JP2014103354A - Circuit board, led module, and manufacturing method for circuit board - Google Patents

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育男 巣山
Hiroshi Yajima
宏 矢島
Chiharu Watanabe
千春 渡辺
Fumitaka Sato
文孝 佐藤
Naoya Yanase
直哉 柳瀬
Yoshiki Motomura
善己 本村
Masataka Hayashi
政孝 林
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a circuit board on which metal bumps having an upper surface of large area are formed without producing resin residue.SOLUTION: A circuit board comprises: a base metal substrate 2 composed of one kind selected from copper, copper alloy, and aluminum; metal bumps 3 formed on the base metal substrate 2, having an upper surface of large area, and composed of a metal selected from copper, copper alloy, aluminum, and nickel; an insulation resin layer 4 formed around the side face of the metal bumps 3; and a metal layer (metal layer 5 and metal plating layer 6) formed on the insulation resin layer 4. The height from the bottom of the base metal substrate 2 to the upper surface of the metal plating layer 6 is identical to the height from the bottom of the base metal substrate 2 to the upper surface of the metal plating layer 6 on the insulation resin layer 4.

Description

本発明は、ＬＥＤ（Light Emitting Diode（発光ダイオード））を搭載するための回路基板、及び、この回路基板上にＬＥＤチップを搭載したＬＥＤモジュール、更には、この回路基板の製造方法に関する。   The present invention relates to a circuit board for mounting an LED (Light Emitting Diode), an LED module having an LED chip mounted on the circuit board, and a method for manufacturing the circuit board.

従来より、回路基板上にＬＥＤ（Light Emitting Diode（発光ダイオード））チップを搭載（実装）したＬＥＤモジュールがある（例えば特許文献１乃至３参照）。
このような従来のＬＥＤモジュールは、ベース基板である金属基板（以下、「ベース金属基板」とも称する。）上にＬＥＤチップを搭載するための柱状金属部（以下、「金属バンプ」とも称する。）が形成されている。この金属バンプは、ベース金属基板とＬＥＤチップとを電気的に接続するとともに、ＬＥＤチップが発する熱をベース金属基板に放熱する。 Conventionally, there is an LED module in which an LED (Light Emitting Diode) chip is mounted (mounted) on a circuit board (see, for example, Patent Documents 1 to 3).
Such a conventional LED module has a columnar metal portion (hereinafter also referred to as “metal bump”) for mounting an LED chip on a metal substrate (hereinafter also referred to as “base metal substrate”) as a base substrate. Is formed. The metal bumps electrically connect the base metal substrate and the LED chip and radiate heat generated by the LED chip to the base metal substrate.

特開２００９−２７８０１２号公報JP 2009-278012 A 特開平４−３３８６９２号公報Japanese Patent Laid-Open No. 4-338692 特開平５−２９３７１号公報Japanese Patent Laid-Open No. 5-29371

ところで、ＬＥＤモジュールにおいては、益々、小型で高パワーを実現することが要求されており、ＬＥＤの大容量化が進められている。このため、高い放熱性を確保し、多数のＬＥＤチップを密集して搭載できるようにするために、金属バンプの上面の面積（以下、これを「バンプ面積」ともいう。）を大きくする必要がある。
しかしながら、従来の回路基板の製造においては、金属バンプが形成された金属基板上に絶縁樹脂層を介して金属層（金属薄膜）を貼り付け、その後に金属バンプ上を研磨処理を行っているため、バンプ面積の大きい金属バンプを形成すると、研磨の際に金属バンプ上に樹脂の残存（樹脂残り）が顕著に生じてしまう。そのため、従来、バンプ面積の大きい金属バンプを形成した回路基板を製造することは困難となっていた。 By the way, LED modules are increasingly required to be small and have high power, and the capacity of LEDs is being increased. For this reason, in order to ensure high heat dissipation and to mount a large number of LED chips densely, it is necessary to increase the area of the upper surface of the metal bump (hereinafter also referred to as “bump area”). is there.
However, in the manufacture of conventional circuit boards, a metal layer (metal thin film) is pasted on a metal substrate on which metal bumps are formed via an insulating resin layer, and then the metal bumps are polished. When a metal bump having a large bump area is formed, resin remains (resin residue) on the metal bump during polishing. Therefore, conventionally, it has been difficult to manufacture a circuit board on which metal bumps having a large bump area are formed.

本発明者らは、鋭意研究の結果、金属バンプ上において樹脂の残存を生じさせることなくバンプ面積の大きい金属バンプを形成した回路基板を製造する技術を見出し、そのような回路基板上にＬＥＤチップを搭載したＬＥＤモジュールを提供するに至った。本発明は、このような点に基づいて完成したものである。具体的には、金属バンプの形状に対応した穴部分が形成された絶縁樹脂層を適用し、この穴部分に金属バンプを挿入することにより、金属バンプ上において樹脂が残存することがない回路基板を得た。   As a result of diligent research, the present inventors have found a technique for manufacturing a circuit board in which a metal bump having a large bump area is formed without causing a resin to remain on the metal bump, and an LED chip is formed on the circuit board. Led to provide LED module equipped with. The present invention has been completed based on these points. Specifically, by applying an insulating resin layer in which a hole corresponding to the shape of the metal bump is formed and inserting the metal bump into this hole, a circuit board in which no resin remains on the metal bump Got.

すなわち、本発明の回路基板は、銅、銅合金、アルミニウムから選択される１種からなる金属基板（ベース金属基板２）と、金属基板上に形成され、上面の面積が９ｍｍ２以上の銅、銅合金、アルミニウム、ニッケルから選択される金属からなる柱状金属部（金属バンプ３）と、柱状金属部の側面周囲に形成された絶縁樹脂層（絶縁樹脂層４）と、絶縁樹脂層及び柱状金属部上に形成された金属層（金属層５及び金属めっき層６）とを有し、金属基板の底面から柱状金属部上の金属層（金属めっき層６）の上面までの高さと、金属基板の底面から絶縁樹脂層（絶縁樹脂層４）上の金属層（金属めっき層６）の上面までの高さとが同一であることを特徴とする（図１（ｉ）参照）。 That is, the circuit board of the present invention includes a metal substrate (base metal substrate 2) made of one selected from copper, a copper alloy, and aluminum, copper having an upper surface area of 9 mm 2 or more, Columnar metal part (metal bump 3) made of a metal selected from copper alloy, aluminum, nickel, insulating resin layer (insulating resin layer 4) formed around the side surface of the columnar metal part, insulating resin layer and columnar metal A metal layer (metal layer 5 and metal plating layer 6) formed on the part, and a height from the bottom surface of the metal substrate to the top surface of the metal layer (metal plating layer 6) on the columnar metal part, and the metal substrate The height from the bottom surface to the upper surface of the metal layer (metal plating layer 6) on the insulating resin layer (insulating resin layer 4) is the same (see FIG. 1 (i)).

また、本発明のＬＥＤモジュールは、このような回路基板上にＬＥＤ（発光ダイオード）チップが搭載されたことを特徴とする。   The LED module of the present invention is characterized in that an LED (light emitting diode) chip is mounted on such a circuit board.

また、本発明の回路基板の製造方法は、金属基板上に柱状金属部を形成する工程と、この柱状金属部の形状に対応した柱状の穴部分が形成されている絶縁樹脂層の穴部分に柱状金属部を挿入する工程と、絶縁樹脂層を加熱及び加圧することにより、金属基板と絶縁樹脂層とを圧着させる工程とを有するものである。このような本発明の回路基板の製造方法によれば、上面の面積が大きい柱状金属部が形成された回路基板を容易且つ高精度に製造することができる。   The circuit board manufacturing method of the present invention includes a step of forming a columnar metal portion on a metal substrate and a hole portion of an insulating resin layer in which a columnar hole portion corresponding to the shape of the columnar metal portion is formed. The method includes a step of inserting a columnar metal portion and a step of pressure-bonding the metal substrate and the insulating resin layer by heating and pressurizing the insulating resin layer. According to such a circuit board manufacturing method of the present invention, a circuit board on which a columnar metal part having a large upper surface area is formed can be manufactured easily and with high accuracy.

本発明によれば、大面積でありながらも樹脂残りのない上面を有する金属バンプを形成した回路基板を提供することができ、そのような回路基板上に多数のＬＥＤチップを密集して搭載することにより、小型で高パワーなＬＥＤモジュールを提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the circuit board which formed the metal bump which has the upper surface which does not have the resin residue although it is large area can be provided, and many LED chips are densely mounted on such a circuit board. Thus, a small and high-power LED module can be provided.

第１の実施形態の回路基板の製造方法における準備工程の一例を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating an example of the preparation process in the manufacturing method of the circuit board of 1st Embodiment. 第１の実施形態の回路基板の製造方法におけるレジスト配置工程（１）の一例を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating an example of the resist arrangement | positioning process (1) in the manufacturing method of the circuit board of 1st Embodiment. 第１の実施形態の回路基板の製造方法におけるバンプ形成工程の一例を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating an example of the bump formation process in the manufacturing method of the circuit board of 1st Embodiment. 第１の実施形態の回路基板の製造方法における層配置工程の一例を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating an example of the layer arrangement | positioning process in the manufacturing method of the circuit board of 1st Embodiment. 第１の実施形態の回路基板の製造方法におけるプレス工程の一例を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating an example of the press process in the manufacturing method of the circuit board of 1st Embodiment. 第１の実施形態の回路基板の製造方法における凸部除去工程の一例を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating an example of the convex part removal process in the manufacturing method of the circuit board of 1st Embodiment. 第１の実施形態の回路基板の製造方法におけるめっき工程の一例を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating an example of the plating process in the manufacturing method of the circuit board of 1st Embodiment. 第１の実施形態の回路基板の製造方法におけるレジスト配置工程（２）の一例を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating an example of the resist arrangement | positioning process (2) in the manufacturing method of the circuit board of 1st Embodiment. 第１の実施形態の回路基板の製造方法におけるパターン形成工程の一例を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating an example of the pattern formation process in the manufacturing method of the circuit board of 1st Embodiment. 第１の実施形態の回路基板の製造方法における絶縁樹脂層への穴部分の形成を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating formation of the hole part to the insulating resin layer in the manufacturing method of the circuit board of 1st Embodiment. 第１の実施形態の回路基板の製造方法における層配置工程で配置した絶縁樹脂層及び金属バンプの上面を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the upper surface of the insulating resin layer and metal bump which were arrange | positioned at the layer arrangement | positioning process in the manufacturing method of the circuit board of 1st Embodiment. 第２の実施形態の回路基板の製造方法における準備工程の一例を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating an example of the preparation process in the manufacturing method of the circuit board of 2nd Embodiment. 第２の実施形態の回路基板の製造方法におけるレジスト配置工程（１）の一例を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating an example of the resist arrangement | positioning process (1) in the manufacturing method of the circuit board of 2nd Embodiment. 第２の実施形態の回路基板の製造方法におけるバンプ形成工程の一例を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating an example of the bump formation process in the manufacturing method of the circuit board of 2nd Embodiment. 第２の実施形態の回路基板の製造方法における保護金属層除去工程の一例を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating an example of the protective metal layer removal process in the manufacturing method of the circuit board of 2nd Embodiment. 第２の実施形態の回路基板の製造方法における層配置工程の一例を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating an example of the layer arrangement | positioning process in the manufacturing method of the circuit board of 2nd Embodiment. 第２の実施形態の回路基板の製造方法におけるプレス工程の一例を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating an example of the press process in the manufacturing method of the circuit board of 2nd Embodiment. 第２の実施形態の回路基板の製造方法における凸部除去工程の一例を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating an example of the convex part removal process in the manufacturing method of the circuit board of 2nd Embodiment. 第２の実施形態の回路基板の製造方法におけるめっき工程の一例を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating an example of the plating process in the manufacturing method of the circuit board of 2nd Embodiment. 第２の実施形態の回路基板の製造方法におけるレジスト配置工程（２）の一例を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating an example of the resist arrangement | positioning process (2) in the manufacturing method of the circuit board of 2nd Embodiment. 第２の実施形態の回路基板の製造方法におけるパターン形成工程の一例を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating an example of the pattern formation process in the manufacturing method of the circuit board of 2nd Embodiment. 第１の実施形態において製造した回路基板を用いたＬＥＤモジュールの側面断面図である。It is side surface sectional drawing of the LED module using the circuit board manufactured in 1st Embodiment. 第２の実施形態において製造した回路基板を用いたＬＥＤモジュールの側面断面図である。It is side surface sectional drawing of the LED module using the circuit board manufactured in 2nd Embodiment.

以下、本発明を適用した実施形態について説明する。
本発明に係る回路基板は、例えば後に示す図１（ｉ）を参照してわかるように、銅、銅合金、アルミニウムから選択される１種からなるベース金属基板２と、このベース金属基板２上に形成され、上面の面積が９ｍｍ２以上の銅、銅合金、アルミニウム、ニッケルから選択される金属からなる金属バンプ３と、金属バンプ３の側面周囲に形成された絶縁樹脂層４と、絶縁樹脂層４及び金属バンプ３上に形成された金属層（金属層５及び金属めっき層６）とを有し、ベース金属基板２の底面から金属バンプ３上の金属めっき層６の上面までの高さと、ベース金属基板２の底面から絶縁樹脂層４上の金属めっき層６の上面までの高さとが同一である回路基板である。
本発明に係る回路基板は、金属バンプ３の側面周囲に絶縁樹脂層４が形成されていることにより、金属バンプ３上において樹脂が残存することがない回路基板とすることができる。また、本発明に係る回路基板は、ベース金属基板２の底面から金属バンプ３上の金属めっき層６の上面までの高さと、ベース金属基板２の底面から絶縁樹脂層４上の金属めっき層６の上面までの高さとが同一であることから、金属バンプ３上に搭載するＬＥＤチップと絶縁樹脂層４上の金属めっき層６上とをワイヤボンディングによって接続する際には、容易且つ高精度に両者を接続することができる。 Embodiments to which the present invention is applied will be described below.
The circuit board according to the present invention includes a base metal substrate 2 made of one selected from copper, a copper alloy, and aluminum, as shown in FIG. A metal bump 3 made of a metal selected from copper, copper alloy, aluminum, and nickel having an upper surface area of 9 mm 2 or more, an insulating resin layer 4 formed around the side surface of the metal bump 3, and an insulating resin A metal layer (metal layer 5 and metal plating layer 6) formed on the layer 4 and the metal bump 3, and a height from the bottom surface of the base metal substrate 2 to the upper surface of the metal plating layer 6 on the metal bump 3. In this circuit board, the height from the bottom surface of the base metal substrate 2 to the top surface of the metal plating layer 6 on the insulating resin layer 4 is the same.
Since the insulating resin layer 4 is formed around the side surface of the metal bump 3, the circuit board according to the present invention can be a circuit board in which no resin remains on the metal bump 3. The circuit board according to the present invention has a height from the bottom surface of the base metal substrate 2 to the top surface of the metal plating layer 6 on the metal bump 3, and the metal plating layer 6 on the insulating resin layer 4 from the bottom surface of the base metal substrate 2. When the LED chip mounted on the metal bump 3 and the metal plating layer 6 on the insulating resin layer 4 are connected to each other by wire bonding, the height to the upper surface of the metal bump 3 is the same. Both can be connected.

次に、このような本発明の回路基板を製造する製造方法について説明する。   Next, a manufacturing method for manufacturing such a circuit board of the present invention will be described.

＜第１の実施形態＞
第１の実施形態の回路基板を製造する製造工程の一例について説明する。
この第１の実施形態の回路基板の製造工程は、以下の順序による各工程からなる。
１−１．準備工程
１−２．レジスト配置工程（１）
１−３．バンプ形成工程
１−４．層配置工程
１−５．プレス工程
１−６．凸部除去工程
１−７．めっき工程
１−８．レジスト配置工程（２）
１−９．パターン形成工程 <First Embodiment>
An example of a manufacturing process for manufacturing the circuit board according to the first embodiment will be described.
The manufacturing process of the circuit board according to the first embodiment includes the following steps.
1-1. Preparation step 1-2. Resist placement process (1)
1-3. Bump formation process 1-4. Layer arrangement step 1-5. Pressing process 1-6. Convex part removal process 1-7. Plating step 1-8. Resist placement process (2)
1-9. Pattern formation process

（１−１．準備工程）
まず、図１（ａ）に示すように、後の工程でベース金属基板２及び金属バンプ３を形成するための金属板１を準備する。
金属板１の厚みは、特に限定されないが、例えば、１０μｍ乃至３００００μｍとすることができる。
金属板１を構成する金属としては、金属バンプ３を形成することから、放熱性及び高い電気伝導性の金属であることが好ましい。具体的には、銅、銅合金、アルミニウムから選択される１種の金属が好ましく、特に、熱伝導性や電気伝導性の点から、銅がより好ましい。 (1-1. Preparation process)
First, as shown in FIG. 1A, a metal plate 1 for forming a base metal substrate 2 and metal bumps 3 in a later process is prepared.
Although the thickness of the metal plate 1 is not specifically limited, For example, it can be set as 10 micrometers-30000 micrometers.
The metal constituting the metal plate 1 is preferably a metal with high heat dissipation and high electrical conductivity since the metal bumps 3 are formed. Specifically, one type of metal selected from copper, a copper alloy, and aluminum is preferable, and copper is particularly preferable from the viewpoint of thermal conductivity and electrical conductivity.

（１−２．レジスト配置工程（１））
次に、図１（ｂ）に示すように、エッチングレジストＭを、金属板１上面の金属バンプ３を形成する位置に配置する。
（１−３．バンプ形成工程）
次に、図１（ｃ）に示すように、エッチングレジストＭを用いて、金属板１の選択的なエッチングを行うことにより、回路基板上におけるＬＥＤチップの搭載位置に金属バンプ３（柱状金属部）を形成する。金属バンプ３の形状は、特に限定されず、例えば三角形、四角形でも良いが、通常は、上面が円形の柱状である。
金属バンプ３の上面の面積（バンプ面積）は、例えばＬＥＤチップの幅方向サイズと同じ又はそれ以下であり、ＬＥＤチップが発する熱をベース金属基板２に逃がすものであるため、ＬＥＤチップのバンプ面積よりも大きい方が、放熱効果がより大きいことから好ましく、具体的には、９ｍｍ２以上である。
また、金属バンプ３のバンプ面積を従来一般に使用される回路基板の金属バンプのバンプ面積よりも大きくすることにより、ＬＥＤモジュールの小型化及び高放熱性を実現することができる。 (1-2. Resist placement step (1))
Next, as shown in FIG. 1B, the etching resist M is disposed at a position where the metal bump 3 on the upper surface of the metal plate 1 is formed.
(1-3. Bump formation process)
Next, as shown in FIG. 1C, by selectively etching the metal plate 1 using the etching resist M, the metal bumps 3 (columnar metal portions) are formed on the LED chip mounting position on the circuit board. ). The shape of the metal bump 3 is not particularly limited and may be, for example, a triangle or a quadrangle, but is usually a columnar shape with a circular upper surface.
The area (bump area) of the upper surface of the metal bump 3 is, for example, the same as or smaller than the size in the width direction of the LED chip and releases heat generated by the LED chip to the base metal substrate 2. The larger one is preferable because the heat dissipation effect is larger, and specifically, 9 mm 2 or more.
Further, by making the bump area of the metal bump 3 larger than the bump area of the metal bump of the circuit board that is generally used conventionally, the LED module can be reduced in size and high heat dissipation.

金属バンプ３を構成する金属としては、上述したように、放熱性及び高い電気伝導性の金属であることが好ましく、具体的には、銅、銅合金、アルミニウム、ニッケルから選択される金属が好ましく、特に、熱伝導性や電気伝導性の点から、銅がより好ましい。   As described above, the metal constituting the metal bump 3 is preferably a metal with high heat dissipation and high electrical conductivity, and specifically, a metal selected from copper, copper alloy, aluminum, and nickel is preferable. In particular, copper is more preferable from the viewpoint of thermal conductivity and electrical conductivity.

エッチングレジストＭとしては、感光性樹脂やドライフィルムレジスト（フォトレジスト）等が挙げられる。なお、金属板１のベース金属基板２となる部分がエッチングされるのを防止するためのマスク材を、金属板１の下面に設けるのが好ましい。   Examples of the etching resist M include a photosensitive resin and a dry film resist (photoresist). In addition, it is preferable to provide a mask material on the lower surface of the metal plate 1 for preventing the portion of the metal plate 1 to be the base metal substrate 2 from being etched.

エッチングの方法としては、金属板１を構成する各金属の種類に応じた各種エッチング液を用いたエッチング方法が挙げられる。
金属板１が銅である場合には、過硫酸アンモニウム、過酸化水素−硫酸等の市販のアルカリエッチング液を使用できる。このようなエッチング液により、金属板１におけるエッチングレジストＭで表面がマスクされた部分以外の部分をエッチングした後、エッチングレジストＭを除去する。 As an etching method, an etching method using various etching liquids according to the type of each metal constituting the metal plate 1 can be used.
When the metal plate 1 is copper, a commercially available alkaline etching solution such as ammonium persulfate or hydrogen peroxide-sulfuric acid can be used. After etching a portion of the metal plate 1 other than the portion whose surface is masked with the etching resist M, the etching resist M is removed.

エッチングレジストＭを除去する方法としては、薬剤除去、剥離除去など、エッチングレジストＭの種類に応じて適宜選択すればよい。例えば、スクリーン印刷により形成された感光性のインクである場合、アルカリ等の薬品にて除去される。   The method for removing the etching resist M may be selected as appropriate according to the type of the etching resist M, such as chemical removal and peeling removal. For example, in the case of photosensitive ink formed by screen printing, it is removed with chemicals such as alkali.

金属バンプ３のバンプ面積は、上述のように９ｍｍ２以上であり、一例としては、バンプ面積２５ｍｍ２の極めて大きな金属バンプ３を形成することができる。
また、金属バンプの形成方法は、上述の金属バンプ３を形成する例に限定されない。例えば、特許第３２１７３８１号、特許第３１７８６７７号に記載されている方法で金属バンプを形成するようにしてもよい。
なお、ここでは、バンプ面積が９ｍｍ２以上ある金属バンプ３を形成する例について説明しているが、この例に限定されず、他のバンプ面積の金属バンプ（バンプ面積が大きいもの）を形成する場合であっても、この第１の実施形態による製造方法を適用することが可能である。 The bump area of the metal bump 3 is 9 mm 2 or more as described above, and as an example, an extremely large metal bump 3 having a bump area of 25 mm 2 can be formed.
Moreover, the formation method of the metal bump is not limited to the example in which the metal bump 3 is formed. For example, metal bumps may be formed by the methods described in Japanese Patent Nos. 3217381 and 3178777.
Although an example of forming the metal bump 3 having a bump area of 9 mm 2 or more is described here, the present invention is not limited to this example, and a metal bump having a different bump area (those having a large bump area) is formed. Even in this case, it is possible to apply the manufacturing method according to the first embodiment.

（１−４．層配置工程）
次に、図１（ｄ）に示すように、ベース金属基板２上に絶縁樹脂層４を配置し、その絶縁樹脂層４上及び金属バンプ３上に金属層５を配置する。
絶縁樹脂層４には、金属バンプ３の形状に対応した柱状の穴部分４ａが形成されている。この層配置工程では、絶縁樹脂層４の穴部分４ａに金属バンプ３を挿入するバンプ挿入工程を有する。
絶縁樹脂層４の上面側における穴部分の面積（以下、これを「穴面積」ともいう。）は、金属バンプ３のバンプ面積よりも僅かに大きい。具体的には、金属バンプ３のバンプ面積が９ｍｍ２以上であり、絶縁樹脂層４の上面側における穴面積は９ｍｍ２よりも大きい面積である。
バンプ挿入工程では、ベース金属基板２上に形成された金属バンプ３の上面（バンプ面積９ｍｍ２以上、例えば円形）の中心と、絶縁樹脂層４の上面側における穴部分（穴面積９ｍｍ２よりも大きく、例えば円形）の中心とが重なるようにして、絶縁樹脂層４の穴部分４ａに金属バンプ３を挿入する。これにより、ベース金属基板２上の金属バンプ３が形成されていない位置に絶縁樹脂層４が配置される。
このように、絶縁樹脂層４の穴部分４ａに金属バンプ３を挿入するだけで、ベース金属基板２上に絶縁樹脂層４が配置され、金属バンプ３の側面周囲に絶縁樹脂層が形成される。 (1-4. Layer arrangement process)
Next, as shown in FIG. 1D, the insulating resin layer 4 is disposed on the base metal substrate 2, and the metal layer 5 is disposed on the insulating resin layer 4 and the metal bump 3.
In the insulating resin layer 4, columnar hole portions 4 a corresponding to the shape of the metal bumps 3 are formed. This layer arranging step includes a bump insertion step of inserting the metal bump 3 into the hole portion 4 a of the insulating resin layer 4.
The area of the hole portion on the upper surface side of the insulating resin layer 4 (hereinafter also referred to as “hole area”) is slightly larger than the bump area of the metal bump 3. Specifically, the bump area of the metal bump 3 is 9 mm 2 or more, and the hole area on the upper surface side of the insulating resin layer 4 is an area larger than 9 mm 2 .
In the bump insertion step, the center of the upper surface (bump area 9 mm 2 or more, for example, a circle) of the metal bump 3 formed on the base metal substrate 2 and the hole portion (hole area 9 mm 2 on the upper surface side of the insulating resin layer 4). The metal bumps 3 are inserted into the hole portions 4a of the insulating resin layer 4 so as to overlap the center of the large (eg, circular) shape. Thereby, the insulating resin layer 4 is arrange | positioned in the position where the metal bump 3 on the base metal substrate 2 is not formed.
In this way, the insulating resin layer 4 is disposed on the base metal substrate 2 simply by inserting the metal bump 3 into the hole portion 4 a of the insulating resin layer 4, and the insulating resin layer is formed around the side surface of the metal bump 3. .

絶縁樹脂層４を構成する絶縁性材料は、特に限定されない。例えば、加熱及び加圧によって変形して固化すると共に、通常の配線基板に要求される耐熱性を有する絶縁性樹脂に、絶縁樹脂層４の強度を上げる所定の材料を含有するものを挙げることができる。例えば、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂等の各種反応硬化性樹脂からなる絶縁性樹脂に、ガラス繊維（ガラスクロス）、セラミック繊維、アラミド繊維等の繊維を複合させてなる複合体（プリプレグ）等を挙げることができる。
絶縁樹脂層４をこのような複合体とすることで、ドリル加工等により穴部分４ａを形成する際に、絶縁樹脂層４に割れ、剥がれ等の形状変化が生じないようにすることができる。
特に、ガラスクロスは、容易に絶縁樹脂層４の強度を上げることができるため、好適である。
絶縁樹脂層４の複合体における絶縁性樹脂としては、硬化状態下において、ベース金属基板２との接合力に優れ、さらには耐電圧特性等を損なわない樹脂を挙げることができる。
このような樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂の他、各種のエンジニアリングプラスチック等を単独で、または２種以上混合して用いることができる。この内、エポキシ樹脂が金属同士の接合力に優れるので好ましい。
エポキシ樹脂の中では、例えば、流動性が高い、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂構造を両末端に有するトリブロックポリマー、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂構造を両末端に有するトリブロックポリマーが好ましい。 The insulating material constituting the insulating resin layer 4 is not particularly limited. For example, a material containing a predetermined material for increasing the strength of the insulating resin layer 4 is included in the insulating resin having heat resistance required for a normal wiring board while being deformed and solidified by heating and pressing. it can. For example, composites (prepregs) in which fibers such as glass fibers (glass cloth), ceramic fibers, and aramid fibers are combined with insulating resins made of various reaction curable resins such as polyimide resins, phenol resins, and epoxy resins. Can be mentioned.
By forming the insulating resin layer 4 as such a composite, it is possible to prevent the insulating resin layer 4 from undergoing a shape change such as cracking or peeling when the hole portion 4a is formed by drilling or the like.
In particular, glass cloth is preferable because the strength of the insulating resin layer 4 can be easily increased.
Examples of the insulating resin in the composite of the insulating resin layer 4 include resins that are excellent in bonding strength with the base metal substrate 2 in a cured state and that do not impair the withstand voltage characteristics.
As such a resin, for example, in addition to an epoxy resin, a phenol resin, and a polyimide resin, various engineering plastics can be used alone or in combination of two or more. Among these, an epoxy resin is preferable because it is excellent in bonding strength between metals.
Among epoxy resins, for example, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, hydrogenated bisphenol A type epoxy resin, hydrogenated bisphenol F type epoxy resin, and bisphenol A type epoxy resin structure with high fluidity at both ends A triblock polymer having a bisphenol F type epoxy resin structure at both ends is preferable.

絶縁樹脂層４の絶縁性樹脂には、熱伝導性を高めるために熱伝導性フィラーを含ませるようにしてもよい。   The insulating resin of the insulating resin layer 4 may contain a heat conductive filler in order to increase the heat conductivity.

絶縁樹脂層４は、熱伝導性フィラーを含ませる場合、１．０Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率を有し、１．２Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率を有することが好ましく、１．５Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率を有することがより好ましい。これによって、金属バンプ３からの熱を効率良くベース金属基板１１側に放熱することができる。ここで、絶縁樹脂層４の熱伝導率は、適宜、熱伝導性フィラーの配合量及び粒度分布を考慮した配合を選択することで決定されるが、硬化前の絶縁性接着剤の塗工性を考慮すると、一般的には１０Ｗ／ｍＫ程度が上限として好ましい。   Insulating resin layer 4 has a thermal conductivity of 1.0 W / mK or more, preferably a thermal conductivity of 1.2 W / mK or more, and includes 1.5 W / mK when including a thermally conductive filler. It is more preferable to have the above thermal conductivity. Thereby, the heat from the metal bump 3 can be efficiently radiated to the base metal substrate 11 side. Here, the thermal conductivity of the insulating resin layer 4 is appropriately determined by selecting a formulation that takes into account the blending amount and particle size distribution of the thermally conductive filler, but the applicability of the insulating adhesive before curing. In general, the upper limit is preferably about 10 W / mK.

絶縁樹脂層４の絶縁性樹脂に含ませる熱伝導性フィラーとしては、例えば金属酸化物及び／又は金属窒化物からなる熱伝導性フィラーを挙げることができる。金属酸化物並びに金属窒化物は、熱伝導性に優れるとともに電気絶縁性であるものが好ましい。
金属酸化物としては、例えば酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化ベリリウム、酸化マグネシウムが好ましく、金属窒化物としては窒化硼素、窒化珪素、窒化アルミニウムが好ましい。これらを単独または２種以上を混合して用いることができる。
金属酸化物の中でも、酸化アルミニウムは電気絶縁性、熱伝導性ともに良好な絶縁接着剤層を容易に得ることができ、しかも安価に入手可能であることから特に好ましい。
また、金属窒化物の中でも、窒化硼素は電気絶縁性、熱伝導性に優れ、更に誘電率が小さいことから特に好ましい。 Examples of the heat conductive filler to be included in the insulating resin of the insulating resin layer 4 include a heat conductive filler made of a metal oxide and / or a metal nitride. The metal oxide and the metal nitride are preferably excellent in thermal conductivity and electrically insulating.
As the metal oxide, for example, aluminum oxide, silicon oxide, beryllium oxide, and magnesium oxide are preferable, and as the metal nitride, boron nitride, silicon nitride, and aluminum nitride are preferable. These can be used alone or in admixture of two or more.
Among metal oxides, aluminum oxide is particularly preferable because it can easily obtain an insulating adhesive layer having good electrical insulation and thermal conductivity and can be obtained at low cost.
Of the metal nitrides, boron nitride is particularly preferable because it is excellent in electrical insulation and thermal conductivity and has a low dielectric constant.

熱伝導性フィラーとしては、小径フィラー及び大径フィラーの両方を含むものが好ましい。このように２種以上の大きさの異なる粒子（粒度分布の異なる粒子）を用いることで、大径フィラー自体による伝熱機能と、小径フィラーにより大径フィラー間の樹脂の伝熱性を高める機能により、絶縁樹脂層４の熱伝導率をより向上させることができる。
このような観点から、小径フィラーのメディアン径は、例えば０．５μｍ乃至２μｍとすることができ、より好ましくは０．５μｍ乃至１μｍとすることができる。また、大径フィラーのメディアン径は、例えば１０μｍ乃至４０μｍとすることができ、より好ましくは１５μｍ乃至２０μｍとすることができる。 As a heat conductive filler, what contains both a small diameter filler and a large diameter filler is preferable. Thus, by using two or more kinds of particles having different sizes (particles having different particle size distributions), the heat transfer function by the large-diameter filler itself and the function of increasing the heat transfer property of the resin between the large-diameter fillers by the small-diameter filler. Further, the thermal conductivity of the insulating resin layer 4 can be further improved.
From such a viewpoint, the median diameter of the small-diameter filler can be, for example, 0.5 μm to 2 μm, and more preferably 0.5 μm to 1 μm. In addition, the median diameter of the large-diameter filler can be, for example, 10 μm to 40 μm, and more preferably 15 μm to 20 μm.

絶縁樹脂層４における穴部分４ａは、例えば以下のような形成方法によって形成することができる（図２参照）。
図２（ａ）に示すように、穴部分４ａを形成するための絶縁樹脂層４は、所定の厚さを有する絶縁性の部材である。この絶縁樹脂層４の厚さは、特に限定されないが、金属バンプ３の高さと同程度であることが好ましい。なお、後のプレス工程で加圧されることを考慮し、金属バンプ３の高さよりもやや厚いものであってもよい。
図２（ｂ）に示すように、絶縁樹脂層４に穴部分４ａを形成する際には、凸型の先端加工部３０ａを有するドリル或いはルーター等の加工器具３０を用いてドリル加工を行う。
これにより、図２（ｃ）の絶縁樹脂層４の上面図に示すように、絶縁樹脂層４の上面と下面とを貫通する円形の穴部分４ａを形成する。 The hole 4a in the insulating resin layer 4 can be formed, for example, by the following forming method (see FIG. 2).
As shown in FIG. 2A, the insulating resin layer 4 for forming the hole portion 4a is an insulating member having a predetermined thickness. The thickness of the insulating resin layer 4 is not particularly limited, but is preferably about the same as the height of the metal bump 3. In consideration of pressurization in a subsequent pressing step, the metal bump 3 may be slightly thicker than the height.
As shown in FIG. 2B, when the hole portion 4a is formed in the insulating resin layer 4, drilling is performed using a processing tool 30 such as a drill or a router having a convex tip processing portion 30a.
Thereby, as shown in the top view of the insulating resin layer 4 in FIG. 2C, a circular hole portion 4a penetrating the upper and lower surfaces of the insulating resin layer 4 is formed.

上述したように、穴部分４ａの面積（穴面積）は、金属バンプ３のバンプ面積よりも僅かに大きいものとする。穴部分４ａの穴面積を金属バンプ３のバンプ面積よりも僅かに大きくすることにより、絶縁樹脂層４の穴部分４ａに金属バンプ３を容易に挿入し、これにより、ベース金属基板２上に絶縁樹脂層４を配置することができる。穴部分４ａの穴面積は、金属バンプ３のバンプ面積よりも大きければよく、バンプ面積９ｍｍ２以上の金属バンプ３に対し、穴面積が９ｍｍ２よりも大きい穴部分を形成する。穴部分４ａの穴面積は、例えば２７ｍｍ２である。
また、穴部分４ａの穴面積は、金属バンプ３のバンプ面積よりも僅かに大きくすることによって次のような効果もある。すなわち、このようにすることによって、後述するプレス工程において、絶縁樹脂層４がプレスの圧力によって流動して、不適切に金属バンプ３の上側に盛り上がることを防ぐことが可能となる。 As described above, the area (hole area) of the hole portion 4 a is slightly larger than the bump area of the metal bump 3. By making the hole area of the hole portion 4 a slightly larger than the bump area of the metal bump 3, the metal bump 3 can be easily inserted into the hole portion 4 a of the insulating resin layer 4, thereby insulating on the base metal substrate 2. The resin layer 4 can be disposed. The hole area of the hole part 4a only needs to be larger than the bump area of the metal bump 3, and a hole part having a hole area larger than 9 mm 2 is formed for the metal bump 3 having a bump area of 9 mm 2 or more. The hole area of the hole portion 4a is, for example, 27 mm 2 .
Further, by making the hole area of the hole portion 4a slightly larger than the bump area of the metal bump 3, the following effects can be obtained. That is, by doing in this way, it becomes possible to prevent the insulating resin layer 4 from flowing due to the pressure of the press and improperly rising above the metal bumps 3 in the press step described later.

なお、このようなドリル加工に代えて、金型を用いた金属プレス加工等の従来一般に行われているプレス加工、或いはトムソン刃により絶縁樹脂層４を打ち抜くことにより、穴部分４ａを形成するようにしてもよい。
これにより、穴部分４ａが形成された絶縁樹脂層４を容易に大量生産することができる。また、金属プレス加工によって生産することによって、複数の穴部分４ａを有する絶縁樹脂層４に対しては、適切な位置に、適切な穴面積の穴部分４ａを形成することが可能となる。 Instead of such drilling, the hole portion 4a is formed by punching the insulating resin layer 4 with a conventional press working such as metal pressing using a metal mold or a Thomson blade. It may be.
Thereby, the insulating resin layer 4 in which the hole portion 4a is formed can be easily mass-produced. Further, by producing by metal pressing, it is possible to form the hole portion 4a having an appropriate hole area at an appropriate position with respect to the insulating resin layer 4 having the plurality of hole portions 4a.

さらになお、この穴部分４ａの形状は、図２（ｃ）のように、上方から見た場合に、上側の面が円形の円柱形状を想定しているが、この形状に限定される趣旨ではない。金属バンプ３の形状に適合させて、上側の面の形状が正方形、長方形、三角形状等であってもよく、穴面積が９ｍｍ２よりも大きければ、何れの形状であってもよい。
また、この円柱の形状も、絶縁樹脂層４の上側から下側まで同じ長さである必要はない。例えば、穴の形状は円錐台であってよい。 Furthermore, as shown in FIG. 2C, the shape of the hole portion 4a is assumed to be a cylindrical shape having a circular upper surface when viewed from above, but the shape is limited to this shape. Absent. According to the shape of the metal bump 3, the shape of the upper surface may be a square, a rectangle, a triangle or the like, and may be any shape as long as the hole area is larger than 9 mm 2 .
In addition, the shape of the column need not be the same length from the upper side to the lower side of the insulating resin layer 4. For example, the shape of the hole may be a truncated cone.

図３の絶縁樹脂層４の上面図に示すように、絶縁樹脂層４における９ｍｍ２よりも大きい穴面積の穴部分４ａに金属バンプ３を挿入することにより、ベース基板２上に絶縁樹脂層４が配置される。これにより、面積が９ｍｍ２以上の金属バンプ３の上面のみが露出され、金属バンプ３間、すなわち金属バンプ３の側面周囲が絶縁樹脂層４で充填される。そして、絶縁樹脂層４上に金属層５を配置する。
このような穴部分４ａを有する絶縁樹脂層４を用いた配置処理によれば、短時間でベース金属基板１１上の正確な位置に絶縁樹脂層４を配置させることができる。 As shown in the top view of the insulating resin layer 4 in FIG. 3, the metal bump 3 is inserted into the hole portion 4 a having a hole area larger than 9 mm 2 in the insulating resin layer 4, whereby the insulating resin layer 4 is formed on the base substrate 2. Is placed. Thereby, only the upper surface of the metal bump 3 having an area of 9 mm 2 or more is exposed, and the insulating resin layer 4 is filled between the metal bumps 3, that is, around the side surface of the metal bump 3. Then, the metal layer 5 is disposed on the insulating resin layer 4.
According to the arrangement process using the insulating resin layer 4 having the hole portion 4a, the insulating resin layer 4 can be arranged at an accurate position on the base metal substrate 11 in a short time.

そして、金属バンプ３上に絶縁樹脂層４が配置されないことから、金属バンプ３上においては絶縁樹脂層４の樹脂が存在しないため、研磨によっても金属バンプ３上に樹脂が残存して電気的及び機械的な接続信頼性を低下させる、といった問題も生じない。これにより、大面積でありながらも樹脂残りのない上面を有する金属バンプを形成した回路基板を製造することができる。   Since the insulating resin layer 4 is not disposed on the metal bump 3, the resin of the insulating resin layer 4 does not exist on the metal bump 3, so that the resin remains on the metal bump 3 even after polishing. There is no problem of reducing the mechanical connection reliability. As a result, it is possible to manufacture a circuit board on which metal bumps having a top surface with a large area and no resin residue are formed.

なお、従来、金属バンプ上に絶縁樹脂層が配置される場合には、この金属バンプ上に残存する樹脂を完全に除去するために、さらに強く研磨を行っていた。この場合、金属バンプ３側面周囲の絶縁樹脂層の表面まで大きく削られてしまい、この金属バンプ３側面周囲の絶縁樹脂層の表面において凹みを生じさせることがあった。その結果、従来、この凹みが生じている位置においてピール強度が低下するといった問題もあった。
このように第１の実施形態によれば、金属バンプ３上に絶縁樹脂層４が配置されないことから、金属バンプ３の上面を強く研磨する必要がなく、研磨によって金属バンプ３側面周囲の絶縁樹脂層の表面まで削られてしまうことを防止することが可能となる。その結果、金属バンプ３側面周囲の絶縁樹脂層の上面に大きな凹みが生じることがないため、製造される回路基板において高いピール強度を確保することが可能となる。 Conventionally, when an insulating resin layer is disposed on a metal bump, polishing has been performed more strongly in order to completely remove the resin remaining on the metal bump. In this case, the surface of the insulating resin layer around the side surface of the metal bump 3 is greatly shaved, and a dent may be generated on the surface of the insulating resin layer around the side surface of the metal bump 3. As a result, there has been a problem that the peel strength is lowered at the position where the dent is generated.
As described above, according to the first embodiment, since the insulating resin layer 4 is not disposed on the metal bump 3, it is not necessary to strongly polish the upper surface of the metal bump 3, and the insulating resin around the side surface of the metal bump 3 by polishing. It is possible to prevent the surface of the layer from being scraped off. As a result, since a large dent does not occur on the upper surface of the insulating resin layer around the side surface of the metal bump 3, it is possible to ensure high peel strength in the manufactured circuit board.

この第１の実施形態では、従来よりもバンプ面積の大きい金属バンプ３（例えば９ｍｍ２以上の面積）を形成することにより、高い放熱性を確保することができる。そして、このようにバンプ面積が大きい金属バンプ３を形成しても、その金属バンプ３上に樹脂が存在しないことから、接続信頼性（電気的及び機械的）の高い高性能な回路基板を製造することができる。 In the first embodiment, high heat dissipation can be ensured by forming the metal bump 3 (for example, an area of 9 mm 2 or more) having a larger bump area than the conventional one. And even if the metal bump 3 having a large bump area is formed in this way, no resin exists on the metal bump 3, so that a high-performance circuit board with high connection reliability (electrical and mechanical) is manufactured. can do.

そして、従来よりも面積の大きい金属バンプ３を形成した回路基板を使用することで、高い放熱性を確保することができるため、金属バンプ３上に多数のＬＥＤチップを搭載した場合であっても、これら多数のＬＥＤチップが発する熱を効率良く金属バンプ３を介してベース基板２側に逃がすことができる。また、１つの金属バンプ３上に多数のＬＥＤモジュールを密集して搭載することができることから、これと同数のＬＥＤモジュールを従来のようにバンプ面積の小さい金属バンプのそれぞれに搭載した場合と比べてＬＥＤモジュールの小型化を実現することが可能となる。   And since it is possible to ensure high heat dissipation by using a circuit board on which metal bumps 3 having a larger area than before are used, even when a large number of LED chips are mounted on the metal bumps 3. The heat generated by these many LED chips can be efficiently released to the base substrate 2 side through the metal bumps 3. In addition, since a large number of LED modules can be mounted densely on one metal bump 3, compared to the case where the same number of LED modules are mounted on each of the metal bumps having a small bump area as in the prior art. It becomes possible to reduce the size of the LED module.

金属層５は、特に限定されないが、銅箔とすることができる。銅箔としては、各種市販のものを使用することができる。   The metal layer 5 is not particularly limited, but can be a copper foil. Various commercially available copper foils can be used.

（１−５．プレス工程）
次に、図１（ｅ）に示すように、金属層５上面を加熱及び加圧する（熱プレス）。これにより、ベース金属基板２と、絶縁樹脂層４と、金属層５とを圧着させる。金属バンプ３の存在により、熱プレスによって金属層５が凹状に変形することに対応して金属バンプ３上に凸部Ａが形成される。このようにしてプレス工程では、凸部Ａを有する積層体が形成される。
加熱及び加圧の方法としては、加熱加圧装置（熱ラミネータ、加熱プレス装置）などを用いて行えばよく、その際、空気の混入を避けるために、雰囲気を真空（真空ラミネータ等）にしてもよい。加熱温度、圧力等の諸条件は、絶縁樹脂層４の材料や厚さに応じて適宜設定すればよいが、圧力としては、例えば０．５ＭＰａ乃至３０ＭＰａとすることができる。
シート材は、加熱プレス時に凹状変形を許容する材料であればよく、クッション紙、ゴムシート、エラストマーシート、不織布、織布、多孔質シート、発泡体シート、金属箔、これらの複合体等を挙げることができる。特に、クッション紙、ゴムシート、エラストマーシート、発泡体シート、これらの複合体等の弾性変形可能なものが好ましい。 (1-5. Pressing process)
Next, as shown in FIG.1 (e), the upper surface of the metal layer 5 is heated and pressurized (hot press). Thereby, the base metal substrate 2, the insulating resin layer 4, and the metal layer 5 are pressure-bonded. Due to the presence of the metal bump 3, a convex portion A is formed on the metal bump 3 in response to the metal layer 5 being deformed into a concave shape by hot pressing. In this way, in the pressing step, a laminate having the convex portion A is formed.
As a heating and pressurizing method, a heating / pressurizing device (thermal laminator, heating press device) or the like may be used. In this case, in order to avoid air contamination, the atmosphere is set to a vacuum (vacuum laminator, etc.). Also good. Various conditions such as heating temperature and pressure may be set as appropriate according to the material and thickness of the insulating resin layer 4, and the pressure may be set to 0.5 MPa to 30 MPa, for example.
The sheet material only needs to be a material that allows concave deformation at the time of heating press, and examples thereof include cushion paper, rubber sheet, elastomer sheet, nonwoven fabric, woven fabric, porous sheet, foam sheet, metal foil, and composites thereof. be able to. In particular, elastically deformable materials such as cushion paper, rubber sheets, elastomer sheets, foam sheets, and composites thereof are preferable.

（１−６．凸部除去工程）
次に、図１（ｆ）に示すように、凸部Ａを除去する処理を行い、金属バンプ３の上面が露出されて平坦面Ｂが形成される。この凸部Ａの除去の際には、金属層５の高さと金属バンプ３の高さとが一致するように、凸部Ａを除去した。これにより、ベース金属基板２の底面から金属バンプ３の上面までの高さと、ベース金属基板２の底面から金属層５の上面までの高さとを同一となるようにする。
このように、ベース金属基板２の底面から金属バンプ３上の金属めっき層６の上面までの高さと、ベース金属基板２の底面から絶縁樹脂層４上の金属めっき層６の上面までの高さとが同一であることにより、金属バンプ３上に搭載するＬＥＤチップと絶縁樹脂層４上の金属めっき層６上とをワイヤボンディングによって接続する際には、容易且つ高精度に両者を接続することができる。 (1-6. Projection removal process)
Next, as shown in FIG. 1F, a process of removing the convex portion A is performed, and the upper surface of the metal bump 3 is exposed to form a flat surface B. When removing the protrusion A, the protrusion A was removed so that the height of the metal layer 5 and the height of the metal bump 3 coincided. As a result, the height from the bottom surface of the base metal substrate 2 to the top surface of the metal bump 3 is made equal to the height from the bottom surface of the base metal substrate 2 to the top surface of the metal layer 5.
Thus, the height from the bottom surface of the base metal substrate 2 to the top surface of the metal plating layer 6 on the metal bump 3 and the height from the bottom surface of the base metal substrate 2 to the top surface of the metal plating layer 6 on the insulating resin layer 4 Therefore, when the LED chip mounted on the metal bump 3 and the metal plating layer 6 on the insulating resin layer 4 are connected by wire bonding, both can be connected easily and with high accuracy. it can.

凸部Ａを除去する方法としては、研削、研磨等を挙げることができる。
例えば、ダイヤモンド製等の硬質刃を回転板の半径方向に複数配置した硬質回転刃を有する研削装置を使用する方法や、サンダ、ベルトサンダ、グラインダ、平面研削盤、硬質砥粒成形品等を用いる方法等が挙げられる。
研削装置を使用すると、硬質回転刃を回転させながら、固定支持された配線基板の上面に沿って移動させることによって、金属バンプ３の上面を平坦化することができる。
研磨の方法としては、例えば、ベルトサンダ、バフ研磨等により軽く研磨する方法が挙げられる。 Examples of the method for removing the convex portion A include grinding and polishing.
For example, a method using a grinding device having a hard rotating blade in which a plurality of hard blades made of diamond or the like are arranged in the radial direction of the rotating plate, a sander, a belt sander, a grinder, a surface grinder, a hard abrasive molded product, or the like is used. Methods and the like.
When the grinding apparatus is used, the upper surface of the metal bump 3 can be flattened by moving the hard rotary blade along the upper surface of the wiring substrate fixedly supported.
Examples of the polishing method include a method of lightly polishing by a belt sander, buffing or the like.

（１−７．めっき工程）
次に、図１（ｇ）に示すように、露出された金属バンプ３上面及び金属層５上面を覆うように、例えば無電解及び電解により、金属めっき層６を形成する。或いは、図示しないが、露出された金属バンプ３上面のみを金属めっきするようにしてもよい。
金属めっき層６のめっき金属種としては、例えば銅、銀、ニッケル等が好ましい。金属めっき層６を形成する方法としては、例えば、エッチングレジストを使用してパターン形成するパネルめっき法や、パターンめっき用レジストを使用してめっきで形成するパターンめっき法等が挙げられる。 (1-7. Plating process)
Next, as shown in FIG. 1G, a metal plating layer 6 is formed by, for example, electroless and electrolysis so as to cover the exposed upper surface of the metal bump 3 and the upper surface of the metal layer 5. Alternatively, although not shown, only the exposed upper surface of the metal bump 3 may be metal-plated.
As the plating metal species of the metal plating layer 6, for example, copper, silver, nickel and the like are preferable. Examples of the method for forming the metal plating layer 6 include a panel plating method for forming a pattern using an etching resist, and a pattern plating method for forming by plating using a resist for pattern plating.

（１−８．レジスト配置工程（２））
次に、図１（ｈ）に示すように、エッチングレジストＮを金属めっき層６の周辺パターン部６ａ，６ｂ及びパッド６ｃを形成する部分の上面に配置する。 (1-8. Resist placement step (2))
Next, as shown in FIG. 1H, the etching resist N is disposed on the upper surface of the portion where the peripheral pattern portions 6a and 6b and the pad 6c of the metal plating layer 6 are formed.

（１−９．パターン形成工程）
次に、図１（ｉ）に示すように、エッチングレジストＮを用いて、所定のパターンで金属めっき層６及び金属層５を部分的にエッチングする。これにより、下層に金属層５を有するパターン部、すなわち、ＬＥＤチップが搭載されるパッド６ｃ、及び、電極部を形成する周辺パターン部６ａ，６ｂを形成する。これにより、絶縁樹脂層４が、これらのパターン部が形成されていない部分（非パターン部４ｂ）から露出されるようになる。
パッド６ｃの幅は、特に限定されないが、実装されるＬＥＤチップの幅よりも小さくする必要がある。パッド６ｃの上面の形状は、四角形、円形等何れでもよい。非パターン部４ｂの幅は、短絡を防止することができれば特に限定されない。 (1-9. Pattern formation step)
Next, as shown in FIG. 1I, the metal plating layer 6 and the metal layer 5 are partially etched in a predetermined pattern using the etching resist N. Thereby, the pattern part which has the metal layer 5 in the lower layer, that is, the pad 6c on which the LED chip is mounted, and the peripheral pattern parts 6a and 6b which form the electrode part are formed. Thereby, the insulating resin layer 4 comes to be exposed from the part (non-pattern part 4b) in which these pattern parts are not formed.
The width of the pad 6c is not particularly limited, but needs to be smaller than the width of the LED chip to be mounted. The shape of the upper surface of the pad 6c may be any of a quadrangle and a circle. The width of the non-pattern part 4b is not particularly limited as long as a short circuit can be prevented.

エッチングレジストＮを除去する方法としては、薬剤除去、剥離除去など、エッチングレジストＮの種類に応じて適宜選択すればよい。例えば、スクリーン印刷により形成された感光性のインクである場合、アルカリ等の薬品にて除去される。   A method for removing the etching resist N may be selected as appropriate according to the type of the etching resist N, such as chemical removal and peeling removal. For example, in the case of photosensitive ink formed by screen printing, it is removed with chemicals such as alkali.

また、パッド６ｃと周辺パターン部６ａ，６ｂには、反射効率を高めるために金、ニッケル、銀等の貴金属によるめっきを行うのが好ましい。また、従来の配線基板と同様に、ソルダレジストの形成、或いは部分的な半田めっき等を行ってもよい。   The pad 6c and the peripheral pattern portions 6a and 6b are preferably plated with a noble metal such as gold, nickel or silver in order to increase the reflection efficiency. Further, as with the conventional wiring board, solder resist formation or partial solder plating may be performed.

＜第２の実施形態＞
第２の実施形態の回路基板を製造する製造工程の一例について説明する。この第２の実施形態では、上述した第１の実施形態の金属板１に代えて、３層の金属層が積層された積層板を適用する。この第２の実施形態において、第１の実施形態と同一の構成（材料）或いは同一の製造方法については、説明を省略する。 <Second Embodiment>
An example of a manufacturing process for manufacturing the circuit board according to the second embodiment will be described. In the second embodiment, instead of the metal plate 1 of the first embodiment described above, a laminated plate in which three metal layers are laminated is applied. In the second embodiment, the description of the same configuration (material) as in the first embodiment or the same manufacturing method is omitted.

この第２の実施形態の回路基板の製造工程は、以下の順序による各工程からなる。
２−１．準備工程
２−２．レジスト配置工程（１）
２−３．バンプ形成工程
２−４．保護金属層除去工程
２−５．層配置工程
２−６．プレス工程
２−７．凸部除去工程
２−８．めっき工程
２−９．レジスト配置工程（２）
２−１０．パターン形成工程 The manufacturing process of the circuit board according to the second embodiment includes the following processes.
2-1. Preparation step 2-2. Resist placement process (1)
2-3. Bump formation process 2-4. Protective metal layer removal step 2-5. Layer arrangement step 2-6. Pressing step 2-7. Convex part removal process 2-8. Plating step 2-9. Resist placement process (2)
2-10. Pattern formation process

（２−１．準備工程）
まず、図４（ａ）に示すように、ベース金属基板１１と、保護金属層１２と、金属バンプ２３を形成するための表面金属層１３とがこの順に積層された積層板１０を準備する。
積層板１０の製造方法は、特に限定されず、例えば、電解めっき、無電解めっき、スパッタリング、蒸着等、何れの方法で製造したものであってもよく、クラッド材等を使用してもよい。積層板１０の各層の厚みは特に限定されないが、例えば、ベース金属基板１１の厚みは１μｍ乃至５００μｍ、保護金属層１２の厚みは１μｍ乃至３０μｍ、表面金属層１３の厚みは１０μｍ乃至２００００μｍとすることができる。 (2-1. Preparation process)
First, as shown in FIG. 4A, a laminated plate 10 is prepared in which a base metal substrate 11, a protective metal layer 12, and a surface metal layer 13 for forming metal bumps 23 are laminated in this order.
The manufacturing method of the laminated board 10 is not specifically limited, For example, what was manufactured by any methods, such as electrolytic plating, electroless plating, sputtering, vapor deposition, and a clad material etc. may be used. The thickness of each layer of the laminated plate 10 is not particularly limited. For example, the thickness of the base metal substrate 11 is 1 μm to 500 μm, the thickness of the protective metal layer 12 is 1 μm to 30 μm, and the thickness of the surface metal layer 13 is 10 μm to 20000 μm. Can do.

ベース金属基板１１は、単層又は積層体の何れであってもよい。ベース金属基板１１を構成する金属としては、銅、銅合金、アルミニウムから選択される１種の金属を挙げることができる。中でも、熱伝導性や電気伝導性の点から、銅、アルミニウムが好ましい。
このように放熱性が高い金属からなるベース金属基板１１を用いることにより、搭載するＬＥＤチップの温度上昇を防止できるため、本実施形態において製造する回路基板を用いたＬＥＤモジュールにおいては、駆動電流をより多く流せ、発光量を増加させることができる。 The base metal substrate 11 may be a single layer or a laminate. Examples of the metal constituting the base metal substrate 11 include one kind of metal selected from copper, copper alloy, and aluminum. Among these, copper and aluminum are preferable from the viewpoint of thermal conductivity and electrical conductivity.
By using the base metal substrate 11 made of a metal having high heat dissipation as described above, the temperature rise of the mounted LED chip can be prevented. Therefore, in the LED module using the circuit board manufactured in the present embodiment, the drive current is reduced. It is possible to flow more and increase the amount of light emission.

表面金属層１３を構成する金属としては、上述の第１の実施形態における金属板１と同様、金属バンプ２３を形成する点から、銅、銅合金、アルミニウムから選択される１種の金属が好ましく、特に銅が好ましい。
また、表面金属層１３の構成は、特に限定されないが、例えば、金属製の基板であっても、めっきにより表面金属層１３を形成してもよい。 As the metal constituting the surface metal layer 13, one kind of metal selected from copper, copper alloy, and aluminum is preferable from the point of forming the metal bumps 23 as in the case of the metal plate 1 in the first embodiment. In particular, copper is preferred.
Further, the configuration of the surface metal layer 13 is not particularly limited. For example, the surface metal layer 13 may be formed by plating even if it is a metal substrate.

保護金属層１２を構成する金属としては、ベース金属基板１１及び表面金属層１３をそれぞれ構成する金属とは別の金属であればよく、ベース金属基板１１及び表面金属層１３の金属のエッチング時に耐性を示す金属が好ましい。
例えばベース金属基板１１及び表面金属層１３を構成する金属が銅である場合、保護金属層１２を構成する別の金属としては、例えば、金、銀、亜鉛、パラジウム、ルテニウム、ニッケル、ロジウム、鉛−錫系はんだ合金、又はニッケル−金合金等を挙げることができる。 The metal constituting the protective metal layer 12 may be a metal different from the metals constituting the base metal substrate 11 and the surface metal layer 13, respectively, and is resistant when the metal of the base metal substrate 11 and the surface metal layer 13 is etched. The metal which shows is preferable.
For example, when the metal constituting the base metal substrate 11 and the surface metal layer 13 is copper, examples of other metals constituting the protective metal layer 12 include gold, silver, zinc, palladium, ruthenium, nickel, rhodium, and lead. -Tin-based solder alloy, nickel-gold alloy, etc. can be mentioned.

この第２の実施形態において、ベース金属基板１１及び表面金属層１３を構成する金属と保護金属層１２を構成する金属との組合せは、これらの金属に限定されない。保護金属層１２を構成する金属は、金属のエッチング時に耐性を示す、ベース金属基板１１及び表面金属層１３を構成する金属とは別の金属であればよい。
なお、保護金属層１２を形成しない場合、別の金属からなる表面金属層１３を直接に金属基板に形成することもできる。 In the second embodiment, the combination of the metal constituting the base metal substrate 11 and the surface metal layer 13 and the metal constituting the protective metal layer 12 is not limited to these metals. The metal constituting the protective metal layer 12 may be a metal different from the metal constituting the base metal substrate 11 and the surface metal layer 13 that exhibits resistance when the metal is etched.
When the protective metal layer 12 is not formed, the surface metal layer 13 made of another metal can be directly formed on the metal substrate.

（２−２．レジスト配置工程（１））
次に、図４（ｂ）に示すように、エッチングレジストＭを表面金属層１３上面の金属バンプ２３を形成する位置に配置する。 (2-2. Resist placement step (1))
Next, as shown in FIG. 4B, the etching resist M is disposed at a position where the metal bumps 23 on the upper surface of the surface metal layer 13 are formed.

（２−３．バンプ形成工程）
次に、図４（ｃ）に示すように、上述の第１の実施形態におけるバンプ形成工程で行ったエッチングの方法と同様の方法により、エッチングレジストＭを用いた表面金属層１３の選択的なエッチングを行うことにより、回路基板上におけるＬＥＤチップの搭載位置に金属バンプ２３を形成する。
表面金属層１３が銅であり保護金属層１２が上述の金属（金属系レジストを含む）である場合には、過硫酸アンモニウム、過酸化水素−硫酸等の市販のアルカリエッチング液を使用できる。このようなエッチング液により、表面金属層１３におけるエッチングレジストＭで表面がマスクされた部分以外の部分をエッチングした後、エッチングレジストＭを除去し、金属バンプ２３を形成する。
なお、第１の実施の形態と同様に、第２の実施形態においても、バンプ面積が９ｍｍ２以上ある金属バンプ（金属バンプ２３）を形成する場合に限定されず、他のバンプ面積の金属バンプ（バンプ面積が大きいもの）を形成する場合であっても、この第２の実施形態による製造方法を適用することが可能である。 (2-3. Bump formation process)
Next, as shown in FIG. 4C, the surface metal layer 13 using the etching resist M is selectively formed by the same method as the etching method performed in the bump forming step in the first embodiment. Etching is performed to form metal bumps 23 at the LED chip mounting positions on the circuit board.
When the surface metal layer 13 is copper and the protective metal layer 12 is the above-described metal (including a metal resist), a commercially available alkaline etching solution such as ammonium persulfate or hydrogen peroxide-sulfuric acid can be used. After etching the portion of the surface metal layer 13 other than the portion whose surface is masked with the etching resist M with such an etching solution, the etching resist M is removed and the metal bumps 23 are formed.
As in the first embodiment, the second embodiment is not limited to the formation of metal bumps (metal bumps 23) having a bump area of 9 mm 2 or more, and metal bumps having other bump areas. Even in the case where (a bump area is large) is formed, the manufacturing method according to the second embodiment can be applied.

（２−４．保護金属層除去工程）
次に、図４（ｄ）に示すように、露出している保護金属層１２を同様のエッチングにより除去し、バンプ部保護金属層２２を形成する。
なお、保護金属層１２を除去せずに、後の工程で絶縁樹脂層４を形成するようにしてもよい。或いは、保護金属層１２を形成しないことによりバンプ部保護金属層２２を形成しないようにしてもよい。
例えば表面金属層１３を構成する金属が銅であり、保護金属層１２を構成する金属が、例えば、金、銀、亜鉛、パラジウム、ルテニウム、ニッケル、ロジウム、鉛−錫系はんだ合金、又はニッケル−金合金等である場合、はんだ剥離用として市販されている、硝酸系、硫酸系、シアン系等の酸系のエッチング液等を使用できる。 (2-4. Protective metal layer removal step)
Next, as shown in FIG. 4D, the exposed protective metal layer 12 is removed by similar etching to form a bump protection metal layer 22.
Note that the insulating resin layer 4 may be formed in a later step without removing the protective metal layer 12. Alternatively, the bump metal protective layer 22 may not be formed by not forming the protective metal layer 12.
For example, the metal constituting the surface metal layer 13 is copper, and the metal constituting the protective metal layer 12 is, for example, gold, silver, zinc, palladium, ruthenium, nickel, rhodium, lead-tin solder alloy, or nickel- In the case of a gold alloy or the like, an acid-based etching solution such as nitric acid-based, sulfuric acid-based, or cyanic acid that is commercially available for solder peeling can be used.

予め露出する保護金属層１２を除去する場合、除去部分から金属基板の表面が露出するが、これと絶縁樹脂層４との密着性を高めるために、黒化処理、粗化処理等の表面処理を行うことが好ましい。   When the protective metal layer 12 exposed in advance is removed, the surface of the metal substrate is exposed from the removed portion. In order to improve the adhesion between the surface and the insulating resin layer 4, surface treatment such as blackening treatment and roughening treatment is performed. It is preferable to carry out.

（２−５．層配置工程）
次に、図４（ｅ）に示すように、第１の実施形態の層配置工程と同様に、ベース金属基板１１上に絶縁樹脂層４を配置し、その絶縁樹脂層４上に金属層５を配置する。
この層配置工程においても、第１の実施形態の層配置工程と同様に、絶縁樹脂層４の穴部分４ａに金属バンプ２３を挿入するバンプ挿入工程を有する。
このバンプ挿入工程では、ベース金属基板２上に形成された金属バンプ２３の上面（面積９ｍｍ２以上、例えば円形）の中心と、絶縁樹脂層４の上面側における穴部分（穴面積９ｍｍ２よりも大きく、例えば円形）の中心とが重なるようにして、絶縁樹脂層４の穴部分４ａに金属バンプ２３を挿入する。これにより、ベース金属基板２上の金属バンプ２３が形成されていない位置に絶縁樹脂層４が配置される。
その後、絶縁樹脂層４上に金属層５を配置する。 (2-5. Layer arrangement process)
Next, as shown in FIG. 4E, the insulating resin layer 4 is disposed on the base metal substrate 11 and the metal layer 5 is disposed on the insulating resin layer 4 in the same manner as the layer disposing step of the first embodiment. Place.
This layer placement step also includes a bump insertion step of inserting the metal bumps 23 into the hole portions 4a of the insulating resin layer 4 as in the layer placement step of the first embodiment.
In this bump insertion step, the center of the upper surface (area 9 mm 2 or more, for example, a circle) of the metal bump 23 formed on the base metal substrate 2 and the hole portion (hole area 9 mm 2 on the upper surface side of the insulating resin layer 4). The metal bumps 23 are inserted into the hole portions 4a of the insulating resin layer 4 so as to overlap the center of the large (for example, circular) shape. Thereby, the insulating resin layer 4 is arrange | positioned in the position where the metal bump 23 on the base metal substrate 2 is not formed.
Thereafter, the metal layer 5 is disposed on the insulating resin layer 4.

なお、この第２の実施形態においても、第１の実施形態と同様の方法で、金属バンプ２３が挿入されるための穴部分４ａを絶縁樹脂層４に形成する。   Also in the second embodiment, the hole portion 4a for inserting the metal bump 23 is formed in the insulating resin layer 4 by the same method as in the first embodiment.

（２−６．プレス工程）
次に、図４（ｆ）に示すように、金属層５を上述の第１の実施形態のプレス工程と同様に加熱及び加圧（熱プレス）することにより、金属バンプ２３上に凸部Ａが形成される。 (2-6. Pressing process)
Next, as shown in FIG. 4 (f), the metal layer 5 is heated and pressed (hot pressed) in the same manner as in the pressing process of the first embodiment described above, whereby a convex portion A is formed on the metal bump 23. Is formed.

（２−７．凸部除去工程）
次に、図４（ｇ）に示すように、上述の第１の実施形態の凸部除去工程と同様に凸部Ａを除去することにより、金属バンプ２３上の上面を露出して平坦面Ｂが形成される。 (2-7. Projection removal step)
Next, as shown in FIG. 4G, the upper surface on the metal bump 23 is exposed to remove the flat surface B by removing the convex portion A in the same manner as the convex portion removing step of the first embodiment described above. Is formed.

（２−８．めっき工程）
次に、図４（ｈ）に示すように、上述の第１の実施形態のめっき工程と同様に、露出された金属バンプ３３上面及び金属層５上面を覆うように金属めっき層６を形成する。或いは、図示しないが、露出された金属バンプ２３上面のみを金属めっきするようにしてもよい。 (2-8. Plating process)
Next, as shown in FIG. 4H, the metal plating layer 6 is formed so as to cover the exposed upper surface of the metal bump 33 and the upper surface of the metal layer 5 in the same manner as the plating step of the first embodiment described above. . Alternatively, although not shown, only the upper surface of the exposed metal bump 23 may be metal-plated.

（２−９．レジスト配置工程（２））
次に、図４（ｉ）に示すように、上述の第１の実施形態のレジスト配置工程（２）と同様に、エッチングレジストＮを金属めっき層６の周辺パターン部６ａ，６ｂ及びパッド６ｃを形成する部分の上面に配置する。 (2-9. Resist placement step (2))
Next, as shown in FIG. 4 (i), the etching resist N is applied to the peripheral pattern portions 6a and 6b and the pad 6c of the metal plating layer 6 in the same manner as the resist placement step (2) of the first embodiment. It arranges on the upper surface of the part to form.

（２−１０．パターン形成工程）
次に、図４（ｊ）に示すように、上述の第１の実施形態のパターン形成工程と同様に、エッチングレジストＮを用いて、所定のパターンで金属めっき層６及び金属層５を部分的にエッチングする。これにより、下層に金属層５を有するパターン部、すなわち、ＬＥＤチップが搭載されるパッド６ｃ、及び、電極部を形成する周辺パターン部６ａ，６ｂを形成する。その結果、絶縁樹脂層４が、これらのパターン部が形成されていない部分（非パターン部４ｂ）から露出されるようになる。 (2-10. Pattern formation process)
Next, as shown in FIG. 4J, the metal plating layer 6 and the metal layer 5 are partially formed in a predetermined pattern using the etching resist N in the same manner as the pattern formation process of the first embodiment described above. Etch into. Thereby, the pattern part which has the metal layer 5 in the lower layer, that is, the pad 6c on which the LED chip is mounted, and the peripheral pattern parts 6a and 6b which form the electrode part are formed. As a result, the insulating resin layer 4 is exposed from the portions where the pattern portions are not formed (non-pattern portions 4b).

このような第１の実施形態或いは第２の実施形態の製造方法によって回路基板が製造され、その製造された回路基板のパッド６ｃ上にＬＥＤチップを搭載し、回路基板のＬＥＤチップを搭載した側をレンズ形状の封止樹脂（レンズ樹脂）で封止することにより、ＬＥＤモジュールを製造することができる。
なお、封止樹脂とレンズ樹脂は別々に設けてもよいし、１部材によってこの２つの機能を持たせることも可能である。 A circuit board is manufactured by the manufacturing method of the first embodiment or the second embodiment, and an LED chip is mounted on the pad 6c of the manufactured circuit board, and the LED chip is mounted on the side of the circuit board. Is sealed with a lens-shaped sealing resin (lens resin), whereby an LED module can be manufactured.
The sealing resin and the lens resin may be provided separately, or the two functions can be provided by one member.

次に、第１の実施形態及び第２の実施形態によって製造した回路基板上にＬＥＤ（Light Emitting Diode（発光ダイオード））チップを搭載してなるＬＥＤモジュールの例について説明する。   Next, an example of an LED module in which an LED (Light Emitting Diode) chip is mounted on a circuit board manufactured according to the first embodiment and the second embodiment will be described.

図５は、第１の実施形態において製造した回路基板を用いたＬＥＤモジュールの一例であるＬＥＤモジュール５０の側面断面図である。
また、図６は、第２の実施形態において製造した回路基板を用いたＬＥＤモジュールの一例であるＬＥＤモジュール５０ａの側面断面図である。 FIG. 5 is a side cross-sectional view of an LED module 50 which is an example of an LED module using the circuit board manufactured in the first embodiment.
FIG. 6 is a side cross-sectional view of an LED module 50a which is an example of an LED module using the circuit board manufactured in the second embodiment.

周辺パターン部６ａ，６ｂは、アノード又はカソードである電極とされる。図５の金属バンプ３（或いは図６の金属バンプ２３）を挟む２つの周辺パターン部６ａ，６ｂは、それぞれめっき処理及びエッチング処理が施されて２層のめっき層が形成された第１電極部３４、第２電極部３５が形成される。周辺パターン部６ａがカソードを形成した場合は、周辺パターン部６ｂがアノードを形成する。アノード又はカソードの関係は、この逆であってもよい。   The peripheral pattern portions 6a and 6b are electrodes that are anodes or cathodes. The two peripheral pattern portions 6a and 6b sandwiching the metal bump 3 in FIG. 5 (or the metal bump 23 in FIG. 6) are subjected to a plating process and an etching process, respectively, so that a first electrode section in which two plating layers are formed. 34, the second electrode part 35 is formed. When the peripheral pattern portion 6a forms a cathode, the peripheral pattern portion 6b forms an anode. The anode or cathode relationship may be reversed.

また、パッド６ｃ上にも、同様のめっき処理及びエッチング処理が施され、３層のめっき層が形成されたＬＥＤ搭載部３６が形成される。   In addition, the same plating process and etching process are performed on the pad 6c to form the LED mounting portion 36 in which three plating layers are formed.

周辺パターン部６ａ，６ｂ上、パッド６ｃ上には、何れも、例えば無電解めっき或いは電解めっきにより、ニッケルめっき層を形成することができる。この場合、周辺パターン部６ａ上に第１電極側ニッケルめっき層３１ａが形成され、周辺パターン部６ｂ上に第２電極側ニッケルめっき層３１ｂが形成される。また、パッド６ｃ上には、ＬＥＤ側ニッケルめっき層３１ｃが形成される。
ニッケルめっき層の厚みは、例えば０．１μｍ〜３０μｍとすることができる。 A nickel plating layer can be formed on the peripheral pattern portions 6a and 6b and the pad 6c by, for example, electroless plating or electrolytic plating. In this case, the first electrode side nickel plating layer 31a is formed on the peripheral pattern portion 6a, and the second electrode side nickel plating layer 31b is formed on the peripheral pattern portion 6b. Moreover, the LED side nickel plating layer 31c is formed on the pad 6c.
The thickness of the nickel plating layer can be, for example, 0.1 μm to 30 μm.

また、これらのニッケルめっき層上には、例えば、無電解めっき或いは電解めっきにより、金メッキ層を形成することができる。この場合、第１電極側ニッケルめっき層３１ａ上には、第１電極側金めっき層３２ａが形成され、第２電極側ニッケルめっき層３１ｂ上には、第２電極側金めっき層３２ｂが形成される。また、ＬＥＤ側ニッケルめっき層３１ｃ上には、ＬＥＤ側金めっき層３２ｃが形成される。
金メッキ層の厚みは、例えば０．０１μｍ〜１μｍとすることができる。 Further, a gold plating layer can be formed on these nickel plating layers by, for example, electroless plating or electrolytic plating. In this case, the first electrode side gold plating layer 32a is formed on the first electrode side nickel plating layer 31a, and the second electrode side gold plating layer 32b is formed on the second electrode side nickel plating layer 31b. The Moreover, the LED side gold plating layer 32c is formed on the LED side nickel plating layer 31c.
The thickness of the gold plating layer can be, for example, 0.01 μm to 1 μm.

また、ＬＥＤ側金めっき層３２ｃ上には、電解或いは電解めっきにより、銀めっき層（ＬＥＤ側銀めっき層３３）が形成される。
銀めっき層の厚みは、例えば０．１μｍ〜２０μｍとすることができる。 Further, a silver plating layer (LED side silver plating layer 33) is formed on the LED side gold plating layer 32c by electrolysis or electrolytic plating.
The thickness of the silver plating layer can be, for example, 0.1 μm to 20 μm.

図５及び図６に示すように、このようなＬＥＤ搭載部３６におけるバンプ面積が９ｍｍ２以上の金属バンプ３或いは金属バンプ２３上方のＬＥＤ側銀メッキ層３３上にＬＥＤチップを搭載する。 As shown in FIGS. 5 and 6, the LED chip is mounted on the LED side silver plating layer 33 above the metal bump 3 or the metal bump 23 having a bump area of 9 mm 2 or more in the LED mounting portion 36.

なお、図５及び図６では、簡略のため、１個のＬＥＤチップ４１のみを図示しているが、このバンプ面積が大きい（９ｍｍ２以上の）金属バンプ３或いは金属バンプ２３上方のＬＥＤ側銀めっき３３上に多数のＬＥＤチップを密集して搭載する。これにより、小型であっても高パワーのＬＥＤモジュールとすることができる。
すなわち、バンプ面積を大きくすることにより、高い放熱性を確保することができる。これにより、１つの金属バンプ（金属バンプ３或いは金属バンプ２３）上に多数の（大容量の）ＬＥＤチップを搭載することが可能となり、ＬＥＤモジュールの高パワー化を実現することができる。また、この場合、バンプ間距離を考慮することなく１つの金属バンプ上に多数のＬＥＤチップを密集して搭載することができるため、ＬＥＤチップの搭載数を同数として比較すると、バンプ面積の小さい金属バンプを多数形成する場合よりも小型のＬＥＤモジュールを得ることができる。 5 and 6, only one LED chip 41 is illustrated for simplicity, but the LED side silver above the metal bump 3 or the metal bump 23 having a large bump area (9 mm 2 or more). A large number of LED chips are densely mounted on the plating 33. Thereby, even if it is small, it can be set as a high power LED module.
That is, high heat dissipation can be ensured by increasing the bump area. As a result, a large number (large capacity) of LED chips can be mounted on one metal bump (metal bump 3 or metal bump 23), and high power of the LED module can be realized. Further, in this case, a large number of LED chips can be densely mounted on one metal bump without considering the distance between the bumps. A smaller LED module can be obtained than when a large number of bumps are formed.

回路基板上にＬＥＤチップを搭載する方法としては、特に限定されない。
例えば図５及び図６に示すように、ＬＥＤチップ４１と、第１電極部３４、第２電極部３５とは、それぞれ第１金属ワイヤ４２ａ、第２金属ワイヤ４２ｂによるワイヤボンディングにより強固に接続することができる。
なお、これに代えて、パッド６ｃ、及び、周辺パターン部６ａ，６ｂの両方に対してソルダにより接続するようにしてもよい。或いは、導電性ペースト、異方性導電膜等によって、ＬＥＤチップとパッド６ｃとを電気的に接続することも可能である。 The method for mounting the LED chip on the circuit board is not particularly limited.
For example, as shown in FIGS. 5 and 6, the LED chip 41 and the first electrode portion 34 and the second electrode portion 35 are firmly connected by wire bonding using the first metal wire 42a and the second metal wire 42b, respectively. be able to.
Instead of this, solder may be connected to both the pad 6c and the peripheral pattern portions 6a and 6b. Alternatively, the LED chip and the pad 6c can be electrically connected by a conductive paste, an anisotropic conductive film, or the like.

また、上述したように、回路基板のＬＥＤチップ４１の搭載面をレンズ形状の封止樹脂（レンズ樹脂４３）で封止することにより、図５に示すＬＥＤモジュール５０、或いは、図６に示すＬＥＤモジュール５０ａが製造される。   Further, as described above, the LED module 50 shown in FIG. 5 or the LED shown in FIG. 6 is obtained by sealing the mounting surface of the LED chip 41 on the circuit board with a lens-shaped sealing resin (lens resin 43). Module 50a is manufactured.

回路基板のＬＥＤチップ４１の搭載面を封止するレンズ樹脂４３は、ＬＥＤチップ４１が発光する光を透過するとともに、ＬＥＤチップ４１の発熱に対する耐熱性を有する透明な合成樹脂であることが好ましい。レンズ樹脂４３としては、例えば熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂等を挙げることができる。
より具体的に、レンズ樹脂４３としては、例えばメタアクリル樹脂、スチレン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、フェノキシ樹脂、ブチラール樹脂、セルロース樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂等の単体又は混合体を挙げることができる。
セルロース樹脂としては、例えばエチルセルロース、セルロースアセテート、セルロースアセテートブチレート等を挙げることができる。 The lens resin 43 that seals the mounting surface of the LED chip 41 on the circuit board is preferably a transparent synthetic resin that transmits light emitted from the LED chip 41 and has heat resistance against the heat generated by the LED chip 41. Examples of the lens resin 43 include a thermoplastic resin, a thermosetting resin, and a photocurable resin.
More specifically, examples of the lens resin 43 include methacrylic resin, styrene resin, polycarbonate resin, polyester resin, phenoxy resin, butyral resin, cellulose resin, epoxy resin, phenol resin, and silicone resin. be able to.
Examples of the cellulose resin include ethyl cellulose, cellulose acetate, and cellulose acetate butyrate.

また、レンズ樹脂４３には、発光強度を向上させるとともに実用上の発光色を確立させるため、蛍光体を含有させることが好ましい。蛍光体としては、黄色発光蛍光体、赤色発光蛍光体、緑色発光蛍光体、それらの間の色を発光する蛍光体を挙げることができる。
このような蛍光体は、無機物、有機物の何れの蛍光体であってもよい。無機物の蛍光体としては、例えば、酸化物蛍光体、窒化物蛍光体、酸窒化物蛍光体、シリケート蛍光体等を挙げることができる。 The lens resin 43 preferably contains a phosphor in order to improve the emission intensity and to establish a practical emission color. Examples of the phosphor include a yellow light-emitting phosphor, a red light-emitting phosphor, a green light-emitting phosphor, and a phosphor that emits a color between them.
Such phosphors may be inorganic or organic phosphors. Examples of inorganic phosphors include oxide phosphors, nitride phosphors, oxynitride phosphors, and silicate phosphors.

黄色発光蛍光体としては、例えば、Ｙを含み、Ｃｅ又はＰｒで賦活されたイットリウム・アルミニウムガーネット酸化物蛍光体、（Ｂａ，Ｃａ，Ｓｒ）２ＳｉＯ４：Ｅｕで表わされるユーロピウム賦活アルカリ土類金属シリケート蛍光体、Ｓｉ１２−（ｍ＋ｎ）Ａｌ（ｍ＋ｎ）Ｎ１６−ｎＯｎで表されるαサイアロン蛍光体等を挙げることができる。 Examples of the yellow light-emitting phosphor include Y and an yttrium aluminum garnet oxide phosphor activated with Ce or Pr, a europium-activated alkaline earth metal represented by (Ba, Ca, Sr) 2 SiO 4 : Eu silicate phosphor can be cited Si 12- (m + n) Al (m + n) n 16-n O n represented by α-sialon phosphor and the like.

赤色発光蛍光体としては、例えば、（Ｂａ，Ｃａ，Ｓｒ）２ＳｉＯ４：Ｅｕで表されるユーロピウム賦活アルカリ土類金属シリケート蛍光体、（Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕで表されるユーロピウム賦活アルカリ土類シリコンナイトライド蛍光体、（Ｙ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｌｕ）２Ｏ２Ｓ：Ｅｕで表されるユーロピウム賦活希土類オキシカルコゲナイト蛍光体等を挙げることができる。 Examples of the red light-emitting phosphor include, for example, a europium-activated alkaline earth metal silicate phosphor represented by (Ba, Ca, Sr) 2 SiO 4 : Eu, (Mg, Ca, Sr, Ba) 2 Si 5 N 8 : Examples include a europium activated alkaline earth silicon nitride phosphor represented by Eu, a europium activated rare earth oxychalcogenite phosphor represented by (Y, La, Gd, Lu) 2 O 2 S: Eu, and the like. .

緑色発光蛍光体としては、例えば、（Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）Ｓｉ２Ｏ２Ｎ２：Ｅｕで表されるユーロピウム賦活アルカリ土類シリコンオキシナイトライド蛍光体、（Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ）２ＳｉＯ４：Ｅｕで表されるユーロピウム賦活アルカリ土類マグネシウムシリケート蛍光体、Ｓｉ６−ＺＡｌＺＮ８−ＺＯＺで表されるβサイアロン蛍光体等を挙げることができる。 Examples of the green light emitting phosphor include, for example, a europium activated alkaline earth silicon oxynitride phosphor represented by (Mg, Ca, Sr, Ba) Si 2 O 2 N 2 : Eu, (Ba, Ca, Sr) 2. Examples include a europium activated alkaline earth magnesium silicate phosphor represented by SiO 4 : Eu, a β sialon phosphor represented by Si 6-Z Al Z N 8—Z O Z , and the like.

このように構成されるＬＥＤモジュール５０或いはＬＥＤモジュール５０ａは、単体もしくは複数個配列されることでＬＥＤ発光装置とされる。
ＬＥＤモジュール５０或いはＬＥＤモジュール５０ａが以上のような構成を有することにより、適切な発光量を有するＬＥＤ発光装置を提供することができる。 The LED module 50 or the LED module 50a configured as described above is used as an LED light-emitting device by being arranged alone or in a plurality.
When the LED module 50 or the LED module 50a has the above-described configuration, an LED light-emitting device having an appropriate light emission amount can be provided.

また、このように構成されるＬＥＤモジュール５０或いはＬＥＤモジュール５０ａは、照明器具を含む発光器具等に広く用いられる。発光器具としては、屋内或いは屋外に設置される電灯、広告用ネオンライト、トンネル内に設置されるライト、懐中電灯等の照明器具、パーソナルコンピュータやテレビジョンで用いられる液晶パネルのバックライト、自動車や自動二輪に設置されるヘッドライトやウインカー、画像を映し出すプロジェクターの光源等を挙げることができる。   Further, the LED module 50 or the LED module 50a configured as described above is widely used for light emitting devices including lighting devices. Luminous fixtures include indoor or outdoor lighting, neon lights for advertising, lights installed in tunnels, lighting fixtures such as flashlights, backlights for liquid crystal panels used in personal computers and televisions, automobiles, Examples include headlights and turn signals installed on motorcycles, and light sources of projectors that project images.

以上の実施形態は、あくまで一例であり、製造方法、材料等は適宜変更することが可能である。   The above embodiment is merely an example, and the manufacturing method, material, and the like can be changed as appropriate.

以下、本発明の具体的な実施例について説明する。
＜実施例１＞
まず、エッチングレジストを用いて、厚さ１ｍｍの銅板の選択的なエッチングを行った。すなわち、銅板上の銅バンプを形成する位置にエッチングレジストを配置し、銅板の上面のエッチングレジストを配置していない位置において、銅板の上面から垂直下方向に銅バンプの高さとなる０．１２ｍｍの厚さだけ銅板を切除するエッチング処理を行った。これにより、ベース銅板を形成するとともに、このベース銅板上に上面がバンプ径Φ１３ｍｍの円形の銅バンプを形成した。 Hereinafter, specific examples of the present invention will be described.
<Example 1>
First, a 1 mm thick copper plate was selectively etched using an etching resist. That is, the etching resist is arranged at a position where the copper bump is formed on the copper plate, and at a position where the etching resist on the upper surface of the copper plate is not arranged, the height of the copper bump is 0.12 mm which is the height of the copper bump in the vertical downward direction Etching was performed to cut the copper plate by the thickness. As a result, a base copper plate was formed, and a circular copper bump having a bump diameter of 13 mm was formed on the base copper plate.

次に、エポキシ絶縁樹脂にガラスクロスを含有させた厚さ０．０６ｍｍの絶縁樹脂層（日立化成社プリプレグ「ＧＥＡ−６７９Ｎ」）であって銅バンプの形状に対応した円柱状の穴部分（穴径Φ１８ｍｍ）が形成されたものを用いた層配置処理を行った。なお、この穴部分は、絶縁樹脂層をトムソン刃で加工することにより形成した。
この層配置処理においては、まず絶縁樹脂層の穴部分に銅板の銅バンプを挿入した。これにより、銅板上の銅バンプが形成されていない位置（ベース銅板上）に絶縁樹脂層が配置された。次に、この絶縁樹脂層及び金属バンプ上に金属層である銅箔を配置した。 Next, a 0.06 mm thick insulating resin layer (Hitachi Chemical Co., Ltd. prepreg “GEA-679N”) containing glass cloth in an epoxy insulating resin, and a cylindrical hole portion corresponding to the shape of the copper bump (hole A layer arrangement process using a material having a diameter of 18 mm was performed. This hole portion was formed by processing the insulating resin layer with a Thomson blade.
In this layer arrangement process, first, copper bumps of a copper plate were inserted into the holes of the insulating resin layer. Thereby, the insulating resin layer was arrange | positioned in the position (on a base copper plate) where the copper bump on a copper plate is not formed. Next, the copper foil which is a metal layer was arrange | positioned on this insulating resin layer and metal bump.

次に、加圧圧力３０ｋｇｆ／ｃｍ2、加熱温度１７０℃として３時間、加熱及び加圧することにより、絶縁樹脂層を硬化させた。 Next, the insulating resin layer was cured by heating and pressurizing for 3 hours at a pressing pressure of 30 kgf / cm 2 and a heating temperature of 170 ° C.

次に、この加熱及び加圧によって銅バンプ上に生じた凸部を、研磨装置（ベルトサンダー、株式会社丸源鉄工所社製）を用いた研磨により除去した。   Next, the convex part which arose on the copper bump by this heating and pressurization was removed by grinding | polishing using the grinding | polishing apparatus (Belt Sander, Marugen Iron Works Co., Ltd.).

次に、厚さ０．０３０ｍｍの無電解及び電解銅めっきを行った後、エッチングを行うことにより、銅バンプ上に銅めっき層を形成するとともに、電子部品等を実装するための２つの銅回路（銅めっき層を有する回路）を形成した。   Next, after performing electroless and electrolytic copper plating with a thickness of 0.030 mm, etching is performed to form a copper plating layer on the copper bump, and two copper circuits for mounting electronic components and the like (Circuit having a copper plating layer) was formed.

次に、全ての銅めっき層上に厚さ０．００４ｍｍの無電解ニッケルめっき層を形成した後、形成した全ての無電解ニッケルめっき層上に厚さ０．０００１ｍｍの無電解金めっき層を形成した。   Next, after forming an electroless nickel plating layer having a thickness of 0.004 mm on all the copper plating layers, an electroless gold plating layer having a thickness of 0.0001 mm is formed on all the electroless nickel plating layers formed. did.

次に、銅回路における無電解金めっき層上に、厚さ０．００３ｍｍの電解銀めっき層を形成した。１個の回路基板に１個の銅バンプが含まれるように、外形４０×４０ｍｍの基板にカッティングした。   Next, an electrolytic silver plating layer having a thickness of 0.003 mm was formed on the electroless gold plating layer in the copper circuit. Cutting was performed on a substrate having an outer shape of 40 × 40 mm so that one circuit board includes one copper bump.

次に、この回路基板の電解銀めっき層が形成された銅バンプを有する銅ランド上に、６０個のＬＥＤチップをシリコーンダイディング材で搭載した。その後、ＬＥＤチップと、他の銅回路とを金ワイヤで接続し、さらに回路基板のＬＥＤを搭載した側の面をシリコーン封止材（製品名「ＯＥ６６３６」、東レ・ダウコーニング社製）で封止（被覆）した。このようにして、実施例１のＬＥＤモジュールを製造した。   Next, 60 LED chips were mounted on the copper land having the copper bumps on which the electrolytic silver plating layer of the circuit board was formed, with a silicone diding material. Thereafter, the LED chip and another copper circuit are connected with a gold wire, and the surface of the circuit board on which the LED is mounted is sealed with a silicone sealing material (product name “OE6636”, manufactured by Toray Dow Corning). Stopped (coated). Thus, the LED module of Example 1 was manufactured.

この実施例１のＬＥＤモジュールをアルミフィンにネジ止めし、通電してＬＥＤチップの温度をサーモビュアー（製品名「ＴＶＳ−５００ＥＸ、日本アビオニクス株式会社製）にて測定した。その結果、室温２７℃におけるＬＥＤチップの温度は、１３５℃であった。   The LED module of Example 1 was screwed to an aluminum fin, energized, and the temperature of the LED chip was measured with a thermoviewer (product name “TVS-500EX, manufactured by Nippon Avionics Co., Ltd.). The temperature of the LED chip in was 135 ° C.

＜比較例１＞
以下の比較例１において、実施例１と同様の処理については、簡略のため、部材、材料、装置等の説明を省略する。 <Comparative Example 1>
In the following comparative example 1, the description of the members, materials, devices, and the like is omitted for the sake of brevity regarding the same processing as in the first embodiment.

実施例１と同様の方法で、エッチングレジストを用いて、厚さ１ｍｍの銅板の選択的なエッチング（銅板の厚さ０．１２ｍｍを切除）を行った。これにより、径がΦ１３ｍｍの銅ランド下の放熱用銅バンプとして、上面がバンプ径Φ１ｍｍの円形であり、バンプ間距離が１ｍｍの銅バンプを形成した。
次に、この銅バンプが形成された銅板の銅ランド上に、穴部分を形成しない絶縁樹脂層を配置した。
次に、この絶縁樹脂層上の全面に、金属層として銅箔を配置した。 In the same manner as in Example 1, selective etching of a copper plate having a thickness of 1 mm (cutting off a thickness of 0.12 mm of the copper plate) was performed using an etching resist. As a result, a copper bump having a top surface of a circle having a bump diameter of Φ1 mm and a distance between the bumps of 1 mm was formed as a heat dissipation copper bump under a copper land having a diameter of Φ13 mm.
Next, an insulating resin layer that does not form a hole portion was disposed on the copper land of the copper plate on which the copper bumps were formed.
Next, a copper foil was disposed as a metal layer on the entire surface of the insulating resin layer.

次に、加圧圧力３０ｋｇｆ／ｃｍ2、加熱温度１７０℃として３時間、加熱及び加圧することにより、絶縁樹脂層を硬化させた。 Next, the insulating resin layer was cured by heating and pressurizing for 3 hours at a pressing pressure of 30 kgf / cm 2 and a heating temperature of 170 ° C.

次に、この加熱及び加圧によって銅バンプ上に生じた凸部を、研磨装置（製品名「ベルトサンダー」、株式会社丸源鉄工所会社製）を用いた研磨により除去した。   Next, the convex part which arose on the copper bump by this heating and pressurization was removed by grinding | polishing using the grinding | polishing apparatus (product name "belt sander", the Marugen Iron Works company make).

次に、厚さ０．０３０ｍｍの無電解及び電解銅めっきを行った後、エッチングを行うことにより、銅バンプ上に銅めっき層を形成するとともに、他の位置に、電子部品等を実装するための２つの銅回路（銅めっき層を有する回路）を形成した。   Next, after performing electroless and electrolytic copper plating with a thickness of 0.030 mm, etching is performed to form a copper plating layer on the copper bumps and to mount electronic components or the like at other positions. The two copper circuits (circuits having a copper plating layer) were formed.

次に、全ての銅めっき層上に厚さ０．００４ｍｍの無電解ニッケルめっき層を形成した後、形成した全ての無電解ニッケルめっき層上に厚さ０．０００１ｍｍの無電解金めっき層を形成した。   Next, after forming an electroless nickel plating layer having a thickness of 0.004 mm on all the copper plating layers, an electroless gold plating layer having a thickness of 0.0001 mm is formed on all the electroless nickel plating layers formed. did.

次に、銅回路における無電解金めっき層上に、厚さ０．００３ｍｍの電解銀めっき層を形成した。１個の回路基板に１個の銅バンプが含まれるように、外形４０×４０ｍｍの基板にカッティングした。   Next, an electrolytic silver plating layer having a thickness of 0.003 mm was formed on the electroless gold plating layer in the copper circuit. Cutting was performed on a substrate having an outer shape of 40 × 40 mm so that one circuit board includes one copper bump.

次に、この回路基板の銅バンプ上に形成された電解銀めっき層（銅ランド）上に、６０個のＬＥＤチップをシリコーンダイディング材で搭載した。その後、ＬＥＤチップと、他の銅回路とを金ワイヤで接続し、さらに回路基板のＬＥＤを搭載した側の面をシリコーン封止材で封止（被覆）した。このようにして、比較例１のＬＥＤモジュールを製造した。   Next, 60 LED chips were mounted on the electrolytic silver plating layer (copper land) formed on the copper bumps of the circuit board with a silicone diding material. Thereafter, the LED chip and another copper circuit were connected with a gold wire, and the surface of the circuit board on which the LED was mounted was sealed (covered) with a silicone sealing material. In this way, the LED module of Comparative Example 1 was manufactured.

この比較例１のＬＥＤモジュールをアルミフィンにネジ止めし、通電してＬＥＤチップの温度をサーモビュアーにて測定した。その結果、室温２７℃におけるＬＥＤチップの温度は、１６０℃であった。   The LED module of Comparative Example 1 was screwed to an aluminum fin, energized, and the temperature of the LED chip was measured with a thermoviewer. As a result, the temperature of the LED chip at a room temperature of 27 ° C. was 160 ° C.

これら実施例１、比較例１の結果について述べる。実施例１のＬＥＤモジュールは、比較例１のＬＥＤモジュールよりも放熱効果が高いことがわかる。すなわち、実施例１のＬＥＤモジュールは、ＬＥＤチップが発する熱を大面積の銅バンプを介して効率的にベース銅板側に逃すことができたといえる。
実施例１及び比較例１で用いたシリコーン封止材を含め、通常の封止樹脂の耐熱温度は、室温（２７℃）において、１５０℃程度である。そのため、比較例１のＬＥＤモジュールは、ＬＥＤチップの温度が室温にて１６０℃であることから、製品として良好でないものであるといえる。 The results of Example 1 and Comparative Example 1 will be described. It can be seen that the LED module of Example 1 has a higher heat dissipation effect than the LED module of Comparative Example 1. That is, it can be said that the LED module of Example 1 was able to efficiently escape the heat generated by the LED chip to the base copper plate side through the large-area copper bumps.
The heat resistance temperature of ordinary sealing resins including the silicone sealing material used in Example 1 and Comparative Example 1 is about 150 ° C. at room temperature (27 ° C.). Therefore, it can be said that the LED module of Comparative Example 1 is not good as a product because the temperature of the LED chip is 160 ° C. at room temperature.

１ 金属板
２ ベース金属基板
３ 金属バンプ
４ 絶縁樹脂層
４ａ 穴部分
４ｂ 非パターン部
５ 金属層
６ 金属めっき層
６ａ，６ｂ 周辺パターン部
６ｃ パッド
１０ 積層板
１１ ベース金属基板
１２ 保護金属層
１３ 表面金属層
２２ バンプ部保護金属層
２３ 金属バンプ
３０ 加工器具
３０ａ 先端加工部
３１ａ 第１電極側ニッケルめっき層
３１ｂ 第２電極側ニッケルめっき層
３１ｃ ＬＥＤ側ニッケルめっき層
３２ａ 第１電極側金めっき層
３２ｂ 第２電極側金めっき層
３２ｃ ＬＥＤ側金めっき層
３３ ＬＥＤ側銀めっき層
３４ 第１電極部
３５ 第２電極部
３６ ＬＥＤ搭載部
４１ ＬＥＤチップ
４２ａ 第１金属ワイヤ
４２ｂ 第２金属ワイヤ
４３ レンズ樹脂
５０ ＬＥＤモジュール
５０ａ ＬＥＤモジュール
Ａ 凸部
Ｂ 平坦面
Ｍ エッチングレジスト
Ｎ エッチングレジスト DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Metal plate 2 Base metal substrate 3 Metal bump 4 Insulating resin layer 4a Hole part 4b Non-pattern part 5 Metal layer 6 Metal plating layer 6a, 6b Peripheral pattern part 6c Pad 10 Laminated board 11 Base metal board 12 Protective metal layer 13 Surface metal Layer 22 Bump part protective metal layer 23 Metal bump 30 Processing tool 30a Tip processing part 31a First electrode side nickel plating layer 31b Second electrode side nickel plating layer 31c LED side nickel plating layer 32a First electrode side gold plating layer 32b Second Electrode side gold plating layer 32c LED side gold plating layer 33 LED side silver plating layer 34 First electrode part 35 Second electrode part 36 LED mounting part 41 LED chip 42a First metal wire 42b Second metal wire 43 Lens resin 50 LED module 50a LED module A Convex B Flat surface M Etch resist N Etch Gurejisuto

Claims (5)

銅、銅合金、アルミニウムから選択される１種からなる金属基板と、
前記金属基板上に形成され、上面の面積が９ｍｍ２以上の銅、銅合金、アルミニウム、ニッケルから選択される金属からなる柱状金属部と、
前記柱状金属部の側面周囲に形成された絶縁樹脂層と、
前記絶縁樹脂層上及び前記柱状金属部上に形成された金属層と、
を有し、
前記金属基板の底面から前記柱状金属部上の前記金属層の上面までの高さと、該金属基板の底面から前記絶縁樹脂層上の前記金属層の上面までの高さとが同一である
回路基板。 A metal substrate made of one selected from copper, copper alloy, and aluminum;
A columnar metal part formed on the metal substrate and made of a metal selected from copper, copper alloy, aluminum and nickel having an upper surface area of 9 mm 2 or more;
An insulating resin layer formed around the side surface of the columnar metal part;
A metal layer formed on the insulating resin layer and the columnar metal part;
Have
The height from the bottom surface of the metal substrate to the top surface of the metal layer on the columnar metal portion is the same as the height from the bottom surface of the metal substrate to the top surface of the metal layer on the insulating resin layer. 前記絶縁樹脂層は、無機繊維を含有する請求項１に記載の回路基板。   The circuit board according to claim 1, wherein the insulating resin layer contains inorganic fibers. 請求項１又は２に記載の回路基板上にＬＥＤ（発光ダイオード）チップが搭載されたＬＥＤモジュール。   An LED module in which an LED (light emitting diode) chip is mounted on the circuit board according to claim 1. 金属基板上に柱状金属部を形成する工程と、
前記柱状金属部の形状に対応した柱状の穴部分が形成されている絶縁樹脂層の該穴部分に該柱状金属部を挿入する工程と、
前記絶縁樹脂層を加熱及び加圧することにより、前記金属基板と前記絶縁樹脂層とを圧着させる工程と、を有する、
回路基板の製造方法。 Forming a columnar metal portion on a metal substrate;
Inserting the columnar metal part into the hole part of the insulating resin layer in which a columnar hole part corresponding to the shape of the columnar metal part is formed;
A step of pressure-bonding the metal substrate and the insulating resin layer by heating and pressurizing the insulating resin layer.
A method of manufacturing a circuit board. 前記絶縁樹脂層は、無機繊維を含有する請求項４に記載の回路基板の製造方法。   The circuit board manufacturing method according to claim 4, wherein the insulating resin layer contains inorganic fibers.
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