮膜11を形成する。
(2-11. Zinc oxide treatment step)
Next, the circuit board (FIG. 3 (j)) that has been subjected to the multilayer metal plating process is immersed in a heated nitric acid solution in which zinc is dissolved, and a cathode electrode is taken from the base metal board 2 to perform electrolytic treatment. As a result, a surface zinc oxide film 11 is formed on the LED-side silver plating layer 10 above the metal bump 3 as shown in FIG.

このように、パッド6c上において、LED側ニッケルめっき層7c、LED側パラジウムめっき層8c、LED側金めっき層9c、LED側銀めっき層10を順に形成し、LED側銀めっき層10表面に表面酸化亜鉛皮膜11を形成することにより、LED搭載部15を構成する。   Thus, on the pad 6c, the LED side nickel plating layer 7c, the LED side palladium plating layer 8c, the LED side gold plating layer 9c, and the LED side silver plating layer 10 are formed in this order, and the surface is formed on the surface of the LED side silver plating layer 10 The LED mounting portion 15 is configured by forming the zinc oxide film 11.

なお、図3(l)に示すように、ベース金属基板2の裏面側及び金属バンプ3上側の両方を陰極として電解処理することにより、金属バンプ3上方に表面酸化亜鉛皮膜11を形成するとともに、さらに、ベース金属基板2の裏面上に裏面酸化亜鉛皮膜12を形成するようにしてもよい。   As shown in FIG. 3 (l), the surface zinc oxide film 11 is formed above the metal bump 3 by electrolytically treating both the back side of the base metal substrate 2 and the upper side of the metal bump 3 as a cathode, Further, the back surface zinc oxide film 12 may be formed on the back surface of the base metal substrate 2.

<LEDモジュール>
第1の実施形態又は第2の実施形態で製造した回路基板上にLEDチップを搭載し、LEDモジュールを製造する方法の一例について説明する。なお、この方法は、特に限定されるものではない。
例えば図4に示すように、LEDチップ41をLED搭載部15上(表面酸化亜鉛皮膜11上)に搭載する。なお、簡略のために、図4では、LEDチップを1つのLEDチップ41として図示しているが、実際は、LEDチップを多数搭載するのが通常である。
LEDチップ41と、第1電極部13及び第2電極部14とは、それぞれ第1金属ワイヤ42a、第2金属ワイヤ42bによるワイヤボンディングにより強固に接続する。
なお、これに代えて、パッド6c、及び、第1周辺パターン部6a、第2周辺パターン部6bの両方に対してソルダにより接続するようにしてもよい。或いは、導電性ペースト、異方性導電膜等によって、LEDチップ41とパッド6cとを電気的に接続することも可能である。
そして、回路基板のLEDチップ41の搭載面をレンズ形状の封止樹脂(レンズ樹脂43)で封止する。これにより、図4に示すLEDモジュール50を製造する。
<LED module>
An example of a method for manufacturing an LED module by mounting an LED chip on the circuit board manufactured in the first embodiment or the second embodiment will be described. This method is not particularly limited.
For example, as shown in FIG. 4, the LED chip 41 is mounted on the LED mounting portion 15 (on the surface zinc oxide film 11). For simplicity, FIG. 4 shows an LED chip as one LED chip 41, but in practice, a large number of LED chips are usually mounted.
The LED chip 41 is firmly connected to the first electrode portion 13 and the second electrode portion 14 by wire bonding using the first metal wire 42a and the second metal wire 42b, respectively.
Instead of this, the pads 6c and both the first peripheral pattern portion 6a and the second peripheral pattern portion 6b may be connected by solder. Alternatively, the LED chip 41 and the pad 6c can be electrically connected by a conductive paste, an anisotropic conductive film, or the like.
Then, the mounting surface of the LED chip 41 on the circuit board is sealed with a lens-shaped sealing resin (lens resin 43). Thereby, the LED module 50 shown in FIG. 4 is manufactured.

回路基板のLEDチップ41の搭載面を封止するレンズ樹脂43は、LEDチップ41が発光する光を透過するとともに、LEDチップ41の発熱に対する耐熱性を有する透明な合成樹脂であることが好ましい。レンズ樹脂43としては、例えば熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂等を挙げることができる。   The lens resin 43 that seals the mounting surface of the LED chip 41 on the circuit board is preferably a transparent synthetic resin that transmits light emitted from the LED chip 41 and has heat resistance against the heat generated by the LED chip 41. Examples of the lens resin 43 include a thermoplastic resin, a thermosetting resin, and a photocurable resin.

より具体的に、レンズ樹脂43としては、例えばメタアクリル樹脂、スチレン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、フェノキシ樹脂、ブチラール樹脂、セルロース樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂等の単体又は混合体を挙げることができる。
セルロース樹脂としては、例えばエチルセルロース、セルロースアセテート、セルロースアセテートブチレート等を挙げることができる。
More specifically, examples of the lens resin 43 include methacrylic resin, styrene resin, polycarbonate resin, polyester resin, phenoxy resin, butyral resin, cellulose resin, epoxy resin, phenol resin, and silicone resin. be able to.
Examples of the cellulose resin include ethyl cellulose, cellulose acetate, and cellulose acetate butyrate.

また、レンズ樹脂43には、発光強度を向上させるとともに実用上の発光色を確立させるため、蛍光体を含有させることが好ましい。蛍光体としては、黄色発光蛍光体、赤色発光蛍光体、緑色発光蛍光体、それらの間の色を発光する蛍光体を挙げることができる。
このような蛍光体は、無機物、有機物の何れの蛍光体であってもよい。無機物の蛍光体としては、例えば、酸化物蛍光体、窒化物蛍光体、酸窒化物蛍光体、シリケート蛍光体等を挙げることができる。
The lens resin 43 preferably contains a phosphor in order to improve the emission intensity and to establish a practical emission color. Examples of the phosphor include a yellow light-emitting phosphor, a red light-emitting phosphor, a green light-emitting phosphor, and a phosphor that emits a color between them.
Such phosphors may be inorganic or organic phosphors. Examples of inorganic phosphors include oxide phosphors, nitride phosphors, oxynitride phosphors, and silicate phosphors.

黄色発光蛍光体としては、例えば、Yを含み、Ce又はPrで賦活されたイットリウム・アルミニウムガーネット酸化物蛍光体、(Ba,Ca,Sr)SiO:Euで表わされるユーロピウム賦活アルカリ土類金属シリケート蛍光体、Si12−(m+n)Al(m+n)16−nで表されるαサイアロン蛍光体等を挙げることができる。 Examples of the yellow light-emitting phosphor include Y and an yttrium aluminum garnet oxide phosphor activated with Ce or Pr, a europium-activated alkaline earth metal represented by (Ba, Ca, Sr) 2 SiO 4 : Eu silicate phosphor can be cited Si 12- (m + n) Al (m + n) n 16-n O n represented by α-sialon phosphor and the like.

赤色発光蛍光体としては、例えば、(Ba,Ca,Sr)SiO:Euで表されるユーロピウム賦活アルカリ土類金属シリケート蛍光体、(Mg、Ca、Sr、Ba)Si:Euで表されるユーロピウム賦活アルカリ土類シリコンナイトライド蛍光体、(Y、La、Gd、Lu)S:Euで表されるユーロピウム賦活希土類オキシカルコゲナイト蛍光体等を挙げることができる。 Examples of the red light-emitting phosphor include, for example, a europium-activated alkaline earth metal silicate phosphor represented by (Ba, Ca, Sr) 2 SiO 4 : Eu, (Mg, Ca, Sr, Ba) 2 Si 5 N 8 : Examples include a europium activated alkaline earth silicon nitride phosphor represented by Eu, a europium activated rare earth oxychalcogenite phosphor represented by (Y, La, Gd, Lu) 2 O 2 S: Eu, and the like. .

緑色発光蛍光体としては、例えば、(Mg、Ca、Sr、Ba)Si:Euで表されるユーロピウム賦活アルカリ土類シリコンオキシナイトライド蛍光体、(Ba、Ca、Sr)SiO:Euで表されるユーロピウム賦活アルカリ土類マグネシウムシリケート蛍光体、Si6−ZAl8−Zで表されるβサイアロン蛍光体等を挙げることができる。 Examples of the green light emitting phosphor include, for example, a europium activated alkaline earth silicon oxynitride phosphor represented by (Mg, Ca, Sr, Ba) Si 2 O 2 N 2 : Eu, (Ba, Ca, Sr) 2. Examples include a europium activated alkaline earth magnesium silicate phosphor represented by SiO 4 : Eu, a β sialon phosphor represented by Si 6-Z Al Z N 8—Z O Z , and the like.

このように構成されるLEDモジュール50は、単体もしくは複数個配列されることでLED発光装置とされる。   The LED module 50 configured as described above is used as an LED light emitting device by arranging a single unit or a plurality of LED modules.

<第3の実施形態>
第3の実施形態の回路基板(LEDパッケージ用回路基板)を製造する製造工程の一例について説明する。なお、第1の実施形態(又は第2の実施形態)と同一の処理については説明を省略する。
この第3の実施形態の回路基板の製造工程は、以下の順序による各工程からなる。
3−1.準備工程
3−2.レジスト配置工程(1)
3−3.回路形成工程
3−4.層配置工程
3−5.プレス工程
3−6.凸部除去工程
3−7.金属めっき工程
3−8.レジスト配置工程(2)
3−9.表面パターン形成工程
3−10.レジスト配置工程(3)
3−11.裏面パターン形成工程
3−12.多層金属めっき(ニッケル、パラジウム、金、銀めっき)工程
3−13.酸化亜鉛処理工程
<Third Embodiment>
An example of a manufacturing process for manufacturing the circuit board (LED package circuit board) of the third embodiment will be described. In addition, description is abbreviate | omitted about the process same as 1st Embodiment (or 2nd Embodiment).
The circuit board manufacturing process of the third embodiment includes the following processes in the following order.
3-1. Preparation step 3-2. Resist placement process (1)
3-3. Circuit formation step 3-4. Layer arrangement step 3-5. Pressing step 3-6. Convex part removal process 3-7. Metal plating step 3-8. Resist placement process (2)
3-9. Surface pattern formation step 3-10. Resist placement process (3)
3-11. Back surface pattern forming step 3-12. Multi-layer metal plating (nickel, palladium, gold, silver plating) step 3-13. Zinc oxide treatment process

(3−1.準備工程)
まず、図5(a)に示すように、後のバンプ形成工程でベース金属基板62、第1回路部63a、第2回路部63b、及び金属バンプ63cを形成するための金属板61を準備する。
(3-1. Preparation process)
First, as shown in FIG. 5A, a metal plate 61 for forming the base metal substrate 62, the first circuit portion 63a, the second circuit portion 63b, and the metal bump 63c is prepared in a later bump formation step. .

(3−2.レジスト配置工程(1))
次に、図5(b)に示すように、エッチングレジストP,P,Pを、金属板61上の後述の第1回路部63a、第2回路部63b、金属バンプ63cをそれぞれ形成する位置に配置する。
(3-2. Resist placement step (1))
Next, as shown in FIG. 5B, etching resists P 1 , P 2 , and P 3 are formed, and later-described first circuit portion 63a, second circuit portion 63b, and metal bump 63c are formed on the metal plate 61, respectively. Place it at the position you want.

(3−3.回路形成工程)
次に、図5(c)に示すように、エッチングレジストP,P,Pを用いて、金属板61の選択的なエッチングを行う。これにより、回路基板上におけるLEDチップの搭載位置に金属バンプ(柱状金属部)63cを形成するとともに、第1回路部63a、第2回路部63bを形成する。
(3-3. Circuit formation process)
Next, as shown in FIG. 5C, the metal plate 61 is selectively etched using the etching resists P 1 , P 2 , and P 3 . Thereby, the metal bump (columnar metal part) 63c is formed at the mounting position of the LED chip on the circuit board, and the first circuit part 63a and the second circuit part 63b are formed.

金属バンプ63cを形成した回路基板とすることで、後に、放熱性の高いLEDパッケージを得ることができる。また、金属バンプ63cの上面の面積(バンプ面積)を従来よりも大きいもの(例えば9mm以上の面積)とすることにより、LEDパッケージにおいて、より高い放熱性を確保することができる。 By using the circuit board on which the metal bumps 63c are formed, an LED package with high heat dissipation can be obtained later. Further, by making the area (bump area) of the upper surface of the metal bump 63c larger (eg, an area of 9 mm 2 or more) than before, higher heat dissipation can be ensured in the LED package.

(3−4.層配置工程)
次に、図5(d)に示すように、ベース金属基板62上に絶縁樹脂層64を配置し、その絶縁樹脂層64上に金属層65を配置する。
絶縁樹脂層64としては、第1回路部63a、第2回路部63b、金属バンプ63cの形状にそれぞれ対応した柱状の第1穴部分64a、第2穴部分64b、第3穴部分64cが形成されたものを用いる。この層配置工程では、絶縁樹脂層64の第1穴部分64aに第1回路部63aを、第2穴部分64bに第2回路部63bを、第3穴部分64cに金属バンプ63cをそれぞれ挿入する金属部挿入工程を有する。
(3-4. Layer arrangement process)
Next, as illustrated in FIG. 5D, the insulating resin layer 64 is disposed on the base metal substrate 62, and the metal layer 65 is disposed on the insulating resin layer 64.
As the insulating resin layer 64, columnar first hole portions 64a, second hole portions 64b, and third hole portions 64c corresponding to the shapes of the first circuit portion 63a, the second circuit portion 63b, and the metal bump 63c are formed. Use the same thing. In this layer arrangement step, the first circuit portion 63a is inserted into the first hole portion 64a of the insulating resin layer 64, the second circuit portion 63b is inserted into the second hole portion 64b, and the metal bump 63c is inserted into the third hole portion 64c. It has a metal part insertion process.

金属部挿入工程では、ベース金属基板62上に形成された金属バンプ63cの上面の中心と、絶縁樹脂層64の上面側における第3穴部分64cの中心とが重なるようにして、絶縁樹脂層64の第3穴部分64cに金属バンプ63cを挿入する。これと同じように、第1穴部分64aに第1回路部63aを、第2穴部分64bに第2回路部63bを、それぞれ挿入する。このようにして、ベース金属基板62上に絶縁樹脂層64が配置され、少なくとも、第1回路部63a、第2回路部63b、金属バンプ63cそれぞれの側面周囲に絶縁樹脂層が形成される。
なお、この図5(d)に示す第1穴部分64a、第2穴部分64b、第3穴部分64cが形成された絶縁樹脂層64ではなく、第2の実施形態で説明した図3(d)に示すような穴部分が一切形成されていない絶縁樹脂層400を用いるようにしてもよい。この場合、第2の実施形態における図3(d)及び図3(e)を参照して説明した処理と同様の処理を行うようにする。
In the metal part insertion step, the center of the upper surface of the metal bump 63 c formed on the base metal substrate 62 and the center of the third hole portion 64 c on the upper surface side of the insulating resin layer 64 overlap so that the insulating resin layer 64. The metal bump 63c is inserted into the third hole portion 64c. Similarly, the first circuit portion 63a is inserted into the first hole portion 64a, and the second circuit portion 63b is inserted into the second hole portion 64b. In this way, the insulating resin layer 64 is disposed on the base metal substrate 62, and an insulating resin layer is formed at least around the side surfaces of the first circuit portion 63a, the second circuit portion 63b, and the metal bump 63c.
In addition, it is not the insulating resin layer 64 in which the 1st hole part 64a, the 2nd hole part 64b, and the 3rd hole part 64c which were shown in this FIG.5 (d) were formed, but FIG.3 (d) demonstrated in 2nd Embodiment. The insulating resin layer 400 in which no hole is formed as shown in FIG. In this case, processing similar to that described with reference to FIGS. 3D and 3E in the second embodiment is performed.

(3−5.プレス工程)
次に、図5(e)に示すように、金属層65上面を加熱及び加圧する(熱プレス)。これにより、ベース金属基板62と、絶縁樹脂層64と、金属層65とを圧着させる。これにより、第1回路部63a上、第2回路部63b上、金属バンプ63c上にそれぞれ金属層5による第1凸部A、第2凸部A、第3凸部Aを有する積層体が形成される。
(3-5. Pressing process)
Next, as shown in FIG.5 (e), the upper surface of the metal layer 65 is heated and pressurized (hot press). Thereby, the base metal substrate 62, the insulating resin layer 64, and the metal layer 65 are pressure-bonded. As a result, the first convex portion A 1 , the second convex portion A 2 , and the third convex portion A 3 are formed by the metal layer 5 on the first circuit portion 63a, the second circuit portion 63b, and the metal bump 63c, respectively. The body is formed.

(3−6.凸部除去工程)
次に、図5(f)に示すように、第1回路部63a上の第1凸部A、第2回路部63b上の第2凸部A、金属バンプ63c上の第3凸部Aをそれぞれ除去する処理を行い、第1回路部63a、第2回路部63b、金属バンプ63cの上面がそれぞれ露出されて第1平坦面B、第2平坦面B、第3平坦面Bがそれぞれ形成される。
(3-6. Projection removal step)
Next, as shown in FIG. 5F, the first convex portion A 1 on the first circuit portion 63a, the second convex portion A 2 on the second circuit portion 63b, and the third convex portion on the metal bump 63c. A 3 is removed, and the upper surfaces of the first circuit portion 63a, the second circuit portion 63b, and the metal bump 63c are exposed, and the first flat surface B 1 , the second flat surface B 2 , and the third flat surface are exposed. B 3 is formed respectively.

(3−7.金属めっき工程)
次に、図5(g)に示すように、露出された、第1回路部63a上面、第2回路部63b上面、金属バンプ63c上面、絶縁樹脂層64上面、及び金属層65上面を覆うように、例えば無電解めっき及び電解めっきにより、金属めっき層66を形成する。或いは、図示しないが、露出された、第1回路部63a上面、第2回路部63b上面、及び金属バンプ63c上面のみを金属めっきしてもよい。
(3-7. Metal plating process)
Next, as shown in FIG. 5G, the exposed upper surface of the first circuit portion 63a, the upper surface of the second circuit portion 63b, the upper surface of the metal bump 63c, the upper surface of the insulating resin layer 64, and the upper surface of the metal layer 65 are covered. Further, the metal plating layer 66 is formed by, for example, electroless plating and electrolytic plating. Alternatively, although not shown, only the exposed upper surface of the first circuit portion 63a, the upper surface of the second circuit portion 63b, and the upper surface of the metal bump 63c may be metal-plated.

(3−8.レジスト配置工程(2))
次に、図5(h)に示すように、エッチングレジストQ,Q,Qを金属めっき層66の第1周辺パターン部66a、第2周辺パターン部66b,パッド66cをそれぞれ形成する部分の上面に配置する。
(3-8. Resist placement step (2))
Next, as shown in FIG. 5H, etching resists Q 1 , Q 2 , and Q 3 are formed on the metal plating layer 66 to form the first peripheral pattern portion 66a, the second peripheral pattern portion 66b, and the pad 66c, respectively. Place on the top surface.

(3−9.表面パターン形成工程)
次に、図5(i)に示すように、エッチングレジストQ,Q,Qによる所定のパターンで金属めっき層66を部分的にエッチングする。これにより、パッド66c、第1周辺パターン部66a、及び第2周辺パターン部66bを形成し、さらには、絶縁樹脂層64が、回路基板の表面側(上面側)において、これらのパターン部が形成されていない部分(非パターン部64b)から露出されるようになる。
(3-9. Surface pattern formation step)
Next, as shown in FIG. 5I, the metal plating layer 66 is partially etched with a predetermined pattern by the etching resists Q 1 , Q 2 , and Q 3 . As a result, the pad 66c, the first peripheral pattern portion 66a, and the second peripheral pattern portion 66b are formed, and further, the insulating resin layer 64 is formed on the surface side (upper surface side) of the circuit board. The portion not exposed (non-pattern portion 64b) is exposed.

(3−10.レジスト配置工程(3))
次に、図5(j)に示すように、エッチングレジストR,R,Rをベース金属基板62裏面の第1電極部73、第2電極部74、パッド75をそれぞれ形成する部分上に配置する。
(3-10. Resist placement step (3))
Next, as shown in FIG. 5J, the etching resists R 1 , R 2 , and R 3 are formed on the portions where the first electrode portion 73, the second electrode portion 74, and the pad 75 on the back surface of the base metal substrate 62 are formed. To place.

(3−11.裏面パターン形成工程)
次に、図5(k)に示すように、エッチングレジストR,R,Rによる所定のパターンでベース金属基板62を部分的にエッチングする。これにより、第1電極側ベース部分62a、第2電極側ベース部分62b、及びLED側ベース部分62cを形成し、さらには、絶縁樹脂層64が、回路基板の裏面側において、これらのパターン部が形成されていない部分(非パターン部64c)から露出されるようになる。
(3-11. Back surface pattern forming step)
Next, as shown in FIG. 5 (k), the base metal substrate 62 is partially etched with a predetermined pattern by the etching resists R 1 , R 2 , R 3 . Thereby, the first electrode side base portion 62a, the second electrode side base portion 62b, and the LED side base portion 62c are formed. Further, the insulating resin layer 64 is formed on the back surface side of the circuit board. The portion not formed (non-pattern portion 64c) is exposed.

(3−12.多層金属めっき(ニッケル、パラジウム、金、銀めっき)工程)
図5(l)に示すように、第1周辺パターン部66a上に、第1電極側表面ニッケルめっき層67a、第1電極側表面銀めっき層68aを何れも電解めっきにより順に形成する。
また、第2周辺パターン部66b上に、第2電極側表面ニッケルめっき層67b、第2電極側表面銀めっき層68bを何れも電解めっきにより順に形成する。
また、パッド66c上には、LED側表面ニッケルめっき層67c、LED側表面銀めっき層68cを何れも電解めっきにより順に形成する。
(3-12. Multi-layer metal plating (nickel, palladium, gold, silver plating) process)
As shown in FIG. 5L, a first electrode-side surface nickel plating layer 67a and a first electrode-side surface silver plating layer 68a are sequentially formed on the first peripheral pattern portion 66a by electrolytic plating.
Further, the second electrode side surface nickel plating layer 67b and the second electrode side surface silver plating layer 68b are sequentially formed on the second peripheral pattern portion 66b by electrolytic plating.
On the pad 66c, the LED side surface nickel plating layer 67c and the LED side surface silver plating layer 68c are both formed in order by electrolytic plating.

また、回路基板の裏面側の第1電極側ベース部分62aの露出面上に第1電極側裏面ニッケルめっき層77aを電解めっきにより形成した後、第1電極側裏面銀めっき層78aを電解めっきにより形成する。
また、回路基板の裏面側の第2電極側ベース部分62bの露出面上に第2電極側裏面ニッケルめっき層77bを電解めっきにより形成した後、第2電極側裏面銀めっき層78bを電解めっきにより形成する。
また、回路基板の裏面側のLED側ベース部分62cの露出面上にLED側裏面ニッケルめっき層77cを電解めっきにより形成した後、LED側裏面銀めっき層78cを電解めっきにより形成する。
Moreover, after forming the 1st electrode side back surface nickel plating layer 77a by electrolytic plating on the exposed surface of the 1st electrode side base part 62a of the back surface side of a circuit board, the 1st electrode side back surface silver plating layer 78a is formed by electrolytic plating. Form.
Further, after the second electrode side back surface nickel plating layer 77b is formed by electrolytic plating on the exposed surface of the second electrode side base portion 62b on the back side of the circuit board, the second electrode side back surface silver plating layer 78b is formed by electrolytic plating. Form.
Further, after the LED side back surface nickel plating layer 77c is formed by electrolytic plating on the exposed surface of the LED side base portion 62c on the back side of the circuit board, the LED side back surface silver plating layer 78c is formed by electrolytic plating.

(3−13.酸化亜鉛処理工程)
次に、亜鉛が溶解された加温硝酸溶液中に多層金属めっき処理がされた回路基板(図5(l))を浸漬し、回路基板の表裏全面(第1電極側ベース部分62a、第2電極側ベース部分62b、LED側ベース部分62c、第1回路部63a、第2回路部63b、金属バンプ63cを含む)から陰極の電極をとり、電解処理を行う。これにより、図5(m)に示すように、第1電極側表面銀めっき層68a上、第2電極側表面銀めっき層68b上、LED側銀めっき層68c上に、第1電極側表面酸化亜鉛皮膜69a、第2電極側表面酸化亜鉛皮膜69b、LED側表面酸化亜鉛皮膜69cをそれぞれ形成する。これとともに、回路基板の裏面側における第1電極側裏面銀めっき層78aの露出面上、第2電極側裏面銀めっき層78bの露出面上、LED側裏面銀めっき層78cの露出面上に、第1電極側裏面酸化亜鉛皮膜79a、第2電極側裏面酸化亜鉛皮膜79b、LED側裏面酸化亜鉛皮膜79cをそれぞれ形成する。
(3-13. Zinc oxide treatment step)
Next, the circuit board (FIG. 5 (l)) subjected to the multilayer metal plating process is immersed in a heated nitric acid solution in which zinc is dissolved, and the entire front and back surfaces of the circuit board (first electrode side base portion 62a, second electrode). A cathode electrode is taken out from the electrode side base portion 62b, the LED side base portion 62c, the first circuit portion 63a, the second circuit portion 63b, and the metal bump 63c), and electrolytic treatment is performed. Thereby, as shown in FIG. 5 (m), the first electrode side surface oxidation is formed on the first electrode side surface silver plating layer 68a, the second electrode side surface silver plating layer 68b, and the LED side silver plating layer 68c. A zinc coating 69a, a second electrode side surface zinc oxide coating 69b, and an LED side surface zinc oxide coating 69c are formed. Along with this, on the exposed surface of the first electrode side back surface silver plating layer 78a on the back surface side of the circuit board, on the exposed surface of the second electrode side back surface silver plating layer 78b, on the exposed surface of the LED side back surface silver plating layer 78c, A first electrode-side back surface zinc oxide film 79a, a second electrode-side back surface zinc oxide film 79b, and an LED-side back surface zinc oxide film 79c are formed.

このように、第1回路部63a上の第1周辺パターン部66a上に、第1電極側表面ニッケルめっき層67a、第1電極側表面銀めっき層68aを順に形成し、第1電極側表面酸化亜鉛皮膜69aを形成する。これとともに、第1電極側ベース部分62aの露出面上に第1電極側裏面ニッケルめっき層77aを形成した後、第1電極側裏面銀めっき層78aを形成し、第1電極側裏面酸化亜鉛皮膜79aを形成する。これにより、第1電極部83を構成する。   As described above, the first electrode side surface nickel plating layer 67a and the first electrode side surface silver plating layer 68a are sequentially formed on the first peripheral pattern portion 66a on the first circuit portion 63a, and the first electrode side surface oxidation is performed. A zinc film 69a is formed. At the same time, after the first electrode side back surface nickel plating layer 77a is formed on the exposed surface of the first electrode side base portion 62a, the first electrode side back surface silver plating layer 78a is formed, and the first electrode side back surface zinc oxide film is formed. 79a is formed. Thereby, the 1st electrode part 83 is comprised.

また、このように、第2回路部63b上の第2周辺パターン部66b上に、第2電極側表面ニッケルめっき層67b、第2電極側表面銀めっき層68bを順に形成し、第2電極側表面酸化亜鉛皮膜69bを形成する。これとともに、第2電極側ベース部分62bの露出面上に第2電極側裏面ニッケルめっき層77bを形成し、その後、第2電極側裏面銀めっき層78bを形成し、第2電極側裏面酸化亜鉛皮膜79bを形成する。これにより、第2電極部84を構成する。   Further, in this way, the second electrode side surface nickel plating layer 67b and the second electrode side surface silver plating layer 68b are sequentially formed on the second peripheral pattern portion 66b on the second circuit portion 63b, and the second electrode side A surface zinc oxide film 69b is formed. At the same time, the second electrode side back surface nickel plating layer 77b is formed on the exposed surface of the second electrode side base portion 62b, and then the second electrode side back surface silver plating layer 78b is formed. A film 79b is formed. Thereby, the 2nd electrode part 84 is comprised.

また、このように、金属バンプ63c上のパッド66c上に、LED側表面ニッケルめっき層67c、LED側表面銀めっき層68cを順に形成し、LED側表面酸化亜鉛皮膜69cを形成する。これとともに、LED側ベース部分62cの露出面上にLED側裏面ニッケルめっき層77cを形成し、その後、LED側裏面銀めっき層78cを形成し、LED側裏面酸化亜鉛皮膜79cを形成する。これにより、LED搭載部85を構成する。   Further, in this way, the LED side surface nickel plating layer 67c and the LED side surface silver plating layer 68c are sequentially formed on the pad 66c on the metal bump 63c to form the LED side surface zinc oxide film 69c. At the same time, the LED side back surface nickel plating layer 77c is formed on the exposed surface of the LED side base portion 62c, and then the LED side back surface silver plating layer 78c is formed, thereby forming the LED side back surface zinc oxide film 79c. Thereby, the LED mounting part 85 is comprised.

<LEDパッケージ>
第3の実施形態で製造した回路基板上にLEDチップを搭載し、LEDパッケージを製造する方法の一例について説明する。なお、この方法は、特に限定されるものではない。
例えば図6に示すように、LEDチップ91をLED搭載部85(LED側表面酸化亜鉛皮膜69c)上に搭載する。なお、簡略のために、図6では、LEDチップを1つのLEDチップ91として図示しているが、実際は、LEDチップを複数搭載するのが通常である。なお、LEDパッケージにおいては、LEDモジュールに搭載するLEDチップよりも大きいLEDチップを、LEDモジュールへの搭載数よりも少ない数搭載するのが通常である。
<LED package>
An example of a method for manufacturing an LED package by mounting an LED chip on a circuit board manufactured in the third embodiment will be described. This method is not particularly limited.
For example, as shown in FIG. 6, the LED chip 91 is mounted on the LED mounting portion 85 (LED-side surface zinc oxide film 69c). For simplicity, FIG. 6 shows an LED chip as one LED chip 91, but in practice, a plurality of LED chips are usually mounted. In the LED package, it is usual to mount a smaller number of LED chips than the LED chip mounted on the LED module, which is smaller than the number mounted on the LED module.

LEDチップ91と、第1電極部83及び第2電極部84とは、それぞれ第1金属ワイヤ92a、第2金属ワイヤ92bによるワイヤボンディングにより強固に接続する。
なお、これに代えて、パッド66c、及び、第1周辺パターン部66a、第2周辺パターン部66bの両方に対してソルダにより接続するようにしてもよい。或いは、導電性ペースト、異方性導電膜等によって、LEDチップ91とパッド66cとを電気的に接続することも可能である。
そして、回路基板のLEDチップ91の搭載面をレンズ形状の封止樹脂(レンズ樹脂93)で封止する。これにより、図6に示すLEDパッケージ100を製造する。このLEDパッケージは、第1電極部83の裏面側、及び、第2電極部84の裏面側が、それぞれ第1外部端子83a、第2外部端子84bとして使用される。
The LED chip 91 is firmly connected to the first electrode portion 83 and the second electrode portion 84 by wire bonding using the first metal wire 92a and the second metal wire 92b, respectively.
Instead of this, the pads 66c and both the first peripheral pattern portion 66a and the second peripheral pattern portion 66b may be connected by solder. Alternatively, the LED chip 91 and the pad 66c can be electrically connected by a conductive paste, an anisotropic conductive film, or the like.
Then, the mounting surface of the LED chip 91 on the circuit board is sealed with a lens-shaped sealing resin (lens resin 93). Thereby, the LED package 100 shown in FIG. 6 is manufactured. In this LED package, the back surface side of the first electrode portion 83 and the back surface side of the second electrode portion 84 are used as the first external terminal 83a and the second external terminal 84b, respectively.

LEDモジュール50が上述の構成を有することにより、また、LEDパッケージ100においても上述の構成を有し、さらに金属基板、樹脂基板等のマザーボードに半田等で実装されることにより、適切な発光量を有するLED発光装置を提供することができる。   When the LED module 50 has the above-described configuration, and the LED package 100 also has the above-described configuration, and is mounted on a mother board such as a metal substrate or a resin substrate with solder or the like, an appropriate light emission amount can be obtained. The LED light-emitting device which has can be provided.

また、このように構成されるLEDモジュール50、LEDパッケージ100は、何れも、照明器具、液晶TVバックライトを含む発光器具等に広く用いられる。発光器具としては、屋内或いは屋外に設置される電灯、広告用ネオンライト、トンネル内に設置されるライト、懐中電灯等の照明器具、パーソナルコンピュータやテレビジョンで用いられる液晶パネルのバックライト、自動車や自動二輪に設置されるヘッドライトやウインカー、画像を映し出すプロジェクターの光源等を挙げることができる。   Further, the LED module 50 and the LED package 100 configured as described above are widely used for lighting fixtures, light emitting fixtures including liquid crystal TV backlights, and the like. Luminous fixtures include indoor or outdoor lighting, neon lights for advertising, lights installed in tunnels, lighting fixtures such as flashlights, backlights for liquid crystal panels used in personal computers and televisions, automobiles, Examples include headlights and turn signals installed on motorcycles, and light sources of projectors that project images.

以上の実施形態は、あくまで一例であり、製造方法、材料等は適宜変更することが可能である。   The above embodiment is merely an example, and the manufacturing method, material, and the like can be changed as appropriate.

以下、本発明の具体的な実施例について説明する。
<実施例1>
まず、厚さ1mmの銅板上の銅バンプを形成する位置にエッチングレジストを配置した。そして、この銅板におけるエッチングレジストの配置部分以外を選択的にエッチングする処理を行い、円形の銅バンプを形成した。なお、銅板における銅バンプの形成部分以外の部分はベース銅板(ベース金属基板2に相当)とする。
Hereinafter, specific examples of the present invention will be described.
<Example 1>
First, the etching resist was arrange | positioned in the position which forms the copper bump on a 1 mm-thick copper plate. And the process which selectively etches except the arrangement | positioning part of the etching resist in this copper plate was performed, and the circular copper bump was formed. In addition, parts other than the formation part of the copper bump in the copper plate are a base copper plate (corresponding to the base metal substrate 2).

次に、エポキシ絶縁樹脂にガラスクロスを含有させた厚さ0.06mmの絶縁樹脂層(日立化成社プリプレグ「GEA−679N」)であって銅バンプの形状に対応した円柱状の穴部分が形成されたものを用いて層配置処理を行った。
この層配置処理においては、絶縁樹脂層の穴部分に銅板の銅バンプを挿入した。これにより、銅板上の銅バンプが形成されていない位置(ベース銅板)上に絶縁樹脂層が配置された。
次に、この絶縁樹脂層上及び銅バンプ上に、金属層として銅箔を配置した。
Next, a 0.06 mm thick insulating resin layer (Hitachi Chemical Co., Ltd. prepreg “GEA-679N”) containing glass cloth in an epoxy insulating resin, and a cylindrical hole portion corresponding to the shape of the copper bump is formed. The layer arrangement process was performed using what was made.
In this layer arrangement process, copper bumps of a copper plate were inserted into the hole portions of the insulating resin layer. Thereby, the insulating resin layer was arrange | positioned on the position (base copper plate) in which the copper bump on a copper plate is not formed.
Next, a copper foil was disposed as a metal layer on the insulating resin layer and the copper bump.

次に、加圧圧力30kgf/cm、加熱温度170℃として3時間、加熱及び加圧することにより、絶縁樹脂層を硬化させた。 Next, the insulating resin layer was cured by heating and pressurizing for 3 hours at a pressing pressure of 30 kgf / cm 2 and a heating temperature of 170 ° C.

次に、この加熱及び加圧によって銅バンプ上に生じた凸部を、研磨装置(ベルトサンダー、株式会社丸源鉄工所社製)を用いた研磨により除去した。   Next, the convex part which arose on the copper bump by this heating and pressurization was removed by grinding | polishing using the grinding | polishing apparatus (Belt Sander, Marugen Iron Works Co., Ltd.).

次に、無電解及び電解銅めっきを行った後、エッチングを行うことにより、銅バンプ上に厚さ0.030mmの銅めっき層(パッド6cに相当)を形成するとともに、電子部品等を実装する2つの銅回路(銅メッキ層を有する回路、第1周辺パターン部6a、第2周辺パターン部6bに相当)を形成した。   Next, after performing electroless and electrolytic copper plating, etching is performed to form a copper plating layer (corresponding to the pad 6c) having a thickness of 0.030 mm on the copper bump, and an electronic component or the like is mounted. Two copper circuits (a circuit having a copper plating layer, corresponding to the first peripheral pattern portion 6a and the second peripheral pattern portion 6b) were formed.

次に、銅めっき層、2つの銅回路の全ての上に厚さ0.004mmの無電解ニッケルめっき層を形成した。その後、全ての無電解ニッケルめっき層上に厚さ0.0001mmの無電解金めっき層を形成した。   Next, an electroless nickel plating layer having a thickness of 0.004 mm was formed on all of the copper plating layer and the two copper circuits. Thereafter, an electroless gold plating layer having a thickness of 0.0001 mm was formed on all the electroless nickel plating layers.

次に、銅バンプ上の銅回路において形成した無電解金めっき層上に、厚さ0.003mmの電解銀めっき層を形成した。   Next, an electrolytic silver plating layer having a thickness of 0.003 mm was formed on the electroless gold plating layer formed in the copper circuit on the copper bump.

次に、亜鉛濃度5g/Lの亜鉛を含有する硝酸亜鉛溶液(pH5)を用い、溶液温度50℃で、ベース銅板を陰極に、また陽極には亜鉛板を用いて、電流密度0.5A/dmで、10秒間、還元処理を行った。これにより、銅バンプの電解銀めっき層上に、酸化亜鉛皮膜を形成した。その後、光電子分光装置(XPS:日本電子社製 JPS−9010MC)によって回路基板を検査し、その酸化亜鉛皮膜の存在を確認した。 Next, using a zinc nitrate solution (pH 5) containing zinc with a zinc concentration of 5 g / L, using a base copper plate as the cathode and a zinc plate as the anode at a solution temperature of 50 ° C., a current density of 0.5 A / Reduction treatment was performed at dm 2 for 10 seconds. Thereby, the zinc oxide film was formed on the electrolytic silver plating layer of the copper bump. Thereafter, the circuit board was inspected by a photoelectron spectrometer (XPS: JPS-9010MC manufactured by JEOL Ltd.) to confirm the presence of the zinc oxide film.

次に、1個の回路基板に銅バンプは1個含まれるように、外形3.5mm×3.5mmの回路基板にカッティングした。   Next, cutting was performed on a circuit board having an outer shape of 3.5 mm × 3.5 mm so that one copper bump was included in one circuit board.

次に、この回路基板の電解銀めっき層が形成され、酸化亜鉛皮膜が形成された銅バンプを有する銅ランド上に、60個のLEDチップをシリコーンダイボンディング材で搭載した。その後、LEDチップと、他の銅回路とを金ワイヤで接続し、さらに、回路基板のLEDチップを搭載した側の面をシリコーン封止材(製品名「OE6636」、東レ・ダウコーニング社製)で封止(被覆)した。このようにして、実施例1のLEDモジュールを製造した。   Next, 60 LED chips were mounted with a silicone die bonding material on a copper land having a copper bump on which an electrolytic silver plating layer of the circuit board was formed and a zinc oxide film was formed. Thereafter, the LED chip and another copper circuit are connected with a gold wire, and the surface of the circuit board on which the LED chip is mounted is silicone-sealing material (product name “OE6636”, manufactured by Toray Dow Corning) Sealed (coated) with. Thus, the LED module of Example 1 was manufactured.

この実施例1のLEDモジュールをアルミフィンにネジ止めし、硫化水素ガス10ppm、40℃、80%RH中に100時間放置した。これを全光束測定器(大塚電子社製 HM−9100)により測定した。その結果、実施例1のLEDモジュールにおけるLEDチップが発する光束の量(発光量)は、初期値150lm/wに対し、140lm/wに低下していた。   The LED module of Example 1 was screwed to an aluminum fin and left in a hydrogen sulfide gas of 10 ppm, 40 ° C., 80% RH for 100 hours. This was measured with a total luminous flux meter (HM-9100, manufactured by Otsuka Electronics Co., Ltd.). As a result, the amount of light emitted from the LED chip (light emission amount) in the LED module of Example 1 was reduced to 140 lm / w from the initial value of 150 lm / w.

<比較例1>
以下の比較例1において、実施例1と同様の処理については、簡略のため、部材、材料、装置等の説明を省略する。
<Comparative Example 1>
In the following comparative example 1, the description of the members, materials, devices, and the like is omitted for the sake of brevity regarding the same processing as in the first embodiment.

この比較例1では、実施例1における電解処理による酸化亜鉛皮膜の形成を行わない以外は、実施例1と同様の処理を行い、LEDモジュールを製造した。
その結果、比較例1のLEDモジュールにおける発光量は、初期値150lm/wに対し、98lm/wまで低下していた。
In Comparative Example 1, an LED module was manufactured by performing the same treatment as in Example 1 except that the zinc oxide film was not formed by electrolytic treatment in Example 1.
As a result, the light emission amount of the LED module of Comparative Example 1 was reduced to 98 lm / w with respect to the initial value of 150 lm / w.

実施例1、比較例1の結果について述べる。実施例1のLEDモジュールは、比較例1のLEDモジュールよりも、硫化水素による全光束の低下が少ないことがわかる。すなわち、実施例1のLEDモジュールは、銀めっき層の表面に酸化亜鉛皮膜を形成することにより、硫化水素による銀の腐食(硫化銀の生成)を低減することができ、LEDチップが発する光束量(発光量)の著しい低減を防止できたことがわかる。   The results of Example 1 and Comparative Example 1 will be described. It can be seen that the LED module of Example 1 has less reduction in the total luminous flux due to hydrogen sulfide than the LED module of Comparative Example 1. That is, the LED module of Example 1 can reduce corrosion of silver by silver sulfide (production of silver sulfide) by forming a zinc oxide film on the surface of the silver plating layer, and the amount of luminous flux emitted from the LED chip. It can be seen that a significant reduction in (light emission amount) could be prevented.

<実施例2>
厚さ0.2mmの銅板の銅バンプを形成する位置、及び、2つの銅回路を形成する位置に、エッチングレジストを配置した。そして、この銅板におけるエッチングレジストの配置部分以外を選択的にエッチングする処理を行い、円形の銅バンプとともに、電子部品等を実装する2つの銅回路を形成した。なお、銅板における銅バンプ及び2つの銅回路の形成部分以外の部分は、ベース銅板(ベース金属基板62に相当)とする。
<Example 2>
An etching resist was disposed at a position where a copper bump of a copper plate having a thickness of 0.2 mm was formed and a position where two copper circuits were formed. And the process which selectively etches except the arrangement | positioning part of the etching resist in this copper plate was performed, and the two copper circuits which mount an electronic component etc. were formed with the circular copper bump. In addition, parts other than the formation part of the copper bump and two copper circuits in the copper plate are a base copper plate (corresponding to the base metal substrate 62).

次に、エポキシ絶縁樹脂にガラスクロスを含有させた厚さ0.06mmの絶縁樹脂層(日立化成社プリプレグ「GEA−679N」)をベース銅板上、銅バンプ上、及び2つの回路部上に配置した。
次に、この絶縁樹脂層上に、金属層として銅箔を配置した。
Next, an insulating resin layer (Hitachi Chemical Co., Ltd. prepreg “GEA-679N”) in which glass cloth is contained in epoxy insulating resin is placed on the base copper plate, the copper bump, and the two circuit portions. did.
Next, a copper foil was disposed as a metal layer on the insulating resin layer.

次に、加圧圧力30kgf/cm、加熱温度170℃として3時間、加熱及び加圧することにより、絶縁樹脂層を硬化させた。 Next, the insulating resin layer was cured by heating and pressurizing for 3 hours at a pressing pressure of 30 kgf / cm 2 and a heating temperature of 170 ° C.

次に、この加熱及び加圧によって銅バンプ上及び2つの銅回路上に生じた凸部を、研磨装置(ベルトサンダー、株式会社丸源鉄工所社製)を用いた研磨により除去した。   Next, the convex part which arose on the copper bump and two copper circuits by this heating and pressurization was removed by grinding | polishing using the grinding | polishing apparatus (Belt Sander, Marugen Iron Works Co., Ltd.).

次に、銅バンプ上及び2つの銅回路上を少なくとも覆うように、無電解及び電解銅めっきを行った後、エッチングレジストを用いた選択的なエッチングを行うことにより、銅バンプ上に厚さ0.030mmの銅めっき層を形成するとともに、銅めっき層(図5(k)の第1周辺パターン部66aに相当)を有する第1の銅回路、銅めっき層(第2周辺パターン部66bに相当)を有する第2の銅回路を形成した   Next, after performing electroless and electrolytic copper plating so as to cover at least the copper bump and the two copper circuits, the thickness of the copper bump is reduced to 0 by performing selective etching using an etching resist. A first copper circuit having a copper plating layer (corresponding to the first peripheral pattern portion 66a in FIG. 5 (k)) and a copper plating layer (corresponding to the second peripheral pattern portion 66b) while forming a .030 mm copper plating layer Formed a second copper circuit having

また、ベース銅板裏面側においても、エッチングレジストを用いた選択的なエッチングを行った。これにより、ベース銅板から3つのベース部分(図5(k)の第1電極側ベース部分62a、第2電極側ベース部分62b、及びLED側ベース部分62cに相当)を形成した。   Further, selective etching using an etching resist was also performed on the back side of the base copper plate. Thus, three base portions (corresponding to the first electrode side base portion 62a, the second electrode side base portion 62b, and the LED side base portion 62c in FIG. 5K) were formed from the base copper plate.

次に、全ての銅めっき層(第1周辺パターン部66a、第2周辺パターン部66bに相当)上、及び、全てのベース部分(第1電極側ベース部分62a、第2電極側ベース部分62b、及びLED側ベース部分62c)の露出面上に、厚さ0.004mmの電解ニッケルめっき層を形成し、さらに、その電解ニッケルめっき層上に、厚さ0.003mmの電解銀めっき層を形成した。   Next, all the copper plating layers (corresponding to the first peripheral pattern portion 66a and the second peripheral pattern portion 66b) and all the base portions (the first electrode side base portion 62a, the second electrode side base portion 62b, And an electrolytic nickel plating layer having a thickness of 0.004 mm was formed on the exposed surface of the LED side base portion 62c), and an electrolytic silver plating layer having a thickness of 0.003 mm was further formed on the electrolytic nickel plating layer. .

次に、亜鉛濃度5g/L程度、硝酸溶液pH5、溶液温度50℃で、回路基板の表裏全面(第1電極側ベース部分62a、第2電極側ベース部分62b、LED側ベース部分62c、第1回路部63a、第2回路部63b、金属バンプ63cを含む回路基板の表裏全面に相当)を陰極に、また陽極には亜鉛板を用いて、電流密度0.5A/dm、10秒間、還元処理を行った。これにより、全ての銀めっき層上に、酸化亜鉛皮膜を形成した。その後、光電子分光装置(XPS:日本電子社製 JPS−9010MC)によって回路基板を検査し、その酸化亜鉛皮膜の存在を確認した。 Next, at a zinc concentration of about 5 g / L, a nitric acid solution pH 5, and a solution temperature of 50 ° C., the entire front and back surfaces of the circuit board (first electrode side base portion 62a, second electrode side base portion 62b, LED side base portion 62c, first side The circuit portion 63a, the second circuit portion 63b, and the entire surface of the circuit board including the metal bumps 63c are equivalent to the entire front and back surfaces of the circuit board, and the anode is made of zinc plate, and the current density is 0.5 A / dm 2 for 10 seconds. Processed. Thereby, the zinc oxide film was formed on all the silver plating layers. Thereafter, the circuit board was inspected by a photoelectron spectrometer (XPS: JPS-9010MC manufactured by JEOL Ltd.) to confirm the presence of the zinc oxide film.

次に、1個の回路基板に銅バンプは1個含まれるように、外形3.5mm×3.5mmの回路基板にカッティングした。   Next, cutting was performed on a circuit board having an outer shape of 3.5 mm × 3.5 mm so that one copper bump was included in one circuit board.

次に、この回路基板の電解銀めっき層が形成され、酸化亜鉛皮膜が形成された銅バンプを有する銅ランド上に、1個のLEDチップをシリコーンダイボンディング材で搭載した。その後、LEDチップと、他の銅回路とを金ワイヤで接続し、さらに回路基板のLEDチップを搭載した側の面をシリコーン封止材(製品名「OE6636」、東レ・ダウコーニング社製)で封止(被覆)した。このようにして、実施例2のLEDパッケージを製造した。   Next, one LED chip was mounted with a silicone die bonding material on a copper land having a copper bump on which an electrolytic silver plating layer of the circuit board was formed and a zinc oxide film was formed. Thereafter, the LED chip and another copper circuit are connected with a gold wire, and the surface on which the LED chip is mounted on the circuit board is further sealed with a silicone sealing material (product name “OE6636”, manufactured by Toray Dow Corning). Sealed (coated). Thus, the LED package of Example 2 was manufactured.

その結果、実施例2のLEDパッケージにおけるLEDチップが発する光束の量(発光量)は、初期値80lm/wに対し、75lm/wに低下していた。
<比較例2>
以下の比較例2において、実施例2と同様の処理については、簡略のため、部材、材料、装置等の説明を省略する。
As a result, the amount of luminous flux (light emission amount) emitted by the LED chip in the LED package of Example 2 was reduced to 75 lm / w with respect to the initial value of 80 lm / w.
<Comparative example 2>
In Comparative Example 2 below, the description of the members, materials, devices, and the like is omitted for the sake of brevity regarding the same processing as in Example 2.

比較例2では、実施例2における電解処理による酸化亜鉛皮膜の形成を行わない以外は、実施例2と同様の処理を行い、LEDパッケージを製造した。
その結果、比較例2のLEDパッケージにおける発光量は、初期値80lm/wに対し、56lm/wまで低下していた。
In Comparative Example 2, an LED package was manufactured by performing the same treatment as in Example 2 except that the zinc oxide film was not formed by electrolytic treatment in Example 2.
As a result, the light emission amount in the LED package of Comparative Example 2 was reduced to 56 lm / w with respect to the initial value of 80 lm / w.

実施例2、比較例2の結果について述べる。実施例2のLEDパッケージは、比較例2のLEDパッケージよりも、硫化水素による全光束の低下が少ないことがわかる。すなわち、実施例2のLEDパッケージは、銀めっき層の表面に酸化亜鉛皮膜を形成することにより、硫化水素による銀の腐食を低減することができ、LEDチップが発する光束量(発光量)の著しい低減を防止できたことがわかる。   The results of Example 2 and Comparative Example 2 will be described. It can be seen that the LED package of Example 2 has less reduction in the total luminous flux due to hydrogen sulfide than the LED package of Comparative Example 2. That is, the LED package of Example 2 can reduce the corrosion of silver due to hydrogen sulfide by forming a zinc oxide film on the surface of the silver plating layer, and the amount of luminous flux (light emission amount) emitted by the LED chip is remarkable. It can be seen that the reduction could be prevented.

1,61 金属板
2,62 ベース金属基板
3,63c 金属バンプ
4,64,400 絶縁樹脂層
4a 穴部分
4b 非パターン部
5,65 金属層
6,66 金属めっき層
6a,66a 第1周辺パターン部
6b,66b 第2周辺パターン部
6c,66c パッド
30 加工器具
30a 先端加工部
7a 第1電極側ニッケルめっき層
7b 第2電極側ニッケルめっき層
7c LED側ニッケルめっき層
8a 第1電極側パラジウムめっき層
8b 第2電極側パラジウムめっき層
8c LED側パラジウムめっき層
9a 第1電極側金めっき層
9b 第2電極側金めっき層
9c LED側金めっき層
10 LED側銀めっき層
10a 第1電極側銀めっき層
10b 第2電極側銀めっき層
11 表面酸化亜鉛皮膜
12 裏面酸化亜鉛皮膜
13,73,83 第1電極部
14,74,84 第2電極部
15,85 LED搭載部
41,91 LEDチップ
42a,92a 第1金属ワイヤ
42b,92b 第1金属ワイヤ
43,93 レンズ樹脂
50 LEDモジュール
62a 第1電極側ベース部分
62b 第2電極側ベース部分
62c LED側ベース部分
63a 第1回路部
63b 第2回路部
64a 第1穴部分
64b 第2穴部分
64c 第3穴部分
67a 第1電極側表面ニッケルめっき層
67b 第2電極側表面ニッケルめっき層
67c LED側表面ニッケルめっき層
68a 第1電極側表面銀めっき層
68b 第2電極側表面銀めっき層
68c LED側表面銀めっき層
69a 第1電極側表面酸化亜鉛皮膜
69b 第2電極側表面酸化亜鉛皮膜
69c LED側表面酸化亜鉛皮膜
77a 第1電極側裏面ニッケルめっき層
77b 第2電極側裏面ニッケルめっき層
77c LED側裏面ニッケルめっき層
78a 第1電極側裏面銀めっき層
78b 第2電極側裏面銀めっき層
78c LED側裏面銀めっき層
79a 第1電極側裏面酸化亜鉛皮膜
79b 第2電極側裏面酸化亜鉛皮膜
79c LED側裏面酸化亜鉛皮膜
100 LEDパッケージ
A,A’ 凸部
第1凸部
第2凸部
第3凸部
B 平坦面
第1平坦面
第2平坦面
第3平坦面
M,N,N2,N3,P,P2,P3 エッチングレジスト
1, 61 Metal plate 2, 62 Base metal substrate 3, 63c Metal bump 4, 64, 400 Insulating resin layer 4a Hole part 4b Non-pattern part 5, 65 Metal layer 6, 66 Metal plating layer 6a, 66a First peripheral pattern part 6b, 66b Second peripheral pattern portion 6c, 66c Pad 30 Processing tool 30a Tip processing portion 7a First electrode side nickel plating layer 7b Second electrode side nickel plating layer 7c LED side nickel plating layer 8a First electrode side palladium plating layer 8b Second electrode side palladium plating layer 8c LED side palladium plating layer 9a First electrode side gold plating layer 9b Second electrode side gold plating layer 9c LED side gold plating layer 10 LED side silver plating layer 10a First electrode side silver plating layer 10b Second electrode side silver plating layer 11 Surface zinc oxide film 12 Back surface zinc oxide film 13, 73, 83 First electrode parts 14, 7 4,84 Second electrode part 15, 85 LED mounting part 41, 91 LED chip 42a, 92a First metal wire 42b, 92b First metal wire 43, 93 Lens resin 50 LED module 62a First electrode side base part 62b Second Electrode side base portion 62c LED side base portion 63a First circuit portion 63b Second circuit portion 64a First hole portion 64b Second hole portion 64c Third hole portion 67a First electrode side surface nickel plating layer 67b Second electrode side surface nickel Plating layer 67c LED side surface nickel plating layer 68a First electrode side surface silver plating layer 68b Second electrode side surface silver plating layer 68c LED side surface silver plating layer 69a First electrode side surface zinc oxide film 69b Second electrode side surface oxidation Zinc coating 69c LED side surface zinc oxide coating 77a First electrode side back surface nickel plating layer 77b Second Polar side back surface nickel plating layer 77c LED side back surface nickel plating layer 78a First electrode side back surface silver plating layer 78b Second electrode side back surface silver plating layer 78c LED side back surface silver plating layer 79a First electrode side back surface silver plating layer 79b Second Electrode side back surface zinc oxide coating 79c LED side back surface zinc oxide coating 100 LED package A, A ′ Convex portion A 1 First convex portion A 2 2nd convex portion A 3 3rd convex portion B Flat surface B 1 1st flat surface B 2 Second flat surface B 3 Third flat surface M, N 1 , N 2 , N 3 , P 1 , P 2 , P 3 etching resist

Claims (6)

銅、銅合金、アルミニウムから選択される1種からなる金属基板と、
前記金属基板上に形成され、銅、銅合金、アルミニウム、ニッケルから選択される1種からなる柱状金属部と、
前記柱状金属部の側面周囲に形成された絶縁樹脂層と、
前記絶縁樹脂層上及び前記柱状金属部上に形成された金属層とを備え、
前記柱状金属部上の前記金属層の上方に少なくとも銀めっき層が形成されており、該銀めっき層表面に酸化亜鉛皮膜が形成されている
回路基板。
A metal substrate made of one selected from copper, copper alloy, and aluminum;
A columnar metal part formed on the metal substrate and made of one kind selected from copper, copper alloy, aluminum and nickel;
An insulating resin layer formed around the side surface of the columnar metal part;
A metal layer formed on the insulating resin layer and the columnar metal part,
A circuit board, wherein at least a silver plating layer is formed above the metal layer on the columnar metal portion, and a zinc oxide film is formed on the surface of the silver plating layer.
請求項1に記載の回路基板上にLED(発光ダイオード)チップが搭載されたLEDモジュール。   An LED module in which an LED (light emitting diode) chip is mounted on the circuit board according to claim 1. 前記金属基板の裏面に酸化亜鉛皮膜が形成されている請求項2記載のLEDモジュール。   The LED module according to claim 2, wherein a zinc oxide film is formed on the back surface of the metal substrate. 請求項1に記載の回路基板上にLED(発光ダイオード)チップが搭載されたLEDパッケージ。   An LED package in which an LED (light emitting diode) chip is mounted on the circuit board according to claim 1. 金属基板上に柱状金属部を形成する工程と、
前記柱状金属部の形状に対応した柱状の穴部分が形成されている絶縁樹脂層の該穴部分に該柱状金属部を挿入する工程と、
前記絶縁樹脂層を加熱及び加圧することにより、前記金属基板と該絶縁樹脂層とを圧着させる工程と、
前記柱状金属部上に金属層を形成する工程と、
前記柱状金属部上の前記金属層の上方に少なくとも銀めっき層を形成する工程と、
前記銀めっき層表面に酸化亜鉛皮膜を形成する工程と
を有する
回路基板の製造方法。
Forming a columnar metal portion on a metal substrate;
Inserting the columnar metal part into the hole part of the insulating resin layer in which a columnar hole part corresponding to the shape of the columnar metal part is formed;
A step of pressure-bonding the metal substrate and the insulating resin layer by heating and pressurizing the insulating resin layer;
Forming a metal layer on the columnar metal part;
Forming at least a silver plating layer above the metal layer on the columnar metal part;
And a step of forming a zinc oxide film on the surface of the silver plating layer.
金属基板上に柱状金属部を形成する工程と、
前記金属基板上及び前記柱状金属部上に絶縁樹脂層を配置する工程と、
前記絶縁樹脂層を加熱及び加圧することにより、前記柱状金属部及び前記金属基板と該絶縁樹脂層とを圧着させる工程と、
前記柱状金属部上の前記絶縁樹脂層を除去する工程と、
前記柱状金属部上に金属層を形成する工程と、
前記柱状金属部上の前記金属層の上方に少なくとも銀めっき層を形成する工程と、
前記銀めっき層表面に酸化亜鉛皮膜を形成する工程と
を有する
回路基板の製造方法。
Forming a columnar metal portion on a metal substrate;
Disposing an insulating resin layer on the metal substrate and the columnar metal part;
A step of pressure-bonding the insulating metal layer and the metal substrate by heating and pressurizing the insulating resin layer; and
Removing the insulating resin layer on the columnar metal part;
Forming a metal layer on the columnar metal part;
Forming at least a silver plating layer above the metal layer on the columnar metal part;
And a step of forming a zinc oxide film on the surface of the silver plating layer.
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