JP6305750B2 - Processing machine with static eliminator - Google Patents

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Description

本発明は、保持テーブルに保持された被加工物に帯電している静電気を除去するための静電気除去装置および静電気除去装置を装備した加工機に関する。   The present invention relates to a static eliminator for removing static electricity charged on a workpiece held on a holding table, and a processing machine equipped with the static eliminator.

半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列された分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にIC、LSI等のデバイスを形成する。このように形成された半導体ウエーハは、研削装置によって裏面が研削され所定の厚みに形成された後、切削ブレードを備えた切削装置によって分割予定ラインに沿って切断され個々のデバイスに分割される。   In the semiconductor device manufacturing process, a plurality of regions are partitioned by division lines arranged in a lattice pattern on the surface of a substantially disc-shaped semiconductor wafer, and devices such as ICs and LSIs are formed in the partitioned regions. . The semiconductor wafer thus formed is ground to have a predetermined thickness by grinding with a grinding device, and then cut along a predetermined dividing line by a cutting device provided with a cutting blade and divided into individual devices.

ウエーハを分割予定ラインに沿って切断する切削装置は、ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハを切削する切削ブレードを備えた切削手段と、該切削手段によって切削されたウエーハを洗浄する洗浄手段と、複数のウエーハを収容したカセットを載置するカセットテーブルと、該カセットテーブルに載置されたカセットからウエーハを搬出するとともに切削加工後のウエーハをカセットに収納する搬出搬入手段と、該搬出搬入手段に搬出されたウエーハを仮置きする仮置き手段と、該仮置き手段に搬送されたウエーハをチャックテーブルに搬送するとともに洗浄手段によって搬送された切削加工後のウエーハを仮置き手段に搬送する第1の搬送手段と、チャックテーブル上において切削手段によって切削されたウエーハを洗浄手段に搬送する第2の搬送手段と、を具備し、自動的にウエーハを分割予定ラインに沿って切断する。   A cutting apparatus for cutting a wafer along a line to be divided includes a chuck table for holding a wafer, a cutting means having a cutting blade for cutting the wafer held on the chuck table, and a wafer cut by the cutting means. Cleaning means for cleaning the wafer, a cassette table for placing a cassette containing a plurality of wafers, and a carry-in / out means for carrying out the wafer from the cassette placed on the cassette table and storing the wafer after cutting in the cassette And temporary placement means for temporarily placing the wafer carried to the carry-in and carry-in means, and the wafer transferred to the temporary placement means to the chuck table and the wafer after cutting carried by the cleaning means to be temporarily placed. A first conveying means for conveying to the means, and a cutting means on the chuck table. Cutting has been wafer comprising a second conveying means for conveying the cleaning means, the Te is cut automatically along the wafer dividing lines.

上述した切削装置に装備される洗浄手段で洗浄すると、ウエーハに静電気が帯電してデバイスの品質を低下させる危険があることから、洗浄手段に隣接して静電気を除去するためのイオン化エアーを生成して噴射する静電気除去装置を配設している(例えば、特許文献1参照)。   If cleaning is performed with the cleaning means provided in the above-described cutting apparatus, there is a danger that static electricity will be charged on the wafer and the quality of the device will be reduced. Therefore, ionized air is generated adjacent to the cleaning means to remove static electricity. A static eliminating device for spraying is disposed (see, for example, Patent Document 1).

特開2012−49359号公報JP 2012-49359 A

而して、イオン化エアーを生成するイオン化エアー生成手段に例えば0.2Mpaの圧力でエアーを供給すると、流量が多いイオン化エアーが噴射され除電速度は速いもののウエーハに帯電した静電気の量を減少させることができないという問題がある。
一方、イオン化エアーを生成するイオン化エアー生成手段に例えば0.1Mpaの圧力でエアーを供給すると、流量が少ないイオン化エアーが噴射されウエーハに帯電した静電気の量を減少させることができるものの除電速度が遅く生産性が悪いという問題がある。
Thus, if air is supplied to the ionized air generating means for generating ionized air, for example, at a pressure of 0.2 Mpa, the ionized air having a large flow rate is jetted and the static elimination speed is fast, but the amount of static electricity charged on the wafer is reduced. There is a problem that can not be.
On the other hand, if air is supplied to the ionized air generating means for generating ionized air, for example, at a pressure of 0.1 MPa, the ionization air with a small flow rate is injected and the amount of static electricity charged on the wafer can be reduced, but the static elimination speed is slow. There is a problem of poor productivity.

本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、除電速度が速くしかも帯電した静電気の量を減少させることができる静電気除去装置を装備した加工機を提供することである。 The present invention has been made in view of the above circumstances, the principal technical problem is to provide a static elimination speed is equipped with a fast yet charged can be Ru static electricity removing device to reduce the amount of static electricity machine It is.

上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、被加工物を保持する被加工物保持手段と、該被加工物保持手段に保持された被加工物に加工を施す加工手段と、該加工手段によって加工された被加工物を洗浄する洗浄手段と、該洗浄手段によって洗浄された被加工物を該洗浄手段から搬出する搬送手段と、を具備する加工機であって、
該洗浄手段は、被加工物を吸引保持して回転するスピンナーテーブルと、該スピンナーテーブルに保持された被加工物に洗浄水を供給する洗浄水供給手段と、該スピンナーテーブル上において洗浄された被加工物にイオン化エアーを噴射する静電気除去装置と、から構成され、
該静電気除去装置は、エアー供給源と、イオン化エアーを生成して噴射するイオン化エアー生成手段と、該エアー供給源のエアーを該イオン化エアー生成手段に供給するエアー供給手段と、を具備し、該エアー供給手段は、イオン化エアー生成手段に供給するエアーの流量を調整する流量調整手段を備え、さらに、該スピンナーテーブルから洗浄された被加工物を該搬送手段によって搬出する際には該流量調整手段を作動してイオン化エアーを第1の流量で第1の所定時間噴射し、該第1の所定時間が経過したならば該スピンナーテーブルから被加工物を離隔した状態でイオン化エアーを該第1の流量より少ない第2の流量で該第1の所定時間より長い第2の所定時間噴射するように制御する制御手段を具備している、
ことを特徴とする加工機が提供される。
In order to solve the above-mentioned main technical problem, according to the present invention, a workpiece holding means for holding a workpiece, a processing means for processing the workpiece held by the workpiece holding means, A processing machine comprising: a cleaning unit that cleans a workpiece processed by the processing unit; and a conveyance unit that carries the workpiece cleaned by the cleaning unit out of the cleaning unit,
The cleaning means includes a spinner table that rotates while sucking and holding the workpiece, cleaning water supply means for supplying cleaning water to the workpiece held on the spinner table, and a workpiece cleaned on the spinner table. Comprising a static eliminator that injects ionized air onto the workpiece,
The static eliminator comprises an air supply source, ionized air generating means for generating and ejecting ionized air, and air supply means for supplying air from the air supply source to the ionized air generating means, The air supply means includes a flow rate adjusting means for adjusting a flow rate of air supplied to the ionized air generating means , and further, when the workpiece cleaned from the spinner table is carried out by the conveying means, the flow rate adjusting means. , The ionized air is jetted at a first flow rate for a first predetermined time, and when the first predetermined time has elapsed, the ionized air is discharged in a state where the workpiece is separated from the spinner table. Control means for controlling to inject for a second predetermined time longer than the first predetermined time at a second flow rate less than the flow rate;
A processing machine characterized by the above is provided.

該流量調整手段は、該エアー供給源と該イオン化エアー生成手段とを連通する第1の配管および該第1の配管の内径より小さい内径の第2の配管と、該第1の配管に配設された第1の電磁開閉弁および該第2の配管に配設された第2の電磁開閉弁と、を具備している。   The flow rate adjusting means is disposed in the first pipe, the first pipe communicating the air supply source and the ionized air generating means, the second pipe having an inner diameter smaller than the inner diameter of the first pipe, and the first pipe. A first electromagnetic on-off valve and a second electromagnetic on-off valve disposed in the second pipe.

上記第1の流量はイオン化エアー生成手段に供給するエアーの圧力を0.2Mpaに設定した際のイオン化エアー生成手段から噴出する流量で、第2の流量は該イオン化エアー生成手段に供給するエアーの圧力を0.1Mpaに設定した際の該イオン化エアー生成手段から噴出する流量であり、
上記第1の所定時間は2〜3秒間で、第2の所定時間は10〜20秒間である。
The first flow rate is a flow rate ejected from the ionized air generating unit when the pressure of the air supplied to the ionized air generating unit is set to 0.2 MPa, and the second flow rate is a flow rate of the air supplied to the ionized air generating unit. It is a flow rate ejected from the ionized air generating means when the pressure is set to 0.1 Mpa,
The first predetermined time is 2 to 3 seconds, and the second predetermined time is 10 to 20 seconds.

本発明による加工装置は、被加工物を保持する被加工物保持手段と、被加工物保持手段に保持された被加工物に加工を施す加工手段と、加工手段によって加工された被加工物を洗浄する洗浄手段と、洗浄手段によって洗浄された被加工物を該洗浄手段から搬出する搬送手段と、を具備する加工機であって、洗浄手段は、被加工物を吸引保持して回転するスピンナーテーブルと、スピンナーテーブルに保持された被加工物に洗浄水を供給する洗浄水供給手段と、スピンナーテーブル上において洗浄された被加工物にイオン化エアーを噴射する静電気除去装置と、から構成され、静電気除去装置は、エアー供給源と、イオン化エアーを生成して噴射するイオン化エアー生成手段と、エアー供給源のエアーをイオン化エアー生成手段に供給するエアー供給手段とを具備し、エアー供給手段は、イオン化エアー生成手段に供給するエアーの流量を調整する流量調整手段を備えているので、スピンナーテーブルから洗浄後の被加工物を搬出する際には流量調整手段を作動してイオン化エアーを第1の流量で第1の所定時間噴射し、第1の所定時間が経過したならばスピンナーテーブルから被加工物を離隔した状態でイオン化エアーを第1の流量より少ない第2の流量で第1の所定時間より長い第2の所定時間噴射するので、スピンナーテーブルから洗浄後の被加工物を搬出する際は被加工物に噴射されるイオン化エアーの流量を多くして除電速度が速く被加工物をスピンナーテーブルから直ちに搬出することができるとともに、その後は被加工物に噴射されるイオン化エアーの流量を少なくして上記第1の所定時間より長い第2の所定時間に渡って被加工物に噴射するため被加工物に帯電した静電気の量を減少させることができる。 A processing apparatus according to the present invention includes a workpiece holding means for holding a workpiece, a processing means for processing the workpiece held by the workpiece holding means, and a workpiece processed by the processing means. A processing machine comprising: a cleaning unit that cleans; and a transport unit that unloads the workpiece cleaned by the cleaning unit from the cleaning unit, the cleaning unit sucking and holding the workpiece and rotating the spinner A table, cleaning water supply means for supplying cleaning water to the workpiece held on the spinner table, and a static eliminator for injecting ionized air onto the workpiece cleaned on the spinner table. removal device, an air supply source, an ionization air generation means for injecting to generate ionized air, the air supplying air of the air supply source to the ionization air generation means Supply means, and the air supply means is provided with a flow rate adjusting means for adjusting the flow rate of the air supplied to the ionized air generating means. Therefore, when the workpiece after cleaning is carried out from the spinner table, the flow rate is adjusted. The adjustment means is operated to inject ionized air at a first flow rate for a first predetermined time, and when the first predetermined time has elapsed, the ionized air is flowed at a first flow rate while the work piece is separated from the spinner table. Since the second predetermined time that is longer than the first predetermined time is jetted at a smaller second flow rate, the flow rate of ionized air that is jetted onto the workpiece is increased when the cleaned workpiece is unloaded from the spinner table. As a result, the workpiece can be immediately unloaded from the spinner table, and the flow rate of ionized air injected to the workpiece can be reduced thereafter. It is possible to reduce the amount of static electricity charged to the workpiece for injecting the said first workpiece over a longer second predetermined time than the predetermined time.

本発明に従って構成された静電気除去装置が装備された加工機としての切削加工機の斜視図。The perspective view of the cutting machine as a processing machine equipped with the static eliminating device comprised according to this invention. 図1に示す切削加工機に装備された洗浄手段の一部を破断して示す斜視図。The perspective view which fractures | ruptures and shows a part of washing | cleaning means with which the cutting machine shown in FIG. 1 was equipped. 図2に示す洗浄手段のスピンナーテーブルを被加工物搬入・搬出位置に位置付けた状態を示す説明図。Explanatory drawing which shows the state which located the spinner table of the washing | cleaning means shown in FIG. 2 in the workpiece carrying in / out position. 図2に示す洗浄手段のスピンナーテーブルを作業位置に位置付けた状態を示す説明図。Explanatory drawing which shows the state which located the spinner table of the washing | cleaning means shown in FIG. 2 in the working position. 本発明に従って構成された静電気除去装置のブロック構成図。The block block diagram of the static eliminating device comprised according to this invention. 本発明に従って構成された静電気除去装置によって実施される静電気除去工程を示す説明図。Explanatory drawing which shows the static elimination process implemented by the static elimination apparatus comprised according to this invention.

以下、本発明に従って構成された静電気除去装置および静電気除去装置を装備した加工機の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。   DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of a static eliminator configured according to the present invention and a processing machine equipped with the static eliminator will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

図1には、本発明に従って構成された静電気除去装置が装備された加工機としての切削加工機の斜視図が示されている。図1に示す切削加工機1は、略直方体状の装置ハウジング2を具備している。この装置ハウジング2内には、被加工物を保持する被加工物保持手段としてのチャックテーブル3が切削送り方向である矢印Xで示す方向(X軸方向)に移動可能に配設されている。チャックテーブル3は、吸着チャック支持台31と、該吸着チャック支持台31上に配設された吸着チャック32を具備しており、該吸着チャック32の上面である保持面上に被加工物を図示しない吸引手段を作動することによって吸引保持するようになっている。また、チャックテーブル3は、図示しない回転機構によって回転可能に構成されている。なお、チャックテーブル3には、被加工物として後述するウエーハをダイシングテープを介して支持する環状のフレームを固定するためのクランプ33が配設されている。このように構成されたチャックテーブル3は、図示しない切削送り手段によって、矢印Xで示す切削送り方向(X軸方向)に移動せしめられるようになっている。   FIG. 1 is a perspective view of a cutting machine as a processing machine equipped with a static eliminator configured according to the present invention. A cutting machine 1 shown in FIG. 1 includes a device housing 2 having a substantially rectangular parallelepiped shape. In the apparatus housing 2, a chuck table 3 as a work holding means for holding a work is disposed so as to be movable in a direction (X-axis direction) indicated by an arrow X which is a cutting feed direction. The chuck table 3 includes a suction chuck support 31 and a suction chuck 32 disposed on the suction chuck support 31. A workpiece is illustrated on a holding surface which is the upper surface of the suction chuck 32. Suction holding is performed by operating a suction means that does not. The chuck table 3 is configured to be rotatable by a rotation mechanism (not shown). The chuck table 3 is provided with a clamp 33 for fixing an annular frame that supports a wafer, which will be described later, as a work piece via a dicing tape. The chuck table 3 configured as described above can be moved in a cutting feed direction (X-axis direction) indicated by an arrow X by a cutting feed means (not shown).

図1に示す切削加工機1は、切削手段としてのスピンドルユニット4を具備している。スピンドルユニット4は、切削送り方向(X軸方向)と直交する矢印Yで示す割り出し送り方向(Y軸方向)に沿って配設されている。スピンドルユニット4は、図示しない割り出し送り手段によって割り出し送り方向(Y軸方向)に移動せしめられるとともに、図示しない切り込み送り手段によって図1において矢印Zで示す切り込み送り方向(Z軸方向)に移動せしめられるようになっている。このスピンドルユニット4は、図示しない移動基台に装着され割り出し方向(Y軸方向)および切り込み方向(Z軸方向)に移動調整されるスピンドルハウジング41と、該スピンドルハウジング41に回転自在に支持された回転スピンドル42と、該回転スピンドル42の前端部に装着された切削ブレード43とを具備している。   A cutting machine 1 shown in FIG. 1 includes a spindle unit 4 as cutting means. The spindle unit 4 is disposed along an index feed direction (Y-axis direction) indicated by an arrow Y orthogonal to the cutting feed direction (X-axis direction). The spindle unit 4 is moved in the index feed direction (Y-axis direction) by an index feed means (not shown), and is moved in the cut feed direction (Z-axis direction) indicated by an arrow Z in FIG. 1 by a not-shown cut feed means. It is like that. The spindle unit 4 is mounted on a moving base (not shown) and is adjusted to move in an indexing direction (Y-axis direction) and a cutting direction (Z-axis direction), and is rotatably supported by the spindle housing 41. A rotary spindle 42 and a cutting blade 43 attached to the front end of the rotary spindle 42 are provided.

図示の切削加工機1は、上記チャックテーブル3上に保持された被加工物の表面を撮像し、上記切削ブレード43によって切削すべき領域を検出するための撮像手段5を具備している。この撮像手段5は、顕微鏡やCCDカメラ等の光学手段からなっている。また、切削加工機1は、撮像手段5によって撮像された画像を表示する表示手段6を具備している。   The illustrated cutting machine 1 includes imaging means 5 for imaging the surface of the workpiece held on the chuck table 3 and detecting an area to be cut by the cutting blade 43. The imaging means 5 is composed of optical means such as a microscope and a CCD camera. In addition, the cutting machine 1 includes a display unit 6 that displays an image captured by the imaging unit 5.

図示の切削加工機1は、上記切削ブレード43によって切削加工されたウエーハを洗浄する洗浄手段7を具備している。この洗浄手段7について、図2乃至図4を参照して説明する。
図示の実施形態における洗浄手段7は、スピンナーテーブル機構71と、該スピンナーテーブル機構71を包囲して配設された洗浄水受け手段72を具備している。スピンナーテーブル機構71は、スピンナーテーブル711と、該スピンナーテーブル711を回転駆動する回転駆動手段としての電動モータ712と、該電動モータ712を上下方向に移動可能に支持する支持機構713を具備している。スピンナーテーブル711は多孔性材料から形成された上面が被加工物を保持する保持面となる吸着チャック711aを具備しており、この吸着チャック711aが図示しない吸引手段に連通されている。従って、スピンナーテーブル711は、吸着チャック711aに被加工物であるウエーハを載置し図示しない吸引手段により負圧を作用せしめることにより吸着チャック711上にウエーハを保持する。上記電動モータ712は、その駆動軸712aの上端に上記スピンナーテーブル711を連結する。上記支持機構713は、複数本(図示の実施形態においては3本)の支持脚713aと、該支持脚713aをそれぞれ連結し電動モータ712に取り付けられた複数本(図示の実施形態においては3本)のエアシリンダ713bとからなっている。このように構成された支持機構713は、エアシリンダ713bを作動することにより、電動モータ712およびスピンナーテーブル711を図3に示す上方位置である被加工物搬入・搬出位置と、図4に示す下方位置である作業位置に位置付ける。
The illustrated cutting machine 1 includes a cleaning unit 7 that cleans the wafer cut by the cutting blade 43. The cleaning means 7 will be described with reference to FIGS.
The cleaning means 7 in the illustrated embodiment includes a spinner table mechanism 71 and a cleaning water receiving means 72 disposed so as to surround the spinner table mechanism 71. The spinner table mechanism 71 includes a spinner table 711, an electric motor 712 as a rotational drive unit that rotationally drives the spinner table 711, and a support mechanism 713 that supports the electric motor 712 so as to be movable in the vertical direction. . The spinner table 711 includes a suction chuck 711a whose upper surface formed of a porous material serves as a holding surface for holding a workpiece, and the suction chuck 711a communicates with suction means (not shown). Accordingly, the spinner table 711 holds the wafer on the suction chuck 711 by placing a wafer as a workpiece on the suction chuck 711a and applying a negative pressure by suction means (not shown). The electric motor 712 connects the spinner table 711 to the upper end of the drive shaft 712a. The support mechanism 713 includes a plurality of support legs 713a (three in the illustrated embodiment) and a plurality of support legs 713a that are connected to the electric motor 712 by connecting the support legs 713a (three in the illustrated embodiment). ) Air cylinder 713b. The support mechanism 713 configured as described above operates the air cylinder 713b to move the electric motor 712 and the spinner table 711 to the workpiece loading / unloading position, which is the upper position illustrated in FIG. 3, and the lower position illustrated in FIG. Position to the working position that is the position.

上記洗浄水受け手段72は、洗浄水受け容器721と、該洗浄水受け容器721を支持する3本(図2には2本が示されている)の支持脚722と、上記電動モータ712の駆動軸712aに装着されたカバー部材723とを具備している。洗浄水受け容器721は、図3および図4に示すように円筒状の外側壁721aと底壁721bと内側壁721cとからなっている。底壁721bの中央部には上記電動モータ712の駆動軸712aが挿通する穴721dが設けられおり、この穴721dの周縁から上方に突出する内側壁721cが形成されている。また、図2に示すように底壁721bには排液口721eが設けられており、この排液口721eにドレンホース724が接続されている。上記カバー部材723は、円盤状に形成されており、その外周縁から下方に突出するカバー部723aを備えておる。このように構成されたカバー部材723は、電動モータ712およびスピンナーテーブル711が図4に示す作業位置に位置付けられると、カバー部723aが上記洗浄水受け容器721を構成する内側壁721cの外側に隙間をもって重合するように位置付けられる。   The cleaning water receiving means 72 includes a cleaning water receiving container 721, three support legs 722 (two are shown in FIG. 2) that support the cleaning water receiving container 721, and the electric motor 712. And a cover member 723 attached to the drive shaft 712a. As shown in FIGS. 3 and 4, the washing water receiving container 721 includes a cylindrical outer wall 721a, a bottom wall 721b, and an inner wall 721c. A hole 721d through which the drive shaft 712a of the electric motor 712 is inserted is provided at the center of the bottom wall 721b, and an inner wall 721c protruding upward from the periphery of the hole 721d is formed. Further, as shown in FIG. 2, a drainage port 721e is provided in the bottom wall 721b, and a drain hose 724 is connected to the drainage port 721e. The cover member 723 is formed in a disc shape, and includes a cover portion 723a that protrudes downward from the outer peripheral edge thereof. When the electric motor 712 and the spinner table 711 are positioned at the work position shown in FIG. 4, the cover member 723 thus configured has a gap between the cover portion 723 a and the inner wall 721 c that constitutes the cleaning water receiving container 721. Is positioned to polymerize.

図示の実施形態における洗浄手段7は、上記スピンナーテーブル711に保持された加工後の被加工物である半導体ウエーハ10に洗浄水を供給するための洗浄水供給手段74を具備している。洗浄水供給手段74は、スピンナーテーブル711に保持されたウエーハに向けて洗浄水を供給する洗浄水噴射ノズル741と、該洗浄水噴射ノズル741を揺動せしめる正転・逆転可能な電動モータ742を備えている。洗浄水噴射ノズル741は、水平に延び先端部が下方に屈曲されたノズル部741aと、該ノズル部741aの基端から下方に延びる支持部741bとからなっており、支持部741bが上記洗浄水受け容器721を構成する底壁721bに設けられた図示しない挿通穴を挿通して配設されている。洗浄水噴射ノズル741のノズル部741aは、洗浄水通路とエアー通路を備えており、洗浄水通路が洗浄水供給源に接続されており、エアー通路がエアー供給源に接続されている。このように構成された洗浄水噴射ノズル741の支持部741bが挿通する図示しない挿通穴の周縁には、支持部741bとの間をシールするシール部材(図示せず)が装着されている。   The cleaning means 7 in the illustrated embodiment includes a cleaning water supply means 74 for supplying cleaning water to the semiconductor wafer 10 that is a processed workpiece held on the spinner table 711. The cleaning water supply means 74 includes a cleaning water injection nozzle 741 that supplies cleaning water toward the wafer held on the spinner table 711, and an electric motor 742 that can rotate forward and reverse to swing the cleaning water injection nozzle 741. I have. The cleaning water jet nozzle 741 is composed of a nozzle portion 741a that extends horizontally and has a tip bent downward, and a support portion 741b that extends downward from the base end of the nozzle portion 741a. The support portion 741b is the cleaning water. An insertion hole (not shown) provided in the bottom wall 721b constituting the receiving container 721 is inserted therethrough. The nozzle portion 741a of the cleaning water jet nozzle 741 includes a cleaning water passage and an air passage, the cleaning water passage is connected to the cleaning water supply source, and the air passage is connected to the air supply source. A sealing member (not shown) that seals between the support portion 741b and the support hole 741b is mounted on the periphery of the insertion hole (not shown) through which the support portion 741b of the cleaning water jet nozzle 741 configured as described above is inserted.

また、図示の実施形態における洗浄手段7は、上記スピンナーテーブル711に保持された加工後の被加工物である半導体ウエーハ10にエアーを供給するためのエアー噴射手段75を具備している。エアー噴射手段75は、スピンナーテーブル711に保持された洗浄後のウエーハに向けてエアーを噴出するエアーノズル751と、該エアーノズル751を揺動せしめる正転・逆転可能な電動モータ752を備えており、該エアーノズル751が図示しないエアー供給源に接続されている。エアーノズル751は、水平に延び先端部が下方に屈曲されたノズル部751aと、該ノズル部751aの基端から下方に延びる支持部751bとからなっており、支持部751bが上記洗浄水受け容器721を構成する底壁721bに設けられた図示しない挿通穴を挿通して配設されている。なお、エアーノズル751の支持部751bが挿通する図示しない挿通穴の周縁には、支持部751bとの間をシールするシール部材(図示せず)が装着されている。   Further, the cleaning means 7 in the illustrated embodiment includes an air injection means 75 for supplying air to the semiconductor wafer 10 which is a processed object held by the spinner table 711. The air ejecting means 75 includes an air nozzle 751 that ejects air toward the cleaned wafer held by the spinner table 711, and an electric motor 752 that can rotate forward and reverse to swing the air nozzle 751. The air nozzle 751 is connected to an air supply source (not shown). The air nozzle 751 includes a nozzle portion 751a that extends horizontally and has a distal end bent downward, and a support portion 751b that extends downward from the base end of the nozzle portion 751a. The support portion 751b is the above-described washing water receiving container. It is disposed through an insertion hole (not shown) provided in the bottom wall 721 b constituting the 721. A seal member (not shown) that seals between the support portion 751b and the support hole 751b is attached to the periphery of an insertion hole (not shown) through which the support portion 751b of the air nozzle 751 is inserted.

図1および図2を参照して説明を続けると、切削加工機1は上記洗浄手段7を構成するスピンナーテーブル711に保持された洗浄後の被加工物である半導体ウエーハ10に向けてイオン化エアーを噴射する静電気除去装置8を具備している。この静電気除去装置8は、洗浄手段7に隣接して配設されイオン化エアーを生成して噴射するイオン化エアー生成手段81を備えている。このイオン化エアー生成手段81には、図5に示すようにエアー供給源82のエアーがエアー供給手段83を介して供給される。イオン化エアーを生成するイオン化エアー生成手段81は、例えば株式会社キーエンスが製造販売する商品名:イオナイザー(登録商標)を用いることができる。イオン化エアー生成手段81は、イオン化されたエアーを複数の噴射孔811から噴射する。エアー供給源82は、工場に設置され種々の装置に供給されるエアーの共通のエアー供給源であり、0.3Mpa程度の圧力を有している。エアー供給手段83は、上記イオン化エアー生成手段81に接続されたエアー導入配管831と、上記エアー供給源82に接続されたエアー供給配管832と、該エアー供給配管832からエアー導入配管831を介してイオン化エアー生成手段81に供給するエアーの流量を調整する流量調整手段84とを具備している。流量調整手段84は、該エアー供給配管832とエアー導入配管831とを接続する第1の配管841および第2の配管842と、該第1の配管841および第2の配管842にそれぞれ配設された第1の電磁開閉弁843および第2の電磁開閉弁844と、該第1の電磁開閉弁843および第2の電磁開閉弁844の開閉を制御する制御手段845とからなっている。このように構成された流量調整手段84の第1の配管841および第2の配管842は、図示の実施形態においては内径が第1の配管841より第2の配管842が小さく設定されている。そして、第2の電磁開閉弁844を閉路し第1の電磁開閉弁843を開路することにより、エアー供給配管832から供給されるエアーは、第1の配管841を通してイオン化エアー生成手段81に供給され、該イオン化エアー生成手段81によってイオン化されたエアーが第1の流量で複数の噴射孔811から噴出される。また、第1の電磁開閉弁843を閉路し第2の電磁開閉弁844を開路することによりエアー供給配管832から供給されるエアーは、第2の配管842を通してイオン化エアー生成手段81に供給され、該イオン化エアー生成手段81によってイオン化されたエアーが第2の流量で複数の噴射孔811から噴出される。なお、上記第1の流量はイオン化エアー生成手段81に供給するエアーの圧力を0.2Mpaに設定した際の複数の噴射孔811から噴出する流量であり、上記第2の流量はイオン化エアー生成手段81に供給するエアーの圧力を0.1Mpaに設定した際の複数の噴射孔811から噴出する流量である。   1 and 2, the cutting machine 1 supplies ionized air toward the semiconductor wafer 10 that is the workpiece after cleaning held by the spinner table 711 that constitutes the cleaning means 7. A static eliminating device 8 for spraying is provided. The static eliminator 8 includes ionized air generating means 81 that is disposed adjacent to the cleaning means 7 and generates and jets ionized air. The ionized air generating means 81 is supplied with air from an air supply source 82 via an air supply means 83 as shown in FIG. As the ionized air generating means 81 that generates ionized air, for example, trade name: Ionizer (registered trademark) manufactured and sold by Keyence Corporation can be used. The ionized air generating means 81 injects ionized air from the plurality of injection holes 811. The air supply source 82 is a common air supply source of air that is installed in a factory and supplied to various devices, and has a pressure of about 0.3 Mpa. The air supply means 83 includes an air introduction pipe 831 connected to the ionized air generation means 81, an air supply pipe 832 connected to the air supply source 82, and the air supply pipe 832 through the air introduction pipe 831. And a flow rate adjusting means 84 for adjusting the flow rate of the air supplied to the ionized air generating means 81. The flow rate adjusting means 84 is disposed in the first pipe 841 and the second pipe 842 that connect the air supply pipe 832 and the air introduction pipe 831, and the first pipe 841 and the second pipe 842, respectively. The first electromagnetic on-off valve 843 and the second electromagnetic on-off valve 844, and the control means 845 for controlling the opening and closing of the first electromagnetic on-off valve 843 and the second electromagnetic on-off valve 844. In the illustrated embodiment, the first pipe 841 and the second pipe 842 of the flow rate adjusting unit 84 configured as described above have an inner diameter set smaller than that of the first pipe 841. Then, by closing the second electromagnetic on-off valve 844 and opening the first electromagnetic on-off valve 843, the air supplied from the air supply pipe 832 is supplied to the ionized air generating means 81 through the first pipe 841. The air ionized by the ionized air generating means 81 is ejected from the plurality of ejection holes 811 at the first flow rate. The air supplied from the air supply pipe 832 by closing the first electromagnetic on-off valve 843 and opening the second electromagnetic on-off valve 844 is supplied to the ionized air generating means 81 through the second pipe 842. Air ionized by the ionized air generating means 81 is ejected from the plurality of injection holes 811 at the second flow rate. The first flow rate is a flow rate ejected from the plurality of injection holes 811 when the pressure of the air supplied to the ionized air generation unit 81 is set to 0.2 Mpa, and the second flow rate is the ionized air generation unit. This is the flow rate ejected from the plurality of ejection holes 811 when the pressure of the air supplied to 81 is set to 0.1 MPa.

図1に戻って説明を続けると、図示の切削加工機1は、被加工物であるウエーハとしての半導体ウエーハ10を収容するカセットが載置されるカセット載置部11aを備えている。カセット載置部11aには図示しない昇降手段によって上下に移動可能にカセットテーブル111が配設されており、このカセットテーブル111上にカセット11が載置される。半導体ウエーハ10は、環状のフレームFに装着されたダイシングテープTに貼着されており、ダイシングテープTを介して環状のフレームFに支持された状態で上記カセット11に収容される。なお、半導体ウエーハ10は、表面に格子状に配列された複数のストリート101によって複数の領域が区画され、この区画された領域にIC、LSI等のデバイス102が形成されている。このように構成された半導体ウエーハ10は、図1に示すように環状のフレームFに装着されたダイシングテープTに表面即ちストリート101およびデバイス102が形成されている面を上側にして裏面が貼着される。   Referring back to FIG. 1, the description will continue. The illustrated cutting machine 1 includes a cassette mounting portion 11a on which a cassette that houses a semiconductor wafer 10 as a wafer to be processed is mounted. A cassette table 111 is disposed on the cassette mounting portion 11 a so as to be movable up and down by lifting means (not shown). The cassette 11 is mounted on the cassette table 111. The semiconductor wafer 10 is affixed to a dicing tape T mounted on an annular frame F, and is accommodated in the cassette 11 while being supported by the annular frame F via the dicing tape T. The semiconductor wafer 10 is divided into a plurality of areas by a plurality of streets 101 arranged in a lattice pattern on the surface, and devices 102 such as ICs and LSIs are formed in the divided areas. As shown in FIG. 1, the semiconductor wafer 10 thus configured is attached to the dicing tape T mounted on the annular frame F with the front surface, that is, the surface on which the street 101 and the device 102 are formed facing upward. Is done.

図示の切削加工機1は、上記カセット11に収納された加工前の半導体ウエーハ10を仮置き部12aに配設された仮置き手段12に搬出するとともに加工後の半導体ウエーハ10をカセット11に搬入する被加工物搬出・搬入手段13と、仮置き手段12に搬出された加工前の半導体ウエーハ10を上記チャックテーブル3上に搬送する第1の被加工物搬送手段14と、チャックテーブル3上で切削加工された半導体ウエーハ10を洗浄手段7に搬送する第2の被加工物搬送手段15を具備している。   The illustrated cutting machine 1 carries out the unprocessed semiconductor wafer 10 housed in the cassette 11 to the temporary placement means 12 disposed in the temporary placement section 12 a and also loads the processed semiconductor wafer 10 into the cassette 11. On the chuck table 3, the workpiece unloading / loading means 13 to be processed, the first workpiece transporting means 14 for transporting the unprocessed semiconductor wafer 10 unloaded to the temporary placement means 12 onto the chuck table 3, and A second workpiece conveying means 15 for conveying the cut semiconductor wafer 10 to the cleaning means 7 is provided.

上述した静電気除去装置8を装備した切削加工機1は以上のように構成されており、以下その作動について説明する。
図1に示すように環状のフレームFにダイシングテープTを介して支持された加工前の半導体ウエーハ10(以下、単に半導体ウエーハ10という)は、加工面である表面を上側にしてカセット11の所定位置に収容されている。カセット11の所定位置に収容された加工前の半導体ウエーハ10は、図示しない昇降手段によってカセットテーブル111が上下動することにより搬出位置に位置付けられる。次に、被加工物搬出・搬入手段13が進退作動して搬出位置に位置付けられた半導体ウエーハ10を仮置き部12aに配設された仮置き手段12に搬出する。仮置き手段12に搬出された半導体ウエーハ10は、仮置き手段12によって所定の位置に位置合せされる。次に、仮置き手段12によって位置合わせされた加工前の半導体ウエーハ10は、第1の被加工物搬送手段14の旋回動作によってチャックテーブル3の吸着チャック32上に搬送される。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、該吸着チャック32にダイシングテープT側が吸引保持される。また、環状のフレームFはクランプ33によって固定される。このようにして半導体ウエーハ10を吸引保持したチャックテーブル3は、図示しない移動手段によって撮像手段5の直下に位置付けられる。
The cutting machine 1 equipped with the static eliminator 8 described above is configured as described above, and the operation thereof will be described below.
As shown in FIG. 1, an unprocessed semiconductor wafer 10 (hereinafter simply referred to as “semiconductor wafer 10”) supported on an annular frame F via a dicing tape T has a predetermined surface of the cassette 11 with the surface being the processing surface facing upward. Housed in position. The unprocessed semiconductor wafer 10 accommodated in a predetermined position of the cassette 11 is positioned at the unloading position when the cassette table 111 is moved up and down by lifting means (not shown). Next, the workpiece carry-out / carry-in means 13 moves forward and backward to carry the semiconductor wafer 10 positioned at the carry-out position to the temporary placement means 12 disposed in the temporary placement section 12a. The semiconductor wafer 10 carried out to the temporary placement means 12 is aligned at a predetermined position by the temporary placement means 12. Next, the unprocessed semiconductor wafer 10 aligned by the temporary placing means 12 is transferred onto the suction chuck 32 of the chuck table 3 by the turning operation of the first workpiece transfer means 14. Then, by operating a suction means (not shown), the dicing tape T side is sucked and held by the suction chuck 32. The annular frame F is fixed by a clamp 33. The chuck table 3 that sucks and holds the semiconductor wafer 10 in this way is positioned immediately below the imaging means 5 by a moving means (not shown).

チャックテーブル3が撮像手段5の直下に位置付けられると、撮像手段5によって半導体ウエーハ10に形成されている分割予定ラインが検出され、スピンドルユニット4を割り出し方向である矢印Y方向に移動調節して分割予定ラインと切削ブレード43との精密位置合わせ作業が行われる(アライメント工程)。   When the chuck table 3 is positioned immediately below the image pickup means 5, the division planned line formed on the semiconductor wafer 10 is detected by the image pickup means 5, and the spindle unit 4 is moved and adjusted in the arrow Y direction which is the indexing direction for division. A precise alignment operation between the planned line and the cutting blade 43 is performed (alignment process).

上述したようにアライメント工程が実施されたならば、チャックテーブル3を切削ブレード43の下方である切削加工領域に移動し、切削ブレード43を所定方向に回転せしめるとともに、所定量切り込み送りする。そして、半導体ウエーハ10を吸引保持したチャックテーブル3を矢印Xで示す切削送り方向に所定の切削送り速度で移動する。この結果、チャックテーブル3上に保持された半導体ウエーハ10は、切削ブレード43により所定の分割予定ラインに沿って切断される(切削工程)。   When the alignment step is performed as described above, the chuck table 3 is moved to a cutting region below the cutting blade 43, and the cutting blade 43 is rotated in a predetermined direction and is fed by a predetermined amount. Then, the chuck table 3 holding the semiconductor wafer 10 by suction is moved in the cutting feed direction indicated by the arrow X at a predetermined cutting feed speed. As a result, the semiconductor wafer 10 held on the chuck table 3 is cut along a predetermined division line by the cutting blade 43 (cutting process).

上述した切削工程を半導体ウエーハ10の全ての分割予定ラインに沿って実施したならば、半導体ウエーハ10を保持しているチャックテーブル3は、最初に半導体ウエーハ10を吸引保持した位置に戻され、ここで半導体ウエーハ10の吸引保持を解除する。そして、半導体ウエーハ10は、第2の被加工物搬送手段15によって図3に示すように被加工物搬入・搬出位置に位置付けられている洗浄手段7を構成するスピンナーテーブル711の吸着チャック711a上に搬送され、該吸着チャック711aに吸引保持される。このとき、上記洗浄水供給手段74の洗浄水噴射ノズル741および上記エアー噴射手段75のエアーノズル751は、図3に示すようにスピンナーテーブル711の上方から離隔した待機位置に位置付けられている。   If the above-described cutting process is performed along all the division lines of the semiconductor wafer 10, the chuck table 3 holding the semiconductor wafer 10 is first returned to the position where the semiconductor wafer 10 is sucked and held. The suction holding of the semiconductor wafer 10 is released. Then, the semiconductor wafer 10 is placed on the suction chuck 711a of the spinner table 711 that constitutes the cleaning means 7 positioned at the workpiece loading / unloading position as shown in FIG. It is conveyed and sucked and held by the suction chuck 711a. At this time, the cleaning water injection nozzle 741 of the cleaning water supply means 74 and the air nozzle 751 of the air injection means 75 are positioned at standby positions spaced apart from above the spinner table 711 as shown in FIG.

加工後の半導体ウエーハ10が洗浄手段7のスピンナーテーブル711上に保持されたならば、洗浄工程を実行する。即ち、図4に示すようにスピンナーテーブル711を作業位置に位置付けるとともに、洗浄水供給手段74の電動モータ742を駆動して洗浄水噴射ノズル741のノズル部741aの噴出口をスピンナーテーブル711上に保持された半導体ウエーハ10の中心部上方に位置付ける。そして、スピンナーテーブル711を例えば800rpmの回転速度で回転しつつノズル部741aの噴出口から純水とエアーとからなる洗浄水を噴出する。なお、ノズル部741aは所謂2流体ノズルで構成され0.2MPa程度の純水が供給されるとともに、0.3〜0.5MPa程度のエアーが供給され、純水がエアーの圧力で噴出して半導体ウエーハ10の加工面である表面を洗浄する。このとき、電動モータ742が駆動して洗浄水噴射ノズル741のノズル部741aの噴出口から噴出された洗浄水がスピンナーテーブル711に保持された半導体ウエーハ10の中心に当たる位置から外周部に当たる位置までの所要角度範囲で揺動せしめられる。この結果、半導体ウエーハ10の表面に付着したコンタミを容易に洗い流すことができる。   If the processed semiconductor wafer 10 is held on the spinner table 711 of the cleaning means 7, a cleaning process is executed. That is, as shown in FIG. 4, the spinner table 711 is positioned at the work position, and the electric motor 742 of the cleaning water supply means 74 is driven to hold the nozzle outlet 741a of the cleaning water injection nozzle 741 on the spinner table 711. The semiconductor wafer 10 is positioned above the center portion. Then, while rotating the spinner table 711 at a rotational speed of, for example, 800 rpm, cleaning water composed of pure water and air is ejected from the ejection port of the nozzle portion 741a. The nozzle portion 741a is configured by a so-called two-fluid nozzle and is supplied with pure water of about 0.2 MPa, and is supplied with air of about 0.3 to 0.5 MPa, and the pure water is ejected by the air pressure. The surface that is the processed surface of the semiconductor wafer 10 is cleaned. At this time, from the position where the electric motor 742 is driven and the cleaning water ejected from the nozzle 741a of the cleaning water spray nozzle 741 hits the center of the semiconductor wafer 10 held by the spinner table 711 to the position hitting the outer periphery. It can be swung within the required angle range. As a result, the contamination adhering to the surface of the semiconductor wafer 10 can be easily washed away.

上述した洗浄工程が終了したら、乾燥工程を実行する。即ち、洗浄水噴射ノズル741を待機位置に位置付けるとともに、エアー噴射手段75のエアーノズル751のノズル部751aの噴出口をスピンナーテーブル711上に保持された半導体ウエーハ10の中心部上方に位置付ける。そして、スピンナーテーブル711を例えば2000rpmの回転速度で回転しつつノズル部751aの噴出口から0.5MPaのエアーを15秒程度噴出する。このとき、電動モータ752が駆動してエアーノズル751を構成するノズル部751aの噴出口から噴射されたエアーがスピンナーテーブル711に保持された半導体ウエーハ10の中心に当たる位置から外周部に当たる位置までの所要角度範囲で揺動せしめられる。この結果、半導体ウエーハ10の表面が乾燥される。   When the above-described cleaning process is completed, a drying process is performed. That is, the cleaning water injection nozzle 741 is positioned at the standby position, and the outlet of the nozzle portion 751a of the air nozzle 751 of the air injection means 75 is positioned above the central portion of the semiconductor wafer 10 held on the spinner table 711. Then, while rotating the spinner table 711 at a rotational speed of, for example, 2000 rpm, 0.5 MPa of air is ejected from the ejection port of the nozzle portion 751a for about 15 seconds. At this time, required from the position where the electric motor 752 is driven and the air jetted from the nozzle 751a constituting the air nozzle 751 hits the center of the semiconductor wafer 10 held by the spinner table 711 to the position hitting the outer periphery. It can be swung in an angular range. As a result, the surface of the semiconductor wafer 10 is dried.

上述した洗浄工程および乾燥工程においては、スピンナーテーブル711を高速回転することにより被加工物である半導体ウエーハ10は洗浄および乾燥される。そのため、半導体ウエーハ10を保持するスピンナーテーブル711の表面とスピンナーテーブル711に接触する半導体ウエーハ10との間に摩擦が生じて静電気が発生し、この静電気が半導体ウエーハ10に帯電する。半導体ウエーハ10に静電気が帯電すると、デバイス102の品質を低下させる危険があるため、半導体ウエーハ10に帯電した静電気を除去する必要がある。以下、半導体ウエーハ10に帯電した静電気を除去する静電気除去工程について説明する。   In the above-described cleaning process and drying process, the semiconductor wafer 10 as a workpiece is cleaned and dried by rotating the spinner table 711 at a high speed. For this reason, friction is generated between the surface of the spinner table 711 holding the semiconductor wafer 10 and the semiconductor wafer 10 in contact with the spinner table 711, and static electricity is generated, and the static electricity is charged to the semiconductor wafer 10. If the semiconductor wafer 10 is charged with static electricity, there is a risk of degrading the quality of the device 102. Therefore, it is necessary to remove the static electricity charged on the semiconductor wafer 10. Hereinafter, a static electricity removing process for removing static electricity charged in the semiconductor wafer 10 will be described.

上述した乾燥工程を実施したならば、スピンナーテーブル711の回転を停止するとともに、エアー噴射手段75のエアーノズル751を待機位置に位置付ける。そして、スピンナーテーブル711を図3に示す被加工物搬入・搬出位置に位置付けるとともに、スピンナーテーブル711に保持されている半導体ウエーハ10の吸引保持を解除する。次に、静電気除去装置8を作動してイオン化されたエアー、即ちイオン化エアーをスピンナーテーブル711上の半導体ウエーハ10に噴射することにより半導体ウエーハ10に帯電した静電気を除去する静電気除去工程を実施する。この静電気除去工程は、先ず図6の(a)で示すように第1の被加工物搬送手段14によって半導体ウエーハ10をダイシングテープTを介して支持している環状のフレームFを保持し、制御手段845が静電気除去装置8の流量調整手段84を構成する第2の電磁開閉弁844を閉路して第1の電磁開閉弁843を開路する。この結果、エアー供給源82のエアーがエアー供給配管832および第1の配管841を通して0.2Mpaの圧力でイオン化エアー生成手段81に供給される。このようにしてイオン化エアー生成手段81に供給された圧力が0.2Mpaのエアーは、イオン化されて複数の噴射孔811から第1の流量でスピンナーテーブル711上の半導体ウエーハ10に噴射する(第1の静電気除去工程)。この第1の静電気除去工程は、第1の所定時間(2〜3秒間)実施する。第1の静電気除去工程においては、イオン化エアー生成手段81に供給されるエアーの圧力が比較的高い0.2Mpaであるため、複数の噴射孔811からスピンナーテーブル711上の半導体ウエーハ10に噴射されるエアーの流量(第1の流量)は多いので、除電速度が速く2〜3秒間の短時間で半導体ウエーハ10の搬出が可能な状態となる。   When the drying process described above is performed, the rotation of the spinner table 711 is stopped and the air nozzle 751 of the air ejecting means 75 is positioned at the standby position. Then, the spinner table 711 is positioned at the workpiece loading / unloading position shown in FIG. 3, and the suction holding of the semiconductor wafer 10 held on the spinner table 711 is released. Next, a static electricity removing process is performed to remove static electricity charged on the semiconductor wafer 10 by operating the static electricity removing device 8 and spraying ionized air, that is, ionized air, onto the semiconductor wafer 10 on the spinner table 711. In this static electricity removing step, first, as shown in FIG. 6A, the first workpiece transfer means 14 holds the annular frame F that supports the semiconductor wafer 10 via the dicing tape T, and is controlled. The means 845 closes the second electromagnetic on-off valve 844 that constitutes the flow rate adjusting means 84 of the static eliminator 8, and opens the first electromagnetic on-off valve 843. As a result, the air from the air supply source 82 is supplied to the ionized air generation means 81 through the air supply pipe 832 and the first pipe 841 at a pressure of 0.2 Mpa. The air having a pressure of 0.2 Mpa supplied to the ionized air generating means 81 in this way is ionized and injected from the plurality of injection holes 811 onto the semiconductor wafer 10 on the spinner table 711 at a first flow rate (first Static electricity removal process). This first static electricity removing step is performed for a first predetermined time (2 to 3 seconds). In the first static electricity removing step, since the pressure of the air supplied to the ionized air generating means 81 is relatively high 0.2 Mpa, the air is injected from the plurality of injection holes 811 onto the semiconductor wafer 10 on the spinner table 711. Since the air flow rate (first flow rate) is large, the static elimination speed is high, and the semiconductor wafer 10 can be carried out in a short time of 2 to 3 seconds.

次に、第1の被加工物搬送手段14を作動して図6の(b)で示すように半導体ウエーハ10をスピンナーテーブル711の上面から離隔(搬出)し、制御手段845が静電気除去装置8の流量調整手段84を構成する第1の電磁開閉弁843を閉路して第2の電磁開閉弁844を開路する。この結果、エアー供給源82のエアーがエアー供給配管832および第2の配管842を通して0.1Mpaの圧力でイオン化エアー生成手段81に供給される。このようにしてイオン化エアー生成手段81に供給された圧力が0.1Mpaのエアーは、イオン化されて複数の噴射孔811から第2の流量でスピンナーテーブル711の上面から離隔された半導体ウエーハ10に噴射する(第2の静電気除去工程)。この第2の静電気除去工程は、第2の所定時間(10〜20秒間)実施する。第2の静電気除去工程においては、イオン化エアー生成手段81に供給されるエアーの圧力が上記第1の静電気除去工程より低い0.1Mpaであるため、複数の噴射孔811から半導体ウエーハ10に噴射されるエアーの流量(第2の流量)は少ないので除電速度は遅いが、上記第1の所定時間(2〜3秒間)より長い第2の所定時間(10〜20秒間)に渡って半導体ウエーハ10に噴射することにより、半導体ウエーハ10に帯電した静電気の量を減少させることができる。   Next, the first workpiece transfer means 14 is operated to separate (unload) the semiconductor wafer 10 from the upper surface of the spinner table 711 as shown in FIG. The first electromagnetic on-off valve 843 constituting the flow rate adjusting means 84 is closed and the second electromagnetic on-off valve 844 is opened. As a result, the air from the air supply source 82 is supplied to the ionized air generation means 81 through the air supply pipe 832 and the second pipe 842 at a pressure of 0.1 MPa. The air having a pressure of 0.1 Mpa supplied to the ionized air generating means 81 in this way is injected into the semiconductor wafer 10 which is ionized and separated from the upper surface of the spinner table 711 from the plurality of injection holes 811 at the second flow rate. (Second static electricity removing step). This second static electricity removing step is performed for a second predetermined time (10 to 20 seconds). In the second static electricity removing step, the pressure of the air supplied to the ionized air generating means 81 is 0.1 Mpa, which is lower than that in the first static electricity removing step. Therefore, the air is injected from the plurality of injection holes 811 onto the semiconductor wafer 10. Since the air flow rate (second flow rate) is small, the static elimination speed is slow. However, the semiconductor wafer 10 extends over a second predetermined time (10 to 20 seconds) longer than the first predetermined time (2 to 3 seconds). By spraying on the semiconductor wafer 10, the amount of static electricity charged in the semiconductor wafer 10 can be reduced.

以上のように、半導体ウエーハ10に帯電した静電気を除去する第1の静電気除去工程および第2の静電気除去工程からなる静電気除去工程を実施したならば、第1の被加工物搬送手段14を作動して静電気が除去された半導体ウエーハ10を仮置き部12aに配設された仮置き手段12に搬送する。仮置き手段12に搬送された加工後の半導体ウエーハ10は、被加工物搬出・搬入手段13によってカセット11の所定位置に収納される。   As described above, when the static electricity removing step including the first static electricity removing step and the second static electricity removing step for removing the static electricity charged on the semiconductor wafer 10 is performed, the first workpiece transfer means 14 is operated. Then, the semiconductor wafer 10 from which static electricity has been removed is transported to the temporary placement means 12 disposed in the temporary placement portion 12a. The processed semiconductor wafer 10 transported to the temporary placement means 12 is stored in a predetermined position of the cassette 11 by the workpiece unloading / loading means 13.

以上、本発明を図示の実施形態に基づいて説明したが本発明は実施形態のみに限定されるものではなく、本発明の趣旨の範囲で種々の変形は可能である。上述した実施形態においては、静電気除去装置8を切削加工機1の洗浄手段7に組み込んだ例を示したが、静電気除去装置8はレーザー加工機等の加工機の洗浄手段に組み込んでもよい。   Although the present invention has been described based on the illustrated embodiment, the present invention is not limited to the embodiment, and various modifications can be made within the scope of the gist of the present invention. In the embodiment described above, the example in which the static eliminator 8 is incorporated in the cleaning means 7 of the cutting machine 1 has been described. However, the static eliminator 8 may be incorporated in the cleaning means of a processing machine such as a laser processing machine.

1:切削加工機
3:チャックテーブル
4:スピンドルユニット
42:回転スピンドル
43:切削ブレード
6:撮像手段
5:表示手段
7:洗浄手段
71:スピンナーテーブル機構
711:スピンナーテーブル
74:洗浄水供給手段
75:エアー噴射手段
8:静電気除去装置
81:イオン化エアー生成手段
82:エアー供給源
83:エアー供給手段
84:流量調整手段
10:半導体ウエーハ
11:カセット
12:仮置き手段
13:被加工物搬出・搬入手段
14:第1の被加工物搬送手段
15:第2の被加工物搬送手段
F:環状のフレーム
T:ダイシングテープ
1: Cutting machine 3: Chuck table 4: Spindle unit 42: Rotating spindle 43: Cutting blade 6: Imaging means 5: Display means 7: Cleaning means 71: Spinner table mechanism 711: Spinner table 74: Cleaning water supply means 75: Air jetting means 8: Static electricity removing device 81: Ionized air generating means 82: Air supply source 83: Air supply means 84: Flow rate adjusting means 10: Semiconductor wafer 11: Cassette 12: Temporary placing means 13: Workpiece unloading / loading means 14: First workpiece conveying means 15: Second workpiece conveying means F: Annular frame T: Dicing tape

Claims (3)

被加工物を保持する被加工物保持手段と、該被加工物保持手段に保持された被加工物に加工を施す加工手段と、該加工手段によって加工された被加工物を洗浄する洗浄手段と、該洗浄手段によって洗浄された被加工物を該洗浄手段から搬出する搬送手段と、を具備する加工機であって、
該洗浄手段は、被加工物を吸引保持して回転するスピンナーテーブルと、該スピンナーテーブルに保持された被加工物に洗浄水を供給する洗浄水供給手段と、該スピンナーテーブル上において洗浄された被加工物にイオン化エアーを噴射する静電気除去装置と、から構成され、
該静電気除去装置は、エアー供給源と、イオン化エアーを生成して噴射するイオン化エアー生成手段と、該エアー供給源のエアーを該イオン化エアー生成手段に供給するエアー供給手段と、を具備し、該エアー供給手段は、イオン化エアー生成手段に供給するエアーの流量を調整する流量調整手段を備え、さらに、該スピンナーテーブルから洗浄された被加工物を該搬送手段によって搬出する際には該流量調整手段を作動してイオン化エアーを第1の流量で第1の所定時間噴射し、該第1の所定時間が経過したならば該スピンナーテーブルから被加工物を離隔した状態でイオン化エアーを該第1の流量より少ない第2の流量で該第1の所定時間より長い第2の所定時間噴射するように制御する制御手段を具備している、
ことを特徴とする加工機
A workpiece holding means for holding the workpiece, a processing means for processing the workpiece held by the workpiece holding means, and a cleaning means for cleaning the workpiece processed by the processing means A processing unit comprising: a transporting unit that unloads the workpiece cleaned by the cleaning unit from the cleaning unit;
The cleaning means includes a spinner table that rotates while sucking and holding the workpiece, cleaning water supply means for supplying cleaning water to the workpiece held on the spinner table, and a workpiece cleaned on the spinner table. Comprising a static eliminator that injects ionized air onto the workpiece,
The static eliminator comprises an air supply source, ionized air generating means for generating and ejecting ionized air, and air supply means for supplying air from the air supply source to the ionized air generating means, The air supply means includes a flow rate adjusting means for adjusting a flow rate of air supplied to the ionized air generating means , and further, when the workpiece cleaned from the spinner table is carried out by the conveying means, the flow rate adjusting means. , The ionized air is jetted at a first flow rate for a first predetermined time, and when the first predetermined time has elapsed, the ionized air is discharged in a state where the workpiece is separated from the spinner table. Control means for controlling to inject for a second predetermined time longer than the first predetermined time at a second flow rate less than the flow rate;
A processing machine characterized by that .
該流量調整手段は、該エアー供給源と該イオン化エアー生成手段とを連通する第1の配管および該第1の配管の内径より小さい内径の第2の配管と、該第1の配管に配設された第1の電磁開閉弁および該第2の配管に配設された第2の電磁開閉弁と、を具備している、請求項1記載の加工機The flow rate adjusting means is disposed in the first pipe, the first pipe communicating the air supply source and the ionized air generating means, the second pipe having an inner diameter smaller than the inner diameter of the first pipe, and the first pipe. The processing machine according to claim 1, further comprising: a first electromagnetic on-off valve that is provided, and a second electromagnetic on-off valve that is disposed in the second pipe. 該第1の流量は該イオン化エアー生成手段に供給するエアーの圧力を0.2Mpaに設定した際の該イオン化エアー生成手段から噴出する流量で、該第2の流量は該イオン化エアー生成手段に供給するエアーの圧力を0.1Mpaに設定した際の該イオン化エアー生成手段から噴出する流量であり、
該第1の所定時間は2〜3秒間で、該第2の所定時間は10〜20秒間である、請求項1、又は2記載の加工機。
The first flow rate is a flow rate ejected from the ionized air generating unit when the pressure of the air supplied to the ionized air generating unit is set to 0.2 Mpa, and the second flow rate is supplied to the ionized air generating unit. The flow rate of the air from the ionized air generating means when the air pressure is set to 0.1 MPa.
The processing machine according to claim 1 or 2, wherein the first predetermined time is 2 to 3 seconds, and the second predetermined time is 10 to 20 seconds .
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