JP2010109209A

JP2010109209A - Grinder

Info

Publication number: JP2010109209A
Application number: JP2008280788A
Authority: JP
Inventors: Yasutaka Mizomoto; 康隆溝本; Hironaga Ozawa; 寛修小澤; Masaaki Yamamoto; 昌明山本; Tomohiro Shirahama; 智宏白濱
Original assignee: Disco Abrasive Systems Ltd
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2008-10-31
Filing date: 2008-10-31
Publication date: 2010-05-13
Anticipated expiration: 2028-10-31
Also published as: JP5356776B2

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a grinder having a cleaning mechanism for significantly decreasing contaminants remaining on a ground surface of a wafer subjected to grinding. <P>SOLUTION: The grinder includes a chuck table for holding a workpiece, a grinding means for grinding the workpiece held on the chuck table, and a cleaning mechanism for cleaning the ground surface of the ground workpiece. The cleaning mechanism includes a spinner table for holding the workpiece with its ground surface facing up, a cleaning water supply means for ejecting cleaning water onto the ground surface of the workpiece held on the spinner table, a wiper cleaning means for wiping the held surface of the workpiece while a soft wiper member contacts with the ground surface of the workpiece held on the spinner table, and an ozone water supply means for ejecting ozone water onto the ground surface of the workpiece held on the spinner table. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体ウエーハ等の被加工物を研削する研削装置に関する。 The present invention relates to a grinding apparatus for grinding a workpiece such as a semiconductor wafer.

当業者には周知の如く、半導体デバイス製造工程においては、ＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスが複数個形成された半導体ウエーハは、個々のデバイスに分割される前にその裏面を研削装置によって研削して所定の厚みに形成されている。半導体ウエーハの裏面を研削する研削装置は、ウエーハを吸引保持するチャックテーブルと、該チャックテーブル上に吸引保持されたウエーハを研削する研削手段と、研削加工されたウエーハを洗浄する洗浄機構を具備している。（例えば、特許文献１参照）
特許第４１４９５８３号公報 As is well known to those skilled in the art, in a semiconductor device manufacturing process, a semiconductor wafer on which a plurality of devices such as ICs and LSIs are formed is ground on a back surface by a grinding apparatus before being divided into individual devices. The thickness is formed. A grinding apparatus for grinding the back surface of a semiconductor wafer comprises a chuck table for sucking and holding the wafer, a grinding means for grinding the wafer sucked and held on the chuck table, and a cleaning mechanism for washing the ground wafer. ing. (For example, see Patent Document 1)
Japanese Patent No. 4149583

上記特許文献１に開示された研削装置に装備される洗浄機構は、ウエーハを保持するスピンナーテーブルと、該スピンナーテーブルに保持されたウエーハに洗浄水を噴出する洗浄水供給手段と、スピンナーテーブルに保持されたウエーハに乾燥用のエアーを噴出するエアー供給手段とを具備している。このように構成された洗浄機構は、スピンナーテーブル上に研削加工されたウエーハの裏面(被研削面)を上側にして保持し、スピンナーテーブルを回転しつつ洗浄水供給手段によってウエーハの裏面(被研削面)に洗浄水を供給してウエーハの裏面(被研削面)を洗浄し、その後スピンナーテーブルを回転しつつエアー供給手段によってウエーハの裏面(被研削面)にエアーを噴出することによりウエーハを乾燥する。このようにして研削加工されたウエーハの裏面(被研削面)が洗浄されるが、洗浄されたウエーハの裏面(被研削面)には１cm^２当たりに１μm以下のコンタミが１００個以上残存する。 The cleaning mechanism provided in the grinding apparatus disclosed in Patent Document 1 includes a spinner table that holds a wafer, a cleaning water supply unit that jets cleaning water to the wafer held by the spinner table, and a spinner table. And air supply means for ejecting drying air to the wafer. The cleaning mechanism configured as described above holds the back surface (surface to be ground) of the wafer ground on the spinner table with the upper surface held, and the back surface of the wafer (to be ground) by the cleaning water supply means while rotating the spinner table. Cleaning the wafer back surface (surface to be ground) by supplying cleaning water to the surface), and then drying the wafer by blowing air to the back surface (surface to be ground) of the wafer by the air supply means while rotating the spinner table. To do. The back surface (surface to be ground) of the wafer thus ground is cleaned, but 100 or more contaminants of 1 μm or less per 1 cm ² remain on the back surface (surface to be ground) of the cleaned wafer.

近年、ウエーハの裏面を研削して所定の厚みに形成した後に、ウエーハの裏面に回路を形成する場合があり、このようなウエーハの裏面は１cm^２当たり１μm以下のコンタミが１個以下のクリーン度が要求される。従って、上記従来の洗浄機構においてはこのような要求を満たすことができない。 In recent years, after the back surface of a wafer has been ground to a predetermined thickness, a circuit may be formed on the back surface of the wafer. The back surface of such a wafer has a cleanliness level of 1 μm or less per 1 cm ^2. Is required. Therefore, the above conventional cleaning mechanism cannot satisfy such a requirement.

本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、研削加工されたウエーハの被研削面に残存するコンタミを可及的に減少させることができる洗浄機構を備えた研削装置を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above-mentioned facts, and a main technical problem thereof is a grinding apparatus provided with a cleaning mechanism capable of reducing contamination remaining on a ground surface of a ground wafer as much as possible. Is to provide.

上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブル上に保持された被加工物を研削する研削手段と、研削加工された被加工物の被研削面を洗浄する洗浄機構とを具備する研削装置において、
該洗浄機構は、被加工物の被研削面を上側にして保持するスピンナーテーブルと、該スピンナーテーブルに保持された被加工物の被研削面に洗浄水を噴出する洗浄水供給手段と、該スピンナーテーブルに保持された被加工物の被研削面に払拭部材を接触させて被加工物の被保持面を払拭する払拭清掃手段と、該スピンナーテーブルに保持された被加工物の被研削面にオゾン水を噴出するオゾン水供給手段と、を具備している、
ことを特徴とする研削装置が提供される。 In order to solve the above main technical problem, according to the present invention, a chuck table for holding a workpiece, a grinding means for grinding the workpiece held on the chuck table, and a workpiece to be ground In a grinding apparatus comprising a cleaning mechanism for cleaning the surface to be ground,
The cleaning mechanism includes a spinner table that holds a surface to be ground of a work piece facing upward, a cleaning water supply unit that jets cleaning water to the ground surface of the work piece held by the spinner table, and the spinner A wiping cleaning means for wiping the surface to be held of the workpiece by bringing the wiping member into contact with the surface to be ground of the workpiece held on the table, and ozone on the surface to be ground of the workpiece held on the spinner table Ozone water supply means for ejecting water,
A grinding device is provided.

上記洗浄機構は、スピンナーテーブルに保持された被加工物の被研削面にエッチング液を供給するエッチング液供給手段を具備していることが望ましい。
また、上記洗浄機構は、スピンナーテーブルに保持された被加工物の被研削面に乾燥気体を噴出する乾燥気体供給手段を具備していることが望ましい。 The cleaning mechanism preferably includes an etchant supply unit that supplies an etchant to a surface to be ground of a workpiece held on a spinner table.
The cleaning mechanism preferably includes a dry gas supply means for ejecting a dry gas to a surface to be ground of a workpiece held on a spinner table.

本発明による研削装置は、研削加工された被加工物を洗浄する洗浄機構が被加工物の被研削面を上側にして保持するスピンナーテーブルと、該スピンナーテーブルに保持された被加工物の被研削面に洗浄水を噴出する洗浄水供給手段と、該スピンナーテーブルに保持された被加工物の被研削面に払拭部材を接触させて被加工物の被保持面を払拭する払拭清掃手段と、該スピンナーテーブルに保持された被加工物の被研削面にオゾン水を噴出するオゾン水供給手段とを具備しているので、洗浄水供給手段を作動することにより被加工物の被研削面を洗浄しても除去しきれずに残存するコンタミおよび有機物を払拭清掃手段およびオゾン水供給手段を作動して洗浄することにより可及的に減少させることができる。 A grinding apparatus according to the present invention includes a spinner table in which a cleaning mechanism for cleaning a workpiece that has been ground is held with the surface to be ground facing upward, and the workpiece to be ground held on the spinner table. Cleaning water supply means for jetting cleaning water to the surface, wiping cleaning means for wiping the surface to be held of the workpiece by bringing a wiping member into contact with the surface to be ground of the workpiece held on the spinner table, Since it has ozone water supply means for ejecting ozone water to the surface to be ground of the workpiece held by the spinner table, the surface to be ground of the workpiece is cleaned by operating the cleaning water supply means. However, the contamination and organic matter remaining without being removed can be reduced as much as possible by operating and cleaning the wiping cleaning means and the ozone water supply means.

以下、本発明に従って構成された研削装置の好適な実施形態について、添付図面を参照して更に詳細に説明する。 Preferred embodiments of a grinding apparatus constructed according to the present invention will be described below in more detail with reference to the accompanying drawings.

図１には、本発明に従って構成された研削装置が装備された研削装置の斜視図が示されている。
図示の実施形態における研削装置は、略直方体状の装置ハウジング２を具備している。装置ハウジング２の図１において右上端には、静止支持板２１が立設されている。この静止支持板２１の内側面には、上下方向に延びる２対の案内レール２２、２２および２３、２３が設けられている。一方の案内レール２２、２２には荒研削手段としての荒研削ユニット３が上下方向に移動可能に装着されており、他方の案内レール２３、２３には仕上げ研削手段としての仕上げ研削ユニット４が上下方向に移動可能に装着されている。 FIG. 1 shows a perspective view of a grinding apparatus equipped with a grinding apparatus constructed according to the present invention.
The grinding device in the illustrated embodiment includes a device housing 2 having a substantially rectangular parallelepiped shape. A stationary support plate 21 is erected on the upper right end of the device housing 2 in FIG. Two pairs of guide rails 22, 22 and 23, 23 extending in the vertical direction are provided on the inner surface of the stationary support plate 21. A rough grinding unit 3 as a rough grinding means is mounted on one guide rail 22, 22 so as to be movable in the vertical direction, and a finish grinding unit 4 as a finish grinding means is vertically mounted on the other guide rail 23, 23. It is mounted to move in the direction.

荒研削ユニット３は、ユニットハウジング３１と、該ユニットハウジング３１の下端に回転自在に装着されたホイールマウント３２に装着された荒研削ホイール３３と、該ユニットハウジング３１の上端に装着されホイールマウント３２を矢印３２aで示す方向に回転せしめる電動モータ３４と、ユニットハウジング３１を装着した移動基台３５とを具備している。 The rough grinding unit 3 includes a unit housing 31, a rough grinding wheel 33 attached to a wheel mount 32 rotatably attached to the lower end of the unit housing 31, and a wheel mount 32 attached to the upper end of the unit housing 31. An electric motor 34 that rotates in a direction indicated by an arrow 32a and a moving base 35 on which the unit housing 31 is mounted are provided.

上記移動基台３５には被案内レール３５１、３５１が設けられており、この被案内レール３５１、３５１を上記静止支持板２１に設けられた案内レール２２、２２に移動可能に嵌合することにより、荒研削ユニット３が上下方向に移動可能に支持される。図示の形態における荒研削ユニット３は、上記移動基台３５を案内レール２２、２２に沿って移動させ研削ホイール３３を研削送りする研削送り機構３６を具備している。研削送り機構３６は、上記静止支持板２１に案内レール２２、２２と平行に上下方向に配設され回転可能に支持された雄ねじロッド３６１と、該雄ねじロッド３６１を回転駆動するためのパルスモータ３６２と、上記移動基台３５に装着され雄ねじロッド３６１と螺合する図示しない雌ねじブロックを具備しており、パルスモータ３６２によって雄ねじロッド３６１を正転および逆転駆動することにより、荒研削ユニット３を上下方向（後述するチャックテーブルの保持面に対して垂直な方向）に移動せしめる。 The movable base 35 is provided with guided rails 351 and 351, and the guided rails 351 and 351 are movably fitted to the guide rails 22 and 22 provided on the stationary support plate 21. The rough grinding unit 3 is supported so as to be movable in the vertical direction. The rough grinding unit 3 in the form shown in the figure includes a grinding feed mechanism 36 that moves the moving base 35 along the guide rails 22 and 22 and feeds the grinding wheel 33 by grinding. The grinding feed mechanism 36 includes a male screw rod 361 that is disposed on the stationary support plate 21 in a vertical direction parallel to the guide rails 22 and 22 and is rotatably supported, and a pulse motor 362 for rotationally driving the male screw rod 361. And a female screw block (not shown) that is mounted on the moving base 35 and is screwed with the male screw rod 361. By driving the male screw rod 361 forward and reverse by a pulse motor 362, the rough grinding unit 3 is moved up and down. It is moved in the direction (direction perpendicular to the holding surface of the chuck table described later).

上記仕上げ研削ユニット４も荒研削ユニット３と同様に構成されており、ユニットハウジング４１と、該ユニットハウジング４１の下端に回転自在に装着されたホイールマウント４２に装着された研削ホイール４３と、該ユニットハウジング４１の上端に装着されホイールマウント４２を矢印４２aで示す方向に回転せしめる電動モータ４４と、ユニットハウジング４１を装着した移動基台４５とを具備している。 The finish grinding unit 4 is also configured in the same manner as the rough grinding unit 3, and includes a unit housing 41, a grinding wheel 43 attached to a wheel mount 42 rotatably attached to a lower end of the unit housing 41, and the unit. An electric motor 44 that is mounted on the upper end of the housing 41 and rotates the wheel mount 42 in the direction indicated by the arrow 42a, and a moving base 45 on which the unit housing 41 is mounted are provided.

上記移動基台４５には被案内レール４５１、４５１が設けられており、この被案内レール４５１、４５１を上記静止支持板２１に設けられた案内レール２３、２３に移動可能に嵌合することにより、仕上げ研削ユニット４が上下方向に移動可能に支持される。図示の実施形態における仕上げ研削ユニット４は、上記移動基台４５を案内レール２３、２３に沿って移動させ研削ホイール４３を研削送りする送り機構４６を具備している。送り機構４６は、上記静止支持板２１に案内レール２３、２３と平行に上下方向に配設され回転可能に支持された雄ねじロッド４６１と、該雄ねじロッド４６１を回転駆動するためのパルスモータ４６２と、上記移動基台４５に装着され雄ねじロッド４６１と螺合する図示しない雌ねじブロックを具備しており、パルスモータ４６２によって雄ねじロッド４６１を正転および逆転駆動することにより、仕上げ研削ユニット４を上下方向（後述するチャックテーブルの保持面に対して垂直な方向）に移動せしめる。 Guided rails 451 and 451 are provided on the moving base 45, and the guided rails 451 and 451 are movably fitted to the guide rails 23 and 23 provided on the stationary support plate 21. The finish grinding unit 4 is supported so as to be movable in the vertical direction. The finish grinding unit 4 in the illustrated embodiment includes a feed mechanism 46 that moves the moving base 45 along the guide rails 23 and 23 and feeds the grinding wheel 43 by grinding. The feed mechanism 46 includes a male screw rod 461 that is disposed on the stationary support plate 21 in parallel with the guide rails 23 and 23 in a vertical direction and is rotatably supported, and a pulse motor 462 for rotationally driving the male screw rod 461. , A female screw block (not shown) that is mounted on the moving base 45 and screwed with the male screw rod 461 is provided. It is moved in a direction (perpendicular to the holding surface of the chuck table described later).

図示の実施形態における研削装置は、上記静止支持板２１の前側において装置ハウジング２の上面と略面一となるように配設されたターンテーブル５を具備している。このターンテーブル５は、比較的大径の円盤状に形成されており、図示しない回転駆動機構によって矢印５ａで示す方向に適宜回転せしめられる。ターンテーブル５には、図示の実施形態の場合それぞれ１２０度の位相角をもって３個のチャックテーブル６が水平面内で回転可能に配置されている。このチャックテーブル６は、円盤状の基台６１とポーラスセラミック材によって円盤状に形成され吸着保持チャック６２とからなっており、吸着保持チャック６２上（保持面）に載置された被加工物を図示しない吸引手段を作動することにより吸引保持する。このように構成されたチャックテーブル６は、図１に示すように図示しない回転駆動機構によって矢印６aで示す方向に回転せしめられる。ターンテーブル５に配設された３個のチャックテーブル６は、ターンテーブル５が適宜回転することにより被加工物搬入・搬出域Ａ、荒研削加工域Ｂ、および仕上げ研削加工域Ｃおよび被加工物搬入・搬出域Ａに順次移動せしめられる。 The grinding apparatus in the illustrated embodiment includes a turntable 5 disposed so as to be substantially flush with the upper surface of the apparatus housing 2 on the front side of the stationary support plate 21. The turntable 5 is formed in a relatively large-diameter disk shape, and is appropriately rotated in a direction indicated by an arrow 5a by a rotation driving mechanism (not shown). In the illustrated embodiment, three chuck tables 6 are arranged on the turntable 5 so as to be rotatable in a horizontal plane with a phase angle of 120 degrees. The chuck table 6 includes a disk-shaped base 61 and a suction holding chuck 62 formed in a disk shape by a porous ceramic material, and a workpiece placed on the suction holding chuck 62 (holding surface). Suction is held by operating a suction means (not shown). The chuck table 6 configured as described above is rotated in a direction indicated by an arrow 6a by a rotation driving mechanism (not shown) as shown in FIG. The three chuck tables 6 arranged on the turntable 5 have a workpiece loading / unloading zone A, a rough grinding zone B, a finish grinding zone C, and a workpiece by appropriately rotating the turntable 5. It is sequentially moved to the loading / unloading area A.

図示の研削装置は、被加工物搬入・搬出域Ａに対して一方側に配設され研削加工前の被加工物である半導体ウエーハをストックする第１のカセット１１と、被加工物搬入・搬出域Ａに対して他方側に配設され研削加工後の被加工物である半導体ウエーハをストックする第２のカセット１２と、第１のカセット１１と被加工物搬入・搬出域Ａとの間に配設され被加工物の中心合わせを行う中心合わせ手段１３と、被加工物搬入・搬出域Ａと第２のカセット１２との間に配設された洗浄機構７と、第１のカセット１１内に収納された被加工物である半導体ウエーハを中心合わせ手段１３に搬出するとともに洗浄機構７で洗浄された半導体ウエーハを第２のカセット１２に搬送する被加工物搬送手段１４と、中心合わせ手段１３上に載置され中心合わせされた半導体ウエーハを被加工物搬入・搬出域Ａに位置付けられたチャックテーブル６上に搬送する被加工物搬入手段１５と、被加工物搬入・搬出域Ａに位置付けられたチャックテーブル６上に載置されている研削加工後の半導体ウエーハをスピンナー洗浄機構７に搬送する被加工物搬出手段１６を具備している。なお、上記第１のカセット１１には、半導体ウエーハWが表面に保護テープTが貼着された状態で複数枚収容される。このとき、半導体ウエーハWは、裏面（被研削面）を上側にして収容される。 The illustrated grinding apparatus includes a first cassette 11 that is disposed on one side with respect to a workpiece loading / unloading area A and stocks a semiconductor wafer that is a workpiece before grinding, and a workpiece loading / unloading. Between the second cassette 12 which is disposed on the other side with respect to the area A and stocks the semiconductor wafer which is the workpiece after grinding, and between the first cassette 11 and the workpiece loading / unloading area A A centering means 13 for centering the workpiece to be disposed; a cleaning mechanism 7 disposed between the workpiece loading / unloading area A and the second cassette 12; The work piece transporting means 14 for transporting the semiconductor wafer, which is the work piece housed in the semiconductor wafer, to the centering means 13 and transporting the semiconductor wafer cleaned by the cleaning mechanism 7 to the second cassette 12, and the centering means 13 Centered on top On the chuck table 6 positioned on the workpiece loading / unloading area A and the workpiece loading means 15 for conveying the semiconductor wafer thus transferred onto the chuck table 6 positioned on the workpiece loading / unloading area A A workpiece unloading means 16 for conveying the semiconductor wafer after grinding mounted thereon to the spinner cleaning mechanism 7 is provided. Note that a plurality of semiconductor wafers W are accommodated in the first cassette 11 in a state where the protective tape T is adhered to the surface. At this time, the semiconductor wafer W is accommodated with the back surface (surface to be ground) facing upward.

ここで、上記洗浄機構７について、図２乃至図４を参照して説明する。
図示の実施形態における洗浄機構７は、スピンナーテーブルユニット７１と、該スピンナーテーブルユニット７１を包囲して配設された洗浄水受け手段７２を具備している。スピンナーテーブルユニット７１は、スピンナーテーブル７１１と、該スピンナーテーブル７１１を回転駆動する電動モータ７１２と、該電動モータ７１２を上下方向に移動可能に支持する支持手段７１３を具備している。スピンナーテーブル７１１は多孔性材料から形成された吸着チャック７１１ａを具備しており、この吸着チャック７１１ａが図示しない吸引手段に連通されている。従って、スピンナーテーブル７１１は、吸着チャック７１１ａに被加工物であるウエーハを載置し図示しない吸引手段により負圧を作用せしめることにより吸着チャック７１１上にウエーハを保持する。電動モータ７１２は、その駆動軸７１２ａの上端に上記スピンナーテーブル７１１を連結する。上記支持手段７１３は、複数本（図示の実施形態においては３本）の支持脚７１３ａと、該支持脚７１３ａをそれぞれ連結し電動モータ７１２に取り付けられた複数本（図示の実施形態においては３本）のエアシリンダ７１３ｂとからなっている。このように構成された支持機構７１３は、エアシリンダ７１３ｂを作動することにより、電動モータ７１２およびスピンナーテーブル７１１を図３に示す上方位置である被加工物搬入・搬出位置と、図４に示す下方位置である作業位置に位置付ける。 Here, the cleaning mechanism 7 will be described with reference to FIGS.
The cleaning mechanism 7 in the illustrated embodiment includes a spinner table unit 71 and cleaning water receiving means 72 disposed so as to surround the spinner table unit 71. The spinner table unit 71 includes a spinner table 711, an electric motor 712 that rotationally drives the spinner table 711, and support means 713 that supports the electric motor 712 so as to be movable in the vertical direction. The spinner table 711 includes a suction chuck 711a formed of a porous material, and the suction chuck 711a communicates with suction means (not shown). Accordingly, the spinner table 711 holds the wafer on the suction chuck 711 by placing a wafer as a workpiece on the suction chuck 711a and applying a negative pressure by suction means (not shown). The electric motor 712 connects the spinner table 711 to the upper end of the drive shaft 712a. The support means 713 includes a plurality of (three in the illustrated embodiment) support legs 713a and a plurality of (three in the illustrated embodiment) attached to the electric motor 712 by connecting the support legs 713a. ) Air cylinder 713b. The support mechanism 713 configured as described above operates the air cylinder 713b to move the electric motor 712 and the spinner table 711 to the workpiece loading / unloading position, which is the upper position illustrated in FIG. 3, and the lower position illustrated in FIG. Position to the working position that is the position.

上記洗浄水受け手段７２は、洗浄水受け容器７２１と、該洗浄水受け容器７２１を支持する３本（図２には２本が示されている）の支持脚７２２と、上記電動モータ７１２の駆動軸７１２ａに装着されたカバー部材７２３とを具備している。洗浄水受け容器７２１は、図３および図４に示すように円筒状の外側壁７２１ａと底壁７２１ｂと内側壁７２１ｃとからなっている。底壁７２１ｂの中央部には上記電動モータ７１２の駆動軸７１２ａが挿通する穴７２１ｄが設けられおり、この穴７２１ｄの周縁から上方に突出する内側壁７２１ｃが形成されている。また、図２に示すように底壁７２１ｂには排液口７２１ｅが設けられており、この排液口７２１ｅにドレンホース７２４が接続されている。上記カバー部材７２３は、円盤状に形成されており、その外周縁から下方に突出するカバー部７２３ａを備えておる。このように構成されたカバー部材７２３は、電動モータ７１２およびスピンナーテーブル７１１が図４に示す作業位置に位置付けられると、カバー部７２３ａが上記洗浄水受け容器７２１を構成する内側壁７２１ｃの外側に隙間をもって重合するように位置付けられる。 The cleaning water receiving means 72 includes a cleaning water receiving container 721, three support legs 722 (two are shown in FIG. 2) that support the cleaning water receiving container 721, and the electric motor 712. And a cover member 723 attached to the drive shaft 712a. As shown in FIGS. 3 and 4, the washing water receiving container 721 includes a cylindrical outer wall 721a, a bottom wall 721b, and an inner wall 721c. A hole 721d through which the drive shaft 712a of the electric motor 712 is inserted is provided at the center of the bottom wall 721b, and an inner wall 721c protruding upward from the periphery of the hole 721d is formed. Further, as shown in FIG. 2, a drainage port 721e is provided in the bottom wall 721b, and a drain hose 724 is connected to the drainage port 721e. The cover member 723 is formed in a disc shape, and includes a cover portion 723a that protrudes downward from the outer peripheral edge thereof. When the electric motor 712 and the spinner table 711 are positioned at the work position shown in FIG. 4, the cover member 723 thus configured has a gap between the cover portion 723 a and the inner wall 721 c that constitutes the cleaning water receiving container 721. Is positioned to polymerize.

図示の洗浄機構７は、上記スピンナーテーブル７１１に保持された研削加工後の被加工物であるウエーハの上面（被研削面）に洗浄水を噴出する洗浄水供給手段７４を具備している。洗浄水供給手段７４は、スピンナーテーブル７１１に保持された研削加工後のウエーハの上面（被研削面）に向けて洗浄水を噴出する洗浄水ノズル７４１と、該洗浄水ノズル７４１を揺動せしめる正転・逆転可能な電動モータ７４２を備えており、該洗浄水ノズル７４１が図示しない洗浄水供給源に接続されている。洗浄水ノズル７４１は、水平に延び先端部が下方に屈曲されたノズル部７４１ａと、該ノズル部７４１ａの基端から下方に延びる支持部７４１ｂとからなっており、支持部７４１ｂが上記洗浄水受け容器７２１を構成する底壁７２１ｂに設けられた図示しない挿通穴を挿通して配設され図示しない洗浄水供給源に接続されている。なお、洗浄水ノズル７４１の支持部７４１ｂが挿通する図示しない挿通穴の周縁には、支持部７４１ｂとの間をシールするシール部材（図示せず）が装着されている。なお、図示の実施形態における洗浄水供給手段７４は、この種の洗浄水供給手段として一般に用いられているものと同様にノズル部７４１ａの噴出口から純水とエアーとからなる洗浄水を噴出するように構成されている。即ち、ノズル部７４１ａは所謂２流体ノズルで構成され０．２ＭＰａ程度の純水が供給されるとともに、０．３〜０．５ＭＰａ程度のエアーが供給され、純水がエアーの圧力で噴出せしめられる。 The illustrated cleaning mechanism 7 includes cleaning water supply means 74 that ejects cleaning water onto the upper surface (surface to be ground) of a wafer that is a workpiece after grinding held by the spinner table 711. The cleaning water supply means 74 includes a cleaning water nozzle 741 that ejects cleaning water toward the upper surface (surface to be ground) of the wafer after grinding held by the spinner table 711, and a positive that swings the cleaning water nozzle 741. An electric motor 742 capable of rotating and reversing is provided, and the cleaning water nozzle 741 is connected to a cleaning water supply source (not shown). The cleaning water nozzle 741 is composed of a nozzle portion 741a that extends horizontally and has a distal end bent downward, and a support portion 741b that extends downward from the base end of the nozzle portion 741a. The support portion 741b receives the cleaning water receiver. An insertion hole (not shown) provided in a bottom wall 721b constituting the container 721 is inserted and connected to a cleaning water supply source (not shown). A seal member (not shown) that seals between the support portion 741b and the support hole 741b is attached to the periphery of the insertion hole (not shown) through which the support portion 741b of the cleaning water nozzle 741 is inserted. Note that the cleaning water supply means 74 in the illustrated embodiment ejects cleaning water composed of pure water and air from the outlet of the nozzle portion 741a, as is commonly used as this type of cleaning water supply means. It is configured as follows. That is, the nozzle portion 741a is constituted by a so-called two-fluid nozzle and is supplied with pure water of about 0.2 MPa, and is supplied with air of about 0.3 to 0.5 MPa, and the pure water is ejected by the pressure of the air. .

図示の洗浄機構７は、スピンナーテーブル７１１に保持された被加工物であるウエーハの上面（被研削面）にオゾン水を噴出するオゾン水供給手段７５を具備している。オゾン水供給手段７５は、スピンナーテーブル７１１に保持された被加工物であるウエーハの上面（被研削面）に向けてオゾン水を噴出するオゾン水ノズル７５１と、該オゾン水ノズル７５１を揺動せしめる正転・逆転可能な電動モータ７５２を備えており、該オゾン水ノズル７５１が図示しないオゾン水供給源に接続されている。オゾン水ノズル７５１は、水平に延び先端部が下方に屈曲されたノズル部７５１ａと、該ノズル部７５１ａの基端から下方に延びる支持部７５１ｂとからなっており、支持部７５１ｂが上記洗浄水受け容器７２１を構成する底壁７２１ｂに設けられた図示しない挿通穴を挿通して配設され図示しないオゾン水供給源に接続されている。なお、オゾン水ノズル７５１の支持部７５１ｂが挿通する図示しない挿通穴の周縁には、支持部７５１ｂとの間をシールするシール部材（図示せず）が装着されている。 The illustrated cleaning mechanism 7 includes ozone water supply means 75 that ejects ozone water onto the upper surface (surface to be ground) of a wafer, which is a workpiece, held by a spinner table 711. The ozone water supply means 75 oscillates the ozone water nozzle 751, and the ozone water nozzle 751 that ejects ozone water toward the upper surface (surface to be ground) of the wafer that is the workpiece held by the spinner table 711. An electric motor 752 capable of normal / reverse rotation is provided, and the ozone water nozzle 751 is connected to an ozone water supply source (not shown). The ozone water nozzle 751 is composed of a nozzle portion 751a that extends horizontally and has a tip bent downward, and a support portion 751b that extends downward from the base end of the nozzle portion 751a. An insertion hole (not shown) provided in the bottom wall 721b constituting the container 721 is inserted and connected to an ozone water supply source (not shown). A seal member (not shown) that seals between the support portion 751b and the support hole 751b is attached to the periphery of an insertion hole (not shown) through which the support portion 751b of the ozone water nozzle 751 is inserted.

図示の洗浄機構７は、スピンナーテーブル７１１に保持された被加工物であるウエーハの上面（被研削面）にエッチング液（アンモニア水、過酸化水素水、塩酸水、硫酸水、塩素水等）を供給してエッチング処理するためのエッチング液供給手段７６を具備している。エッチング液供給手段７６は、スピンナーテーブル７１１に保持されたウエーハに向けてエッチング液を供給するエッチング液ノズル７６１と、該エッチング液ノズル７６１を揺動せしめる正転・逆転可能な電動モータ(図示せず)を備えており、該エッチング液ノズル７６１が図示しないエッチング液供給源に接続されている。エッチング液ノズル７６１は、水平に延び先端部が下方に屈曲されたノズル部７６１ａと、該ノズル部７６１ａの基端から下方に延びる支持部７６１ｂとからなっており、支持部７６１ｂが上記洗浄水受け容器７２１を構成する底壁７２１ｂに設けられた図示しない挿通穴を挿通して配設され図示しないエッチング液供給源に接続されている。なお、エッチング液ノズル７６１の支持部７６１ｂが挿通する図示しない挿通穴の周縁には、支持部７６１ｂとの間をシールするシール部材（図示せず）が装着されている。 The cleaning mechanism 7 shown in the drawing is used to apply an etching solution (ammonia water, hydrogen peroxide solution, hydrochloric acid solution, sulfuric acid solution, chlorine solution, etc.) to the upper surface (surface to be ground) of a wafer that is a work piece held on a spinner table 711. An etching solution supply means 76 for supplying and etching is provided. The etchant supply means 76 includes an etchant nozzle 761 that supplies an etchant toward the wafer held by the spinner table 711, and an electric motor (not shown) that can be rotated forward and backward to swing the etchant nozzle 761. The etchant nozzle 761 is connected to an etchant supply source (not shown). The etchant nozzle 761 includes a nozzle portion 761a that extends horizontally and has a tip bent downward, and a support portion 761b that extends downward from the base end of the nozzle portion 761a. The support portion 761b receives the cleaning water. An insertion hole (not shown) provided in the bottom wall 721b constituting the container 721 is inserted and connected to an etching solution supply source (not shown). A seal member (not shown) that seals the space between the support portion 761b and the support hole 761b is attached to the periphery of the insertion hole (not shown) through which the support portion 761b of the etching solution nozzle 761 is inserted.

図示の洗浄機構７は、スピンナーテーブル７１１に保持された洗浄後の被加工物であるウエーハの上面（被研削面）に乾燥気体（エアー、窒素、二酸化炭素等）を吹き付ける乾燥気体供給手段７７を具備している。乾燥気体供給手段７７は、スピンナーテーブル７１１に保持されたウエーハの上面（被研削面）に向けて乾燥気体を噴出する乾燥気体ノズル７７１と、該乾燥気体ノズル７７１を揺動せしめる正転・逆転可能な電動モータ(図示せず)を備えており、該乾燥気体ノズル７７１が図示しない乾燥気体供給源に接続されている。乾燥気体ノズル７７１は、水平に延び先端部が下方に屈曲されたノズル部７７１ａと、該ノズル部７７１ａの基端から下方に延びる支持部７７１ｂとからなっており、支持部７７１ｂが上記洗浄水受け容器７２１を構成する底壁７７１ｂに設けられた図示しない挿通穴を挿通して配設され図示しない乾燥気体供給源に接続されている。なお、乾燥気体ノズル７７１の支持部７７１ｂが挿通する図示しない挿通穴の周縁には、支持部７７１ｂとの間をシールするシール部材（図示せず）が装着されている。 The illustrated cleaning mechanism 7 includes dry gas supply means 77 that blows dry gas (air, nitrogen, carbon dioxide, etc.) onto the upper surface (surface to be ground) of the wafer that is the workpiece to be cleaned, held by the spinner table 711. It has. The dry gas supply means 77 is a dry gas nozzle 771 that blows dry gas toward the upper surface (surface to be ground) of the wafer held by the spinner table 711, and can be rotated forward and backward to swing the dry gas nozzle 771. An electric motor (not shown) is provided, and the dry gas nozzle 771 is connected to a dry gas supply source (not shown). The dry gas nozzle 771 includes a nozzle portion 771a that extends horizontally and has a distal end bent downward, and a support portion 771b that extends downward from the base end of the nozzle portion 771a. The support portion 771b receives the cleaning water. An insertion hole (not shown) provided in the bottom wall 771b constituting the container 721 is inserted and connected to a dry gas supply source (not shown). A seal member (not shown) that seals between the support 771b and the support hole 771b is attached to the periphery of the insertion hole (not shown) through which the support 771b of the dry gas nozzle 771 is inserted.

図２を参照して説明を続けると、図示の洗浄機構７は、スピンナーテーブル７１１に保持された被加工物であるウエーハの上面（被研削面）に払拭部材を接触されてウエーハの上面（被研削面）を払拭する払拭清掃手段７８を具備している。払拭清掃手段７８は、柔軟な払拭部材７８１と、該払拭部材７８１を回転せしめる第１の電動モータ７８２と、該第１の電動モータ７８２を水平面内で回動せしめる第２の電動モータ７８３とからなっている。柔軟な払拭部材７８１は、例えばポリビニールアルコールによって円筒状に発泡成形されている。このように形成された柔軟な払拭部材７８１は支持軸７８１aに装着されており、この支持軸７８１aが第１の電動モータ７８２の駆動軸に連結されている。なお、柔軟な払拭部材７８１の長さは、スピンナーテーブル７１１に保持された被加工物であるウエーハの半径より長い値に設定されている。第２の電動モータ７８３は正転・逆転可能に構成され上記スピンナーテーブルユニット７１の支持手段７１３に装着されており、その駆動軸７８３aが上記第１の電動モータ７８２のケースに連結されている。従って、第２の電動モータ７８３が作動すると駆動軸７８３aを中心として第１の電動モータ７８２の駆動軸に連結され柔軟な払拭部材７８１が揺動せしめられる。このように構成された払拭清掃手段７８の柔軟な払拭部材７８１は、スピンナーテーブル７１１の吸着チャック７１１ａの上面(保持面)と平行に配設されており、スピンナーテーブル７１１が図４に示す作業位置に位置付けられた状態において、スピンナーテーブル７１１に保持された被加工物であるウエーハの上面（被研削面）に接触する高さ位置になるように構成されている。 Continuing the description with reference to FIG. 2, the illustrated cleaning mechanism 7 is brought into contact with the upper surface (surface to be ground) of the wafer, which is a workpiece, held by the spinner table 711, so that the wiping member is brought into contact with the upper surface (wafer) A wiping cleaning means 78 for wiping the grinding surface is provided. The wiping / cleaning means 78 includes a flexible wiping member 781, a first electric motor 782 that rotates the wiping member 781, and a second electric motor 783 that rotates the first electric motor 782 in a horizontal plane. It has become. The flexible wiping member 781 is foamed into a cylindrical shape with, for example, polyvinyl alcohol. The flexible wiping member 781 formed in this way is attached to the support shaft 781a, and this support shaft 781a is connected to the drive shaft of the first electric motor 782. Note that the length of the flexible wiping member 781 is set to a value longer than the radius of the wafer that is the workpiece held by the spinner table 711. The second electric motor 783 is configured to be capable of normal rotation and reverse rotation and is mounted on the support means 713 of the spinner table unit 71, and the drive shaft 783 a is connected to the case of the first electric motor 782. Accordingly, when the second electric motor 783 is operated, the flexible wiping member 781 that is connected to the drive shaft of the first electric motor 782 around the drive shaft 783a is swung. The flexible wiping member 781 of the wiping / cleaning means 78 configured in this way is disposed in parallel with the upper surface (holding surface) of the suction chuck 711a of the spinner table 711, and the spinner table 711 is in the working position shown in FIG. In this state, the height is in contact with the upper surface (surface to be ground) of the wafer, which is a workpiece, held by the spinner table 711.

図示の実施形態における研削装置は以上のように構成されており、以下その作用について主に図１を参照して説明する。
第１のカセット１１に収容された研削加工前の被加工物である半導体ウエーハWはウエーハ搬出・搬入手段１５によって中心合わせ手段１３に搬送され、ここで中心合わせされる。中心合わせ手段１３で中心合わせされた半導体ウエーハWは、被加工物搬入手段１５の旋回動作によって被加工物搬入・搬出域Ａに位置付けられたチャックテーブル６の吸着保持チャック６２上に載置される。そして、図示しない吸引手段を作動して、半導体ウエーハWを吸着保持チャック６２上に吸引保持する。次に、ターンテーブル５を図示しない回転駆動機構によって矢印５ａで示す方向に１２０度回動せしめて、半導体ウエーハWを載置したチャックテーブル６を荒研削加工域Ｂに位置付ける。 The grinding apparatus in the illustrated embodiment is configured as described above, and the operation thereof will be described mainly with reference to FIG.
The semiconductor wafer W, which is a workpiece before grinding, accommodated in the first cassette 11 is conveyed to the centering means 13 by the wafer carry-in / carry-in means 15 and is centered here. The semiconductor wafer W centered by the centering means 13 is placed on the suction holding chuck 62 of the chuck table 6 positioned in the workpiece loading / unloading area A by the turning operation of the workpiece loading means 15. . Then, a suction means (not shown) is operated to suck and hold the semiconductor wafer W on the suction holding chuck 62. Next, the turntable 5 is rotated 120 degrees in the direction indicated by the arrow 5a by a rotation drive mechanism (not shown), and the chuck table 6 on which the semiconductor wafer W is placed is positioned in the rough grinding region B.

半導体ウエーハWを吸引保持したチャックテーブル６は、荒研削加工域Ｂに位置付けられると図示しない回転駆動機構によって矢印６aで示す方向に回転せしめられる。一方、荒研削ユニット３の研削ホイール３３は、矢印３２aで示す方向に回転せしめられつつ研削送り機構３６によって所定量下降する。この結果、チャックテーブル６上の半導体ウエーハWの裏面（上面）である被研削面に荒研削加工が施される。なお、この間に被加工物搬入・搬出域Ａに位置付けられた次のチャックテーブル６上には、上述したように研削加工前の半導体ウエーハWが載置される。そして、チャックテーブル６上に載置された半導体ウエーハWは、図示しない吸引手段を作動することによりチャックテーブル６上に吸引保持される。次に、ターンテーブル５を矢印５aで示す方向に１２０度回動せしめて、荒研削加工された半導体ウエーハWを保持しているチャックテーブル６を仕上げ研削加工域Ｃに位置付け、研削加工前の半導体ウエーハWを保持したチャックテーブル６を荒研削加工域Ｂに位置付ける。 When the chuck table 6 holding the semiconductor wafer W by suction is positioned in the rough grinding area B, the chuck table 6 is rotated in the direction indicated by the arrow 6a by a rotation drive mechanism (not shown). On the other hand, the grinding wheel 33 of the rough grinding unit 3 is lowered by a predetermined amount by the grinding feed mechanism 36 while being rotated in the direction indicated by the arrow 32a. As a result, rough grinding is performed on the surface to be ground which is the back surface (upper surface) of the semiconductor wafer W on the chuck table 6. During this time, the semiconductor wafer W before grinding is placed on the next chuck table 6 positioned in the work carry-in / carry-out area A as described above. The semiconductor wafer W placed on the chuck table 6 is sucked and held on the chuck table 6 by operating a suction means (not shown). Next, the turntable 5 is rotated 120 degrees in the direction indicated by the arrow 5a, the chuck table 6 holding the semiconductor wafer W subjected to rough grinding is positioned in the finish grinding area C, and the semiconductor before grinding is processed. The chuck table 6 holding the wafer W is positioned in the rough grinding area B.

このようにして、荒研削加工域Ｂに位置付けられたチャックテーブル６上に保持された荒研削加工前の半導体ウエーハWの裏面（上面）である被研削面には荒研削ユニット３によって荒研削加工が施され、仕上げ研削加工域Ｃに位置付けられたチャックテーブル６上に保持され荒研削加工された半導体ウエーハWの裏面（上面）である被研削面には仕上げ研削ユニット４によって仕上げ研削加工が施される。次に、ターンテーブル５を矢印５ａで示す方向に１２０度回動せしめて、仕上げ研削加工された半導体ウエーハWを保持したチャックテーブル６を被加工物搬入・搬出域Ａに位置付ける。なお、荒研削加工域Ｂにおいて荒研削加工された半導体ウエーハWを保持したチャックテーブル６は仕上げ研削加工域Ｃに、被加工物搬入・搬出域Ａにおいて研削加工前の半導体ウエーハWを保持したチャックテーブル６は荒研削加工域Ｂにそれぞれ移動せしめられる。 In this way, the rough grinding unit 3 performs rough grinding on the surface to be ground, which is the back surface (upper surface) of the semiconductor wafer W before rough grinding held on the chuck table 6 positioned in the rough grinding region B. The surface to be ground, which is the back surface (upper surface) of the semiconductor wafer W held on the chuck table 6 positioned in the finish grinding region C and subjected to rough grinding, is subjected to finish grinding by the finish grinding unit 4. Is done. Next, the turntable 5 is rotated 120 degrees in the direction indicated by the arrow 5a, and the chuck table 6 holding the semiconductor wafer W subjected to finish grinding is positioned in the workpiece loading / unloading area A. The chuck table 6 holding the semiconductor wafer W rough-ground in the rough grinding zone B is held in the finish grinding zone C, and the chuck holding the semiconductor wafer W before grinding in the workpiece loading / unloading zone A. The table 6 is moved to the rough grinding area B, respectively.

上述したように、荒研削加工域Ｂおよび仕上げ研削加工域Ｃを経由して被加工物搬入・搬出域Ａに戻ったチャックテーブル６は、ここで仕上げ研削加工された半導体ウエーハWの吸引保持を解除する。次に、被加工物搬出手段１６を作動して被加工物搬入・搬出域Ａに位置付けられたチャックテーブル６上において吸引保持が解除された研削加工後の半導体ウエーハWを洗浄手段７のスピンナーテーブル７１１の吸着チャック７１１ａ上に搬送する。スピンナーテーブル７１１の吸着チャック７１１ａ上に搬送され研削加工後の半導体ウエーハWは、図示しない吸引手段を作動することにより吸着チャック７１１ａ上に吸引保持される。このとき洗浄水噴出手段７４の洗浄水ノズル７４１とオゾン水噴出手段７５のオゾン水ノズル７５１とエアー噴出手段７６のエアーノズル７６１および清掃手段７７の柔軟な払拭部材７７１は、図２および図３に示すようにスピンナーテーブル７１１の上方から離隔した待機位置に位置付けられている。 As described above, the chuck table 6 that has returned to the workpiece loading / unloading area A via the rough grinding area B and the finish grinding area C holds and holds the semiconductor wafer W that has been subjected to finish grinding. To release. Next, the workpiece unloading means 16 is actuated to remove the ground semiconductor wafer W from which the suction hold has been released on the chuck table 6 positioned in the workpiece loading / unloading area A. The spinner table of the cleaning means 7 711 is conveyed onto the suction chuck 711a. The semiconductor wafer W that has been conveyed onto the suction chuck 711a of the spinner table 711 and has been ground is sucked and held on the suction chuck 711a by operating a suction means (not shown). At this time, the cleaning water nozzle 741 of the cleaning water ejection means 74, the ozone water nozzle 751 of the ozone water ejection means 75, the air nozzle 761 of the air ejection means 76, and the flexible wiping member 771 of the cleaning means 77 are shown in FIGS. As shown, it is positioned at a standby position spaced apart from above the spinner table 711.

研削加工された半導体ウエーハWが洗浄手段７のスピンナーテーブル７１１上に保持されたならば、半導体ウエーハWの上面（被研削面）を洗浄水で洗浄する水洗浄工程を実施する。即ち、スピンナーテーブル７１１を図４に示す作業位置に位置付けるとともに、洗浄水供給手段７４の電動モータ７４２を駆動して洗浄水噴出ノズル７４１のノズル部７４１ａの噴出口をスピンナーテーブル７１１上に保持された半導体ウエーハWの中心部上方に位置付ける。そして、スピンナーテーブル７１１を例えば３００ｒｐｍの回転速度で回転しつつノズル部７４１ａの噴出口から純水とエアーとからなる洗浄水を噴出する。なお、ノズル部７４１ａは上述したように所謂２流体ノズルで構成され０．２ＭＰａ程度の純水が供給されるとともに、０．３〜０．５ＭＰａ程度のエアーが供給され、純水がエアーの圧力で噴出して半導体ウエーハWの上面（被研削面）を洗浄する。このとき、電動モータ７４２が駆動して洗浄水噴出ノズル７４１のノズル部７４１ａの噴出口から噴出された洗浄水がスピンナーテーブル７１１に保持された半導体ウエーハWの中心に当たる位置から外周部に当たる位置までの所要角度範囲で揺動せしめられる。この結果、半導体ウエーハWの上面（被研削面）が洗浄される。 If the ground semiconductor wafer W is held on the spinner table 711 of the cleaning means 7, a water cleaning step of cleaning the upper surface (surface to be ground) of the semiconductor wafer W with cleaning water is performed. That is, the spinner table 711 is positioned at the work position shown in FIG. 4, and the electric motor 742 of the cleaning water supply means 74 is driven to hold the nozzle outlet 741a of the cleaning water jet nozzle 741 on the spinner table 711. Positioned above the center of the semiconductor wafer W. Then, while rotating the spinner table 711 at a rotational speed of, for example, 300 rpm, cleaning water composed of pure water and air is ejected from the ejection port of the nozzle portion 741a. The nozzle portion 741a is composed of a so-called two-fluid nozzle as described above, and is supplied with pure water of about 0.2 MPa, and is supplied with air of about 0.3 to 0.5 MPa, and the pure water is the pressure of the air. The top surface (surface to be ground) of the semiconductor wafer W is cleaned by spraying with At this time, from the position where the electric motor 742 is driven and the cleaning water ejected from the nozzle 741a of the cleaning water ejection nozzle 741 hits the center of the semiconductor wafer W held by the spinner table 711 to the position hitting the outer peripheral part. It can be swung within the required angle range. As a result, the upper surface (surface to be ground) of the semiconductor wafer W is cleaned.

上述した水洗浄工程を実施したならば、上記払拭清掃手段７８を作動して水洗浄工程が実施された半導体ウエーハWの上面（被研削面）を払拭する払拭工程を実施する。即ち、払拭清掃手段７８の第２の電動モータ７８３を作動して柔軟な払拭部材７８１を図５に示すようにスピンナーテーブル７１１上に保持された半導体ウエーハWの中心を通るように位置付ける。そして、第１の電動モータ７８２を作動して柔軟な払拭部材７８１を図５において矢印７８０で示す方向に１０００rpmの回転速度で回転するとともにスピンナーテーブル７１１を図５において矢印７１０で示す方向に例えば１００ｒｐｍの回転速度で回転せしめる。このとき、洗浄水供給手段７４を作動して洗浄水噴出ノズル７４１からスピンナーテーブル７１１上に保持された半導体ウエーハWの上面（被研削面）に洗浄水を噴射する。この結果、半導体ウエーハWの上面（被研削面）に強固に付着しているコンタミが柔軟な払拭部材７８１によって払拭される。なお、この払拭工程は上記水洗浄工程と同時に実施してもよい。 If the water washing process mentioned above is implemented, the wiping process which operates the said wiping cleaning means 78 and wipes the upper surface (surface to be ground) of the semiconductor wafer W in which the water washing process was implemented will be implemented. That is, the second electric motor 783 of the wiping and cleaning means 78 is operated to position the flexible wiping member 781 so as to pass through the center of the semiconductor wafer W held on the spinner table 711 as shown in FIG. Then, the first electric motor 782 is operated to rotate the flexible wiping member 781 in the direction indicated by an arrow 780 in FIG. 5 at a rotational speed of 1000 rpm, and the spinner table 711 is set to, for example, 100 rpm in the direction indicated by an arrow 710 in FIG. Rotate at a rotation speed of. At this time, the cleaning water supply means 74 is operated to inject cleaning water from the cleaning water ejection nozzle 741 onto the upper surface (surface to be ground) of the semiconductor wafer W held on the spinner table 711. As a result, the contamination firmly adhering to the upper surface (surface to be ground) of the semiconductor wafer W is wiped off by the flexible wiping member 781. In addition, you may implement this wiping process simultaneously with the said water washing process.

上述した払拭工程を実施したならば、半導体ウエーハWの上面（被研削面）をオゾン水で洗浄するオゾン水洗浄工程を実施する。即ち、洗浄水供給手段７４の洗浄水ノズル７４１を図２および図３に示スピンナーテーブル７１１の上方から離隔した待機位置に位置付けるとともに、払拭清掃手段７８の柔軟な払拭部材７８１を図２に示す待機位置に位置付ける。そして、オゾン水供給手段７５の図示しない電動モータを駆動してオゾン水ノズル７５１のノズル部７５１ａの噴出口をスピンナーテーブル７１１上に保持されたスピンナーテーブル７１１上に保持された半導体ウエーハWの中心部上方に位置付ける。次に、スピンナーテーブル７１１を例えば３００ｒｐｍの回転速度で回転しつつノズル部７５１ａの噴出口からオゾン水を噴出する。このとき、電動モータ７５２が駆動して洗浄水噴出ノズル７５１のノズル部７５１ａの噴出口から噴出された洗浄水がスピンナーテーブル７１１に保持された半導体ウエーハWの中心に当たる位置から外周部に当たる位置までの所要角度範囲で揺動せしめられる。この結果、半導体ウエーハWの上面（被研削面）に付着している有機物が除去される。 If the wiping process described above is performed, an ozone water cleaning process for cleaning the upper surface (surface to be ground) of the semiconductor wafer W with ozone water is performed. That is, the cleaning water nozzle 741 of the cleaning water supply means 74 is positioned at the standby position separated from the upper side of the spinner table 711 shown in FIGS. 2 and 3, and the flexible wiping member 781 of the wiping cleaning means 78 is standby shown in FIG. Position to position. Then, an electric motor (not shown) of the ozone water supply means 75 is driven, and the central portion of the semiconductor wafer W held on the spinner table 711 held on the spinner table 711 is ejected from the nozzle portion 751a of the ozone water nozzle 751. Position it above. Next, ozone water is ejected from the ejection port of the nozzle portion 751a while rotating the spinner table 711 at a rotational speed of, for example, 300 rpm. At this time, from the position where the electric motor 752 is driven and the washing water ejected from the nozzle 751a of the washing water ejection nozzle 751 hits the center of the semiconductor wafer W held by the spinner table 711 to the position where the washing water hits the outer periphery. It can be swung within the required angle range. As a result, organic substances adhering to the upper surface (surface to be ground) of the semiconductor wafer W are removed.

上述したオゾン水洗浄工程を実施したならば、スピンナーテーブル７１１上に保持された半導体ウエーハWの上面（被研削面）をエッチングするエッチング工程を実施する。即ち、即ち、オゾン水供給手段７５のオゾン水ノズル７５１を図２および図３に示スピンナーテーブル７１１の上方から離隔した待機位置に位置付けるとともに、エッチング液供給手段７６の図示しない電動モータを駆動してエッチング液ノズル７６１のノズル部７６１ａの噴出口をスピンナーテーブル７１１上に保持された半導体ウエーハWの中心部上方に位置付ける。そして、スピンナーテーブル７１１を例えば１０ｒｐｍの回転速度で回転しつつノズル部７５１ａの噴出口からエッチング液を供給する。このようにしてエッチング工程を２分程度実施することにより、半導体ウエーハWの上面である被研削面に残留する研削歪が除去されるとともに、半導体ウエーハWの上面（被研削面）に残留しているコンタミが除去される。 If the ozone water cleaning process described above is performed, an etching process for etching the upper surface (surface to be ground) of the semiconductor wafer W held on the spinner table 711 is performed. That is, the ozone water nozzle 751 of the ozone water supply means 75 is positioned at a standby position separated from the upper side of the spinner table 711 shown in FIGS. 2 and 3, and an electric motor (not shown) of the etchant supply means 76 is driven. The jet port of the nozzle portion 761 a of the etching solution nozzle 761 is positioned above the center portion of the semiconductor wafer W held on the spinner table 711. Then, while rotating the spinner table 711 at a rotation speed of, for example, 10 rpm, the etching solution is supplied from the outlet of the nozzle portion 751a. By carrying out the etching process for about 2 minutes in this way, the grinding distortion remaining on the surface to be ground, which is the upper surface of the semiconductor wafer W, is removed, and it remains on the upper surface (surface to be ground) of the semiconductor wafer W. Contamination is removed.

上述したようにエッチング工程を実施したならば、エッチング処理後のウエーハを水で洗浄する水洗浄工程を実施する。即ち、エッチング液供給手段７６のエッチング液ノズル７６１を図２および図３に示スピンナーテーブル７１１の上方から離隔した待機位置に位置付けるとともに、洗浄水供給手段７４の洗浄水噴出ノズル７４１を構成するノズル部７４１ａの噴出口をスピンナーテーブル７１１上に保持された半導体ウエーハWの中心部上方に位置付ける。そして、上述した水洗浄工程を実施する。この結果、上記エッチング工程において半導体ウエーハWに付着したエッチング液が除去される。 If the etching process is performed as described above, a water cleaning process for cleaning the wafer after the etching process with water is performed. That is, the etching solution nozzle 761 of the etching solution supply means 76 is positioned at a standby position separated from the upper side of the spinner table 711 shown in FIGS. 2 and 3, and the nozzle portion constituting the cleaning water ejection nozzle 741 of the cleaning water supply means 74 The jet outlet of 741a is positioned above the center of the semiconductor wafer W held on the spinner table 711. And the water washing | cleaning process mentioned above is implemented. As a result, the etching solution adhering to the semiconductor wafer W in the etching process is removed.

上述したエッチング工程が終了したら、乾燥工程を実行する。即ち、洗浄水供給手段７４の洗浄水噴出ノズル７４１を図２および図３に示スピンナーテーブル７１１の上方から離隔した待機位置に位置付けるとともに、乾燥気体供給手段７７の乾燥気体ノズル７７１を構成するノズル部７７１ａの噴出口をスピンナーテーブル７１１上に保持された半導体ウエーハWの中心部上方に位置付ける。そして、スピンナーテーブル７１１を例えば３０００ｒｐｍの回転速度で回転しつつノズル部７７１ａの噴出口からエアー等の乾燥気体を例えば１５秒程度噴出する。このとき、乾燥気体ノズル７７１をノズル部７７１ａの噴出口から噴出されたエアー等の乾燥気体がスピンナーテーブル７１１に保持された半導体ウエーハWの中心に当たる位置から外周部に当たる位置までの所要角度範囲で揺動せしめられる。この結果、半導体ウエーハWの上面（被研削面）がスピン乾燥される。 When the etching process described above is completed, a drying process is performed. That is, the cleaning water ejection nozzle 741 of the cleaning water supply means 74 is positioned at a standby position separated from the upper side of the spinner table 711 shown in FIGS. 2 and 3, and the nozzle portion constituting the dry gas nozzle 771 of the dry gas supply means 77 771a is positioned above the central portion of the semiconductor wafer W held on the spinner table 711. Then, while rotating the spinner table 711 at a rotational speed of, for example, 3000 rpm, a dry gas such as air is ejected from the ejection port of the nozzle portion 771a for about 15 seconds, for example. At this time, the dry gas nozzle 771 is swung within a required angle range from a position where the dry gas such as air blown from the nozzle 771a hits the center of the semiconductor wafer W held by the spinner table 711 to a position where it hits the outer periphery. It can be moved. As a result, the upper surface (surface to be ground) of the semiconductor wafer W is spin-dried.

上述した乾燥工程が終了したら、スピンナーテーブル７１１の回転を停止するとともに、そして、乾燥気体手段７７の乾燥気体ノズル７７１を図２および図３に示スピンナーテーブル７１１の上方から離隔した待機位置に位置付ける。そして、スピンナーテーブル７１１を図３に示す被加工物搬入・搬出位置に位置付けるとともに、スピンナーテーブル７１１に保持されている半導体ウエーハWの吸引保持を解除する。次に、上述したように洗浄およびスピン乾燥された半導体ウエーハWは、被加工物搬送手段１４によって第２のカセット１２に搬送され収納される。 When the drying process described above is completed, the rotation of the spinner table 711 is stopped, and the dry gas nozzle 771 of the dry gas means 77 is positioned at a standby position separated from the upper side of the spinner table 711 shown in FIGS. Then, the spinner table 711 is positioned at the workpiece loading / unloading position shown in FIG. 3, and the suction and holding of the semiconductor wafer W held on the spinner table 711 is released. Next, the semiconductor wafer W that has been cleaned and spin-dried as described above is transported and stored in the second cassette 12 by the workpiece transport means 14.

本発明に従って構成された研削装置の斜視図。1 is a perspective view of a grinding apparatus constructed according to the present invention. 図１に示す研削装置に装備される洗浄機構の一部を破断して示す斜視図。The perspective view which fractures | ruptures and shows a part of washing | cleaning mechanism with which the grinding apparatus shown in FIG. 1 is equipped. 図２に示す洗浄機構のスピンナーテーブルを被加工物搬入・搬出位置に位置付けた状態を示す説明図。Explanatory drawing which shows the state which located the spinner table of the washing | cleaning mechanism shown in FIG. 2 in the workpiece carrying in / out position. 図２に示す洗浄機構のスピンナーテーブルを作業位置に位置付けた状態を示す説明図。Explanatory drawing which shows the state which located the spinner table of the washing | cleaning mechanism shown in FIG. 2 in the working position. 図２に示す洗浄機構によって実施する払拭工程の説明図。Explanatory drawing of the wiping process implemented by the washing | cleaning mechanism shown in FIG.

Explanation of symbols

２：装置ハウジング
３：荒研削ユニット
３３：研削ホイール
４：仕上げ研削ユニット
４３：研削ホイール
５：ターンテーブル
６：チャックテーブル
７：洗浄機構
７１：スピンナーテーブルユニット
７１１：スピンナーテーブル
７２：洗浄水受け手段
７２１：洗浄水受け容器
７４：洗浄水供給手段
７４１：洗浄水ノズル
７５：オゾン水供給手段
７５１：オゾン水ノズル
７６：エッチング液供給手段
７６１：エッチング液
７７：乾燥気体供給手段
７７１：乾燥気体ノズル
７８：払拭清掃手段
７８１：柔軟な払拭部材
１１：第１のカセット
１２：第２のカセット
１３：中心合わせ手段
１４：被加工物搬送手段
１５：被加工物搬入手段
１６：被加工物搬出手段
W：半導体ウエーハ
T：保護テープ 2: Device housing 3: Rough grinding unit 33: Grinding wheel 4: Finish grinding unit 43: Grinding wheel 5: Turntable 6: Chuck table 7: Cleaning mechanism 71: Spinner table unit 711: Spinner table 72: Cleaning water receiving means 721 : Cleaning water receiving container 74: Cleaning water supply means 741: Cleaning water nozzle 75: Ozone water supply means 751: Ozone water nozzle 76: Etching water supply means 761: Etching liquid 77: Drying gas supply means 771: Drying gas nozzle 78: Wiping and cleaning means 781: Flexible wiping member 11: First cassette 12: Second cassette 13: Centering means 14: Workpiece conveying means 15: Workpiece carrying means 16: Workpiece carrying means
W: Semiconductor wafer
T: Protective tape

Claims

A grinding apparatus comprising: a chuck table for holding a workpiece; a grinding means for grinding the workpiece held on the chuck table; and a cleaning mechanism for cleaning a ground surface of the ground workpiece. In
The cleaning mechanism includes a spinner table that holds a surface to be ground of a work piece facing upward, a cleaning water supply unit that jets cleaning water to the ground surface of the work piece held by the spinner table, and the spinner A wiping / cleaning means for wiping the workpiece holding surface by bringing a flexible wiping member into contact with the workpiece grinding surface of the workpiece held on the table, and the workpiece grinding surface of the workpiece held on the spinner table Ozone water supply means for ejecting ozone water to
A grinding apparatus characterized by that.

The grinding apparatus according to claim 1, wherein the cleaning mechanism includes an etchant supply unit that supplies an etchant to a surface to be ground of a workpiece held on the spinner table.

The grinding apparatus according to claim 1, wherein the cleaning mechanism includes a dry gas supply unit that ejects a dry gas onto a surface to be ground of a workpiece held on the spinner table.