JP2014116389A - 窒化物半導体エピタキシャルウェハ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】少なくとも、基板2と、第一の窒化物半導体層4と、該第一の窒化物半導体層4上に形成され第一の窒化物半導体層4よりも電子親和力の小さい第二の窒化物半導体層5と、を備えた窒化物半導体エピタキシャルウェハにおいて、第二の窒化物半導体層5の膜厚の標準偏差を膜厚の平均値で除して100を乗じ基準化した値が5%未満であり、シート抵抗の光照射有無による変動が10%未満である。
【選択図】図1
Description
膜厚傾斜=(最大膜厚−最小膜厚)/平均膜厚×100 ・・・(1)
で表される膜厚傾斜が、10%以上20%以下であってもよい。
膜厚傾斜=(最大膜厚−最小膜厚)/平均膜厚×100 ・・・(1)
で表される膜厚傾斜が、10%以上20%以下に形成される。
光応答(%)={Rs(Dark)−Rs(Light)}
/Rs(Light)×100
で求められる値である。
2 基板
3 AlN層(AlN層またはAlNを主成分とする窒化物半導体層)
4 第一の窒化物半導体層
5 第二の窒化物半導体層
6 GaN層(GaN層またはGaNを主成分とする窒化物半導体層)
Claims (6)
- 少なくとも、基板と、第一の窒化物半導体層と、該第一の窒化物半導体層上に形成され前記第一の窒化物半導体層よりも電子親和力の小さい第二の窒化物半導体層と、を備えた窒化物半導体エピタキシャルウェハにおいて、
前記第二の窒化物半導体層の膜厚の標準偏差を膜厚の平均値で除して100を乗じ基準化した値が5%未満であり、シート抵抗の光照射有無による変動が10%未満である
ことを特徴とする窒化物半導体エピタキシャルウェハ。 - 前記基板と前記第一の窒化物半導体層との間に、AlN層またはAlNを主成分とする窒化物半導体層を備えた
請求項1記載の窒化物半導体エピタキシャルウェハ。 - 前記AlN層またはAlNを主成分とする窒化物半導体層は、ウェハ外周部からウェハ中心部に向かって徐々に膜厚が薄くなるように形成されている
請求項2記載の窒化物半導体エピタキシャルウェハ。 - 前記AlN層またはAlNを主成分とする窒化物半導体層は、下式(1)
膜厚傾斜=(最大膜厚−最小膜厚)/平均膜厚×100 ・・・(1)
で表される膜厚傾斜が、10%以上20%以下である
請求項3記載の窒化物半導体エピタキシャルウェハ。 - 前記AlN層またはAlNを主成分とする窒化物半導体層の表面のスキューネスRskが正である
請求項3または4記載の窒化物半導体エピタキシャルウェハ。 - 前記基板が、シリコンまたは炭化ケイ素からなる
請求項1〜5いずれかに記載の窒化物半導体エピタキシャルウェハ。
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