JP2014110270A - Cleaning device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、ウェーハの面を洗浄する洗浄装置に関する。 The present invention relates to a cleaning apparatus for cleaning a surface of a wafer.
インゴットから切り出され両面にうねりのあるウェーハの両面や、ストリートによって区画されて複数のデバイスが表面に形成されたウェーハの裏面を、研削装置を用いて研削すると、ウェーハには研削屑(コンタミ)が付着するため、研削後にウェーハを洗浄することが必要となる。また、デバイスが形成されたウェーハの裏面研削後に、レーザー加工装置やダイシング装置によってストリートを分離させることによりウェーハを個々のデバイスに分割する際にも、ウェーハには切削屑等(コンタミ)が付着するため、分割後にウェーハを洗浄する必要がある。 Grinding debris (contamination) on the wafer when grinding both sides of the wafer cut from the ingot and the wafer with waviness on both sides and the back side of the wafer that is partitioned by the street and formed with multiple devices on the surface. Because of adhesion, it is necessary to clean the wafer after grinding. In addition, even when the wafer is divided into individual devices by separating the streets with a laser processing device or a dicing device after the back surface of the wafer on which the device is formed, cutting waste or the like (contamination) adheres to the wafer. Therefore, it is necessary to clean the wafer after dividing.
一般的な研削装置やダイシング装置には、チャックテーブルに保持されたウェーハを研削または切削するための加工手段と、研削または切削によって汚染されたウェーハを回転させながら洗浄水によって洗浄するスピン式の洗浄装置と、ウェーハを搬送する搬送装置とを少なくとも備えている。かかる洗浄装置には、ウェーハを保持して回転するスピンナーテーブルを有している。 In general grinding equipment and dicing equipment, a processing means for grinding or cutting a wafer held on a chuck table and a spin-type cleaning in which a wafer contaminated by grinding or cutting is cleaned with cleaning water while rotating. At least an apparatus and a transfer apparatus for transferring a wafer are provided. Such a cleaning apparatus has a spinner table that holds and rotates a wafer.
上記洗浄装置によって研削後や分割後のウェーハを洗浄する際には、搬送装置によってウェーハをスピンナーテーブルに搬送し作業位置に位置づけた状態において、洗浄装置は、スピンナーテーブルを回転させつつ洗浄水をウェーハの表面(被洗浄面)に供給することにより、研削屑や切削屑等を除去している(例えば、下記の特許文献1を参照)。 When cleaning the ground or divided wafer by the cleaning device, the cleaning device transports the cleaning water to the wafer while rotating the spinner table in a state where the wafer is transferred to the spinner table by the transfer device and positioned at the work position. Grinding debris, cutting debris, and the like are removed by supplying to the surface (surface to be cleaned) (see, for example, Patent Document 1 below).
また、スピンナーテーブルに保持された裏面側から搬送パッドによってウェーハを保持するために、スピンナーテーブルはウェーハの外径よりも小さく形成されていることが多い。このようなスピンナーテーブルにおいては、ウェーハの中心部のみがスピンナーテーブルに保持されるため、例えば、下記の特許文献2には、中心部がスピンナーテーブルに保持され外周部が保持されていないウェーハの保持されていない外周部を支持するブラシ手段を備えた洗浄装置が提案されている。この洗浄装置では、ウェーハの裏面全面を支持した状態でウェーハの表面を洗浄することができる。
Further, in order to hold the wafer by the transfer pad from the back side held by the spinner table, the spinner table is often formed smaller than the outer diameter of the wafer. In such a spinner table, since only the center portion of the wafer is held on the spinner table, for example, in
しかしながら、ウェーハの外周部をブラシによって支持する構成とした洗浄装置では、ウェーハの表面にあるコンタミがウェーハの裏面側に回りこんでしまい、裏面に接触しているブラシによる力も加わってコンタミがウェーハの裏面外周に付着し除去できなくなることがある。そのため、コンタミが除去されないままウェーハの加工を続けてしまい、別の洗浄工程においてもウェーハの裏面外周に付着したコンタミを除去することができないため、デバイスの品質に悪影響をもたらすという問題が生じている。 However, in a cleaning device configured to support the outer periphery of the wafer with a brush, contamination on the wafer surface wraps around the back side of the wafer, and the force applied by the brush in contact with the back surface also adds contamination to the wafer. It may adhere to the outer periphery of the back surface and cannot be removed. Therefore, processing of the wafer is continued without removing the contamination, and the contamination adhered to the outer periphery of the back surface of the wafer cannot be removed even in another cleaning process, resulting in a problem that adversely affects the quality of the device. .
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、ウェーハのサイズよりも小さい外径を有するスピンナーテーブルであっても、ウェーハの表面を接触(スクラブ)洗浄することができ、かつ、ウェーハの裏面にコンタミが回り込むことによる裏面汚染を防ぐことに発明の解決すべき課題がある。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and even with a spinner table having an outer diameter smaller than the size of the wafer, the surface of the wafer can be contacted (scrubbed) and cleaned. There is a problem to be solved by the present invention to prevent back surface contamination caused by contamination around the back surface.
本発明は、ウェーハの外径よりも小径に形成され、ウェーハを上面に保持して高速回転可能なスピンナーテーブルと、該スピンナーテーブルの上面に保持されたウェーハの被洗浄面に洗浄水を供給し該ウェーハの被洗浄面を洗浄する洗浄手段と、該スピンナーテーブルを囲繞して形成されウェーハの外周部を液体層によって支持する外周保持手段と、を備え、該外周保持手段は、液体を上面に貯留し液体層を形成する液体貯留部と、該液体貯留部の上面に液体を供給する液体供給口と、該液体貯留部を作用位置と非作用位置とに選択的に位置づける昇降部と、を備え、該作用位置では、該液体貯留部に形成された該液体層の上面が該スピンナーテーブルの上面と同等の高さ位置に位置づけられ、該非作用位置では、該液体貯留部の上面が該スピンナーテーブルの上面よりも下方に位置づけられ、ウェーハ洗浄の際には、該液体貯留部は該作用位置に位置づけられ、該液体供給口から液体が該液体貯留部の上面に供給され、該スピンナーテーブルの上面に保持されたウェーハの外周部が該液体貯留部に形成された液体層により保持されるとともに、該スピンナーテーブルの回転によってウェーハが回転し該洗浄手段によりウェーハの被洗浄面の洗浄が行われ、ウェーハ乾燥の際には、該液体貯留部は該非作用位置に位置づけられ、該スピンナーテーブルが高速回転することによってウェーハの被洗浄面の乾燥が行われること、を特徴とする洗浄装置である。 The present invention provides a spinner table that is formed with a diameter smaller than the outer diameter of the wafer and that can rotate at a high speed while holding the wafer on the upper surface, and supplying cleaning water to the surface to be cleaned held on the upper surface of the spinner table. Cleaning means for cleaning the surface to be cleaned of the wafer, and outer periphery holding means formed by surrounding the spinner table and supporting the outer peripheral portion of the wafer by a liquid layer. A liquid storage section that stores and forms a liquid layer, a liquid supply port that supplies liquid to the upper surface of the liquid storage section, and an elevating section that selectively positions the liquid storage section at an operating position and a non-operating position. The upper surface of the liquid layer formed in the liquid storage portion is positioned at a height position equivalent to the upper surface of the spinner table, and the upper surface of the liquid storage portion is the upper surface of the spinner table in the non-operation position. The liquid storage unit is positioned below the upper surface of the inner table, and at the time of wafer cleaning, the liquid storage unit is positioned at the working position, and liquid is supplied from the liquid supply port to the upper surface of the liquid storage unit. The outer peripheral portion of the wafer held on the upper surface of the wafer is held by the liquid layer formed in the liquid storage portion, and the wafer is rotated by the rotation of the spinner table, and the cleaning surface of the wafer is cleaned by the cleaning means. In the cleaning of the wafer, the liquid storage portion is positioned at the non-operating position, and the surface to be cleaned of the wafer is dried by rotating the spinner table at a high speed. .
本発明にかかる洗浄装置には、スピンナーテーブルを囲繞する外周保持手段を備え、外周保持手段は、液体を上面に貯留し液体層を形成する液体貯留部と、液体貯留部の上面に液体を供給する液体供給口と、液体貯留部を作用位置と非作用位置とに選択的に位置づける昇降部と、を備えており、ウェーハの洗浄の際には、液体貯留部が作用位置に位置づけられることで液体貯留部に形成された液体層の上面がスピンナーテーブルの上面と同等の高さとなってウェーハの外周部を保持することができるため、その状態において洗浄手段によってウェーハの表面を洗浄することができる。
また、液体層がウェーハの外周部を保持することでウェーハの外周部側の裏面が液体層によって封止されるため、ウェーハの表面にあるコンタミが裏面に回り込むことを防ぐことができる。したがって、ウェーハの裏面汚染を低減することができ、デバイスの品質に悪影響を及ぼすことを抑制することができる。
The cleaning device according to the present invention includes an outer periphery holding unit that surrounds the spinner table, and the outer periphery holding unit supplies a liquid to the upper surface of the liquid storing unit that stores the liquid on the upper surface and forms a liquid layer. A liquid supply port and an elevating part that selectively positions the liquid storage part at the action position and the non-action position, and when the wafer is cleaned, the liquid storage part is positioned at the action position. Since the upper surface of the liquid layer formed in the liquid storage portion is at the same height as the upper surface of the spinner table and can hold the outer periphery of the wafer, the surface of the wafer can be cleaned by the cleaning means in that state. .
Further, since the liquid layer holds the outer peripheral portion of the wafer, the back surface on the outer peripheral portion side of the wafer is sealed by the liquid layer, so that contamination on the front surface of the wafer can be prevented from entering the back surface. Therefore, the backside contamination of the wafer can be reduced, and adverse effects on device quality can be suppressed.
図1及び図2を参照しながら、被加工物であるウェーハWを洗浄する洗浄装置1の構成について説明する。洗浄装置1は、被加工物を保持して高速回転可能なスピンナーテーブル2と、被加工物を洗浄する洗浄手段10と、スピンナーテーブル2を囲繞して形成され被加工物の外周部を支持する外周保持手段20と、を備え、収容器8の中央部に形成されたスペースに収容された構成となっている。
With reference to FIGS. 1 and 2, the configuration of the cleaning apparatus 1 for cleaning the wafer W, which is a workpiece, will be described. The cleaning apparatus 1 holds a workpiece and can rotate at a high speed, a cleaning means 10 for cleaning the workpiece, and a peripheral portion of the workpiece formed around the spinner table 2. Outer peripheral holding means 20 and is configured to be accommodated in a space formed in the central portion of the
図1及び図2に示すように、スピンナーテーブル2は、被加工物の外径よりも小径に形成されている。スピンナーテーブル2は、多孔質部材4を有しており、その表面側が被加工物を吸引保持する上面3となっている。スピンナーテーブル2の下端には、スピンナーテーブル2を高速回転させる回転軸5が連結されている。なお、スピンナーテーブル2は、Z軸方向に昇降可能な構成となっており、被加工物の搬送エリア9aと洗浄エリア9bとの間を移動可能となっている
As shown in FIGS. 1 and 2, the spinner table 2 is formed with a smaller diameter than the outer diameter of the workpiece. The spinner table 2 has a porous member 4, and the surface side thereof is an
洗浄手段10は、被加工物を接触(スクラブ)洗浄するスクラブ洗浄部材11(図4参照)を備えている。スクラブ洗浄部材11は、スピンナーテーブル2の上方において、支持柱12によって、水平方向の回転軸を中心として回転可能に支持されている。なお、スクラブ洗浄部材11としては、例えばスポンジを使用することができるが、特に限定されるものではない。
The cleaning means 10 includes a scrub cleaning member 11 (see FIG. 4) for cleaning (scrubbing) the workpiece. The
洗浄手段10には、ウェーハ洗浄の際にスピンナーテーブル2に保持された被加工物に洗浄水を供給する洗浄水供給ノズル13と、ウェーハ乾燥の際にスピンナーテーブル2に保持された被加工物に圧縮エアーを供給する圧縮エアー供給ノズル15とを備えている。洗浄水供給ノズル13及び圧縮エアー供給ノズル15は、スピンナーテーブル2の上方を半径方向に旋回させる支持部17に連結されている。洗浄水供給ノズル13は、洗浄水供給源14に接続され、圧縮エアー供給ノズル15は、エアー供給源16に接続されている。
The cleaning means 10 includes a cleaning
図1に示すように、外周保持手段20は、液体を貯留することができる上面21aを有する液体貯留部21を備えている。また、外周保持手段20は、液体貯留部21の上面21aにむけて液体を供給するリング状の液体供給口22を備えており、図2に示すように、液体供給口22は、液体貯留部21の内部に配設された供給管24に連通している。供給管24は、開閉バルブ25を介して供給源26に接続されており、開閉バルブ25を開くと、液体供給口22から液体貯留部21の上面21aにむけて液体を供給することができる。
As shown in FIG. 1, the outer periphery holding | maintenance means 20 is provided with the
さらに、外周保持手段20には、液体貯留部21を昇降させる昇降部23を備えている。昇降部23は、ピストン23aを昇降させることによって液体貯留部21をZ軸方向に昇降させ、図2に示すように、液体貯留部21を作用位置P1と非作用位置P2とに選択的に位置づけることができる。
Furthermore, the outer periphery holding means 20 includes an
図2に示すように、作用位置P1とは、液体貯留部21の上面21aに貯留した液体層6の上面がスピンナーテーブル2の上面3と同等の高さとなる場合における液体貯留部21の高さ位置を指し、被加工物の外周部を液体層6により保持することが可能な液体貯留部21の高さ位置を意味する。したがって、液体層6によって被加工物を保持することができれば、液体層6の上面の高さとスピンナーテーブル2の上面3の高さとが完全に一致する必要はない。また、液体層6の厚みに応じて作用位置も変動する。一方、非作用位置P2とは、液体貯留部21の上面21aがスピンナーテーブル2の上面3よりも下方にあるときの位置を指し、液体層6による被加工物の保持が作用しない場合における液体貯留部21の高さ位置を意味する。
As shown in FIG. 2, the action position P <b> 1 is the height of the
洗浄装置1は、例えば、図3に示す研削装置30に適用することができる。研削装置30は、Y軸方向にのびる基台31と、基台31の後部側に立設されたコラム32とを備えている。
The cleaning apparatus 1 can be applied to, for example, the
基台31のY軸方向前部には、ステージ33a及びステージ33bが形成されている。ステージ33aには、研削前の被加工物を収容するカセット34aが載置され、ステージ33bには、研削後の被加工物を収容するカセット34bが載置されている。カセット34a及びカセット34bの近傍には、研削前の被加工物をカセット34aから搬出するとともに研削後の被加工物をカセット34bへ搬入する搬送手段35が配設されている。搬送手段35の可動領域には、被加工物が仮置きされる仮置き手段36と、研削後の被加工物を洗浄する洗浄装置1とが配設されている。
A
基台31の上面には、回転可能なターンテーブル37が配設されており、このターンテーブル37によって、被加工物を保持し自転可能なチャックテーブル38が支持されている。コラム32の側部においては、被加工物に研削を施す研削手段39が研削送り手段40によって昇降可能に支持されている。研削手段39は昇降可能であり、研削手段39には、円環状に配設され回転可能な研削砥石390を備えている。
A
仮置き手段36の近傍には、研削前の被加工物を仮置き手段36からチャックテーブル38に搬送する第1の搬送アーム41が配設され、第1の搬送アーム41に隣接して研削後の被加工物を洗浄装置1に搬送する第2の搬送アーム42が配設されている。
In the vicinity of the temporary placement means 36, a
このように構成される研削装置30において、図1及び図2に示したウェーハWを研削する際の研削装置30の動作について説明する。なお、ウェーハWは、表面Waが被研削面であり、表面Waと反対側にある面がスピンナーテーブル2の上面3に載置する裏面Wbとなっている。さらに、ウェーハWをスピンナーテーブル2の上面3に載置したときに、上面3からはみ出すウェーハWの外周部分が外周部Wcとなっている。
The operation of the grinding
研削前のウェーハWは、カセット34aに収容され、搬送手段35によってチャックテーブル38に搬送される。そして、ターンテーブル37の回転によってウェーハWが研削手段39の下方に移動した後、チャックテーブル38が回転するとともに、研削砥石390が回転しながら研削手段39が降下し、研削砥石390がウェーハWの表面Waに接触して研削が行われる。
The wafer W before grinding is accommodated in the
表面Waの研削終了後は、ターンテーブル37が回転してウェーハWが洗浄装置1の近傍に位置づけされる。このとき、ウェーハWの表面Waには、研削屑等のコンタミが付着している。
After the grinding of the surface Wa, the
研削後のウェーハWは、図3に示す第2の搬送アーム42によって表面Wa側が保持され、チャックテーブル38から収容器8の搬送エリア9aで待機するスピンナーテーブル2に搬送され、表面Waが露出した状態で保持される。そして、スピンナーテーブル2は、ウェーハWを保持しながらZ軸方向に下降して、図1に示した収容器8の洗浄エリア9bに移動する。
The wafer Wa after grinding is held on the surface Wa side by the
図4に示すように、スピンナーテーブル2からはみ出したウェーハWの外周部Wcを外周保持手段20によって保持する。具体的には、昇降部23がピストン23aを上昇させ、液体貯留部21を作用位置P1に位置づける。
As shown in FIG. 4, the outer peripheral portion Wc of the wafer W protruding from the spinner table 2 is held by the outer peripheral holding means 20. Specifically, the raising / lowering
液体貯留部21が作用位置P1に位置づけられた後、開閉バルブ25を開き供給管24に液体を供給する。そして、図4に示すように、供給管24を通じて液体供給口22から液体貯留部21の上面21aに向けて液体が供給されると、上面21aの上に液体層6が形成される。なお、液体としては、例えば純水を使用することができる。
After the
このとき、液体貯留部21は作用位置P1に位置づけられているため、液体層6の上面7は、スピンナーテーブル2の上面3とほぼ同じ高さ位置に位置づけられ、液体層6によってウェーハWの外周部Wcが保持される。
At this time, since the
次に、液体層6によりウェーハWの外周部Wcを保持しながら、回転軸5は、スピンナーテーブル2を、例えば矢印B方向に回転させてウェーハWの表面Waを洗浄する。具体的には、スポンジ11をウェーハWの表面Waに接触させるとともに、例えば矢印A方向に回転させてスクラブ洗浄を行う。ウェーハWの洗浄中は、洗浄水供給ノズル13からウェーハWの表面Waに洗浄水を供給し続ける。このようにして液体層6がウェーハWの外周部Wcを保持して洗浄を行うことにより、スピンナーテーブル2がウェーハWより小径である場合も、ウェーハWの表面全面を洗浄することができる。また、ウェーハWの外周部Wc側の裏面Wbが液体層6によって封止されるため、ウェーハWの表面Waにあるコンタミが裏面Wbに回り込むことがない。
Next, while the outer peripheral portion Wc of the wafer W is held by the
このようにしてウェーハWの表面Waを洗浄した後、図5に示すように、ウェーハWの表面Waの乾燥工程を実施する。まず、ピストン23aを下降させ、液体貯留部21を非作用位置P2に位置づける。
After cleaning the surface Wa of the wafer W in this way, a drying step of the surface Wa of the wafer W is performed as shown in FIG. First, the
次いで、回転軸5が回転し、スピンナーテーブル2を例えば3000rpm以上の速度で高速回転させる。このとき、スピンナーテーブル2が高速回転することによりウェーハWの表面Waに発生する遠心力を利用して表面Waに付着した液体を飛散させる。これと同時に圧縮エアー供給ノズル15から高速回転するウェーハWの表面Waに向けて圧縮エアーを供給する。これらの動作をウェーハWの表面Waが乾燥するまで継続する。ウェーハWを乾燥させる際には、スピンナーテーブル2が高速回転することによりウェーハWに遠心力がはたらくため、液体層6を形成しなくても、外周部Wcが垂れ下がることはない。
Next, the
以上のように、洗浄装置1には、スピンナーテーブル2を囲繞する外周保持手段20を備え、外周保持手段20は、液体を上面21aに貯留し液体層6を形成する液体貯留部21と、液体貯留部21の上面21aに液体を供給する液体供給口22と、液体貯留部21を作用位置P1と非作用位置P2とに選択的に位置づける昇降部23と、を備えているため、ウェーハの洗浄の際には、液体貯留部21が作用位置P1に位置づけられることで液体貯留部21に形成された液体層6の上面7がスピンナーテーブル2の上面3と同等の高さとなってウェーハWの外周部Wcを保持することができ、ウェーハWの表面Waをスポンジ11でスクラブ洗浄することができる。
また、液体層6がウェーハWの外周部Wcを保持することでウェーハWの外周部Wc側の裏面Wbが液体層6によって封止されるため、ウェーハWの表面Waにあるコンタミが裏面に回り込むことを防ぐことができる。これにより、ウェーハの裏面汚染を低減することができる。
As described above, the cleaning apparatus 1 includes the outer peripheral holding means 20 surrounding the spinner table 2, and the outer peripheral holding means 20 stores the liquid on the
Further, since the
1:洗浄装置 2:スピンナーテーブル 3:上面
4:多孔質部材 5:回転軸 6:液体層 7:上面
8:収容器 9a:搬送エリア 9b:洗浄エリア
10:洗浄手段 11:スクラブ洗浄部材 12:支持柱 13:洗浄水供給ノズル
14:洗浄水供給源 15:圧縮エアー供給ノズル 16:エアー供給源 17:支持部
20:外周保持手段 21:液体貯留部 21a:上面
22:液体供給口 23:昇降部 23a:ピストン
24:供給管 25:開閉バルブ 26:供給源
30:研削装置
31:基台 32:コラム 33a,33b:ステージ
34a,34b:カセット 35:搬送手段
36:仮置き手段 37:ターンテーブル 38:チャックテーブル
39:研削手段
40:研削送り手段 41:第1の搬送アーム 42:第2の搬送アーム
P1:作用位置 P2:非作用位置
W:ウェーハ Wa:表面(被洗浄面) Wb:裏面 Wc:外周部
1: Cleaning device 2: Spinner table 3: Upper surface 4: Porous member 5: Rotating shaft 6: Liquid layer 7: Upper surface 8:
40: grinding feed means 41: first transfer arm 42: second transfer arm P1: working position P2: non-working position W: wafer Wa: front surface (surface to be cleaned) Wb: back surface Wc: outer periphery
Claims (1)
該スピンナーテーブルの上面に保持されたウェーハの被洗浄面に洗浄水を供給し該ウェーハの被洗浄面を洗浄する洗浄手段と、
該スピンナーテーブルを囲繞して形成されウェーハの外周部を液体層によって支持する外周保持手段と、を備え、
該外周保持手段は、液体を上面に貯留し液体層を形成する液体貯留部と、
該液体貯留部の上面に液体を供給する液体供給口と、
該液体貯留部を作用位置と非作用位置とに選択的に位置づける昇降部と、を備え、
該作用位置では、該液体貯留部に形成された該液体層の上面が該スピンナーテーブルの上面と同等の高さ位置に位置づけられ、
該非作用位置では、該液体貯留部の上面が該スピンナーテーブルの上面よりも下方に位置づけられ、
ウェーハ洗浄の際には、該液体貯留部は該作用位置に位置づけられ該液体供給口から液体が該液体貯留部の上面に供給され、該スピンナーテーブルの上面に保持されたウェーハの外周部が該液体貯留部に形成された液体層により保持されるとともに該スピンナーテーブルの回転によってウェーハが回転し該洗浄手段によりウェーハの被洗浄面の洗浄が行われ、
ウェーハ乾燥の際には、該液体貯留部は該非作用位置に位置づけられ、該スピンナーテーブルが高速回転することによってウェーハの被洗浄面の乾燥が行われること、を特徴とする洗浄装置。 A spinner table that is formed smaller than the outer diameter of the wafer and that can rotate while holding the wafer on the upper surface,
Cleaning means for supplying cleaning water to the surface to be cleaned held on the upper surface of the spinner table to clean the surface to be cleaned;
An outer periphery holding means formed around the spinner table and supporting the outer periphery of the wafer with a liquid layer;
The outer periphery holding means stores a liquid on the upper surface and forms a liquid layer;
A liquid supply port for supplying liquid to the upper surface of the liquid storage section;
An elevating part that selectively positions the liquid storage part at the action position and the non-action position, and
In the working position, the upper surface of the liquid layer formed in the liquid reservoir is positioned at a height position equivalent to the upper surface of the spinner table,
In the non-operating position, the upper surface of the liquid reservoir is positioned below the upper surface of the spinner table,
During wafer cleaning, the liquid reservoir is positioned at the working position, liquid is supplied from the liquid supply port to the upper surface of the liquid reservoir, and the outer periphery of the wafer held on the upper surface of the spinner table is The wafer is rotated by the rotation of the spinner table and held by the liquid layer formed in the liquid reservoir, and the cleaning surface of the wafer is cleaned by the cleaning means,
A cleaning apparatus characterized in that when the wafer is dried, the liquid storage portion is positioned at the non-operation position, and the surface to be cleaned of the wafer is dried by rotating the spinner table at a high speed.
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