JP4776431B2

JP4776431B2 - Protective film coating equipment

Info

Publication number: JP4776431B2
Application number: JP2006137325A
Authority: JP
Inventors: 岳彦檜垣
Original assignee: Disco Corp
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2006-05-17
Filing date: 2006-05-17
Publication date: 2011-09-21
Anticipated expiration: 2026-05-17
Also published as: JP2007311450A

Description

本発明は、レーザー光線が照射されるウエーハの加工面に保護膜を被覆する保護膜被覆装置に関するものである。 The present invention relates to a protective film coating apparatus for coating a processing surface of a wafer irradiated with a laser beam with a protective film.

ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体チップが複数形成されたウエーハは、ダイシング装置によって個々のデバイスに分割され、携帯電話、パソコン等の電子機器に利用される。ダイシング装置は、切削ブレードを備え、その切削ブレードを半導体ウエーハに形成された幅５０μｍほどのストリートに位置付けて切削することにより半導体ウエーハを個々のデバイスに分割する。 A wafer on which a plurality of semiconductor chips such as IC and LSI are formed is divided into individual devices by a dicing apparatus and used for electronic devices such as mobile phones and personal computers. The dicing apparatus includes a cutting blade, and divides the semiconductor wafer into individual devices by positioning the cutting blade on a street having a width of about 50 μm formed on the semiconductor wafer and cutting the semiconductor wafer.

しかし、デバイスの微細化に伴いストリート幅が狭くなると切削ブレードによる分割が困難になるという問題がある。 However, when the street width becomes narrow as the device becomes finer, there is a problem that it becomes difficult to divide by the cutting blade.

また、電気特性を良好にするためにウエーハの表面に低誘電率絶縁体（Ｌｏｗ−ｋ膜）を積層した半導体ウエーハにおいては、切削ブレードでストリートを切削するとＬｏｗ−ｋ膜が剥離し、デバイスの品質が低下するという問題がある。 In addition, in a semiconductor wafer in which a low dielectric constant insulator (Low-k film) is laminated on the surface of a wafer in order to improve electrical characteristics, when the street is cut with a cutting blade, the Low-k film is peeled off, There is a problem that the quality deteriorates.

一方、近年半導体ウエーハを分割する方法として、ウエーハに形成されたストリートに沿ってパルスレーザー光線を照射することによりレーザー加工溝を形成し、このレーザー加工溝に沿ってメカニカルブレーキング装置によって割断する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。 On the other hand, as a method for dividing a semiconductor wafer in recent years, there is a method in which a laser processing groove is formed by irradiating a pulsed laser beam along a street formed on the wafer, and a mechanical braking device is used for cutting along the laser processing groove. It has been proposed (see, for example, Patent Document 1).

レーザー加工は、切削加工に比して加工速度を速くすることができるとともに、サファイヤ等の硬度の高い素材からなるウエーハであっても比較的容易に加工することができる。また、レーザー光線を照射してレーザー加工溝を形成する方法は、低誘電率絶縁体層が剥離する問題を解消することができる。しかしながら、ウエーハのストリートに沿ってレーザー光線を照射すると、照射された領域に熱エネルギーが集中してデブリと称する粘着性のある飛沫が発生し、飛散したデブリがウエーハのデバイス表面に付着し、デバイスの品質を低下させるという新たな問題を生ずる。 Laser processing can increase the processing speed as compared with cutting processing, and can process a wafer made of a material having high hardness such as sapphire relatively easily. Moreover, the method of irradiating a laser beam to form a laser processed groove can solve the problem of the low dielectric constant insulator layer peeling off. However, when the laser beam is irradiated along the street of the wafer, the thermal energy concentrates on the irradiated area and sticky splashes called debris are generated, and the scattered debris adheres to the surface of the wafer device, This creates a new problem of reducing quality.

このようなデブリの問題を解消するために、ウエーハの加工面にポリビニルアルコール等の保護被膜を被覆し、保護被膜を通してウエーハにレーザー光線を照射するようにしたレーザー加工方法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。また、被加工物の加工面に保護被膜を被覆するとともにレーザー加工後に保護膜を洗浄する保護被膜形成兼洗浄手段を備えたレーザー加工装置も提案されている（例えば、特許文献３参照）。 In order to solve such a problem of debris, a laser processing method has been proposed in which a processed film of a wafer is coated with a protective film such as polyvinyl alcohol, and the wafer is irradiated with a laser beam through the protective film (for example, Patent Document 2). There has also been proposed a laser processing apparatus provided with a protective film forming and cleaning means for covering a processed surface of a workpiece with a protective film and cleaning the protective film after laser processing (see, for example, Patent Document 3).

特開平１０−３０５４２０号公報JP-A-10-305420 特開２００４−１８８４７５号公報JP 2004-188475 A 特開２００４−３２２１６８号公報JP 2004-322168 A

しかしながら、特許文献２，３等に示されるスピンテーブルを利用したスピン法によりウエーハに対して保護膜を被覆する方式は、液状樹脂の大半を遠心力でウエーハ外に飛散させることで薄膜が形成されるため、供給する液状樹脂量を多く必要とし、効率が悪くて不経済である。例えば、８インチサイズのウエーハに厚さ５μｍの保護膜を被覆するために４０ｍｌ（ミリリットル）〜８０ｍｌもの液状樹脂量を供給する必要がある。 However, in the method of coating a wafer with a protective film by a spin method using a spin table shown in Patent Documents 2 and 3, etc., a thin film is formed by scattering most of the liquid resin outside the wafer by centrifugal force. Therefore, a large amount of liquid resin to be supplied is required, and the efficiency is poor and uneconomical. For example, in order to coat a protective film having a thickness of 5 μm on an 8-inch wafer, it is necessary to supply a liquid resin amount of 40 ml (milliliter) to 80 ml.

また、特許文献２，３等に示されるスピン法によりウエーハに対して保護膜を被覆する方式の場合、液状樹脂の塗布から乾燥までに、時間がかかり、生産性を損なう一因となる。例えば、８インチサイズのウエーハに厚さ５μｍの保護膜を被覆する場合、塗布から乾燥までに２分〜４分要するものとなっている。この結果、保護膜被覆装置をレーザー加工装置中に組み込むと、保護膜被覆装置での処理速度がネックとなって全体の生産性が上がらなくなってしまうため、加工装置中には組み込まず、別個の独立した装置として構成しなければならない等の制約を受ける。 Further, in the case of a system in which a protective film is coated on a wafer by the spin method disclosed in Patent Documents 2 and 3, etc., it takes time from application of a liquid resin to drying, which is a factor that impairs productivity. For example, when a protective film having a thickness of 5 μm is coated on an 8-inch wafer, it takes 2 to 4 minutes from application to drying. As a result, when the protective film coating apparatus is incorporated into the laser processing apparatus, the processing speed in the protective film coating apparatus becomes a bottleneck and the overall productivity cannot be increased. There are restrictions such as having to be configured as an independent device.

本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、ウエーハ上に供給する液状樹脂量を低減させて効率よく保護膜を被覆することができる保護膜被覆装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above, and an object of the present invention is to provide a protective film coating apparatus that can efficiently coat a protective film by reducing the amount of liquid resin supplied onto a wafer.

加えて、本発明は、保護膜の被覆処理に要する時間を短縮して生産性を向上させることができる保護膜被覆装置を提供することを目的とする。 In addition, an object of the present invention is to provide a protective film coating apparatus capable of improving productivity by reducing the time required for the protective film coating process.

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る保護膜被覆装置は、ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された前記ウエーハに液状樹脂を噴射して保護膜を被覆するノズル手段と、を少なくとも備える保護膜被覆装置であって、前記ノズル手段は、前記ウエーハの直径に対応して配設された２以上の噴射ノズルと、該噴射ノズルを支持し前記チャックテーブルの上部を移動する移動部と、前記２以上の噴射ノズルの位置における前記ウエーハの噴射領域に対応して、前記２以上の噴射ノズルのうち幾つかを選択的に作動させる制御手段と、前記チャックテーブルと前記移動部とを収容する筐体と、を備えることを特徴とする。 In order to solve the above-described problems and achieve the object, a protective film coating apparatus according to the present invention includes a chuck table for holding a wafer, and a protective film by spraying a liquid resin onto the wafer held by the chuck table. A protective film coating apparatus comprising at least a nozzle means for covering the wafer, wherein the nozzle means supports two or more spray nozzles arranged corresponding to the diameter of the wafer, and supports the spray nozzles to the chuck. A control unit that selectively activates some of the two or more spray nozzles in correspondence with a spray region of the wafer at the position of the two or more spray nozzles; And a housing that houses the chuck table and the moving unit.

また、本発明に係る保護膜被覆装置は、上記発明において、前記チャックテーブルは、前記筐体に収容される収容位置と前記ウエーハを着脱する着脱位置とに位置付けられることを特徴とする。 In the protective film coating apparatus according to the present invention as set forth in the invention described above, the chuck table is positioned at an accommodation position where the chuck table is accommodated in the housing and an attachment / detachment position where the wafer is attached / detached.

また、本発明に係る保護膜被覆装置は、上記発明において、前記チャックテーブルは、粘着テープを介してフレームに配設された前記ウエーハを保持するウエーハ保持部と、前記フレームを支持するとともに該フレームの所要位置に前記液状樹脂の付着を遮断するフレーム挟持部と、を有することを特徴とする。 Further, the protective film coating apparatus according to the present invention is the above invention, wherein the chuck table supports the frame while holding the wafer disposed on the frame via an adhesive tape, and the frame. And a frame holding portion that blocks adhesion of the liquid resin at a required position.

また、本発明に係る保護膜被覆装置は、上記発明において、前記チャックテーブルに加熱手段が配設されていることを特徴とする。 The protective film coating apparatus according to the present invention is characterized in that, in the above invention, a heating means is disposed on the chuck table.

また、本発明に係る保護膜被覆装置は、上記発明において、前記筐体の内壁に洗浄水を供給する洗浄水シャワーノズルと、前記噴射ノズルの先端を洗浄する先端洗浄ノズルと、前記チャックテーブルを洗浄するテーブル洗浄ノズルと、が配設されていることを特徴とする。 Further, in the above invention, the protective film coating apparatus according to the present invention includes a cleaning water shower nozzle that supplies cleaning water to the inner wall of the housing, a tip cleaning nozzle that cleans the tip of the spray nozzle, and the chuck table. And a table cleaning nozzle for cleaning.

また、本発明に係る保護膜被覆装置は、上記発明において、前記筐体の底壁は傾斜して形成され、前記底壁の下流側には排水口が形成されていることを特徴とする。 In the protective film coating apparatus according to the present invention as set forth in the invention described above, the bottom wall of the casing is formed to be inclined, and a drain outlet is formed on the downstream side of the bottom wall.

また、本発明に係る保護膜被覆装置は、上記発明において、前記筐体の側壁には吸引源に連通する吸引開口が形成されていることを特徴とする。 The protective film coating apparatus according to the present invention is characterized in that, in the above invention, a suction opening communicating with a suction source is formed on a side wall of the casing.

本発明に係る保護膜被覆装置によれば、筐体内において、ウエーハの直径に対応して配設された２以上の噴射ノズルが、チャックテーブルに保持されたウエーハの上部を移動部によって移動しながら液状樹脂を噴射することでウエーハ上に保護膜を被覆するので、２以上の噴射ノズルからの噴射によって必要量の液状樹脂をウエーハ上に供給するだけで効率よく所望の保護膜を被覆でき、消費する液状樹脂量を低減させることができるという効果を奏する。特に、ウエーハの直径に対応して必要な噴射ノズルから液状樹脂をウエーハ上に供給させることで、消費する液状樹脂量をより一層低減させることができるという効果を奏する。さらには、２以上の噴射ノズルをウエーハの噴射領域に対応して選択的に作動させることにより、消費する液状樹脂量をより一層低減させることができるという効果を奏する。 According to the protective film coating apparatus of the present invention, two or more spray nozzles arranged corresponding to the diameter of the wafer are moved in the casing while the upper part of the wafer held by the chuck table is moved by the moving unit. Since the protective film is coated on the wafer by spraying the liquid resin, the desired protective film can be efficiently coated and consumed simply by supplying the required amount of liquid resin onto the wafer by spraying from two or more spray nozzles. There is an effect that the amount of liquid resin to be reduced can be reduced. In particular, the liquid resin is supplied onto the wafer from a necessary injection nozzle corresponding to the diameter of the wafer, so that the amount of consumed liquid resin can be further reduced. Furthermore, by selectively operating two or more injection nozzles corresponding to the injection region of the wafer, there is an effect that the amount of liquid resin to be consumed can be further reduced.

また、本発明に係る保護膜被覆装置によれば、チャックテーブルに加熱手段が配設され、チャックテーブルを介してウエーハが暖められるので、ウエーハに対する液状樹脂の噴射から保護膜の乾燥までの時間を短縮させることができ、生産性を向上させることができるという効果を奏する。特に、筐体の側壁に形成された吸引開口を介して吸引源によって筐体内の吸気を行うことで、液状樹脂が噴射された筐体内の湿度を低下させることができ、保護膜のより一層の早期乾燥に役立てることができるという効果を奏する。 Further, according to the protective film coating apparatus of the present invention, the heating means is provided on the chuck table, and the wafer is heated via the chuck table. Therefore, the time from the injection of the liquid resin to the wafer to the drying of the protective film is increased. It can be shortened, and the productivity can be improved. In particular, by performing suction in the housing by a suction source through a suction opening formed in the side wall of the housing, the humidity in the housing in which the liquid resin is injected can be reduced, and the protective film can be further improved. There is an effect that it can be used for early drying.

また、本発明に係る保護膜被覆装置によれば、チャックテーブルが筐体に収容され液状樹脂が被覆される収容位置とウエーハを着脱する着脱位置とに選択的に位置付けられるので、ウエーハに対する保護膜の被覆とウエーハの搬送とを円滑に遂行させることができるという効果を奏する。 Further, according to the protective film coating apparatus according to the present invention, the chuck table is selectively positioned at the housing position where the chuck table is housed and covered with the liquid resin and the attachment / detachment position where the wafer is attached / detached. It is possible to smoothly carry out the coating of the wafer and the conveyance of the wafer.

また、本発明に係る保護膜被覆装置によれば、チャックテーブルがウエーハをフレームと一体に保持するウエーハ保持部と、フレームの所要位置に液状樹脂の付着を遮断するようにフレームを支持するフレーム挟持部とを有し、筐体内での液状樹脂の噴射による保護膜の被覆時にフレームの所要位置はフレーム挟持部によって液状樹脂が付着しないので、液状樹脂が付着していない該所要位置をウエーハ搬送時の把持部に利用することで、確実な搬送に供することができるという効果を奏する。 Further, according to the protective film coating apparatus of the present invention, the chuck table holds the wafer integrally with the frame, and the frame holding unit that supports the frame so as to block the liquid resin from adhering to a required position of the frame. The required position of the frame when the protective film is covered by spraying the liquid resin in the housing is not attached to the frame by the frame clamping part, so that the liquid resin is not attached to the required position when the wafer is transported. By using this for the grip part, there is an effect that it can be used for reliable conveyance.

また、本発明に係る保護膜被覆装置によれば、筐体の内壁に洗浄水を供給する洗浄水シャワーノズルと、噴射ノズルの先端を洗浄する先端洗浄ノズルと、チャックテーブルを洗浄するテーブル洗浄ノズルとが配設されているので、液状樹脂を供給して保護膜を形成した後の適宜タイミングで洗浄水シャワーノズルや先端洗浄ノズルやテーブル洗浄ノズルから対象部位に対して洗浄水を供給することで、筐体内で液状樹脂や気泡などが溜まった部位の洗浄を自動的に行うことができ、量産時のメンテナンスフリーを実現することができるという効果を奏する。また、筐体の底壁が傾斜してその下流側に排水口が形成されているので、保護膜の被覆時に底壁に溜まった液状樹脂や洗浄後の洗浄水を排水口から外部に排水させることができ、量産時のメンテナンスフリーを実現することができるという効果を奏する。 In addition, according to the protective film coating apparatus of the present invention, the cleaning water shower nozzle that supplies the cleaning water to the inner wall of the housing, the tip cleaning nozzle that cleans the tip of the spray nozzle, and the table cleaning nozzle that cleans the chuck table The cleaning water is supplied to the target part from the cleaning water shower nozzle, the tip cleaning nozzle, or the table cleaning nozzle at an appropriate timing after supplying the liquid resin and forming the protective film. In addition, it is possible to automatically perform cleaning of a portion where liquid resin, bubbles, or the like is accumulated in the housing, and it is possible to realize maintenance-free during mass production. In addition, since the bottom wall of the housing is inclined and a drain outlet is formed on the downstream side, the liquid resin collected on the bottom wall and the washing water after washing are drained from the drain outlet to the outside when the protective film is covered. It is possible to achieve maintenance-free during mass production.

以下、本発明を実施するための最良の形態である保護膜被覆装置について図面を参照して説明する。 Hereinafter, a protective film coating apparatus which is the best mode for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings.

図１は、本実施の形態の保護膜被覆装置が一体に組み込まれたレーザー加工装置を示す外観斜視図である。本実施の形態のレーザー加工装置１は、略直方体状の装置ハウジング２を備えている。装置ハウジング２は、加工送り方向であるＸ軸方向に移動自在に配設されてウエーハ１０を保持するチャックテーブル３を備える。チャックテーブル３は、吸着チャック支持台３１と、吸着チャック支持台３１上に装着された吸着チャック３２とを備え、吸着チャック３２の表面である載置面上に円盤状のウエーハ１０を図示しない吸引手段によって保持する構成とされている。また、チャックテーブル３は、図示しない回転機構によって回動可能に構成されている。また、チャックテーブル３の吸着チャック支持台３１は、Ｘ軸方向両端に配設されて後述する環状のフレームを固定するためのクランプ３３を備えている。 FIG. 1 is an external perspective view showing a laser processing apparatus in which the protective film coating apparatus of the present embodiment is integrated. The laser processing apparatus 1 according to the present embodiment includes a device housing 2 having a substantially rectangular parallelepiped shape. The apparatus housing 2 includes a chuck table 3 that is disposed so as to be movable in the X-axis direction, which is the machining feed direction, and holds the wafer 10. The chuck table 3 includes a suction chuck support 31 and a suction chuck 32 mounted on the suction chuck support 31, and the disk-shaped wafer 10 is not suctioned on the mounting surface which is the surface of the suction chuck 32. It is set as the structure hold | maintained by a means. The chuck table 3 is configured to be rotatable by a rotation mechanism (not shown). Further, the suction chuck support bases 31 of the chuck table 3 are provided with clamps 33 disposed at both ends in the X-axis direction for fixing an annular frame described later.

また、本実施の形態のレーザー加工装置１は、チャックテーブル３の吸着チャック３２上に保持されたウエーハ１０にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段４を備えている。レーザー光線照射手段４は、実質上水平に配設された円筒形状のケーシング４１を含んでいる。ケーシング４１内には図示しないＹＡＧレーザー発振器或いはＹＶＯ₄レーザー発振器からなるパルスレーザー発振器や繰り返し周波数設定手段を備えたパルスレーザー光線発振手段が配設され、ケーシング４１の先端部には、パルスレーザー光線発振手段から発振されたパルスレーザー光線を集光するための集光器４２が装着されている。 In addition, the laser processing apparatus 1 of the present embodiment includes a laser beam irradiation means 4 that irradiates the wafer 10 held on the suction chuck 32 of the chuck table 3 with a laser beam. The laser beam irradiation means 4 includes a cylindrical casing 41 disposed substantially horizontally. In the casing 41, a pulse laser beam oscillation means including a YAG laser oscillator or a YVO ₄ laser oscillator (not shown) and a repetition frequency setting means are arranged. A condenser 42 for condensing the oscillated pulse laser beam is mounted.

また、本実施の形態のレーザー加工装置１は、チャックテーブル３の吸着チャック３２上に保持されたウエーハ１０の表面を撮像し、レーザー光線照射手段４の集光器４２から照射されるレーザー光線によって加工すべき領域を検出する撮像手段５を備えている。撮像手段５は、可視光線によって撮像する通常の撮像素子（ＣＣＤ）等で構成されており、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。また、本実施の形態のレーザー加工装置１は、撮像手段５によって撮像された画像を表示する表示手段６を備えている。 Further, the laser processing apparatus 1 according to the present embodiment takes an image of the surface of the wafer 10 held on the suction chuck 32 of the chuck table 3 and processes it with the laser beam irradiated from the condenser 42 of the laser beam irradiation means 4. An imaging means 5 for detecting a power region is provided. The image pickup means 5 is composed of a normal image pickup device (CCD) or the like for picking up an image with visible light, and sends the picked up image signal to a control means (not shown). Further, the laser processing apparatus 1 of the present embodiment includes a display unit 6 that displays an image captured by the imaging unit 5.

さらに、本実施の形態のレーザー加工装置１は、ウエーハ１０を収容するカセット１３が載置されるカセット載置部１３ａを備えている。カセット載置部１３ａには図示しない昇降手段によって上下に移動可能にカセットテーブル１３１が配設されており、このカセットテーブル１３１上にカセット１３が載置される。ウエーハ１０は、環状のフレーム１１に装着された粘着テープ１２の表面に貼着されており、粘着テープ１２を介して環状のフレーム１１に支持された状態でカセット１３に収容される。図２は、本実施の形態に適用されるウエーハ１０の構成例を示す斜視図である。ウエーハ１０は、図２に示すように、表面１０ａに格子状に形成された複数のストリート１０１によって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ，ＬＳＩ等のデバイス１２が形成されている。このように構成されたウエーハ１０は、図１に示すように、環状のフレーム１１に装着された粘着テープ１２に表面１０ａを上側にして裏面が貼着される。ここで、ウエーハ１０としては、直径３００ｍｍサイズのもの、直径８インチサイズのもの、等が適宜用いられるが、フレーム１１は共通とされている。 Furthermore, the laser processing apparatus 1 according to the present embodiment includes a cassette mounting portion 13a on which a cassette 13 that accommodates the wafer 10 is mounted. A cassette table 131 is arranged on the cassette mounting portion 13a so as to be movable up and down by lifting means (not shown). The cassette 13 is mounted on the cassette table 131. The wafer 10 is affixed to the surface of an adhesive tape 12 attached to an annular frame 11 and is accommodated in the cassette 13 while being supported by the annular frame 11 via the adhesive tape 12. FIG. 2 is a perspective view showing a configuration example of the wafer 10 applied to the present embodiment. As shown in FIG. 2, the wafer 10 is divided into a plurality of areas by a plurality of streets 101 formed in a lattice shape on the surface 10a, and devices 12 such as ICs and LSIs are formed in the divided areas. . As shown in FIG. 1, the wafer 10 configured as described above is attached to the adhesive tape 12 mounted on the annular frame 11 with the front surface 10 a facing upward. Here, as the wafer 10, a wafer having a diameter of 300 mm, a wafer having a diameter of 8 inches, or the like is used as appropriate, but the frame 11 is common.

また、本実施の形態のレーザー加工装置１は、カセット１３に収納された加工前のウエーハ１０を搬出するとともに加工後のウエーハ１０をカセット１３に搬入するウエーハ搬出入手段１４と、ウエーハ搬出入手段１４によって搬出された加工前のウエーハ１０を仮置きする仮置きテーブル１５と、仮置きテーブル１５に搬出された加工前のウエーハ１０をチャックテーブル３に搬送する第１の搬送経路に配設され加工前のウエーハ１０の加工面に保護膜を被覆する保護膜被覆装置２００と、チャックテーブル３に保持された加工後のウエーハ１０を仮置きテーブル１５に搬送する第２の搬送経路に配設され加工後のウエーハ１０の加工面に被覆されている保護膜を洗浄除去する洗浄手段８と、を備えている。ここで、第１の搬送経路と第２の搬送経路とは、それぞれ異なる搬送経路として設定されている。 The laser processing apparatus 1 according to the present embodiment also includes a wafer carry-in / out means 14 for unloading the wafer 10 before processing stored in the cassette 13 and loading the processed wafer 10 into the cassette 13. The temporary placement table 15 for temporarily placing the unprocessed wafer 10 unloaded by 14 and the first transport path for transporting the unprocessed wafer 10 unloaded to the temporary placement table 15 to the chuck table 3 for processing. A protective film coating apparatus 200 that coats the processing surface of the previous wafer 10 and a second conveyance path that conveys the processed wafer 10 held on the chuck table 3 to the temporary placement table 15 and is processed. And a cleaning means 8 for cleaning and removing the protective film coated on the processed surface of the subsequent wafer 10. Here, the first transport path and the second transport path are set as different transport paths.

また、本実施の形態のレーザー加工装置１は、仮置きテーブル１５に搬出された加工前のウエーハ１０を保護膜被覆装置２００に搬送するとともに洗浄手段８によって洗浄された加工後のウエーハ１０を仮置きテーブル１５に搬送する第１の搬送手段１６と、保護膜被覆装置２００によって保護膜が被覆された加工前のウエーハ１０をチャックテーブル３に搬送するとともにチャックテーブル３に保持された加工後のウエーハ１０を洗浄手段８に搬送する第２の搬送手段１７とを備えている。 Further, the laser processing apparatus 1 of the present embodiment transports the unprocessed wafer 10 carried out to the temporary table 15 to the protective film coating apparatus 200 and temporarily processes the processed wafer 10 cleaned by the cleaning means 8. The first transport means 16 transported to the table 15 and the unprocessed wafer 10 coated with the protective film by the protective film coating apparatus 200 are transported to the chuck table 3 and the processed wafer held on the chuck table 3 And second transport means 17 for transporting 10 to the cleaning means 8.

ここで、第１の搬送手段１６は、仮置きテーブル１５と保護膜被覆装置２００と洗浄手段８とに対して等距離の位置に配設されている。この第１の搬送手段１６は、一般に使用されている搬送手段と同一の構成でよく、環状のフレーム１１の両端を吸引保持する搬送パッド１６１を有する保持手段１６２と、保持手段１６２を上下方向に昇降可能で、かつ、旋回可能に支持する支持手段１６２とからなっている。このように構成された第１の搬送手段１６は、仮置きテーブル１５に搬出された加工前のウエーハ１０（環状のフレーム１１に装着された粘着テープ１２の表面に貼着された状態）を保護膜被覆装置２００に搬送するとともに洗浄手段８によって洗浄された加工後のウエーハ１０（環状のフレーム１１に装着された粘着テープ１２の表面に貼着された状態）を仮置きテーブル１５に搬送する。 Here, the first transport unit 16 is disposed at an equidistant position with respect to the temporary placement table 15, the protective film coating apparatus 200, and the cleaning unit 8. The first conveying means 16 may have the same configuration as a commonly used conveying means. The holding means 162 having a conveying pad 161 for sucking and holding both ends of the annular frame 11 and the holding means 162 in the vertical direction. It comprises support means 162 that can move up and down and that can pivot. The first conveying means 16 configured in this way protects the unprocessed wafer 10 (the state of being attached to the surface of the adhesive tape 12 attached to the annular frame 11) carried out to the temporary table 15. The processed wafer 10 (attached to the surface of the adhesive tape 12 mounted on the annular frame 11) that has been transferred to the film coating apparatus 200 and cleaned by the cleaning means 8 is transferred to the temporary placement table 15.

また、第２の搬送手段１７は、チャックテーブル３と保護膜被覆装置２００と洗浄手段８との間でウエーハ１０を搬送し得る位置に配設されたもので、環状のフレーム１１の両端を吸引保持する搬送パッド１７１を有する保持手段１７２と、保持手段１７２を上下方向に昇降可能で、かつ、旋回可能に支持する支持手段１７３と、支持手段１７３をＸ軸方向にスライド可能に支持するスライド支持手段１７４とからなっている。このように構成された第２の搬送手段１７は、保護膜被覆装置２００によって保護膜が被覆された加工前のウエーハ１０（環状のフレーム１１に装着された粘着テープ１２の表面に貼着された状態）をスライド支持手段１７４によるスライド支持に従いＸ軸方向に移動してチャックテーブル３に搬送するとともにチャックテーブル３に保持された加工後のウエーハ１０（環状のフレーム１１に装着された粘着テープ１２の表面に貼着された状態）を支持手段１７３の旋回動作によって洗浄手段８に搬送する。洗浄手段８は、加工後のウエーハ１０を吸引保持して回転するスピンナーテーブル８１の他、洗浄用の洗浄水ノズル、乾燥用のエアーノズル等を備える。 The second transport means 17 is disposed at a position where the wafer 10 can be transported among the chuck table 3, the protective film coating apparatus 200, and the cleaning means 8, and sucks both ends of the annular frame 11. A holding means 172 having a carrying pad 171 to be held, a supporting means 173 capable of moving the holding means 172 up and down and pivotably supported, and a slide support for supporting the supporting means 173 slidably in the X-axis direction Means 174. The second conveying means 17 configured in this manner is attached to the surface of the wafer 10 before processing (the adhesive tape 12 attached to the annular frame 11) covered with the protective film by the protective film coating apparatus 200. State) is moved in the X-axis direction according to the slide support by the slide support means 174, conveyed to the chuck table 3, and the processed wafer 10 held by the chuck table 3 (of the adhesive tape 12 mounted on the annular frame 11). The state adhered to the surface) is conveyed to the cleaning means 8 by the turning operation of the support means 173. The cleaning means 8 includes a cleaning water nozzle, a drying air nozzle, and the like in addition to a spinner table 81 that rotates by sucking and holding the processed wafer 10.

次に、本実施の形態の保護膜被覆装置２００について、図３〜図９を参照して説明する。図３は、保護膜被覆装置の分解斜視図であり、図４は、チャックテーブル周りの分解斜視図であり、図５は、チャックテーブルが収容位置に位置付けられた保護膜被覆装置を示す斜視図であり、図６は、チャックテーブルが着脱位置に位置付けられた保護膜被覆装置を示す斜視図であり、図７は、チャックテーブルによるフレームの支持状態および噴射ノズルとの関係を示す概略斜視図であり、図８は、噴射ノズルによる液状樹脂の噴出状況を示す概略縦断正面図であり、図９は、噴射ノズル等に対する供給系および制御系を模式的に示す図である。 Next, the protective film coating apparatus 200 of this Embodiment is demonstrated with reference to FIGS. FIG. 3 is an exploded perspective view of the protective film coating apparatus, FIG. 4 is an exploded perspective view around the chuck table, and FIG. 5 is a perspective view showing the protective film coating apparatus in which the chuck table is positioned at the storage position. FIG. 6 is a perspective view showing the protective film coating apparatus in which the chuck table is positioned at the attachment / detachment position, and FIG. 7 is a schematic perspective view showing the relationship between the state of the frame supported by the chuck table and the injection nozzle. FIG. 8 is a schematic longitudinal front view showing the state of ejection of the liquid resin by the injection nozzle, and FIG. 9 is a diagram schematically showing a supply system and a control system for the injection nozzle and the like.

本実施の形態の保護膜被覆装置２００は、加工前のウエーハ１０を保持するチャックテーブル２１０と、チャックテーブル２１０に保持されたウエーハ１０の加工面となる表面に液状樹脂を噴射して保護膜を被覆するノズル手段２３０と、を備えている。 The protective film coating apparatus 200 according to the present embodiment includes a chuck table 210 that holds the wafer 10 before processing, and a protective film that is formed by spraying a liquid resin on the surface that is the processing surface of the wafer 10 held on the chuck table 210. Nozzle means 230 for coating.

チャックテーブル２１０は、粘着テープ１２を介してフレーム１１に配設された加工前のウエーハ１０を保持するウエーハ保持部２１１と、フレーム１１の左右両端を支持するとともに搬送パッド１７１で吸着保持されるフレーム１１の左右両端の所要位置に液状樹脂が付着するのを遮断するように覆い隠す左右一対のフレーム挟持部２１２と、ウエーハ保持部２１１の下面に配設されたベース材２１３と、ベース材２１３とウエーハ保持部２１１との間に配設された加熱手段２１４と、を備えている。 The chuck table 210 has a wafer holding portion 211 that holds the unprocessed wafer 10 disposed on the frame 11 via the adhesive tape 12, and a frame that supports the left and right ends of the frame 11 and is sucked and held by the transport pad 171. 11, a pair of left and right frame sandwiching portions 212 that cover the liquid resin so as to block the liquid resin from adhering to required positions on both left and right sides, a base material 213 disposed on the lower surface of the wafer holding portion 211, and a base material 213 Heating means 214 disposed between the wafer holding unit 211 and the wafer holding unit 211.

ここで、ウエーハ保持部２１１は、フレーム１１とほぼ同等の大きさの矩形状に形成されたもので、その保持面には複数個の吸引孔２１５が形成されている。これら吸引孔２１５は、ウエーハ保持部２１１の一側面から外部に連通するように開口し、該開口部に取り付けられた図示しないワンタッチ継ぎ手を介して図示しない吸引手段に連結される。これにより、チャックテーブル２１０は、ウエーハ保持部２１１にフレーム１１を載置し吸引手段により吸引孔２１５を介して吸引用エアーを作用させることによりウエーハ保持部２１１上にフレーム１１（ウエーハ１０）を吸着保持する。 Here, the wafer holding portion 211 is formed in a rectangular shape having substantially the same size as the frame 11, and a plurality of suction holes 215 are formed on the holding surface. These suction holes 215 are opened from one side surface of the wafer holding portion 211 so as to communicate with the outside, and are connected to suction means (not shown) via a one-touch joint (not shown) attached to the opening. Thus, the chuck table 210 sucks the frame 11 (wafer 10) onto the wafer holding portion 211 by placing the frame 11 on the wafer holding portion 211 and causing suction air to act through the suction holes 215 by the suction means. Hold.

また、フレーム挟持部２１２は、ウエーハ保持部２１１と同等の幅を有して略Ｌ字状のカバー形状に形成されてベース材２１３に開閉回動自在に取り付けられており、その回動軸心にはフレーム挟持部２１２を開閉回動させるための駆動源となるエアーシリンダ２１７を備えている。さらに、加熱手段２１４は、フレーム１１とほぼ同じサイズで厚みが１．６ｍｍ程度で円形に形成されたラバーヒータからなり、ウエーハ保持部２１１に保持されたウエーハ１０をウエーハ保持部２１１、フレーム１１を介して５０℃〜６０℃程度に加熱する。 The frame holding portion 212 has a width equivalent to that of the wafer holding portion 211, is formed in a substantially L-shaped cover shape, and is attached to the base member 213 so as to be openable and closable. Is provided with an air cylinder 217 serving as a drive source for opening and closing the frame holding portion 212. Further, the heating means 214 is composed of a rubber heater that is substantially the same size as the frame 11 and has a thickness of about 1.6 mm, and is formed in a circle. The wafer holding unit 211 and the frame 11 are connected to the wafer 10 held by the wafer holding unit 211. To about 50 ° C to 60 ° C.

一方、ノズル手段２３０は、ウエーハ１０の直径に対応して配設された２以上、本実施の形態では例えば１０個の噴射ノズル２３１と、これら噴射ノズル２３１を支持してチャックテーブル２１０の上部を前後方向に水平移動する移動部２３２と、チャックテーブル２１０や移動部２３２を収容する筐体２３３と、を備えている。 On the other hand, the nozzle means 230 includes two or more nozzles 231 arranged corresponding to the diameter of the wafer 10, for example, ten injection nozzles 231 in the present embodiment, and the upper portion of the chuck table 210 supporting these injection nozzles 231. A moving unit 232 that horizontally moves in the front-rear direction and a housing 233 that houses the chuck table 210 and the moving unit 232 are provided.

筐体２３３は、チャックテーブル２１０を昇降自在に収容し得る大きさの上方開口の箱状のものであり、手前側一辺を回動支点として上方開口部を開閉自在に閉塞する蓋２３４（図１、図３および図８にのみ図示する）を有する。この蓋２３４は、例えば透明アクリル板により形成されて閉塞状態でオペレータが筐体２３３の内部を視認できるように構成されている。また、蓋２３４の一部には蓋２３４を開閉させるためのエアーピストン２３５に連結されている。また、筐体２３３の底壁２３３ｂは前後方向において後ろ下がりに傾斜して形成され、底壁２３３ｂの低い方の下流側には排水口２３６が形成されている。 The casing 233 is a box-shaped box having an upper opening large enough to accommodate the chuck table 210 so as to be able to move up and down, and a lid 234 (FIG. 1) that closes the upper opening so that the upper opening can be opened and closed with one side on the front side as a pivot. 3 and FIG. 8 only). The lid 234 is formed of, for example, a transparent acrylic plate so that the operator can visually recognize the inside of the housing 233 in a closed state. A part of the lid 234 is connected to an air piston 235 for opening and closing the lid 234. Further, the bottom wall 233b of the housing 233 is formed so as to be inclined rearward and downward in the front-rear direction, and a drain port 236 is formed on the lower downstream side of the bottom wall 233b.

このような筐体２３３に収納されるチャックテーブル２１０は、このチャックテーブル２１０を昇降自在に支持する支持機構２３７を備えている。支持機構２３７は、底壁２３３ｂに形成された開口２３８を通してベース材２１３の下面に固定された複数本、例えば３本のシリンダ軸２３７ａと、底板２３３ｂの下面に取り付けられてピストン２３７ａを上下動させるエアーシリンダ２３７ｂとからなっている。このように構成された支持機構２３７は、エアーシリンダ２３７ｂを作動することにより、チャックテーブル２１０を図５に示す下方位置である収容位置と、図６に示す上方位置である着脱位置とに選択的に位置付ける。ここで、支持機構２３７周りにはベース材２１３の下面と底壁２３３ｂの上面とに固定されて伸縮自在な蛇腹部材２３９が設けられ、チャックテーブル２１０の上下動に伴い伸縮することで液状樹脂等が入り込まないように構成されている。 The chuck table 210 accommodated in the housing 233 includes a support mechanism 237 that supports the chuck table 210 so as to be movable up and down. The support mechanism 237 is attached to a plurality of, for example, three cylinder shafts 237a fixed to the lower surface of the base member 213 through an opening 238 formed in the bottom wall 233b and the lower surface of the bottom plate 233b, and moves the piston 237a up and down. It consists of an air cylinder 237b. The support mechanism 237 configured as described above operates the air cylinder 237b to selectively move the chuck table 210 to the storage position which is the lower position shown in FIG. 5 and the attachment / detachment position which is the upper position shown in FIG. Position. Here, an elastic bellows member 239 is provided around the support mechanism 237 and fixed to the lower surface of the base member 213 and the upper surface of the bottom wall 233b. Is configured not to enter.

また、噴射ノズル２３１は、スプレ方式の２流体ノズルであって、図９に示すように、液状樹脂供給源２４０から供給される液状樹脂に空気供給源２４１から供給される空気を混合させることで液状樹脂をウエーハ１０の表面に向けて上空から霧状に噴出させるものである。これら噴射ノズル２３１を支持する移動部２３２は、筐体２３３の一つの側壁２３３ｓに前後方向に沿わせて形成されたスリット溝２５０を介して外部に延設された延設部２３２ａが移動機構２５１に連結されることにより、筐体２３３内を前後方向に移動自在に設けられている。移動機構２５１は、筐体２３３の外部手前側に取り付けられた正逆転自在なモータ２５２と奥側に取り付けられた従動プーリ２５３とモータ２５２のモータプーリ２５２ａと従動プーリ２５３との間に掛け渡された駆動ベルト２５４とからなり、駆動ベルト２５４の一部が延設部２３２ａに連結されることにより、モータ２５２の正逆転に従い移動部２３２が前後方向に往復動するように構成されている。ここで、移動部２３２は筐体２３３内の最奥部が待機位置として設定されている。筐体２３３の側壁２３３ｓには、移動部２３２の移動を安定させるためのガイドレール２５５が設けられている。 Further, the spray nozzle 231 is a spray type two-fluid nozzle, and as shown in FIG. 9, the liquid resin supplied from the liquid resin supply source 240 is mixed with the air supplied from the air supply source 241. The liquid resin is ejected in the form of a mist toward the surface of the wafer 10 from above. The moving part 232 that supports these injection nozzles 231 includes an extending part 232 a that extends outwardly through a slit groove 250 that is formed along the front-rear direction on one side wall 233 s of the housing 233. By being connected to, the housing 233 is provided so as to be movable in the front-rear direction. The moving mechanism 251 is stretched between a motor 252 that can be rotated forward and backward attached to the outer front side of the housing 233, a driven pulley 253 attached to the inner side, a motor pulley 252a of the motor 252, and a driven pulley 253. The driving belt 254 is configured such that a part of the driving belt 254 is connected to the extending portion 232a, so that the moving portion 232 reciprocates in the front-rear direction in accordance with forward and reverse rotation of the motor 252. Here, in the moving unit 232, the innermost part in the housing 233 is set as a standby position. A guide rail 255 for stabilizing the movement of the moving unit 232 is provided on the side wall 233s of the housing 233.

また、１０個の噴射ノズル２３１は、図７に示すように、例えば直径３００ｍｍサイズのウエーハ１０Ｌや直径８インチサイズのウエーハ１０Ｓを想定して設けたものであり、最大直径３００ｍｍ分を略１０等分した一直線上の位置にそれぞれの噴射ノズル２３１が配設され、中央の６個の噴射ノズル２３１が直径８インチサイズのウエーハ１０Ｓと共用とされ、外側の４個の噴射ノズル２３１は直径３００ｍｍサイズのウエーハ１０Ｌ専用とされている。 Further, as shown in FIG. 7, the ten injection nozzles 231 are provided assuming a wafer 10L having a diameter of 300 mm or a wafer 10S having a diameter of 8 inches, and the maximum diameter of 300 mm is approximately 10 or the like. Each of the spray nozzles 231 is arranged at a position on a straight line, the central six spray nozzles 231 are shared with the wafer 10S having a diameter of 8 inches, and the outer four spray nozzles 231 are 300 mm in diameter. Is dedicated to 10L wafer.

ここで、噴射ノズル２３１は、それぞれ開閉弁２４３を介して液状樹脂供給源２４０に配管され、また、それぞれ開閉弁２４４を介して空気供給源２４１に配管され、制御手段２４５による弁の開閉制御に従い、ウエーハ１０のサイズに応じて選択的に作動するように構成されている。ここで、制御手段２４５による弁の開閉制御は、ウエーハ１０の噴射領域に対応しても選択的に実行される。例えば、図７において、直径８インチサイズのウエーハ１０Ｓを対象とする場合であれば、タイミングＡではウエーハ１０Ｓの噴射領域が短いため、中央２個の噴射ノズル２３１のみが作動し、その後、段階的に作動する噴射ノズル２３１が増加し、タイミングＢではウエーハ１０Ｓの噴射領域が最大となるため、中央６個の噴射ノズル２３１が作動し、その後、段階的に作動する噴射ノズル２３１が減少し、タイミングＣではウエーハ１０Ｓの噴射領域が短いため、中央２個の噴射ノズル２３１のみが作動するように制御する。 Here, the injection nozzles 231 are respectively piped to the liquid resin supply source 240 via the on-off valve 243, and are respectively piped to the air supply source 241 via the on-off valve 244, according to the valve opening / closing control by the control means 245. It is configured to selectively operate according to the size of the wafer 10. Here, the opening / closing control of the valve by the control means 245 is selectively executed even in correspondence with the injection region of the wafer 10. For example, in FIG. 7, in the case where the wafer 10S having a diameter of 8 inches is targeted, since the injection area of the wafer 10S is short at the timing A, only the central two injection nozzles 231 are operated, and then stepwise. Since the injection area of the wafer 10S is maximized at the timing B, the central six injection nozzles 231 are operated, and thereafter, the injection nozzles 231 that are operated stepwise are decreased. In C, since the injection area of the wafer 10S is short, only the central two injection nozzles 231 are controlled to operate.

直径３００ｍｍサイズのウエーハ１０Ｌを対象とする場合であれば、タイミングＡ´ではウエーハ１０Ｌの噴射領域が短いため、中央２個の噴射ノズル２３１のみが作動し、その後、段階的に作動する噴射ノズル２３１が増加し、タイミングＢ´ではウエーハ１０Ｌの噴射領域が最大となるため、１０個全ての噴射ノズル２３１が作動し、その後、段階的に作動する噴射ノズル２３１が減少し、タイミングＣ´ではウエーハ１０Ｌの噴射領域が短いため、中央２個の噴射ノズル２３１のみが作動するように制御する。 If the wafer 10L having a diameter of 300 mm is a target, since the injection region of the wafer 10L is short at the timing A ′, only the central two injection nozzles 231 operate, and then the injection nozzles 231 that operate in stages. Since the injection area of the wafer 10L is maximized at the timing B ′, all the ten injection nozzles 231 are operated, and thereafter, the injection nozzles 231 that are operated stepwise are decreased. At the timing C ′, the wafer 10L is increased. Since the injection region is short, only the central two injection nozzles 231 are controlled to operate.

さらに、本実施の形態の保護膜被覆装置２００は、筐体２３３の内壁２３３ｉに洗浄水を供給する洗浄水シャワーノズル２７１と、噴射ノズル２３１の先端を洗浄する先端洗浄ノズル２７２と、チャックテーブル２１０を洗浄するテーブル洗浄ノズル２７３と、を備えている。洗浄水シャワーノズル２７１は、筐体２３３の４つの内壁２３３ｉの上部側位置にそれぞれ取り付けられて内壁２３３ｉ側に向けて洗浄水を噴出する多数の噴出口を有するパイプ状のものである。先端洗浄ノズル２７２は、複数の洗浄水の噴出口が噴射ノズル２３１の先端付近に近接対向するように移動部２３２に支持されたパイプ状のものである。テーブル洗浄ノズル２７３は、複数の洗浄水の噴出口が下向きとなるようにして移動部２３２に支持されたパイプ状のものである。これら洗浄水シャワーノズル２７１、先端洗浄ノズル２７２およびテーブル洗浄ノズル２７３は、開閉弁２４６を介して洗浄水供給源２４７に連結され、制御手段２４５による開閉弁２４６の開閉制御に従い適宜のタイミングで対象物の洗浄を行う。 Furthermore, the protective film coating apparatus 200 of the present embodiment includes a cleaning water shower nozzle 271 that supplies cleaning water to the inner wall 233 i of the housing 233, a tip cleaning nozzle 272 that cleans the tip of the spray nozzle 231, and a chuck table 210. And a table cleaning nozzle 273 for cleaning. The washing water shower nozzle 271 is a pipe-like member that is attached to each of the upper side positions of the four inner walls 233i of the housing 233 and has a large number of jets for jetting washing water toward the inner wall 233i. The tip cleaning nozzle 272 is in the form of a pipe supported by the moving unit 232 such that a plurality of cleaning water jet outlets are close to and opposed to the vicinity of the tip of the spray nozzle 231. The table cleaning nozzle 273 is in the form of a pipe supported by the moving unit 232 such that a plurality of cleaning water jets face downward. The cleaning water shower nozzle 271, the tip cleaning nozzle 272, and the table cleaning nozzle 273 are connected to a cleaning water supply source 247 via an opening / closing valve 246, and are subject to appropriate timing according to the opening / closing control of the opening / closing valve 246 by the control means 245. Perform cleaning.

また、筐体２３３の一つの側壁２３３ｓの中央上部側には、図示しない吸引源に連通する吸引開口２８１が形成されている。 Further, a suction opening 281 communicating with a suction source (not shown) is formed on the center upper side of one side wall 233s of the housing 233.

次に、本実施の形態のレーザー加工装置１の動作について説明する。まず、環状のフレーム１１に粘着テープ１２を介して支持された加工前のウエーハ１０は、加工面である表面１０ａを上側にしてカセット１３の所定位置に収容されている。カセット１３の所定位置に収容された加工前のウエーハ１０は、図示しない昇降手段によってカセットテーブル１３１が上下動することにより搬出位置に位置付けられる。そして、ウエーハ搬出入手段１４が進退作動して搬出位置に位置付けられたウエーハ１０を仮置き部１５ａに配設された仮置きテーブル１５に搬出する。仮置きテーブル１５に搬出されたウエーハ１０に対して、中心位置を合わせる中心位置合わせ工程が実施される。 Next, operation | movement of the laser processing apparatus 1 of this Embodiment is demonstrated. First, the unprocessed wafer 10 supported by the annular frame 11 via the adhesive tape 12 is housed in a predetermined position of the cassette 13 with the surface 10a, which is the processing surface, facing upward. The unprocessed wafer 10 accommodated in a predetermined position of the cassette 13 is positioned at the unloading position when the cassette table 131 moves up and down by lifting means (not shown). Then, the wafer carry-in / out means 14 is moved forward and backward to carry the wafer 10 positioned at the carry-out position to the temporary placement table 15 disposed in the temporary placement portion 15a. A center alignment process for aligning the center position is performed on the wafer 10 carried out to the temporary table 15.

仮置きテーブル１５によって中心位置合わせされた加工前のウエーハ１０は、第１の搬送手段１６の保持手段１６１によって吸引保持され、支持手段１６２を中心とする旋回動作によって保護膜被覆装置２００のチャックテーブル２１０上に搬送される。このとき、筐体２３３の蓋２３４はエアーピストン２３５によって開放状態にあり、また、チャックテーブル２１０はエアーシリンダ２３７ｂの上昇動作により図６に示すようなウエーハ１０の着脱が可能な着脱位置に位置付けられている。さらに、フレーム挟持部２１２は、図６に示すように開放状態とされている。これにより、チャックテーブル２１０上に搬送されたウエーハ１０はウエーハ保持部２１１上に吸引保持されるとともに、エアーシリンダ２１７の作動によりフレーム挟持部２１２がフレーム１１の左右両端を押えるように閉じられる。 The unprocessed wafer 10 centered by the temporary placement table 15 is sucked and held by the holding means 161 of the first conveying means 16, and the chuck table of the protective film coating apparatus 200 is rotated by the support means 162 as a center. It is conveyed onto 210. At this time, the lid 234 of the housing 233 is opened by the air piston 235, and the chuck table 210 is positioned at an attach / detach position where the wafer 10 can be attached / detached as shown in FIG. 6 by the ascending operation of the air cylinder 237b. ing. Further, the frame holding portion 212 is in an open state as shown in FIG. As a result, the wafer 10 conveyed onto the chuck table 210 is sucked and held on the wafer holding portion 211, and the frame clamping portion 212 is closed so as to press the left and right ends of the frame 11 by the operation of the air cylinder 217.

この後、エアーシリンダ２３７ｂの下降動作により、チャックテーブル２１０に保持されたウエーハ１０を、図５に示すような収納位置に位置付ける。そして、筐体２３３の蓋２３４はエアーピストン２３５によって閉塞状態とする。この状態で、モータ２５２を駆動させて移動部２３２を後ろ側から手前側にウエーハ１０上空を水平に横切るように所定速度で移動させるとともに、ウエーハ１０のサイズやウエーハ１０の噴射領域に応じた制御手段２４５による開閉弁２４３，２４４の開閉制御に従い選択された必要な噴射ノズル２３１から液状樹脂を下方のウエーハ１０に向けて霧状に噴出させることで、ウエーハ１０の表面１０ａに液状樹脂による保護膜を被覆する。図８は、例えば直径３００ｍｍサイズのウエーハ１０Ｌに対して、タイミングＢ´なる最大直径領域にて全ての噴射ノズル２３１から液状樹脂を霧状に噴出させている様子を示している。図８に示すように、隣接する噴射ノズル２３１同士で液状樹脂の噴射領域が均等にオーバーラップするように設定されている。なお、液状樹脂としては、例えばＰＶＡ（Poly Vinyl Alcohol）、ＰＥＧ（Poly Ethylene Glycol）、ＰＥＯ（Poly Ethylene Oxide）等の水溶性のレジストが望ましい。このような動作時に、フレーム１１の左右両端付近は、噴射ノズル２３１から噴射される液状樹脂や筐体２３３内を浮遊する液体樹脂が存在していても、フレーム挟持部２１２によってカバーされることで遮断されるので、液状樹脂が付着することはない。また、筐体２３３は蓋２３４により閉塞されているので、液状樹脂等が筐体２３３外に飛散することもない。 Thereafter, the wafer 10 held on the chuck table 210 is positioned at the storage position as shown in FIG. 5 by the lowering operation of the air cylinder 237b. Then, the lid 234 of the housing 233 is closed by the air piston 235. In this state, the motor 252 is driven to move the moving unit 232 from the rear side to the front side at a predetermined speed so as to cross horizontally over the wafer 10 and control according to the size of the wafer 10 and the injection region of the wafer 10. By spraying the liquid resin from the required injection nozzle 231 selected according to the opening / closing control of the opening / closing valves 243 and 244 by the means 245 in the form of a mist toward the lower wafer 10, a protective film made of the liquid resin is applied to the surface 10 a of the wafer 10. Coating. FIG. 8 shows a state in which liquid resin is ejected from all the ejection nozzles 231 in the maximum diameter region at timing B ′, for example, with respect to a wafer 10L having a diameter of 300 mm. As shown in FIG. 8, the injection regions of the liquid resin are set to overlap evenly between adjacent injection nozzles 231. The liquid resin is preferably a water-soluble resist such as PVA (Poly Vinyl Alcohol), PEG (Poly Ethylene Glycol), or PEO (Poly Ethylene Oxide). During such an operation, the vicinity of the left and right ends of the frame 11 is covered by the frame clamping unit 212 even when there is a liquid resin sprayed from the spray nozzle 231 or a liquid resin floating in the housing 233. Since it is blocked, the liquid resin does not adhere. Further, since the housing 233 is closed by the lid 234, liquid resin or the like does not scatter outside the housing 233.

移動部２３２が手前側まで移動したら、噴射ノズル２３１による液状樹脂の噴射を停止させるとともに、モータ２５２を逆転させて移動部２３２を最奥部なる待機位置に戻す。そして、ウエーハ１０の表面１０ａに霧状に噴出された液状樹脂は、経時的に硬化し、図１０に示すように、保護膜１１０となる。この保護膜１１０の厚さは、５μｍ程度でよい。ここで、これら一連の動作において、加熱手段２１４は常時加熱状態にあり、チャックテーブル２１０およびフレーム１１を介してウエーハ１０を加熱しているので、ウエーハ１０の表面１０ａに被覆された保護膜１１０の乾燥が促進され、短時間で乾燥する。加えて、これら一連の動作において、吸引源も常時作動状態にあり、吸引開口２８１を介して筐体２３３内が吸気され、液状樹脂が噴射された筐体２３３内の湿度が低下するので、保護膜１１０の乾燥が一層促進される。 When the moving unit 232 moves to the near side, the injection of the liquid resin by the injection nozzle 231 is stopped, and the motor 252 is reversed to return the moving unit 232 to the standby position which is the innermost part. Then, the liquid resin ejected in the form of a mist onto the surface 10a of the wafer 10 is cured with time and becomes a protective film 110 as shown in FIG. The thickness of the protective film 110 may be about 5 μm. Here, in these series of operations, the heating means 214 is always in a heated state and heats the wafer 10 via the chuck table 210 and the frame 11, so that the protective film 110 coated on the surface 10 a of the wafer 10 is formed. Drying is accelerated and dries in a short time. In addition, in these series of operations, the suction source is always in an operating state, the inside of the housing 233 is sucked through the suction opening 281, and the humidity in the housing 233 to which the liquid resin is injected is reduced, so that protection is provided. Drying of the film 110 is further promoted.

ウエーハ１０の加工面である表面１０ａに保護膜１１０を被覆した後、筐体２３３の蓋２３４をエアーピストン２３５によって開放状態とし、また、チャックテーブル２１０はエアーシリンダ２３７ｂの上昇動作により図６に示すようなウエーハ１０の着脱が可能な着脱位置に位置付ける。さらに、フレーム挟持部２１２は、図６に示すように開放状態とし、ウエーハ保持部２１１に対する吸引保持も解除する。そして、ウエーハ保持部２１１上のウエーハ１０に関して、フレーム１１の左右両端を第２の搬送手段１７の搬送パッド１７１によって吸引保持し、Ｘ軸方向のスライド動作によってチャックテーブル３の吸着チャック３２上に搬送し、吸着チャック３２上に吸引保持させる。このような搬送パッド１７１によるフレーム１１の搬送に際して、搬送パッド１７１が吸引保持するフレーム１１の左右両端の所要領域には液状樹脂が付着していないので、滑り等がなく確実で安定した搬送が可能となる。このようにしてウエーハ１０を吸引保持したチャックテーブル３は、図示しない移動手段によってＸ軸方向に移動することにより、レーザー光線照射手段４に配設された撮像手段５の直下に位置付けられる。 After the protective film 110 is coated on the surface 10a that is the processing surface of the wafer 10, the lid 234 of the housing 233 is opened by the air piston 235, and the chuck table 210 is shown in FIG. 6 by the ascending operation of the air cylinder 237b. Such a wafer 10 is positioned at a position where it can be attached and detached. Further, the frame clamping unit 212 is in an open state as shown in FIG. 6, and the suction holding with respect to the wafer holding unit 211 is also released. Then, with respect to the wafer 10 on the wafer holding unit 211, the left and right ends of the frame 11 are sucked and held by the transport pads 171 of the second transport means 17, and transported onto the suction chuck 32 of the chuck table 3 by a sliding operation in the X-axis direction. And sucked and held on the suction chuck 32. When the frame 11 is transported by such a transport pad 171, liquid resin does not adhere to the required regions on both the left and right sides of the frame 11 that are sucked and held by the transport pad 171, so that reliable and stable transport is possible without slipping. It becomes. The chuck table 3 that sucks and holds the wafer 10 in this way is positioned directly below the image pickup means 5 disposed in the laser beam irradiation means 4 by moving in the X-axis direction by a moving means (not shown).

一方、筐体２３３内においては、保護膜１１０を被覆したウエーハ１０を取り出すタイミング毎に、制御手段２４５による制御の下に、洗浄水シャワーノズル２７１の噴出口から内壁２３３ｉに向けて洗浄水をシャワー状に噴出させることで内壁２３３ｉの洗浄が実行されるとともに、先端洗浄ノズル２７２の噴出口から各噴射ノズル２３１の先端に向けて洗浄水を噴出させることで先端に溜まった泡などの洗浄が実行される。洗浄水は、余分な液状樹脂等とともに、底壁２３３ｂ上を傾斜に従い下流側に流れ、排水口２３６から筐体２３３外に排出される。 On the other hand, in the housing 233, the washing water is showered from the outlet of the washing water shower nozzle 271 toward the inner wall 233i under the control of the control means 245 every time the wafer 10 covered with the protective film 110 is taken out. The inner wall 233i is cleaned by being ejected in a shape, and the cleaning water is ejected from the outlet of the tip cleaning nozzle 272 toward the tip of each injection nozzle 231 to wash bubbles accumulated at the tip. Is done. The washing water flows along the bottom wall 233b to the downstream side along with the excess liquid resin and the like, and is discharged out of the housing 233 from the drain port 236.

チャックテーブル３が撮像手段５の直下に位置付けられると、撮像手段５および図示しない制御手段によってウエーハ１０に所定方向に形成されているストリート１０１と、ストリート１０１に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段４の集光器４２との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理が実行され、レーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。また、ウエーハ１０に形成されている上記所定方向に対して直角に延びるストリート１０１に対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。 When the chuck table 3 is positioned immediately below the image pickup means 5, the street 101 formed in the wafer 10 in a predetermined direction by the image pickup means 5 and a control means (not shown), and the laser beam irradiation means 4 that irradiates the laser beam along the street 101. Image processing such as pattern matching for alignment with the condenser 42 is performed, and alignment of the laser beam irradiation position is performed. The alignment of the laser beam irradiation position is similarly performed on the street 101 formed on the wafer 10 and extending at right angles to the predetermined direction.

以上のようにしてチャックテーブル３上に保持されているウエーハ１０に形成されているストリート１０１を検出し、レーザー光線照射位置のアライメントが行われたら、図１１−１に示すように、チャックテーブル３をレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段４の集光器４２が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定のストリート１０１を集光器４２の直下に位置付ける。このとき、図１１−１に示すように、ウエーハ１０は、ストリート１０１の一端（図１１−１においては左端）が集光器４２の直下に位置するように位置付けられる。次に、レーザー光線照射手段４の集光器４２からパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル３、すなわちウエーハ１０を図１１−１において矢印Ｘ１で示す方向に所定の加工送り速度で移動させる。そして、図１１−２に示すように、ストリート１０１の他端（図１１−２においては右端）が集光器４２の直下位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル３、すなわちウエーハ１０の移動を停止する。このレーザー光線照射工程においては、パルスレーザー光線の集光点Ｐをストリート１０１の表面付近に合わせる。 When the street 101 formed on the wafer 10 held on the chuck table 3 is detected as described above and alignment of the laser beam irradiation position is performed, the chuck table 3 is moved as shown in FIG. The laser beam irradiation means 4 for irradiating the laser beam moves to the laser beam irradiation region where the condenser 42 is located, and the predetermined street 101 is positioned immediately below the condenser 42. At this time, as shown in FIG. 11A, the wafer 10 is positioned so that one end (the left end in FIG. 11A) of the street 101 is positioned directly below the condenser 42. Next, the chuck table 3, that is, the wafer 10 is moved in the direction indicated by the arrow X 1 in FIG. 11A at a predetermined processing feed speed while irradiating a pulse laser beam from the condenser 42 of the laser beam irradiation means 4. Then, as shown in FIG. 11-2, when the other end of the street 101 (the right end in FIG. 11-2) reaches a position directly below the condenser 42, the irradiation of the pulse laser beam is stopped and the chuck table 3, that is, The movement of the wafer 10 is stopped. In this laser beam irradiation step, the condensing point P of the pulse laser beam is matched with the vicinity of the surface of the street 101.

このようなレーザー光線照射工程を実行することにより、ウエーハ１０のストリート１０１には図１２に示すようにレーザー加工溝１２０が形成される。このとき、図１２に示すように、レーザー光線の照射によりデブリ１３０が発生しても、このデブリ１３０は保護膜１１０によって遮断され、デバイス１０２およびボンディングパッド等に付着することはない。このようなレーザー光線照射工程をウエーハ１０の全てのストリート１０１に対して実行する。 By executing such a laser beam irradiation step, a laser processing groove 120 is formed on the street 101 of the wafer 10 as shown in FIG. At this time, as shown in FIG. 12, even if the debris 130 is generated by the irradiation of the laser beam, the debris 130 is blocked by the protective film 110 and does not adhere to the device 102 and the bonding pad. Such a laser beam irradiation process is performed on all the streets 101 of the wafer 10.

なお、上記のレーザー光線照射工程は、例えば以下の加工条件で実行される。
レーザー光線の光源：ＹＶＯ₄レーザーまたはＹＡＧレーザー
波長：３５５ｎｍ
繰り返し周波数：２０ｋＨｚ
出力：３Ｗ
パルス幅：０．１ｎｓ
集光スポット径：φ５μｍ
加工送り速度：１００ｍｍ／ｓ In addition, said laser beam irradiation process is performed on the following process conditions, for example.
Laser light source: YVO ₄ laser or YAG laser Wavelength: 355 nm
Repetition frequency: 20 kHz
Output: 3W
Pulse width: 0.1 ns
Condensing spot diameter: φ5μm
Processing feed rate: 100 mm / s

上述のレーザー光線照射工程をウエーハ１０の全てのストリート１０１に沿って実行した後、ウエーハ１０を保持しているチャックテーブル３を、最初にウエーハ１０を吸引保持した位置に戻し、ここでウエーハ１０の吸引保持を解除する。そして、ウエーハ１０を有するフレーム１１の左右両端を第２の搬送手段１７の搬送パッド１７１によって吸引保持し、支持手段１７３を中心とする旋回動作によって洗浄手段８を構成するスピンナーテーブル８１上に搬送し、スピンナーテーブル８１上に吸引保持させる。そして、スピンナーテーブル８１によってウエーハ１０を回転させながら洗浄ノズルから洗浄水を供給することで、ウエーハ１０の表面１０ａに被覆された水溶性の保護膜１１０を洗い流す。このとき、レーザー加工時に発生したデブリ１３０も一緒に除去される。 After the above laser beam irradiation process is executed along all the streets 101 of the wafer 10, the chuck table 3 holding the wafer 10 is first returned to the position where the wafer 10 is sucked and held. Here, the wafer 10 is sucked. Release the hold. Then, the left and right ends of the frame 11 having the wafer 10 are sucked and held by the transport pads 171 of the second transport means 17 and transported onto a spinner table 81 constituting the cleaning means 8 by a turning operation centering on the support means 173. Then, suction is held on the spinner table 81. Then, cleaning water is supplied from the cleaning nozzle while rotating the wafer 10 by the spinner table 81, thereby washing away the water-soluble protective film 110 coated on the surface 10 a of the wafer 10. At this time, the debris 130 generated during the laser processing is also removed.

洗浄が完了し、エアーノズルからのエアー供給によりウエーハ１０が乾燥したら、スピンナーテーブル８１に保持されているウエーハ１０の吸引保持を解除する。そして、スピンナーテーブル８１上の加工後のウエーハ１０は、第１の搬送手段１６によって仮置き部１５ａに配設された仮置きテーブル１５に搬出する。仮置きテーブル１５に搬出された加工後のウエーハ１０は、ウエーハ搬出入手段１４によってカセット１３の所定位置に収納される。 When the cleaning is completed and the wafer 10 is dried by supplying air from the air nozzle, the suction holding of the wafer 10 held on the spinner table 81 is released. Then, the processed wafer 10 on the spinner table 81 is carried out to the temporary placement table 15 disposed in the temporary placement portion 15 a by the first transport means 16. The processed wafer 10 carried out to the temporary placement table 15 is stored in a predetermined position of the cassette 13 by the wafer carry-in / out means 14.

なお、加工済みのウエーハ１０を洗浄手段８に搬送し、洗浄工程および乾燥工程を実行している間に、ウエーハ搬出入手段１４を作動して次に加工する加工前のウエーハ１０をカセット１３から仮置きテーブル１５に搬出し、仮置きテーブル１５に搬出されたウエーハ１０を第１の搬送手段１６によって保護膜被覆装置２００に搬送する。そして、保護膜被覆装置２００に搬送された次に加工するウエーハ１０に対して上述の保護膜被覆工程を同様に実行する。このようにして保護膜被覆工程が実行されたウエーハ１０は、第２の搬送手段17によってチャックテーブル３上に搬送され、上述したレーザー光線照射工程が実行される。そして、レーザー光線照射工程が実行されたウエーハ１０は、第２の搬送手段１７によって洗浄手段８に搬送され、上述した洗浄工程および乾燥工程が実行される。 While the processed wafer 10 is conveyed to the cleaning means 8 and the cleaning process and the drying process are being executed, the wafer unloading means 14 is operated to move the wafer 10 before processing next from the cassette 13. The wafer 10 carried out to the temporary placement table 15 is carried to the protective film coating apparatus 200 by the first carrying means 16. And the above-mentioned protective film coating process is similarly performed with respect to the wafer 10 processed next, conveyed to the protective film coating apparatus 200. FIG. The wafer 10 thus subjected to the protective film coating process is transported onto the chuck table 3 by the second transport means 17, and the laser beam irradiation process described above is performed. Then, the wafer 10 on which the laser beam irradiation process has been executed is transferred to the cleaning means 8 by the second transfer means 17, and the above-described cleaning process and drying process are executed.

そして、カセット１３に収容された所定枚数の全てのウエーハ１０について加工処理が終了すると、保護膜被覆装置２００においては、ウエーハ１０が取り出されて空のチャックテーブル２１０を収納位置まで下降させ、移動部２３２によってテーブル洗浄ノズル２７３を水平方向に移動させながら噴出口から洗浄水を噴出させることでチャックテーブル２１０周りの洗浄を行う。なお、チャックテーブル２１０の洗浄は、このようなタイミングに限らず、ユーザーにより設定される適宜タイミング毎でよい。いずれにしても、筐体２３３の内壁２３３ｉや噴射ノズル２３１の先端ほどは汚れないため、内壁２３３ｉや噴射ノズル２３１の先端の洗浄よりも少ない頻度で洗浄を行えば十分である。 When the processing for all the predetermined number of wafers 10 stored in the cassette 13 is completed, the protective film coating apparatus 200 takes out the wafer 10 and lowers the empty chuck table 210 to the storage position, thereby moving the moving unit. The cleaning around the chuck table 210 is performed by ejecting cleaning water from the ejection port while moving the table cleaning nozzle 273 in the horizontal direction by H.232. The cleaning of the chuck table 210 is not limited to such timing, and may be performed at appropriate timings set by the user. In any case, since the inner wall 233i of the housing 233 and the tip of the injection nozzle 231 are not as dirty, it is sufficient to perform the cleaning less frequently than the cleaning of the inner wall 233i and the tip of the injection nozzle 231.

本実施の形態の保護膜被覆装置２００によれば、筐体２３３内において、ウエーハ１０の直径に対応して配設された複数の噴射ノズル２３１が、チャックテーブル２１０に保持されたウエーハ１０の上部を移動部２３２によって所定速度で移動しながら液状樹脂を霧状に噴射することでウエーハ１０上に保護膜１１０を被覆するので、必要量の液状樹脂を噴射ノズル２３１からの噴射によってウエーハ１０上に供給するだけで効率よく所望の保護膜１１０を被覆でき、消費する液状樹脂量を低減させることができる。特に、ウエーハ１０の直径に対応して選択された必要な噴射ノズル２３１から液状樹脂をウエーハ１０上に供給させることで、消費する液状樹脂量をより一層低減させることができる。さらには、噴射ノズル２３１をウエーハ１０の噴射領域に対応して選択的に作動させることにより、消費する液状樹脂量をより一層低減させることができる。本実施の形態の保護膜被覆装置２００によると、例えば、８インチサイズのウエーハ１０ｓに厚さ５μｍの保護膜１１０を被覆する場合であれば、５ｍｌ程度の少量の液状樹脂の噴出で済んだものである。 According to the protective film coating apparatus 200 of the present embodiment, a plurality of injection nozzles 231 arranged in the housing 233 corresponding to the diameter of the wafer 10 are arranged on the upper portion of the wafer 10 held by the chuck table 210. Since the protective film 110 is coated on the wafer 10 by spraying the liquid resin in the form of a mist while moving at a predetermined speed by the moving unit 232, a necessary amount of the liquid resin is sprayed onto the wafer 10 by spraying from the spray nozzle 231. The desired protective film 110 can be efficiently coated simply by supplying, and the amount of liquid resin consumed can be reduced. In particular, the amount of liquid resin to be consumed can be further reduced by supplying the liquid resin onto the wafer 10 from the necessary injection nozzles 231 selected according to the diameter of the wafer 10. Furthermore, by selectively operating the injection nozzle 231 corresponding to the injection region of the wafer 10, the amount of liquid resin to be consumed can be further reduced. According to the protective film coating apparatus 200 of the present embodiment, for example, when a protective film 110 having a thickness of 5 μm is coated on an 8-inch wafer 10s, only a small amount of liquid resin of about 5 ml is ejected. It is.

また、本実施の形態の保護膜被覆装置２００によれば、チャックテーブル２１０に加熱手段２１４が配設され、チャックテーブル２１０を介してウエーハ１０が暖められるので、ウエーハ１０に対する液状樹脂の噴射から保護膜１１０の乾燥までの時間を短縮させることができ、生産性を向上させることができる。特に、筐体２３３の側壁２３３ｓに形成された吸引開口２８１を介して吸引源によって筐体２３３内の吸気を行うことで、液状樹脂が噴射された筐体２３３内の湿度を低下させることができ、保護膜１１０のより一層の早期乾燥に役立てることができる。本実施の形態の保護膜被覆装置２００によると、例えば、８インチサイズのウエーハ１０ｓに厚さ５μｍの保護膜１１０を被覆する場合であれば、液状樹脂の噴射から保護膜１１０の乾燥までに要する時間は３０秒〜６０秒程度で済んだものである。 Further, according to the protective film coating apparatus 200 of the present embodiment, the heating means 214 is disposed on the chuck table 210 and the wafer 10 is warmed via the chuck table 210, so that the liquid resin is sprayed onto the wafer 10. The time until drying of the film 110 can be shortened, and productivity can be improved. In particular, by sucking air in the housing 233 by the suction source through the suction opening 281 formed in the side wall 233s of the housing 233, the humidity in the housing 233 to which the liquid resin is injected can be reduced. This can be used for further early drying of the protective film 110. According to the protective film coating apparatus 200 of the present embodiment, for example, when a protective film 110 having a thickness of 5 μm is coated on an 8-inch wafer 10s, it is necessary from the spraying of the liquid resin to the drying of the protective film 110. The time is about 30 to 60 seconds.

また、本実施の形態の保護膜被覆装置２００によれば、チャックテーブル２１０がウエーハ１０をフレーム１１と一体に保持するウエーハ保持部２１１と、フレーム１１の所要位置に液状樹脂の付着を遮断するようにフレーム１１の両端を支持するフレーム挟持部２１２とを有し、筐体２３３内での液状樹脂の噴射による保護膜１１０の被覆時にフレーム１１の所要位置はフレーム挟持部２１２によって液状樹脂が付着しないので、液状樹脂が付着していない該所要位置をウエーハ搬送時の搬送パッド１７１による吸引保持に利用することで、確実な搬送が可能となる。 Further, according to the protective film coating apparatus 200 of the present embodiment, the chuck table 210 holds the wafer 10 integrally with the frame 11 so that the liquid resin is blocked from adhering to the required position of the frame 11. The frame 11 has a frame holding part 212 for supporting both ends of the frame 11, and the liquid resin is not attached to the required position of the frame 11 by the frame holding part 212 when the protective film 110 is covered by spraying the liquid resin in the housing 233. Therefore, reliable transport is possible by using the required position to which the liquid resin is not attached for suction holding by the transport pad 171 during wafer transport.

また、本実施の形態の保護膜被覆装置２００によれば、筐体２３３の内壁２３３ｉに洗浄水を供給する洗浄水シャワーノズル２７１と、噴射ノズル２３１の先端を洗浄する先端洗浄ノズル２７２と、チャックテーブル２１０を洗浄するテーブル洗浄ノズル２７３とが配設されているので、液状樹脂を供給して保護膜１１０を形成した後の適宜タイミングで洗浄水シャワーノズル２７１や先端洗浄ノズル２７２やテーブル洗浄ノズル２７３から対象部位に対して洗浄水を供給することで、筐体２３３内で液状樹脂や気泡などが溜まった部位の洗浄を自動的に行うことができ、量産時のメンテナンスフリーを実現することができる。また、筐体２３３の底壁２３３ｂが傾斜してその下流側に排水口２３６が形成されているので、保護膜１１０の被覆時に底壁２３３ｂに溜まった液状樹脂や洗浄後の洗浄水を排水口２３６から外部に排水させることができ、量産時のメンテナンスフリーを実現することができる。 Further, according to the protective film coating apparatus 200 of the present embodiment, the cleaning water shower nozzle 271 that supplies cleaning water to the inner wall 233i of the housing 233, the tip cleaning nozzle 272 that cleans the tip of the spray nozzle 231 and the chuck Since the table cleaning nozzle 273 for cleaning the table 210 is provided, the cleaning water shower nozzle 271, the tip cleaning nozzle 272, and the table cleaning nozzle 273 are provided at an appropriate timing after supplying the liquid resin and forming the protective film 110. By supplying cleaning water to the target part from the base, it is possible to automatically clean the part where liquid resin or bubbles are accumulated in the housing 233, and to realize maintenance-free during mass production. . Further, since the bottom wall 233b of the housing 233 is inclined and the drain port 236 is formed on the downstream side thereof, the liquid resin collected on the bottom wall 233b when the protective film 110 is covered and the washing water after cleaning are drained. 236 can be drained to the outside, and maintenance-free during mass production can be realized.

本発明は、上述した実施の形態に限らず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲であれば、種々の変形が可能である。例えば、本実施の形態では、噴射ノズル２３１を左右方向に一列に並べて移動部２３２によって前後方向に往復動するようにしたが、噴射ノズル２３１を前後方向に一列に並べて移動部によって左右方向に往復動するようにしてもよい。 The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention. For example, in this embodiment, the injection nozzles 231 are arranged in a line in the left-right direction and reciprocated in the front-rear direction by the moving unit 232. However, the injection nozzles 231 are arranged in a line in the front-rear direction and reciprocated in the left-right direction by the moving unit. You may make it move.

また、本実施の形態では、例えば保護膜被覆装置２００は加工装置１中に一体に組み込んだ例で説明したが、レーザー加工装置とは別体として構成し、レーザー加工装置に隣接して配設するようにしてもよい。 Further, in the present embodiment, for example, the protective film coating apparatus 200 has been described as an example in which the protective film coating apparatus 200 is integrally incorporated in the processing apparatus 1, but is configured as a separate body from the laser processing apparatus and disposed adjacent to the laser processing apparatus. You may make it do.

本実施の形態の保護膜被覆装置が一体に組み込まれたレーザー加工装置を示す外観斜視図である。It is an external appearance perspective view which shows the laser processing apparatus in which the protective film coating apparatus of this Embodiment was integrated. 本実施の形態に適用されるウエーハの構成例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structural example of the wafer applied to this Embodiment. 保護膜被覆装置の分解斜視図である。It is a disassembled perspective view of a protective film coating apparatus. チャックテーブル周りの分解斜視図である。It is a disassembled perspective view around a chuck table. チャックテーブルが収容位置に位置付けられた保護膜被覆装置を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the protective film coating | coated apparatus with which the chuck table was positioned in the accommodation position. チャックテーブルが着脱位置に位置付けられた保護膜被覆装置を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the protective film coating | coated apparatus with which the chuck table was located in the attachment or detachment position. チャックテーブルによるフレームの支持状態および噴射ノズルとの関係を示す概略斜視図である。It is a schematic perspective view which shows the support state of the flame | frame by a chuck table, and the relationship with an injection nozzle. 噴射ノズルによる液状樹脂の噴出状況を示す概略縦断正面図である。It is a schematic longitudinal cross-sectional front view which shows the ejection condition of liquid resin by an injection nozzle. 噴射ノズル等に対する供給系および制御系を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the supply system and control system with respect to an injection nozzle. 保護膜が被覆されたウエーハを示す要部拡大断面図である。It is a principal part expanded sectional view which shows the wafer by which the protective film was coat | covered. レーザー光線照射工程開始時を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the time of a laser beam irradiation process start. レーザー光線照射工程終了時を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the time of completion | finish of a laser beam irradiation process. レーザー加工されたウエーハを示す要部拡大断面図である。It is a principal part expanded sectional view which shows the wafer by which the laser processing was carried out.

Explanation of symbols

１０ウエーハ
１１フレーム
１２粘着テープ
２１０チャックテーブル
２１１ウエーハ保持部
２１２フレーム挟持部
２１４加熱手段
２３０ノズル手段
２３１噴射ノズル
２３２移動部
２３３筐体
２３３ｂ底壁
２３３ｉ内壁
２３３ｓ側壁
２３６排水口
２７１洗浄水シャワーノズル
２７２先端洗浄ノズル
２７３テーブル洗浄ノズル
２８１吸引開口 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Wafer 11 Frame 12 Adhesive tape 210 Chuck table 211 Wafer holding | maintenance part 212 Frame clamping part 214 Heating means 230 Nozzle means 231 Injection nozzle 232 Moving part 233 Case 233b Bottom wall 233i Inner wall 233s Side wall 236 Drain outlet 271 Washing water shower nozzle 272 Tip Cleaning nozzle 273 Table cleaning nozzle 281 Suction opening

Claims

A protective film coating apparatus comprising at least a chuck table for holding a wafer, and nozzle means for spraying a liquid resin onto the wafer held by the chuck table to cover the protective film,
The nozzle means includes
Two or more spray nozzles arranged corresponding to the diameter of the wafer;
A moving unit that supports the spray nozzle and moves above the chuck table;
Control means for selectively actuating some of the two or more spray nozzles in correspondence with the spray region of the wafer at the position of the two or more spray nozzles;
A housing for housing the chuck table and the moving unit;
A protective film coating apparatus comprising:

2. The protective film coating apparatus according to claim 1, wherein the chuck table is positioned at a storage position in which the chuck table is stored and a mounting / dismounting position at which the wafer is attached / detached.

The chuck table includes a wafer holding portion that holds the wafer disposed on the frame via an adhesive tape, a frame holding portion that supports the frame and blocks adhesion of the liquid resin to a required position of the frame. The protective film coating apparatus according to claim 1, wherein:

The protective film coating apparatus according to claim 1, wherein heating means is disposed on the chuck table.

A cleaning water shower nozzle that supplies cleaning water to the inner wall of the housing, a tip cleaning nozzle that cleans the tip of the spray nozzle, and a table cleaning nozzle that cleans the chuck table are arranged. The protective film coating apparatus according to any one of claims 1 to 4.

The protective film coating apparatus according to claim 1, wherein a bottom wall of the housing is formed to be inclined, and a drain outlet is formed on a downstream side of the bottom wall. .

The protective film coating apparatus according to claim 1, wherein a suction opening communicating with a suction source is formed on a side wall of the housing.