JP4666583B2

JP4666583B2 - Protective coating method

Info

Publication number: JP4666583B2
Application number: JP2005009820A
Authority: JP
Inventors: 信康北原; 仁志星野
Original assignee: Disco Corp
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2005-01-18
Filing date: 2005-01-18
Publication date: 2011-04-06
Anticipated expiration: 2025-01-18
Also published as: JP2006198450A; DE102006002240A1; TW200705512A; DE102006002240B4; TWI368254B

Description

本発明は、半導体ウエーハや光デバイスウエーハ等のウエーハの表面に樹脂の保護被膜を被覆する方法に関する。 The present invention relates to a method for coating a protective film of a resin on the surface of a wafer such as a semiconductor wafer or an optical device wafer.

当業者には周知の如く、半導体デバイス製造工程においては、シリコン等の半導体基板の表面に絶縁膜と機能膜が積層された積層体によって複数のＩＣ、ＬＳＩ等の半導体チップをマトリックス状に形成した半導体ウエーハが形成される。このように形成された半導体ウエーハは上記半導体チップがストリートと呼ばれる分割予定ラインによって区画されており、このストリートに沿って切断することによって個々の半導体チップを製造している。また、サファイヤ基板等の表面に格子状に形成されたストリートによって複数の領域が区画され、この区画された領域に窒化ガリウム系化合物半導体等が積層された光デバイスが形成された光デバイスウエーハは、分割予定ラインに沿って個々の発光ダイオード、レーザーダイオード等の光デバイスに分割され、電気機器に広く利用されている。 As is well known to those skilled in the art, in the semiconductor device manufacturing process, a plurality of semiconductor chips such as ICs and LSIs are formed in a matrix by a laminated body in which an insulating film and a functional film are laminated on the surface of a semiconductor substrate such as silicon. A semiconductor wafer is formed. In the semiconductor wafer formed in this way, the semiconductor chip is partitioned by dividing lines called streets, and individual semiconductor chips are manufactured by cutting along the streets. In addition, an optical device wafer in which a plurality of regions are defined by streets formed in a lattice pattern on the surface of a sapphire substrate or the like, and an optical device in which a gallium nitride compound semiconductor or the like is stacked in the partitioned region is It is divided into optical devices such as individual light-emitting diodes and laser diodes along the planned dividing line, and is widely used in electrical equipment.

このような半導体ウエーハや光デバイスウエーハ等のウエーハのストリートに沿った切断は、通常、ダイサーと称されている切削装置によって行われている。この切削装置は、被加工物である半導体ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された半導体ウエーハを切削するための切削手段と、チャックテーブルと切削手段とを相対的に移動せしめる移動手段とを具備している。切削手段は、高速回転せしめられる回転スピンドルと該スピンドルに装着された切削ブレードを含んでいる。 Such cutting along the streets of a wafer such as a semiconductor wafer or an optical device wafer is usually performed by a cutting device called a dicer. This cutting apparatus includes a chuck table for holding a semiconductor wafer as a workpiece, a cutting means for cutting the semiconductor wafer held on the chuck table, and a movement for relatively moving the chuck table and the cutting means. Means. The cutting means includes a rotating spindle that is rotated at a high speed and a cutting blade attached to the spindle.

一方、近年半導体ウエーハ等の板状の被加工物を分割する方法として、被加工物に形成されたストリートに沿ってパルスレーザー光線を照射することによりレーザー加工溝を形成し、このレーザー加工溝に沿ってメカニカルブレーキング装置によって割断する方法が提案されている。（例えば、特許文献１参照。）
特開平１０−３０５４２１号公報 On the other hand, in recent years, as a method of dividing a plate-like workpiece such as a semiconductor wafer, a laser processing groove is formed by irradiating a pulse laser beam along a street formed on the workpiece, and along this laser processing groove. A method of cleaving with a mechanical braking device has been proposed. (For example, refer to Patent Document 1.)
Japanese Patent Laid-Open No. 10-305421

レーザー加工は切削加工に比して加工速度を速くすることができるとともに、サファイヤのように硬度の高い素材からなるウエーハであっても比較的容易に加工することができる。しかるに、ウエーハのストリートに沿ってレーザー光線を照射すると照射された領域に熱エネルギーが集中してデブリが発生し、このデブリが回路に接続されるボンディングパッド等に付着してチップの品質を低下させるという新たな問題が生じる。 Laser processing can increase the processing speed as compared with cutting processing, and can relatively easily process even a wafer made of a material having high hardness such as sapphire. However, when a laser beam is irradiated along the street of the wafer, thermal energy concentrates on the irradiated area and debris is generated, and this debris adheres to a bonding pad connected to the circuit and degrades the quality of the chip. New problems arise.

上記デブリによる問題を解消するために、ウエーハの加工面にポリビニルアルコール等の保護被膜を被覆し、保護被膜を通してウエーハにレーザー光線を照射するようにしたレーザー加工方法が提案されている。（例えば、特許文献２参照。）
特開２００４−１８８４７５号公報 In order to solve the problem caused by the debris, there has been proposed a laser processing method in which a processed film of a wafer is coated with a protective film such as polyvinyl alcohol, and the wafer is irradiated with a laser beam through the protective film. (For example, see Patent Document 2.)
JP 2004-188475 A

上記公報には、図１４の(a)に示すようにスピンナーテーブルTに保持されたウエーハWの中心部に樹脂供給ノズルNから所定量の液状樹脂Lを滴下し、スピンナーテーブルTを所定速度で回転することにより、液状樹脂をウエーハWの加工面に被覆するスピンナーコーティング方法が開示されている。 In the above publication, as shown in FIG. 14 (a), a predetermined amount of liquid resin L is dropped from the resin supply nozzle N onto the center of the wafer W held on the spinner table T, and the spinner table T is moved at a predetermined speed. A spinner coating method in which a liquid resin is coated on a processed surface of a wafer W by rotating is disclosed.

而して、図１４の(b)に示すようにウエーハWの表面には回路等のデバイスDが形成され凹凸があるため、ウエーハWを保持したスピンナーテーブルTを回転し、その遠心力によって液状樹脂Lを外周部に向けて流動させようとしても、液状樹脂をウエーハWの表面に均一に被覆することが困難である。また、サファイヤウエーハのように比較的小径のウエーハを支持部材に複数個配設した状態で上述したスピンナーコーティングを実施した場合にも、複数個のウエーハの表面に樹脂による保護被膜を均一に被覆することが困難である。 Thus, as shown in FIG. 14B, since the circuit D or the like is formed on the surface of the wafer W and there are irregularities, the spinner table T holding the wafer W is rotated, and the liquid is generated by the centrifugal force. Even if the resin L is caused to flow toward the outer peripheral portion, it is difficult to uniformly coat the surface of the wafer W with the liquid resin. Even when the above spinner coating is performed in a state where a plurality of relatively small-diameter wafers are arranged on the support member, such as a sapphire wafer, a protective film made of resin is uniformly coated on the surfaces of the plurality of wafers. Is difficult.

本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、ウエーハの表面に樹脂による保護被膜を均一に被覆することができる保護被膜の被覆方法を提供することである。 This invention is made | formed in view of the said fact, The main technical subject is providing the coating method of the protective film which can coat | cover the protective film with resin uniformly on the surface of a wafer.

上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、ウエーハの加工面に樹脂による保護被膜を被覆する保護被膜の被覆方法であって、
ウエーハをスピンナーテーブルに加工面を上側にして保持するウエーハ保持工程と、
スピンナーテーブルに保持されたウエーハの加工面の中央領域に所定量の液状樹脂を滴下する樹脂滴下工程と、
スピンナーテーブルを回転するとともにウエーハの側方からウエーハの加工面の中央領域を通して外周に向けてエアーを吹き付け、ウエーハの加工面の中央領域に滴下された液状樹脂を外周に向けて流動せしめる保護被膜被覆工程と、を含む、
ことを特徴とする保護被膜の被覆方法が提供される。 In order to solve the above-mentioned main technical problem, according to the present invention, there is provided a method for coating a protective coating for coating a protective coating with a resin on a processed surface of a wafer,
A wafer holding step for holding the wafer on the spinner table with the processing surface facing upward;
A resin dropping step of dropping a predetermined amount of liquid resin on the central region of the processed surface of the wafer held on the spinner table;
Protective coating coating that rotates the spinner table and blows air from the side of the wafer through the center area of the processed surface of the wafer toward the outer periphery, allowing the liquid resin dropped on the center area of the processed surface of the wafer to flow toward the outer periphery Including a process,
A method for coating a protective coating is provided.

また、本発明によれば、支持部材の表面に加工面を上側にして貼着した複数個のウエーハの加工面に樹脂による保護被膜を被覆する保護被膜の被覆方法であって、
ウエーハが貼着された支持部材をスピンナーテーブルに保持するウエーハ保持工程と、
スピンナーテーブルに保持されウエーハが貼着された支持部材の中央領域に所定量の液状樹脂を滴下する樹脂滴下工程と、
スピンナーテーブルを回転するとともに支持部材の側方から支持部材の中央領域を通して外周に向けてエアーを吹き付け、支持部材の中央領域に滴下された液状樹脂を外周に向けて流動せしめる保護被膜被覆工程と、を含む、
ことを特徴とする保護被膜の被覆方法が提供される。 Further, according to the present invention, there is provided a method for coating a protective film, wherein the processing surface of a plurality of wafers adhered to the surface of the support member with the processing surface facing upward is coated with a protective film made of resin,
A wafer holding step for holding the wafer-supporting support member on the spinner table;
A resin dropping step of dropping a predetermined amount of liquid resin on the central region of the support member held on the spinner table and attached to the wafer;
A protective coating coating step of rotating the spinner table and blowing air toward the outer periphery from the side of the support member through the central region of the support member, and causing the liquid resin dropped on the central region of the support member to flow toward the outer periphery, including,
A method for coating a protective coating is provided.

上記保護被膜被覆工程において、スピンナーテーブルは1〜１００rpmの回転速度で回転せしめられる。また、上記保護被膜被覆工程を実施した後に、スピンナーテーブルを５００〜３０００rpmの回転速度で回転し、ウエーハの加工面に被覆された液状樹脂を乾燥せしめる乾燥工程を実施することが望ましい。 In the protective film coating step, the spinner table is rotated at a rotation speed of 1 to 100 rpm. In addition, it is desirable to carry out a drying step of drying the liquid resin coated on the processed surface of the wafer by rotating the spinner table at a rotational speed of 500 to 3000 rpm after performing the protective coating coating step.

本発明によれば、スピンナーテーブルに保持されたウエーハの加工面の中央領域に所定量の液状樹脂を滴下する樹脂滴下工程を実施した後、スピンナーテーブルを回転するとともにウエーハの側方からウエーハの加工面の中央領域を通して外周に向けてエアーを吹き付ける保護被膜被覆工程を実施するので、ウエーハの加工面に液状樹脂による保護被膜を均一に被覆することができる。
また、本発明によれば、スピンナーテーブルに保持され複数個のウエーハが貼着された支持部材の中央領域に所定量の液状樹脂を滴下する樹脂滴下工程を実施した後、スピンナーテーブルを回転するとともに支持部材の側方から支持部材の中央領域を通して外周に向けてエアーを吹き付ける保護被膜被覆工程を実施するので、支持部材に貼着された複数個のウエーハの加工面に液状樹脂による保護被膜を均一に被覆することができる。 According to the present invention, after the resin dropping step of dropping a predetermined amount of liquid resin on the central region of the processing surface of the wafer held by the spinner table, the spinner table is rotated and the wafer is processed from the side of the wafer. Since the protective film coating step of blowing air toward the outer periphery through the central area of the surface is performed, the processed surface of the wafer can be uniformly coated with the liquid resin.
According to the present invention, the spinner table is rotated after the resin dropping step of dropping a predetermined amount of liquid resin on the central region of the support member held by the spinner table and attached with a plurality of wafers. Since a protective coating coating process is performed in which air is blown from the side of the supporting member toward the outer periphery through the central region of the supporting member, a protective coating made of liquid resin is uniformly applied to the processed surfaces of a plurality of wafers adhered to the supporting member. Can be coated.

以下、本発明による樹脂被膜の被覆方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。 Hereinafter, a preferred embodiment of a method for coating a resin film according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

図１には、本発明による保護被膜の被覆方法を実施する保護被膜形成兼洗浄手段を備えたレーザー加工装置の斜視図が示されている。
図１に示すレーザー加工装置は、略直方体状の装置ハウジング２を具備している。この装置ハウジング２内には、被加工物を保持する被加工物保持手段としてのチャックテーブル３が切削送り方向である矢印Ｘで示す方向に移動可能に配設されている。チャックテーブル３は、吸着チャック支持台３１と、該吸着チャック支持台３１上に装着された吸着チャック３２を具備しており、該吸着チャック３２の表面である載置面上に被加工物である例えば円盤状の半導体ウエーハを図示しない吸引手段によって保持するようになっている。また、チャックテーブル３は、図示しない回転機構によって回動可能に構成されている。このように構成されたチャックテーブル３の吸着チャック支持台３１には、後述する環状のフレームを固定するためのクランプ３４が配設されている。 FIG. 1 shows a perspective view of a laser processing apparatus equipped with a protective film forming and cleaning means for carrying out the protective film coating method according to the present invention.
The laser processing apparatus shown in FIG. 1 includes a substantially rectangular parallelepiped apparatus housing 2. In the apparatus housing 2, a chuck table 3 as a workpiece holding means for holding a workpiece is disposed so as to be movable in a direction indicated by an arrow X that is a cutting feed direction. The chuck table 3 includes a suction chuck support 31 and a suction chuck 32 mounted on the suction chuck support 31, and is a workpiece on a mounting surface that is a surface of the suction chuck 32. For example, a disk-shaped semiconductor wafer is held by suction means (not shown). The chuck table 3 is configured to be rotatable by a rotation mechanism (not shown). The suction chuck support 31 of the chuck table 3 configured as described above is provided with a clamp 34 for fixing an annular frame described later.

図示のレーザー加工装置は、レーザー光線照射手段４を備えている。レーザー光線照射手段４は、レーザー光線発振手段４１と、該レーザー光線発振手段によって発振されたレーザー光線を集光する集光器４２を具備している。 The illustrated laser processing apparatus includes a laser beam irradiation means 4. The laser beam irradiating unit 4 includes a laser beam oscillating unit 41 and a condenser 42 for condensing the laser beam oscillated by the laser beam oscillating unit.

図示のレーザー加工装置は、上記チャックテーブル３の吸着チャック３２上に保持された被加工物の表面を撮像し、上記レーザー光線照射手段４の集光器４１から照射されるレーザー光線によって加工すべき領域を検出する撮像手段５を具備している。この撮像手段５は顕微鏡やＣＣＤカメラ等の光学手段からなっており、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。また、図示のウエーハの分割装置は、撮像手段５によって撮像された画像を表示する表示手段６を具備している。 The illustrated laser processing apparatus images the surface of the workpiece held on the suction chuck 32 of the chuck table 3 and defines a region to be processed by the laser beam irradiated from the condenser 41 of the laser beam irradiation means 4. An imaging means 5 for detection is provided. The imaging means 5 is composed of optical means such as a microscope and a CCD camera, and sends the captured image signal to a control means (not shown). The wafer dividing apparatus shown in the figure includes a display unit 6 for displaying an image captured by the imaging unit 5.

図示のレーザー加工装置は、加工前の被加工物であるウエーハの表面(加工面)に保護被膜を被覆するとともに、加工後のウエーハの表面に被覆された保護被膜を除去する保護被膜形成兼洗浄手段７を具備している。この保護被膜形成兼洗浄手段７について、図２乃至図４を参照して説明する。
図示の実施形態における保護被膜形成兼洗浄手段７は、スピンナーテーブル機構７１と、該スピンナーテーブル機構７１を包囲して配設された洗浄水受け手段７２を具備している。スピンナーテーブル機構７１は、スピンナーテーブル７１１と、該スピンナーテーブル７１１を回転駆動する電動モータ７１２と、該電動モータ７１２を上下方向に移動可能に支持する支持機構７１３を具備している。スピンナーテーブル７１１は多孔性材料から形成された吸着チャック７１１ａを具備しており、この吸着チャック７１１ａが図示しない吸引手段に連通されている。従って、スピンナーテーブル７１１は、吸着チャック７１１ａに被加工物であるウエーハを載置し図示しない吸引手段により負圧を作用せしめることにより吸着チャック７１１上にウエーハを保持する。なお、スピンナーテーブル７１１には、後述する環状のフレームを固定するためのクランプ７１４が配設されている。電動モータ７１２は、その駆動軸７１２ａの上端に上記スピンナーテーブル７１１を連結する。上記支持機構７１３は、複数本（図示の実施形態においては３本）の支持脚７１３ａと、該支持脚７１３ａをそれぞれ連結し電動モータ７１２に取り付けられた複数本（図示の実施形態においては３本）のエアシリンダ７１３ｂとからなっている。このように構成された支持機構７１３は、エアシリンダ７１３ｂを作動することにより、電動モータ７１２およびスピンナーテーブル７１１を図３に示す上方位置である被加工物搬入・搬出位置と、図４に示す下方位置である作業位置に位置付ける。 The illustrated laser processing apparatus coats and protects the surface of the wafer (processed surface), which is the workpiece before processing, and forms and cleans the protective film that removes the protective film coated on the surface of the processed wafer. Means 7 are provided. The protective film forming / cleaning means 7 will be described with reference to FIGS.
The protective film forming and cleaning means 7 in the illustrated embodiment includes a spinner table mechanism 71 and a cleaning water receiving means 72 disposed so as to surround the spinner table mechanism 71. The spinner table mechanism 71 includes a spinner table 711, an electric motor 712 that rotationally drives the spinner table 711, and a support mechanism 713 that supports the electric motor 712 so as to be movable in the vertical direction. The spinner table 711 includes a suction chuck 711a formed of a porous material, and the suction chuck 711a communicates with suction means (not shown). Accordingly, the spinner table 711 holds the wafer on the suction chuck 711 by placing a wafer as a workpiece on the suction chuck 711a and applying a negative pressure by suction means (not shown). The spinner table 711 is provided with a clamp 714 for fixing an annular frame described later. The electric motor 712 connects the spinner table 711 to the upper end of the drive shaft 712a. The support mechanism 713 includes a plurality of (three in the illustrated embodiment) support legs 713a and a plurality of (three in the illustrated embodiment) attached to the electric motor 712 by connecting the support legs 713a. ) Air cylinder 713b. The support mechanism 713 configured as described above operates the air cylinder 713b to move the electric motor 712 and the spinner table 711 to the workpiece loading / unloading position, which is the upper position illustrated in FIG. 3, and the lower position illustrated in FIG. Position at the work position that is the position.

上記洗浄水受け手段７２は、洗浄水受け容器７２１と、該洗浄水受け容器７２１を支持する３本（図２には２本が示されている）の支持脚７２２と、上記電動モータ７１２の駆動軸７１２ａに装着されたカバー部材７２３とを具備している。洗浄水受け容器７２１は、図３および図４に示すように円筒状の外側壁７２１ａと底壁７２１ｂと内側壁７２１ｃとからなっている。底壁７２１ｂの中央部には上記電動モータ７１２の駆動軸７１２ａが挿通する穴７２１ｄが設けられおり、この穴７２１ｄの周縁から上方に突出する内側壁７２１ｃが形成されている。また、図２に示すように底壁７２１ｂには排液口７２１ｅが設けられており、この排液口７２１ｅにドレンホース７２４が接続されている。上記カバー部材７２３は、円盤状に形成されており、その外周縁から下方に突出するカバー部７２３ａを備えておる。このように構成されたカバー部材７２３は、電動モータ７１２およびスピンナーテーブル７１１が図４に示す作業位置に位置付けられると、カバー部７２３ａが上記洗浄水受け容器７２１を構成する内側壁７２１ｃの外側に隙間をもって重合するように位置付けられる。 The cleaning water receiving means 72 includes a cleaning water receiving container 721, three support legs 722 (two are shown in FIG. 2) that support the cleaning water receiving container 721, and the electric motor 712. And a cover member 723 attached to the drive shaft 712a. As shown in FIGS. 3 and 4, the washing water receiving container 721 includes a cylindrical outer wall 721a, a bottom wall 721b, and an inner wall 721c. A hole 721d through which the drive shaft 712a of the electric motor 712 is inserted is provided at the center of the bottom wall 721b, and an inner wall 721c protruding upward from the periphery of the hole 721d is formed. Further, as shown in FIG. 2, a drainage port 721e is provided in the bottom wall 721b, and a drain hose 724 is connected to the drainage port 721e. The cover member 723 is formed in a disc shape, and includes a cover portion 723a that protrudes downward from the outer peripheral edge thereof. When the electric motor 712 and the spinner table 711 are positioned at the work position shown in FIG. 4, the cover member 723 thus configured has a gap between the cover portion 723 a and the inner wall 721 c that constitutes the cleaning water receiving container 721. Is positioned to polymerize.

図示の保護被膜形成兼洗浄手段７は、上記スピンナーテーブル７１１に保持された加工前の被加工物であるウエーハの表面に、液状樹脂を供給する樹脂液供給手段７４を具備している。樹脂液供給手段７４は、スピンナーテーブル７１１に保持された加工前のウエーハの表面に向けて液状樹脂を供給する樹脂液供給ノズル７４１と、該樹脂液供給ノズル７４１を揺動せしめる正転・逆転可能な電動モータ７４２を備えており、樹脂液供給ノズル７４１が図示しない樹脂液供給源に接続されている。樹脂液供給ノズル７４１は、水平に延び先端部が下方に屈曲されたノズル部７４１ａと、該ノズル部７４１ａの基端から下方に延びる支持部７４１ｂとからなっており、支持部７４１ｂが上記洗浄液回収容器７２１を構成する底壁７２１ｂに設けられた図示しない挿通穴を挿通して配設され図示しない液状樹脂液供給源に接続されている。また、上記樹脂液供給ノズル７４１の支持部７４１ｂが挿通する図示しない挿通穴の周縁には、支持部７４１ｂとの間をシールするシール部材（図示せず）が装着されている。 The protective film forming / cleaning means 7 shown in the figure includes a resin liquid supply means 74 for supplying a liquid resin to the surface of a wafer, which is a workpiece before processing, held by the spinner table 711. The resin liquid supply means 74 is a resin liquid supply nozzle 741 that supplies a liquid resin toward the surface of the unprocessed wafer held by the spinner table 711, and can be rotated forward and backward to swing the resin liquid supply nozzle 741. An electric motor 742 is provided, and a resin liquid supply nozzle 741 is connected to a resin liquid supply source (not shown). The resin liquid supply nozzle 741 includes a nozzle portion 741a that extends horizontally and has a distal end bent downward, and a support portion 741b that extends downward from the base end of the nozzle portion 741a. The support portion 741b collects the cleaning liquid. An insertion hole (not shown) provided in the bottom wall 721b constituting the container 721 is inserted and connected to a liquid resin liquid supply source (not shown). Further, a seal member (not shown) that seals between the support portion 741b is mounted on the periphery of an insertion hole (not shown) through which the support portion 741b of the resin liquid supply nozzle 741 is inserted.

図示の保護被膜形成兼洗浄手段７は、上記樹脂液供給手段７４の樹脂液供給ノズル７４１からスピンナーテーブル７１１に保持された加工前のウエーハの表面に供給された液状樹脂にエアーを吹き付けるエアー供給手段７５を具備している。エアー供給手段７５は、スピンナーテーブル７１１に保持されたウエーハに向けてエアーを噴出するエアーノズル７５１と、該エアーノズル７５１を揺動せしめる正転・逆転可能な電動モータ７５２を備えており、該エアーノズル７５１が図示しないエアー供給源に接続されている。エアーノズル７５１は、水平に延びるノズル部７５１ａと、該ノズル部７５１ａの基端から下方に延びる支持部７５１ｂとからなっており、支持部７５１ｂが上記洗浄液回収容器７２１を構成する底壁７２１ｂに設けられた図示しない挿通穴を挿通して配設され図示しないエアー供給源に接続されている。なお、エアーノズル７５１の支持部７５１ｂが挿通する図示しない挿通穴の周縁には、支持部７６１ｂとの間をシールするシール部材（図示せず）が装着されている。 The protective film forming / cleaning means 7 shown in the figure is an air supply means for blowing air to the liquid resin supplied from the resin liquid supply nozzle 741 of the resin liquid supply means 74 to the surface of the unprocessed wafer held by the spinner table 711. 75. The air supply means 75 includes an air nozzle 751 that blows air toward the wafer held by the spinner table 711, and an electric motor 752 that can rotate forward and reverse to swing the air nozzle 751. The nozzle 751 is connected to an air supply source (not shown). The air nozzle 751 includes a horizontally extending nozzle portion 751a and a support portion 751b extending downward from the base end of the nozzle portion 751a. The support portion 751b is provided on the bottom wall 721b constituting the cleaning liquid recovery container 721. The insertion hole (not shown) is inserted and connected to an air supply source (not shown). Note that a seal member (not shown) that seals between the support portion 761b and the periphery of an insertion hole (not shown) through which the support portion 751b of the air nozzle 751 is inserted is mounted.

また、図示の保護被膜形成兼洗浄手段７は、上記スピンナーテーブル７１１に保持された加工後の被加工物であるウエーハを洗浄するための洗浄水供給手段７６を具備している。洗浄水供給手段７６は、スピンナーテーブル７１１に保持された加工後のウエーハに向けて洗浄水を噴出する洗浄水ノズル７６１と、該洗浄水ノズル７６１を揺動せしめる正転・逆転可能な電動モータ(図示せず)を備えており、該洗浄水ノズル７６１が図示しない洗浄水供給源に接続されている。洗浄水ノズル７６１は、水平に延び先端部が下方に屈曲されたノズル部７６１ａと、該ノズル部７６１ａの基端から下方に延びる支持部７６１ｂとからなっており、支持部７６１ｂが上記洗浄液回収容器７１を構成する底壁７２１ｂに設けられた図示しない挿通穴を挿通して配設され図示しない洗浄水供給源に接続されている。なお、洗浄水ノズル７６１の支持部７６１ｂが挿通する図示しない挿通穴の周縁には、支持部７６１ｂとの間をシールするシール部材（図示せず）が装着されている。 Further, the protective film forming / cleaning means 7 shown in the figure includes a cleaning water supply means 76 for cleaning a wafer which is a processed object held on the spinner table 711. The cleaning water supply means 76 includes a cleaning water nozzle 761 that ejects cleaning water toward the processed wafer held by the spinner table 711, and an electric motor that can be rotated forward and backward to swing the cleaning water nozzle 761 ( The cleaning water nozzle 761 is connected to a cleaning water supply source (not shown). The cleaning water nozzle 761 is composed of a nozzle portion 761a that extends horizontally and has a distal end bent downward, and a support portion 761b that extends downward from the base end of the nozzle portion 761a. The support portion 761b is the cleaning liquid collection container. 71 is provided through an insertion hole (not shown) provided in the bottom wall 721b constituting the 71 and connected to a cleaning water supply source (not shown). In addition, a seal member (not shown) that seals between the support portion 761b and the periphery of an insertion hole (not shown) through which the support portion 761b of the cleaning water nozzle 761 is inserted is attached.

図1に戻って説明を続けると、図示のレーザー加工装置は、被加工物であるウエーハ１０を収容するカセットが載置されるカセット載置部１３ａを備えている。カセット載置部１３ａには図示しない昇降手段によって上下に移動可能にカセットテーブル１３１が配設されており、このカセットテーブル１３１上にカセット１３が載置される。半導体ウエーハ１０は、環状のフレーム１１に装着された保護テープ１２の表面に貼着されており、保護テープ１２を介して環状のフレーム１１に支持された状態で上記カセット１３に収容される。なお、半導体ウエーハ１０は、図５に示すように表面１０ａに格子状に配列された複数の分割予定ライン１０１によって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス１０２が形成されている。このように構成された半導体ウエーハ１０は、図1に示すように環状のフレーム１１に装着された保護テープ１２に表面１０ａ即ちストリート１０１およびデバイス１０２が形成されている面を上側にして裏面が貼着される。 Returning to FIG. 1 and continuing the description, the illustrated laser processing apparatus includes a cassette mounting portion 13a on which a cassette for storing a wafer 10 as a workpiece is mounted. A cassette table 131 is arranged on the cassette mounting portion 13a so as to be movable up and down by lifting means (not shown). The cassette 13 is mounted on the cassette table 131. The semiconductor wafer 10 is affixed to the surface of a protective tape 12 attached to an annular frame 11 and is accommodated in the cassette 13 while being supported by the annular frame 11 via the protective tape 12. As shown in FIG. 5, the semiconductor wafer 10 is divided into a plurality of regions by a plurality of division lines 101 arranged in a lattice pattern on the surface 10a, and devices 102 such as ICs, LSIs, etc. are divided into these divided regions. Is formed. As shown in FIG. 1, the semiconductor wafer 10 thus configured has a back surface attached to a protective tape 12 mounted on an annular frame 11 with the front surface 10a, that is, the surface on which the street 101 and the device 102 are formed facing upward. Worn.

図示のレーザー加工装置は、上記カセット１３に収納された加工前の半導体ウエーハ１０を仮置き部１４ａに配設された位置合わせ手段１４に搬出するとともに加工後の半導体ウエーハ１０をカセット１３に搬入する被加工物搬出・搬入手段１５と、位置合わせ手段１４に搬出された加工前の半導体ウエーハ１０を保護被膜形成兼洗浄手段７に搬送するとともに保護被膜形成兼洗浄手段７によって表面に保護被膜が被覆された半導体ウエーハ１０を上記チャックテーブル３上に搬送する被加工物搬送手段１６と、チャックテーブル３上で切削加工された半導体ウエーハ１０を保護被膜形成兼洗浄手段７に搬送する洗浄搬送手段１８を具備している。 In the illustrated laser processing apparatus, the unprocessed semiconductor wafer 10 housed in the cassette 13 is carried out to the alignment means 14 provided in the temporary placement portion 14 a and the processed semiconductor wafer 10 is loaded into the cassette 13. The unprocessed semiconductor wafer 10 unloaded to the workpiece unloading / loading means 15 and the positioning means 14 is transported to the protective film forming / cleaning means 7 and the surface is coated with the protective film forming / cleaning means 7. The workpiece transport means 16 for transporting the semiconductor wafer 10 to the chuck table 3, and the cleaning transport means 18 for transporting the semiconductor wafer 10 cut on the chuck table 3 to the protective film forming and cleaning means 7. It has.

図示のレーザー加工装置は以上のように構成されており、以下その作動について説明する。
図１に示すように環状のフレーム１１に保護テープ１２を介して支持された加工前の半導体ウエーハ１０（以下、単に半導体ウエーハ１０という）は、加工面である表面１０ａ即ちストリート１０１および回路１０２が形成されている面を上側にしてカセット１３の所定位置に収容されている。カセット１３の所定位置に収容された加工前の半導体ウエーハ１０は、図示しない昇降手段によってカセットテーブル１３１が上下動することにより搬出位置に位置付けられる。次に、被加工物搬出・搬入手段１５が進退作動して搬出位置に位置付けられた半導体ウエーハ１０を仮置き部１４ａに配設された位置合わせ手段１４に搬出する。位置合わせ手段１４に搬出された半導体ウエーハ１０は、位置合わせ手段１４によって所定の位置に位置合せされる。次に、位置合わせ手段１４によって位置合わせされた加工前の半導体ウエーハ１０は、被加工物搬送手段１６の旋回動作によって保護被膜形成兼洗浄手段７を構成するスピンナーテーブル７１１の吸着チャック７１１ａ上に搬送され、該吸着チャック７１１ａに吸引保持される(ウエーハ保持工程)。また、環状のフレーム１１がクランプ７１４によって固定される。このとき、スピンナーテーブル７１１は図３に示す被加工物搬入・搬出位置に位置付けられており、樹脂供給ノズル７４１と洗浄水ノズル７５１およびエアーノズル７６１は図２および図３に示すようにスピンナーテーブル７１１の上方から離隔した待機位置に位置付けられている。 The illustrated laser processing apparatus is configured as described above, and the operation thereof will be described below.
As shown in FIG. 1, an unprocessed semiconductor wafer 10 (hereinafter simply referred to as a semiconductor wafer 10) supported by an annular frame 11 via a protective tape 12 has a surface 10a, that is, a street 101 and a circuit 102, which are processed surfaces. The cassette 13 is accommodated in a predetermined position with the formed surface facing upward. The unprocessed semiconductor wafer 10 accommodated in a predetermined position of the cassette 13 is positioned at the unloading position when the cassette table 131 moves up and down by lifting means (not shown). Next, the workpiece carry-out / carry-in means 15 is advanced and retracted, and the semiconductor wafer 10 positioned at the carry-out position is carried out to the alignment means 14 provided in the temporary placement portion 14a. The semiconductor wafer 10 carried out to the alignment means 14 is aligned at a predetermined position by the alignment means 14. Next, the unprocessed semiconductor wafer 10 aligned by the alignment means 14 is transferred onto the suction chuck 711 a of the spinner table 711 constituting the protective film forming and cleaning means 7 by the turning operation of the workpiece transfer means 16. Then, it is sucked and held by the suction chuck 711a (wafer holding step). In addition, the annular frame 11 is fixed by a clamp 714. At this time, the spinner table 711 is positioned at the workpiece loading / unloading position shown in FIG. 3, and the resin supply nozzle 741, the washing water nozzle 751 and the air nozzle 761 are, as shown in FIGS. 2 and 3, the spinner table 711. Is positioned at a standby position separated from above.

加工前の半導体ウエーハ１０が保護被膜形成兼洗浄手段７のスピンナーテーブル７１１上に保持するウエーハ保持工程を実施したならば、半導体ウエーハ１０の加工面である表面１０ａの中央領域に所定量の液状樹脂を滴下する樹脂滴下工程を実施する。樹脂滴下工程は、図６に示すように環状のフレーム１１に装着された保護テープ１２の表面に貼着された半導体ウエーハ１０の表面１０a(加工面)の中央領域に樹脂液供給手段７４の樹脂液供給ノズル７４１から所定量の液状樹脂１００を滴下する。なお、液状樹脂１００は、例えばPVA(Poly Vinyl Alcohol)、ＰＥＧ（Poly Ethylene Glycol）、PEO(Poly Ethylene Oxide)等の水溶性のレジストが望ましい。 If a wafer holding process is performed in which the semiconductor wafer 10 before processing is held on the spinner table 711 of the protective film forming and cleaning means 7, a predetermined amount of liquid resin is formed in the central region of the surface 10a that is the processing surface of the semiconductor wafer 10. The resin dripping process of dripping is carried out. In the resin dripping step, as shown in FIG. 6, the resin of the resin liquid supply means 74 is applied to the central region of the surface 10a (processed surface) of the semiconductor wafer 10 attached to the surface of the protective tape 12 attached to the annular frame 11. A predetermined amount of the liquid resin 100 is dropped from the liquid supply nozzle 741. The liquid resin 100 is preferably a water-soluble resist such as PVA (Poly Vinyl Alcohol), PEG (Poly Ethylene Glycol), or PEO (Poly Ethylene Oxide).

図６に示すように樹脂滴下工程を実施したならば、図７に示すようにスピンナーテーブル７１１(図２参照)従って半導体ウエーハ１０を矢印で示す方向に回転するとともに、エアーノズル７５１から、半導体ウエーハ１０の加工面である表面１０ａに滴下された液状樹脂１００に向けてエアーを吹き付ける保護被膜被覆工程を実施する。このとき、エアーノズル７５１から噴出されるエアーは、半導体ウエーハ１０の中央領域を通して外周に向けて吹き付けられる。なお、スピンナーテーブル７１１の回転速度は1〜１００rpmでよく、エアーノズル７５１から噴出されるエアーの圧力は０．４Mpa程度でよい。このように、半導体ウエーハ１０を矢印で示す方向に回転しつつエアーノズル７５１からエアーを吹き付けることにより、半導体ウエーハ１０の加工面である表面１０ａの中央領域に滴下された液状樹脂１００は、図７の(a),(b),(c),(d)の順に順次半導体ウエーハ１０の外周に向けて流動せしめられる。そして、半導体ウエーハ１０が１回転したら、図７の(e)に示すように半導体ウエーハ１０の回転を停止するとともに、エアーノズル７５１からのエアーの噴出を停止する。この結果、図７の(e)に示すように半導体ウエーハ１０の加工面である表面１０ａには、液状樹脂による保護被膜１１０が均一に被覆される。この保護被膜１１０は、上記樹脂滴下工程によって供給される液状樹脂の量によって決まるが、１〜１０μm程度まで薄く形成することが可能である。 When the resin dripping step is performed as shown in FIG. 6, the spinner table 711 (see FIG. 2) as shown in FIG. 7 and thus the semiconductor wafer 10 is rotated in the direction indicated by the arrow, and the semiconductor wafer is fed from the air nozzle 751. A protective coating coating step is performed in which air is blown toward the liquid resin 100 dropped on the surface 10a, which is the 10 processed surface. At this time, the air ejected from the air nozzle 751 is blown toward the outer periphery through the central region of the semiconductor wafer 10. The rotation speed of the spinner table 711 may be 1 to 100 rpm, and the pressure of the air ejected from the air nozzle 751 may be about 0.4 Mpa. In this way, the liquid resin 100 dropped onto the central region of the surface 10a that is the processed surface of the semiconductor wafer 10 by blowing air from the air nozzle 751 while rotating the semiconductor wafer 10 in the direction indicated by the arrow is shown in FIG. (A), (b), (c), and (d) are sequentially flowed toward the outer periphery of the semiconductor wafer 10. When the semiconductor wafer 10 makes one revolution, the rotation of the semiconductor wafer 10 is stopped as shown in FIG. 7E, and the ejection of air from the air nozzle 751 is stopped. As a result, as shown in FIG. 7E, the surface 10a, which is the processed surface of the semiconductor wafer 10, is uniformly coated with the protective coating 110 made of a liquid resin. Although this protective film 110 is determined by the amount of liquid resin supplied in the resin dropping step, it can be thinly formed to about 1 to 10 μm.

上述した保護被膜被覆工程を実施したならば、半導体ウエーハ１０の加工面である表面１０ａに被覆された保護被膜１１０の乾燥工程を実施する。この乾燥工程は、スピンナーテーブル７１１従って半導体ウエーハ１０を所定方向に例えば５００〜３０００rpmの回転速度で回転し、３０秒程度実施する。 If the above-described protective coating coating step is performed, a drying step of the protective coating 110 coated on the surface 10a that is the processed surface of the semiconductor wafer 10 is performed. This drying process is performed for about 30 seconds by rotating the semiconductor wafer 10 in accordance with the spinner table 711 and the rotation speed of, for example, 500 to 3000 rpm in a predetermined direction.

上述した保護被膜被覆工程によって半導体ウエーハ１０の加工面である表面１０ａに保護被膜１１０を被覆したならば、スピンナーテーブル７１１を図３に示す被加工物搬入・搬出位置に位置付けるとともに、スピンナーテーブル７１１に保持されている半導体ウエーハ１０の吸引保持を解除する。そして、スピンナーテーブル７１１上の半導体ウエーハ１０は、被加工物搬送手段１６によってチャックテーブル３の吸着チャック３２上に搬送され、該吸着チャック３２に吸引保持される。このようにして半導体ウエーハ１０を吸引保持したチャックテーブル３は、図示しない移動手段によってレーザー光線照射手段４に配設された撮像手段５の直下に位置付けられる。 If the protective film 110 is coated on the surface 10a which is the processing surface of the semiconductor wafer 10 by the protective film coating process described above, the spinner table 711 is positioned at the workpiece loading / unloading position shown in FIG. The suction holding of the held semiconductor wafer 10 is released. Then, the semiconductor wafer 10 on the spinner table 711 is transported onto the suction chuck 32 of the chuck table 3 by the workpiece transport means 16 and sucked and held by the suction chuck 32. The chuck table 3 that sucks and holds the semiconductor wafer 10 in this way is positioned directly below the imaging means 5 disposed in the laser beam irradiation means 4 by a moving means (not shown).

チャックテーブル３が撮像手段５の直下に位置付けられると、撮像手段５および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ１０に所定方向に形成されているストリート１０１と、ストリート１０１に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段４の集光器４２との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理が実行され、レーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。また、半導体ウエーハ１０に形成されている上記所定方向に対して直角に延びるストリート１０１に対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。このとき、半導体ウエーハ１０のストリート１０１が形成されている表面１０ａには保護被膜１１０が形成されているが、保護膜１１０が透明でない場合は赤外線で撮像して表面からアライメントすることができる。 When the chuck table 3 is positioned immediately below the image pickup means 5, a street 101 formed in a predetermined direction on the semiconductor wafer 10 by the image pickup means 5 and a control means (not shown), and a laser beam irradiation means for irradiating a laser beam along the street 101 Image processing such as pattern matching for performing alignment with the four condensers 42 is performed, and alignment of the laser beam irradiation position is performed. The alignment of the laser beam irradiation position is similarly performed on the street 101 formed on the semiconductor wafer 10 and extending at right angles to the predetermined direction. At this time, the protective film 110 is formed on the surface 10a of the semiconductor wafer 10 on which the street 101 is formed. However, if the protective film 110 is not transparent, it can be imaged with infrared rays and aligned from the surface.

以上のようにしてチャックテーブル３上に保持されている半導体ウエーハ１０に形成されているストリート１０１を検出し、レーザー光線照射位置のアライメントが行われたならば、図９で示すようにチャックテーブル３をレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段４の集光器４２が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定のストリート１０１を集光器４２の直下に位置付ける。このとき、図９の（ａ）で示すように半導体ウエーハ１０は、ストリート１０１一端(図９の（ａ）において左端)が集光器４２の直下に位置するように位置付けられる。次に、レーザー光線照射手段４の集光器４２からパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル３即ち半導体ウエーハ１０を図９の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。そして、図９の（ｂ）で示すようにストリート１０１の他端（図９の（ｂ）において右端）が集光器４２の直下位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル３即ち半導体ウエーハ１０の移動を停止する。このレーザー加工溝形成工程においては、パルスレーザー光線の集光点Ｐをストリート１０１の表面付近に合わせる。 When the street 101 formed on the semiconductor wafer 10 held on the chuck table 3 is detected as described above and the laser beam irradiation position is aligned, the chuck table 3 is moved as shown in FIG. The laser beam irradiation means 4 for irradiating the laser beam moves to the laser beam irradiation region where the condenser 42 is located, and the predetermined street 101 is positioned immediately below the condenser 42. At this time, as shown in FIG. 9A, the semiconductor wafer 10 is positioned so that one end of the street 101 (the left end in FIG. 9A) is located directly below the condenser 42. Next, the chuck table 3, that is, the semiconductor wafer 10 is moved at a predetermined processing feed speed in the direction indicated by the arrow X 1 in FIG. 9A while irradiating a pulse laser beam from the condenser 42 of the laser beam irradiation means 4. Then, as shown in FIG. 9B, when the other end of the street 101 (the right end in FIG. 9B) reaches a position directly below the condenser 42, the irradiation of the pulse laser beam is stopped and the chuck table 3 is stopped. That is, the movement of the semiconductor wafer 10 is stopped. In this laser processing groove forming step, the condensing point P of the pulse laser beam is matched with the vicinity of the surface of the street 101.

上述したレーザー光線照射工程を実施することにより、半導体ウエーハ１０のストリート１０１には図１０に示すようにレーザー加工溝１２０が形成される。このとき、図１０に示すようにレーザー光線の照射によりデブリ１３０が発生しても、このデブリ１３０は保護被膜１１０によって遮断され、回路１０２およびボンディングパッド等に付着することはない。そして、上述したレーザー光線照射工程を半導体ウエーハ１０の全てのストリート１０１に実施する。 By performing the laser beam irradiation process described above, a laser processing groove 120 is formed on the street 101 of the semiconductor wafer 10 as shown in FIG. At this time, even if the debris 130 is generated by the irradiation of the laser beam as shown in FIG. 10, the debris 130 is blocked by the protective coating 110 and does not adhere to the circuit 102, the bonding pad, or the like. Then, the laser beam irradiation process described above is performed on all the streets 101 of the semiconductor wafer 10.

なお、上記レーザー光線照射工程は、例えば以下の加工条件で行われる。
レーザー光線の光源：ＹＶＯ４レーザーまたはＹＡＧレーザー
波長：３５５ｎｍ
繰り返し周波数：５０〜１００ｋＨｚ
出力：０．３〜４W
集光スポット径：９．２μｍ
加工送り速度：1〜８００ｍｍ／秒 In addition, the said laser beam irradiation process is performed on the following process conditions, for example.
Laser light source: YVO4 laser or YAG laser Wavelength: 355 nm
Repetition frequency: 50-100 kHz
Output: 0.3-4W
Condensing spot diameter: 9.2 μm
Processing feed rate: 1 to 800 mm / sec

上述したレーザー光線照射工程を半導体ウエーハ１０の全てのストリート１０１に沿って実施したならば、半導体ウエーハ１０を保持しているチャックテーブル３は、最初に半導体ウエーハ１０を吸引保持した位置に戻され、ここで半導体ウエーハ１０の吸引保持を解除する。そして、半導体ウエーハ１０は、洗浄搬送手段１８によって保護被膜形成兼洗浄手段７を構成するスピンナーテーブル７１１の吸着チャック７１１ａ上に搬送され、該吸着チャック７１１ａに吸引保持される。このとき樹脂供給ノズル７４１とエアーノズル７５１および洗浄水ノズル７６１は、図３および図４に示すようにスピンナーテーブル７１１の上方から離隔した待機位置に位置付けられている。 If the laser beam irradiation process described above is performed along all the streets 101 of the semiconductor wafer 10, the chuck table 3 holding the semiconductor wafer 10 is first returned to the position where the semiconductor wafer 10 is sucked and held. The suction holding of the semiconductor wafer 10 is released. Then, the semiconductor wafer 10 is transported onto the suction chuck 711a of the spinner table 711 constituting the protective film forming and cleaning means 7 by the cleaning transport means 18, and sucked and held by the suction chuck 711a. At this time, the resin supply nozzle 741, the air nozzle 751, and the cleaning water nozzle 761 are positioned at a standby position separated from the upper side of the spinner table 711 as shown in FIGS. 3 and 4.

加工後の半導体ウエーハ１０が保護被膜形成兼洗浄手段７のスピンナーテーブル７１１上に保持されたならば、洗浄工程を実行する。即ち、スピンナーテーブル７１１を作業位置に位置付けるとともに、洗浄水供給手段７６の図示しない電動モータを駆動して洗浄水供給ノズル７６１のノズル部７６１ａの噴出口をスピンナーテーブル７１１上に保持された半導体ウエーハ１０の中心部上方に位置付ける。そして、スピンナーテーブル７１１を例えば８００ｒｐｍの回転速度で回転しつつノズル部７６１ａの噴出口から純水とエアーとからなる洗浄水を噴出する。即ち、ノズル部７５１ａは所謂２流体ノズルで構成され０．２ＭＰａ程度の純水が供給されるとともに、０．３〜０．５ＭＰａ程度のエアーが供給され、純水がエアーの圧力で噴出して半導体ウエーハ１０の加工面である表面１０ａを洗浄する。このとき、図示しない電動モータが駆動して洗浄水供給ノズル７６１のノズル部７６１ａの噴出口から噴出された洗浄水がスピンナーテーブル７１１に保持された半導体ウエーハ１０の中心に当たる位置から外周部に当たる位置までの所要角度範囲で揺動せしめられる。この結果、半導体ウエーハ１０の表面１０ａに被覆された保護被膜１１０が上述したように水溶性の樹脂によって形成されているので、保護被膜１を容易に洗い流すことができるとともに、レーザー加工時に発生したデブリ１３０も除去される。 If the processed semiconductor wafer 10 is held on the spinner table 711 of the protective film forming and cleaning means 7, a cleaning process is executed. That is, the spinner table 711 is positioned at the working position, and an electric motor (not shown) of the cleaning water supply means 76 is driven to drive the nozzle portion 761a of the cleaning water supply nozzle 761 to the semiconductor wafer 10 held on the spinner table 711. Positioned above the center of the. Then, while rotating the spinner table 711 at a rotation speed of, for example, 800 rpm, cleaning water composed of pure water and air is ejected from the ejection port of the nozzle portion 761a. That is, the nozzle part 751a is a so-called two-fluid nozzle and is supplied with pure water of about 0.2 MPa, and is supplied with air of about 0.3 to 0.5 MPa, and the pure water is ejected by the air pressure. The surface 10a that is the processed surface of the semiconductor wafer 10 is cleaned. At this time, from the position where the electric motor (not shown) is driven and the cleaning water ejected from the nozzle 761a of the cleaning water supply nozzle 761 hits the center of the semiconductor wafer 10 held by the spinner table 711 to the position hitting the outer periphery. Can be swung within the required angle range. As a result, since the protective film 110 coated on the surface 10a of the semiconductor wafer 10 is formed of the water-soluble resin as described above, the protective film 1 can be easily washed away and debris generated during laser processing can be removed. 130 is also removed.

上述した洗浄工程が終了したら、乾燥工程を実行する。即ち、洗浄水供給ノズル７６１を待機位置に位置付け、スピンナーテーブル７１１を例えば３０００ｒｐｍの回転速度で１５秒程度回転せしめる。 When the above-described cleaning process is completed, a drying process is performed. That is, the cleaning water supply nozzle 761 is positioned at the standby position, and the spinner table 711 is rotated at a rotational speed of, for example, 3000 rpm for about 15 seconds.

上述したように加工後の半導体ウエーハ１０の洗浄および乾燥が終了したら、スピンナーテーブル７１１の回転を停止するとともに、エアー供給手段７５のエアーノズル７５１を待機位置に位置付ける。そして、スピンナーテーブル７１１を図３に示す被加工物搬入・搬出位置に位置付けるとともに、スピンナーテーブル７１１に保持されている半導体ウエーハ１０の吸引保持を解除する。次に、スピンナーテーブル７１１上の加工後の半導体ウエーハ１０は、被加工物搬送手段１６によって仮置き部１４ａに配設された位置合わせ手段１４に搬出する。位置合わせ手段１４に搬出された加工後の半導体ウエーハ１０は、被加工物搬出手段１５によってカセット１３の所定位置に収納される。 As described above, after cleaning and drying of the processed semiconductor wafer 10, the rotation of the spinner table 711 is stopped and the air nozzle 751 of the air supply means 75 is positioned at the standby position. Then, the spinner table 711 is positioned at the workpiece loading / unloading position shown in FIG. 3, and the suction holding of the semiconductor wafer 10 held on the spinner table 711 is released. Next, the processed semiconductor wafer 10 on the spinner table 711 is carried out by the workpiece transfer means 16 to the alignment means 14 provided in the temporary placement portion 14a. The processed semiconductor wafer 10 unloaded to the alignment means 14 is stored in a predetermined position of the cassette 13 by the workpiece unloading means 15.

次に、本発明による保護被膜の被覆方法の他の実施形態について、図１１乃至図１３を参照して説明する
この実施形態は、サファイヤウエーハのように比較的小径のウエーハの加工面に保護被膜の被覆方法である。この実施形態においては、図１１に示すように環状のフレーム１１に装着された保護テープ１２の表面に複数個のサファイヤウエーハ２０が加工面である表面２０aを上側にして貼着されている。従って、環状のフレーム１１に装着された保護テープ１２は、複数個のウエーハを支持する支持部材として機能する。 Next, another embodiment of the method for coating a protective coating according to the present invention will be described with reference to FIGS. 11 to 13. This embodiment is a protective coating on a processed surface of a relatively small diameter wafer such as a sapphire wafer. This is a coating method. In this embodiment, as shown in FIG. 11, a plurality of sapphire wafers 20 are attached to the surface of a protective tape 12 mounted on an annular frame 11 with the surface 20a, which is the processing surface, facing upward. Accordingly, the protective tape 12 mounted on the annular frame 11 functions as a support member that supports a plurality of wafers.

図１１に示すように環状のフレーム１１に保護テープ１２を介して支持された加工前の複数個のサファイヤウエーハ２０は、上述した実施形態と同様に被膜形成兼洗浄手段７のスピンナーテーブル７１１上に吸引保持される(ウエーハ保持工程)。次に、図１２に示すように複数個のサファイヤウエーハ２０が貼着された支持部材である保護テープ１２の中央領域に上記樹脂液供給手段７４の樹脂液供給ノズル７４１から所定量の液状樹脂１００を滴下する（樹脂滴下工程）。 As shown in FIG. 11, a plurality of unprocessed sapphire wafers 20 supported by an annular frame 11 via a protective tape 12 are placed on the spinner table 711 of the film forming and cleaning means 7 as in the above-described embodiment. It is sucked and held (wafer holding step). Next, as shown in FIG. 12, a predetermined amount of liquid resin 100 is supplied from the resin liquid supply nozzle 741 of the resin liquid supply means 74 to the central region of the protective tape 12 as a support member to which a plurality of sapphire wafers 20 are attached. Is dropped (resin dropping step).

図１２に示すように樹脂滴下工程を実施したならば、図１３に示すようにスピンナーテーブル７１１(図２参照)、従って複数個のサファイヤウエーハ２０が貼着された支持部材である保護テープ１２を矢印で示す方向に回転するとともに、エアーノズル７５１から、保護テープ１２の表面に滴下された液状樹脂１００に向けてエアーを吹き付ける保護被膜被覆工程を実施する。このとき、エアーノズル７５１から噴出されるエアーは、複数個のサファイヤウエーハ２０が貼着された保護テープ１２の中央領域を通して外周に向けて吹き付けられる。なお、スピンナーテーブル７１１の回転速度は上述した実施形態と同様に1〜１００rpmでよく、エアーノズル７５１から噴出されるエアーの圧力も上述した実施形態と同様に０．４Mpa程度でよい。このように、複数個のサファイヤウエーハ２０を支持した支持部材である保護テープ１２を矢印で示す方向に回転しつつエアーノズル７５１からエアーを吹き付けることにより、保護テープ１２の表面の中央領域に滴下された液状樹脂１００は、図１３の(a),(b),(c),(d)の順に順外周に向けて流動せしめられる。そして、複数個のサファイヤウエーハ２０が貼着された支持部材である保護テープ１２が１回転したら、図１３の(e)に示すように複数個のサファイヤウエーハ１１０が貼着された支持部材である保護テープ１２の回転を停止するとともに、エアーノズル７５１からのエアーの噴出を停止する。この結果、図１３の(e)に示すように複数個のサファイヤウエーハ１１０の加工面１１０aには、液状樹脂による保護被膜１１０が均一に被覆される。 When the resin dripping step is performed as shown in FIG. 12, the spinner table 711 (see FIG. 2) as shown in FIG. 13, and thus the protective tape 12 as a support member to which a plurality of sapphire wafers 20 are attached, is attached. While rotating in the direction indicated by the arrow, a protective coating coating step is performed in which air is blown from the air nozzle 751 toward the liquid resin 100 dropped on the surface of the protective tape 12. At this time, the air ejected from the air nozzle 751 is blown toward the outer periphery through the central region of the protective tape 12 to which a plurality of sapphire wafers 20 are adhered. The rotation speed of the spinner table 711 may be 1 to 100 rpm as in the above-described embodiment, and the pressure of air ejected from the air nozzle 751 may be approximately 0.4 Mpa as in the above-described embodiment. In this way, air is blown from the air nozzle 751 while rotating the protective tape 12 which is a support member supporting the plurality of sapphire wafers 20 in the direction indicated by the arrow, so that it is dropped on the central region of the surface of the protective tape 12. liquid resin 100 in FIG. 13 (a), (b) , (c), caused to flow toward the Jungaishu in the order of (d). When the protective tape 12, which is a support member to which a plurality of sapphire wafers 20 are attached, rotates once, as shown in FIG. 13 (e), a plurality of sapphire wafers 110 are attached to the support member. The rotation of the protective tape 12 is stopped, and the ejection of air from the air nozzle 751 is stopped. As a result, as shown in FIG. 13E, the processed surface 110a of the plurality of sapphire wafers 110 is uniformly coated with the protective coating 110 made of a liquid resin.

上述した保護被膜被覆工程を実施したならば、サファイヤウエーハ２０の加工面である表面２０ａに被覆された保護被膜１１０の乾燥工程を実施する。この乾燥工程は、上述した実施形態と同様にスピンナーテーブル７１１、従って複数個のサファイヤウエーハ２０が貼着された支持部材である保護テープ１２を所定方向に例えば５００〜３０００rpmの回転速度で回転し、３０秒程度実施する。 If the above-mentioned protective film coating process is performed, the drying process of the protective film 110 coated on the surface 20a that is the processed surface of the sapphire wafer 20 is performed. In this drying process, the spinner table 711, and thus the protective tape 12, which is a support member to which a plurality of sapphire wafers 20 are attached, is rotated in a predetermined direction at a rotational speed of, for example, 500 to 3000 rpm, Run for about 30 seconds.

本発明による保護被膜の被覆方法を実施する保護被膜形成兼洗浄手段を備えたレーザー加工装置の斜視図。The perspective view of the laser processing apparatus provided with the protective film formation and washing | cleaning means which enforces the coating method of the protective film by this invention. 図１に示すレーザー加工装置に装備される保護被膜形成兼洗浄手段の一部を破断して示す斜視図。The perspective view which fractures | ruptures and shows a part of protective film formation and washing | cleaning means with which the laser processing apparatus shown in FIG. 1 is equipped. 図２に示す保護被膜形成兼洗浄手段のスピンナーテーブルを被加工物搬入・搬出位置に位置付けた状態を示す説明図。Explanatory drawing which shows the state which located the spinner table of the protective film formation and washing | cleaning means shown in FIG. 2 in the workpiece carrying in / out position. 図２に示す保護被膜形成兼洗浄手段のスピンナーテーブルを作業位置に位置付けた状態を示す説明図。Explanatory drawing which shows the state which located the spinner table of the protective film formation and washing | cleaning means shown in FIG. 2 in the working position. 図１に示すレーザー加工装置によって加工される被加工物としての半導体ウエーハの斜視図。The perspective view of the semiconductor wafer as a to-be-processed object processed with the laser processing apparatus shown in FIG. 本発明による保護被膜の被覆方法の一実施形態における樹脂滴下工程を示す説明図。Explanatory drawing which shows the resin dripping process in one Embodiment of the coating method of the protective film by this invention. 本発明による保護被膜の被覆方法の一実施形態における保護被膜被覆工程を示す説明図。Explanatory drawing which shows the protective film coating process in one Embodiment of the coating method of the protective film by this invention. 保護被膜形成工程によって保護被膜が被覆された被加工物としての半導体ウエーハの要部拡大断面図。The principal part expanded sectional view of the semiconductor wafer as a workpiece by which the protective film was coat | covered by the protective film formation process. 図１に示すレーザー加工装置によるレーザー光線照射工程を示す説明図。Explanatory drawing which shows the laser beam irradiation process by the laser processing apparatus shown in FIG. 図９に示すレーザー光線照射工程によってレーザー加工された被加工物としての半導体ウエーハの要部拡大断面図。The principal part expanded sectional view of the semiconductor wafer as a to-be-processed object laser-processed by the laser beam irradiation process shown in FIG. 被加工物としての複数個のサファイヤウエーハを環状のフレームに装着された保護テープ１２に貼着した状態を示す平面図。The top view which shows the state which stuck the some sapphire wafer as a to-be-processed object to the protective tape 12 with which the cyclic | annular flame | frame was mounted | worn. 本発明による保護被膜の被覆方法の他の実施形態における樹脂滴下工程を示す説明図。Explanatory drawing which shows the resin dripping process in other embodiment of the coating method of the protective film by this invention. 本発明による保護被膜の被覆方法の他の実施形態における保護被膜被覆工程を示す説明図。Explanatory drawing which shows the protective film coating process in other embodiment of the coating method of the protective film by this invention. 従来の保護被膜の被覆方法を示す説明図。Explanatory drawing which shows the coating method of the conventional protective film.

Explanation of symbols

２：装置ハウジング
３：チャックテーブル
４：レーザー光線照射手段
４１：レーザー光線発振手段
４２：集光器
５：撮像機構
６：表示手段
７：保護被膜形成兼洗浄手段
７１：スピンナーテーブル機構
７１１：スピンナーテーブル
７１２：電動モータ
７２：洗浄水受け手段
７４：樹脂液供給手段
７４１：樹脂液供給ノズル
７５：エアー供給手段
７５１：エアーノズル
７６：洗浄水供給手段
７６１：洗浄水ノズル
１０：半導体ウエーハ
１０１：ストリート
１０２：回路
１１０：保護被膜
１１：環状のフレーム
１２：保護テープ
１３：カセット
１４：位置合わせ手段
１５：被加工物搬出・搬入手段
１６：被加工物搬送手段
１８：洗浄搬送手段
２０：サファイヤウエーハ 2: Device housing 3: Chuck table 4: Laser beam irradiation means 41: Laser beam oscillation means 42: Condenser 5: Imaging mechanism 6: Display means 7: Protective film forming and cleaning means 71: Spinner table mechanism 711: Spinner table 712: Electric motor 72: Wash water receiving means 74: Resin liquid supply means 741: Resin liquid supply nozzle 75: Air supply means 751: Air nozzle 76: Wash water supply means 761: Wash water nozzle 10: Semiconductor wafer 101: Street 102: Circuit 110: protective coating 11: annular frame 12: protective tape 13: cassette 14: positioning means 15: workpiece unloading / carrying means 16: workpiece conveying means 18: cleaning conveying means 20: sapphire wafer

Claims

A method of coating a protective coating that covers a processed surface of a wafer with a resin protective coating,
A wafer holding step for holding the wafer on the spinner table with the processing surface facing upward;
A resin dropping step of dropping a predetermined amount of liquid resin on the central region of the processed surface of the wafer held on the spinner table;
Protective coating coating that rotates the spinner table and blows air from the side of the wafer through the center area of the processed surface of the wafer toward the outer periphery, allowing the liquid resin dropped on the center area of the processed surface of the wafer to flow toward the outer periphery Including a process,
A method for coating a protective film.

The method for coating a protective film according to claim 1, wherein in the protective film coating step, the spinner table is rotated at a rotation speed of 1 to 100 rpm.

The protection according to claim 1 or 2, wherein, after the protective coating coating step, the spinner table is rotated at a rotational speed of 500 to 3000 rpm, and the drying step of drying the liquid resin coated on the processed surface of the wafer is performed. Coating method of coating.

A method of coating a protective film, which covers a processed surface of a plurality of wafers adhered to the surface of a support member with the processed surface facing upward,
A wafer holding step for holding the wafer-supporting support member on the spinner table;
A resin dropping step of dropping a predetermined amount of liquid resin on the central region of the support member held on the spinner table and attached to the wafer;
A protective coating coating step of rotating the spinner table and blowing air toward the outer periphery from the side of the support member through the central region of the support member, and causing the liquid resin dropped on the central region of the support member to flow toward the outer periphery, including,
A method for coating a protective film.

The method for coating a protective film according to claim 4 , wherein in the protective film coating step, the spinner table is rotated at a rotational speed of 1 to 100 rpm.

The protection according to claim 4 or 5, wherein after the protective coating coating step, the spinner table is rotated at a rotational speed of 500 to 3000 rpm, and a drying step of drying the liquid resin coated on the processed surface of the wafer is performed. Coating method of coating.