JP5241317B2

JP5241317B2 - Cleaning device

Info

Publication number: JP5241317B2
Application number: JP2008128425A
Authority: JP
Inventors: 知伸吉川
Original assignee: Tokyo Seimitsu Co Ltd
Current assignee: Tokyo Seimitsu Co Ltd
Priority date: 2008-05-15
Filing date: 2008-05-15
Publication date: 2013-07-17
Anticipated expiration: 2028-05-15
Also published as: JP2009277925A

Description

本発明は、ウェーハの表面に貼付けられた保護フィルムとそのようなウェーハを吸引する搬送ユニットの吸引部との両方を洗浄するクリーニング装置に関する。 The present invention relates to a cleaning device that cleans both a protective film affixed to the surface of a wafer and a suction unit of a transfer unit that sucks such a wafer.

半導体製造分野においてはウェーハが年々大型化する傾向にあり、また、実装密度を高めるためにウェーハの薄葉化が進んでいる。ウェーハを薄葉化するために、半導体ウェーハの裏面を研削するバックグラインド（裏面研削）が行われている。バックグラインド時には、ウェーハ表面に形成された回路パターンを保護するために表面保護フィルムがウェーハ表面に貼付けられる。 In the semiconductor manufacturing field, wafers tend to increase in size year by year, and wafers are becoming thinner to increase mounting density. In order to thin the wafer, back grinding (back surface grinding) is performed to grind the back surface of the semiconductor wafer. At the time of back grinding, a surface protective film is attached to the wafer surface in order to protect the circuit pattern formed on the wafer surface.

裏面研削直後においてはスラッジ、パーティクル等（以下、「スラッジ等」と称する）がウェーハの裏面に残存している。さらに、裏面研削時に発生したスラッジ等はウェーハの表面側に回込んで、保護フィルムに付着する場合がある。このようなスラッジ等により、後工程においてウェーハがこのようなスラッジを起点として破損する可能性がある。 Immediately after the back surface grinding, sludge, particles, etc. (hereinafter referred to as “sludge etc.”) remain on the back surface of the wafer. Furthermore, sludge and the like generated at the time of back surface grinding may wrap around to the front surface side of the wafer and adhere to the protective film. Due to such sludge and the like, the wafer may be damaged starting from such sludge in a later process.

また、通常、ウェーハの表面に貼付けられた保護フィルムは後工程において剥離テープを用いて剥離される。しかしながら、フィルムにスラッジ等が付着している場合には、剥離テープを保護フィルムに貼付けると、スラッジが剥離テープと保護フィルムとの間に介在するようになる。これにより、剥離テープの接着力が部分的に低下して、剥離テープは保護フィルムに適切に貼付かず、従って、保護フィルムの剥離自体が困難になる可能性がある。それゆえ、ウェーハの裏面研削後においては、ウェーハの表面に貼付けられた保護フィルムおよびウェーハの裏面は洗浄される（特許文献１）。 Moreover, the protective film affixed on the surface of a wafer is normally peeled using a peeling tape in a post process. However, when sludge or the like adheres to the film, the sludge is interposed between the peeling tape and the protective film when the peeling tape is attached to the protective film. As a result, the adhesive strength of the release tape is partially reduced, and the release tape is not properly applied to the protective film, and thus the protective film may be difficult to peel off. Therefore, after the backside grinding of the wafer, the protective film attached to the surface of the wafer and the backside of the wafer are cleaned (Patent Document 1).

裏面研削後のウェーハは、通常、その裏面が搬送ユニットの吸引部により吸引されて、後工程の装置まで搬送される。ウェーハの裏面に残存したスラッジ等が搬送ユニットの吸引部に付着すると、搬送ユニットが別のウェーハを搬送する際に、ウェーハがスラッジを起点として同様に破損する可能性がある。従って、搬送ユニットの吸引部も洗浄することが望まれる。従来技術においては、吸引部を搬送ユニットから取外して別途洗浄するか、または、搬送ユニット吸引部専用の洗浄ユニットを使用していた。
特開２００５−９８７７３号公報 The wafer after the back surface grinding is normally sucked by the suction unit of the transport unit and transported to a subsequent process apparatus. If sludge or the like remaining on the back surface of the wafer adheres to the suction portion of the transfer unit, the wafer may be similarly damaged starting from the sludge when the transfer unit transfers another wafer. Therefore, it is desirable to clean the suction part of the transport unit. In the prior art, the suction unit is removed from the transport unit and cleaned separately, or a cleaning unit dedicated to the transport unit suction unit is used.
JP 2005-98773 A

しかしながら、研削後のウェーハおよび保護フィルムを洗浄する洗浄ユニットと、搬送ユニットの吸引部を洗浄する他の洗浄ユニットとを別個に備える場合には、装置全体が大型化する。この場合には装置全体の価格が上昇し、また設置場所の確保も困難となる。従って、より小型のクリーニング装置が望まれている。 However, when the cleaning unit that cleans the ground wafer and the protective film and the other cleaning unit that cleans the suction unit of the transport unit are separately provided, the entire apparatus becomes large. In this case, the price of the entire apparatus rises and it is difficult to secure the installation location. Therefore, a smaller cleaning device is desired.

本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、研削後のウェーハの保護フィルムを洗浄する洗浄ユニットと、搬送ユニットの吸引部を洗浄する他の洗浄ユニットとを備えた比較的小型のクリーニング装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such circumstances, and is a comparatively small size provided with a cleaning unit that cleans a protective film of a wafer after grinding, and another cleaning unit that cleans a suction portion of a transport unit. An object is to provide a cleaning device.

前述した目的を達成するために１番目の発明によれば、搬送ユニットの吸引部によりウェーハの裏面が吸引されるときに、前記ウェーハの表面に貼付けられた保護フィルムを洗浄する第一洗浄手段と、前記ウェーハを吸引していないときに前記搬送ユニットの前記吸引部を洗浄する第二洗浄手段と、前記第一洗浄手段を前記第二洗浄手段に対して相対的に昇降させる昇降手段とを具備し、前記第一洗浄手段は、前記ウェーハの直径の両端部に対応した二つの第一洗浄部材を含んでおり、前記第二洗浄手段は、前記ウェーハの半径に概ね等しい長さの二つの第二洗浄部材を含んでおり、前記第一洗浄部材は前記ウェーハの中心に位置する回転軸線回りに回転可能に配置されており、前記第二洗浄部材は該第二洗浄部材の中心回りに回転可能でかつ前記第一洗浄部材と共通の回転軸線周りに周回可能に配置されるクリーニング装置が提供される。 In order to achieve the above-described object, according to the first invention, when the back surface of the wafer is sucked by the suction portion of the transport unit, the first cleaning means for cleaning the protective film attached to the front surface of the wafer; A second cleaning means for cleaning the suction part of the transfer unit when the wafer is not sucked, and an elevating means for moving the first cleaning means up and down relative to the second cleaning means. The first cleaning means includes two first cleaning members corresponding to both ends of the diameter of the wafer, and the second cleaning means includes two first cleaning members having a length substantially equal to the radius of the wafer. The first cleaning member is rotatably arranged around a rotation axis located at the center of the wafer, and the second cleaning member is rotatable around the center of the second cleaning member. Big Cleaning apparatus is provided which is orbiting capable disposed on a common axis of rotation about said first cleaning member.

すなわち１番目の発明においては、ウェーハの保護フィルムを洗浄するときには第一洗浄手段を第二洗浄手段よりも上昇させて第一洗浄手段のみが保護フィルムに接触するようにする。さらに、搬送ユニットの吸引部を洗浄するときには第一洗浄手段を第二洗浄手段よりも下降させて、第二洗浄手段のみが吸引部に接触するようにする。これにより、同一のクリーニング装置内に二つの洗浄ユニットを備えつつ、比較的小型のクリーニング装置を形成することができる。さらに、裏面研削時に生ずるスラッジ等は通常は保護フィルムの中心部分まで到達しないので、ウェーハの縁部付近のみを洗浄できれば十分である。すなわち１番目の発明においては、第一洗浄部材を小型にすることができ、従って、クリーニング装置全体を軽量化できる。さらに、１番目の発明においては、第二洗浄部材がウェーハに対して周回し、第二洗浄部材自体が回転しているので搬送ユニットの吸引部を均等に洗浄することができる。また、ウェーハの中心回りに第一洗浄部材が回転可能で第二洗浄部材が周回可能であるので、クリーニング装置をさらに小型化できる。 That is, in the first invention, when cleaning the protective film on the wafer, the first cleaning means is raised above the second cleaning means so that only the first cleaning means contacts the protective film. Further, when cleaning the suction unit of the transport unit, the first cleaning unit is lowered from the second cleaning unit so that only the second cleaning unit contacts the suction unit. Thereby, it is possible to form a relatively small cleaning device while providing two cleaning units in the same cleaning device. Furthermore, since sludge or the like generated during back grinding does not normally reach the center of the protective film, it is sufficient that only the vicinity of the edge of the wafer can be cleaned. That is, in the first invention, the first cleaning member can be reduced in size, and thus the entire cleaning device can be reduced in weight. Furthermore, in the first invention, since the second cleaning member circulates with respect to the wafer and the second cleaning member itself rotates, the suction portion of the transport unit can be cleaned evenly. Further, since the first cleaning member can be rotated around the center of the wafer and the second cleaning member can be rotated, the cleaning device can be further downsized.

２番目の発明によれば、１番目の発明において、前記第一洗浄部材がスポンジまたはブラシである。
すなわち２番目の発明においては、比較的簡易な構成により、第一洗浄部材を形成し、保護フィルムに付着したスラッジ等を容易に洗浄できる。 According to a second aspect , in the first aspect, the first cleaning member is a sponge or a brush.
That is, in the second aspect , the first cleaning member is formed with a relatively simple configuration, and sludge and the like attached to the protective film can be easily cleaned.

３番目の発明によれば、１番目または２番目の発明において、さらに、前記第一洗浄手段による洗浄時に、液体を前記ウェーハに供給する液体供給手段を具備する。
すなわち３番目の発明においては、第一洗浄手段による保護フィルムの洗浄の効果を高めることができる。 According to a third aspect, in the first or second aspect , the apparatus further comprises liquid supply means for supplying a liquid to the wafer at the time of cleaning by the first cleaning means.
That is, in the third aspect , the effect of cleaning the protective film by the first cleaning means can be enhanced.

４番目の発明によれば、３番目の発明において、さらに、前記液体供給手段により液体を供給した後で、気体を前記ウェーハに供給する気体供給手段を具備する。
すなわち４番目の発明においては、第一洗浄手段による洗浄後に気体を供給して、保護フィルムを乾燥させられる。 According to a fourth aspect, in the third aspect , the apparatus further comprises gas supply means for supplying a gas to the wafer after the liquid is supplied by the liquid supply means.
That is, in the fourth aspect of the invention, the protective film can be dried by supplying gas after the cleaning by the first cleaning means.

５番目の発明によれば、１番目の発明において、前記第二洗浄部材は砥石である。
すなわち５番目の発明においては、比較的簡易な構成により、第二洗浄部材を形成し、吸引部に付着したスラッジ等を研磨により除去することができる。 According to a fifth aspect, in the first aspect , the second cleaning member is a grindstone.
That is, in the fifth aspect , the second cleaning member can be formed with a relatively simple configuration, and sludge and the like adhering to the suction portion can be removed by polishing.

以下、添付図面を参照して本発明の実施形態を説明する。以下の図面において同様の部材には同様の参照符号が付けられている。理解を容易にするために、これら図面は縮尺を適宜変更している。
図１（ａ）は本発明に係るクリーニング装置を備えたウェーハ処理装置の略平面図である。ウェーハ処理装置１０には、複数の回路パターンが形成された表面２１が保護フィルム３により保護されている複数のウェーハ２０がカセット１１ａから供給されるものとする。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. In the following drawings, the same members are denoted by the same reference numerals. In order to facilitate understanding, the scales of these drawings are appropriately changed.
FIG. 1A is a schematic plan view of a wafer processing apparatus provided with a cleaning apparatus according to the present invention. It is assumed that the wafer processing apparatus 10 is supplied with a plurality of wafers 20 having a surface 21 on which a plurality of circuit patterns are formed protected by the protective film 3 from the cassette 11a.

図１（ａ）に示されるウェーハ処理装置１０は、四つのチャック部１２ａ〜１２ｄを備えていて矢印Ａ方向にインデックス回転する回転テーブル１３と、チャック部１２ａ〜１２ｄを洗浄する洗浄ユニット１４と、ウェーハ２０を搬送する搬送ロボット１５とを含んでいる。 A wafer processing apparatus 10 shown in FIG. 1 (a) includes four chuck portions 12a to 12d, and a rotary table 13 that rotates index in the direction of arrow A, a cleaning unit 14 that cleans the chuck portions 12a to 12d, And a transfer robot 15 for transferring the wafer 20.

さらに、図１（ａ）に示されるように、ウェーハ処理装置１０においては、粗研削ユニット３１、仕上研削ユニット３２および研磨ユニット３３が回転テーブル１３の回転方向Ａに沿って順番に配置されている。なお、粗研削ユニット３１は粗研削砥石（図示しない）によりウェーハ２０の裏面２２を粗研削し、仕上研削ユニット３２は仕上研削砥石（図示しない）により裏面２２を仕上研削する。同様に、研磨ユニット３３はウェーハ２０の裏面２２を研磨するのに使用される。 Further, as shown in FIG. 1A, in the wafer processing apparatus 10, the rough grinding unit 31, the finish grinding unit 32, and the polishing unit 33 are sequentially arranged along the rotation direction A of the turntable 13. . The rough grinding unit 31 rough-grinds the back surface 22 of the wafer 20 with a rough grinding wheel (not shown), and the finish grinding unit 32 finish-grinds the back surface 22 with a finish grinding wheel (not shown). Similarly, the polishing unit 33 is used to polish the back surface 22 of the wafer 20.

また、図１（ａ）においては、研磨後のウェーハ２０を搬送する搬送ユニット３５、後述するクリーニング装置４０、およびウェーハ２０を洗浄するスピンナー洗浄機３９が示されている。搬送ユニット３５、はウェーハ２０の特に裏面２２をクリーニング装置４０、スピンナー洗浄機３９およびカセット１１ｂに搬送することが可能である。 FIG. 1A shows a transfer unit 35 for transferring the polished wafer 20, a cleaning device 40 to be described later, and a spinner cleaner 39 for cleaning the wafer 20. The transfer unit 35 can transfer the back surface 22 of the wafer 20 to the cleaning device 40, the spinner cleaner 39, and the cassette 11b.

図１（ｂ）は搬送ユニットの先端部分の縦断面図である。搬送ユニット３５はその底面に吸引部３６を備えている。吸引部３６は多孔質材料から形成されているか、または多数の小孔が形成された部材であり、真空源（図示しない）に接続されている。図１（ｂ）に示されるように、搬送ユニット３５の動作時には、ウェーハ２０の裏面２２が吸引部３６に吸引される。 FIG. 1B is a longitudinal sectional view of the front end portion of the transport unit. The transport unit 35 includes a suction unit 36 on the bottom surface. The suction part 36 is formed of a porous material or a member in which a large number of small holes are formed, and is connected to a vacuum source (not shown). As shown in FIG. 1B, the back surface 22 of the wafer 20 is sucked by the suction unit 36 during the operation of the transfer unit 35.

図２は本発明に基づくクリーニング装置の頂面図であり、図３は図２の線Ｂ−Ｂに沿ってみたクリーニング装置の側断面図である。これら図面から分かるように、クリーニング装置４０は略筒型に構成されている。また、図３に示されるように、クリーニング装置４０のハウジング４１の頂部には、開口部４２が形成されている。この開口部４２の寸法は、クリーニング装置４０により洗浄されるべき最大のウェーハ２０の寸法に概ね等しい。 FIG. 2 is a top view of the cleaning device according to the present invention, and FIG. 3 is a side sectional view of the cleaning device taken along line BB in FIG. As can be seen from these drawings, the cleaning device 40 has a substantially cylindrical shape. As shown in FIG. 3, an opening 42 is formed at the top of the housing 41 of the cleaning device 40. The size of the opening 42 is approximately equal to the size of the largest wafer 20 to be cleaned by the cleaning device 40.

図示されるように、開口部４２に対して平行な中間プレート４３がハウジング４１に設けられている。そして、シャフト４４が中間プレート４３の中心孔に回転可能に挿入されている。シャフト４４の下方部分は二つのスライダ４７ａ、４７ｂに結合されている。また、二つのロッド４８ａ、４８ｂがクリーニング装置４０の底部と中間プレート４３との間に延びている。スライダ４７ａ、４７ｂのそれぞれは、これらロッド４８ａ、４８ｂに摺動可能に取付けられている。 As shown in the drawing, an intermediate plate 43 parallel to the opening 42 is provided in the housing 41. The shaft 44 is rotatably inserted into the center hole of the intermediate plate 43. A lower portion of the shaft 44 is coupled to two sliders 47a and 47b. Two rods 48 a and 48 b extend between the bottom of the cleaning device 40 and the intermediate plate 43. Each of the sliders 47a and 47b is slidably attached to the rods 48a and 48b.

図３から分かるように、スライダ４７ａ、４７ｂはシャフト４４の下方に配置されたエアシリンダ４６に連結されている。従って、エアシリンダ４６が駆動すると、スライダ４７ａ、４７ｂおよびシャフト４４は鉛直方向に昇降する。また、シャフト４４は、クリーニング装置４０の下方部分に配置されたモータ４５に連結されている。従って、モータ４５が駆動されると、シャフト４４はクリーニング装置４０の中心軸線Ｘ回りに回転するようになる。 As can be seen from FIG. 3, the sliders 47 a and 47 b are connected to an air cylinder 46 disposed below the shaft 44. Therefore, when the air cylinder 46 is driven, the sliders 47a and 47b and the shaft 44 are moved up and down in the vertical direction. The shaft 44 is connected to a motor 45 disposed in a lower part of the cleaning device 40. Therefore, when the motor 45 is driven, the shaft 44 rotates around the central axis X of the cleaning device 40.

図２および図３に示されるように、クリーニング装置４０は、ウェーハ２０の表面２１に貼付けられた保護フィルム３を洗浄する第一洗浄ユニット５０を含んでいる。第一洗浄ユニット５０は、シャフト４４に固定されたスリーブ５１と、スリーブ５１の上端に一体的に連結されたアーム５２とを含んでいる。図２から分かるように、アーム５２はクリーニング装置４０の直径方向に水平に延びている。アーム５２の長さはウェーハ２０の直径に概ね等しいものとする。 As shown in FIGS. 2 and 3, the cleaning device 40 includes a first cleaning unit 50 that cleans the protective film 3 attached to the surface 21 of the wafer 20. The first cleaning unit 50 includes a sleeve 51 fixed to the shaft 44 and an arm 52 integrally connected to the upper end of the sleeve 51. As can be seen from FIG. 2, the arm 52 extends horizontally in the diameter direction of the cleaning device 40. The length of the arm 52 is approximately equal to the diameter of the wafer 20.

さらに、図３に示されるように、アーム５２の両端部上面のそれぞれには、第一洗浄部材５５、例えばＰＶＡ製スポンジが取付けられている。そして、配管５６が、第一洗浄部材５５の下面からシャフト４４の内部通路４４ａを通ってシャフト４４の下端まで延びている。シャフト４４の下端には、洗浄水源（図示しない）に接続された接続口４４ｂが取付けられている。第一洗浄部材５５の使用時には、洗浄水源からの洗浄水が配管５６を通って二つの第一洗浄部材５５まで供給される。これにより、第一洗浄部材５５、例えばＰＶＡ製スポンジを適度に保湿することができる。 Further, as shown in FIG. 3, a first cleaning member 55, for example, a PVA sponge is attached to each of the upper surfaces of both ends of the arm 52. The pipe 56 extends from the lower surface of the first cleaning member 55 to the lower end of the shaft 44 through the internal passage 44 a of the shaft 44. A connection port 44 b connected to a cleaning water source (not shown) is attached to the lower end of the shaft 44. When the first cleaning member 55 is used, the cleaning water from the cleaning water source is supplied to the two first cleaning members 55 through the pipe 56. Thereby, the 1st washing | cleaning member 55, for example, the sponge made from PVA, can be appropriately moisturized.

なお、図示しない実施形態においては第一洗浄部材５５はブラシでもよい。 In the embodiment not shown, the first cleaning member 55 may be a brush.

また、図２から分かるように、第一洗浄部材５５は少なくとも保護フィルム３の外周部近傍を部分的に洗浄可能に形成されている。裏面研削時にはウェーハ２０の保護フィルム３はチャック部に保持されているので、裏面研削時に生じるスラッジ等はせいぜい保護フィルム３の外周部付近にのみ付着し、中央部にはほとんど到達しない。従って、第一洗浄部材５５はウェーハ２０の直径の少なくとも両端部に対応した位置に配置されていれば足りる。 As can be seen from FIG. 2, the first cleaning member 55 is formed so that at least the vicinity of the outer peripheral portion of the protective film 3 can be partially cleaned. Since the protective film 3 of the wafer 20 is held by the chuck portion during backside grinding, sludge and the like generated during backside grinding adheres only to the vicinity of the outer peripheral portion of the protective film 3 and hardly reaches the center portion. Therefore, it is sufficient that the first cleaning member 55 is disposed at positions corresponding to at least both ends of the diameter of the wafer 20.

図示されるように、本発明においては第一洗浄部材５５はウェーハ２０の半径方向に所定の長さを有している。従って、第一洗浄部材５５は、第一洗浄部材５５の長さの範囲内において半径の異なるウェーハに貼付けられた保護フィルム３の外周部を洗浄できるのが分かるであろう。なお、図示しない実施形態においては、一つの第一洗浄部材５５の長さがウェーハ２０の半径にほぼ等しくてもよい。この場合には、半径がさらに異なるウェーハに対応できる。さらに、スラッジ等が保護フィルム３の中心付近まで到達している場合であっても、これらスラッジ等を洗浄できることが分かるであろう。 As illustrated, in the present invention, the first cleaning member 55 has a predetermined length in the radial direction of the wafer 20. Therefore, it will be understood that the first cleaning member 55 can clean the outer peripheral portion of the protective film 3 attached to the wafer having a different radius within the length of the first cleaning member 55. In the embodiment (not shown), the length of one first cleaning member 55 may be substantially equal to the radius of the wafer 20. In this case, wafers with different radii can be accommodated. Further, it will be understood that even if sludge or the like has reached the vicinity of the center of the protective film 3, these sludge and the like can be cleaned.

また、図２に示されるように、複数、例えば八つの液体供給ノズル７１がクリーニング装置４０の周方向に等間隔で配置されている。図３から分かるように、これら液体供給ノズル７１は第一洗浄ユニット５０の第一洗浄部材５５と第二洗浄ユニット６０の第二洗浄部材６５とに対応した位置において中間プレート４３に配置されている。液体供給ノズル７１の先端はクリーニング装置４０の半径方向内側に向かってわずかながら傾斜している。これら液体供給ノズル７１は洗浄水源（図示しない）に接続されており、その先端から洗浄水を供給する。 Further, as shown in FIG. 2, a plurality of, for example, eight liquid supply nozzles 71 are arranged at equal intervals in the circumferential direction of the cleaning device 40. As can be seen from FIG. 3, these liquid supply nozzles 71 are arranged on the intermediate plate 43 at positions corresponding to the first cleaning member 55 of the first cleaning unit 50 and the second cleaning member 65 of the second cleaning unit 60. . The tip of the liquid supply nozzle 71 is slightly inclined toward the inside in the radial direction of the cleaning device 40. These liquid supply nozzles 71 are connected to a cleaning water source (not shown) and supply cleaning water from the tip thereof.

また、中間プレート４３の外周部には、排出孔４３ａが形成されている。ハウジング４１および中間プレート４３により受容された液体は排出孔４３ａおよび排出管４９を通ってクリーニング装置４０の外部まで排出される。 A discharge hole 43 a is formed in the outer peripheral portion of the intermediate plate 43. The liquid received by the housing 41 and the intermediate plate 43 is discharged to the outside of the cleaning device 40 through the discharge hole 43 a and the discharge pipe 49.

再び図２を参照すると、気体供給管７５がハウジング４１の半周を越えてハウジング４１の内壁に沿って配置されている。図２に示される実施形態においては気体供給管７５は約１９５°にわたってハウジング４１の周方向に延びているが、気体供給管７５の長さを変更してもよい。図３から分かるように、気体供給管７５はハウジング４１の上端近傍に配置されており、気体源（図示しない）に接続されている。 Referring again to FIG. 2, the gas supply pipe 75 is disposed along the inner wall of the housing 41 beyond the half circumference of the housing 41. In the embodiment shown in FIG. 2, the gas supply pipe 75 extends in the circumferential direction of the housing 41 over about 195 °, but the length of the gas supply pipe 75 may be changed. As can be seen from FIG. 3, the gas supply pipe 75 is disposed in the vicinity of the upper end of the housing 41 and is connected to a gas source (not shown).

この気体供給管７５には、多数の孔（図示しない）が気体供給管７５の長さ部分に沿って形成されている。従って、気体源（図示しない）から乾燥空気などの気体が気体供給管７５に供給されると、気体は気体供給管７５の多数の孔を通ってクリーニング装置４０の半径方向に供給される。これにより、第一洗浄ユニット５０により洗浄されたウェーハ２０の保護フィルム３を迅速に乾燥することが可能となる。この目的のために、多数の孔は、クリーニング装置４０の半径方向内側でかつ気体供給管７５の上方に形成されるのが好ましい。 A number of holes (not shown) are formed in the gas supply pipe 75 along the length of the gas supply pipe 75. Therefore, when a gas such as dry air is supplied from a gas source (not shown) to the gas supply pipe 75, the gas is supplied in the radial direction of the cleaning device 40 through the numerous holes of the gas supply pipe 75. Thereby, the protective film 3 of the wafer 20 cleaned by the first cleaning unit 50 can be quickly dried. For this purpose, a number of holes are preferably formed radially inside the cleaning device 40 and above the gas supply pipe 75.

さらに、クリーニング装置４０は、搬送ユニット３５の吸引部３６を洗浄する第二洗浄ユニット６０を含んでいる。図３に示されるように、第二洗浄ユニット６０は、シャフト４４およびスリーブ５１が挿入される中央スリーブ６１と、中間プレート４３に結合された太陽歯車６２と、太陽歯車６２の上方において中央スリーブ６１に取付けられたターンテーブル６４とを備えている。これら中央スリーブ６１およびターンテーブル６４は、モータ４５によりシャフト４４と一緒に回転する。 Further, the cleaning device 40 includes a second cleaning unit 60 that cleans the suction part 36 of the transport unit 35. As shown in FIG. 3, the second cleaning unit 60 includes a central sleeve 61 into which the shaft 44 and the sleeve 51 are inserted, a sun gear 62 coupled to the intermediate plate 43, and the central sleeve 61 above the sun gear 62. And a turntable 64 attached thereto. The central sleeve 61 and the turntable 64 are rotated together with the shaft 44 by the motor 45.

図３に示されるように、ロッド６７が中心に結合された二つの遊星歯車６３が太陽歯車６２に係合している。また、二つのスリーブ６６がターンテーブル６４から上方に延びている。図から分かるように、遊星歯車６３のロッド６７はスリーブ６６内に回転可能に係合している。 As shown in FIG. 3, two planetary gears 63 having rods 67 coupled to the center are engaged with the sun gear 62. Two sleeves 66 extend upward from the turntable 64. As can be seen, the rod 67 of the planetary gear 63 is rotatably engaged within the sleeve 66.

第二洗浄部材６５が、ロッド６７の端部に取付けられている。図示されるように、第二洗浄部材６５の中心とロッド６７の中心とは互いに一致している。また、第二洗浄部材６５の長さはウェーハ２０の半径に概ね等しい。なお、典型的な第二洗浄部材６５は砥石である。従って、第二洗浄部材６５は、搬送ユニット３５の吸引部３６に付着したスラッジ等を研磨により除去することが可能である。 A second cleaning member 65 is attached to the end of the rod 67. As shown in the drawing, the center of the second cleaning member 65 and the center of the rod 67 coincide with each other. Further, the length of the second cleaning member 65 is approximately equal to the radius of the wafer 20. The typical second cleaning member 65 is a grindstone. Therefore, the second cleaning member 65 can remove sludge and the like adhering to the suction part 36 of the transport unit 35 by polishing.

本発明に基づくクリーニング装置４０においてモータ４５が駆動すると、中央スリーブ６１およびターンテーブル６４が一体的に回転する。これにより、遊星歯車６３は該遊星歯車６３の中心回りに回転しつつ、太陽歯車６２周りを周回するようになる。従って、遊星歯車６３と一体的な第二洗浄部材６５は、その中心回りに回転しつつ、太陽歯車６２周りを周回する。なお、モータ４５の駆動時には、第一洗浄ユニット５０の第一洗浄部材５５も同時に軸線Ｘ回りに回転していることに注意されたい。 When the motor 45 is driven in the cleaning device 40 according to the present invention, the central sleeve 61 and the turntable 64 rotate integrally. As a result, the planetary gear 63 circulates around the sun gear 62 while rotating around the center of the planetary gear 63. Accordingly, the second cleaning member 65 integral with the planetary gear 63 rotates around the sun gear 62 while rotating around its center. Note that when the motor 45 is driven, the first cleaning member 55 of the first cleaning unit 50 is also rotated about the axis X at the same time.

このように第二洗浄部材６５は回転しながら周回しているので、動作時には搬送ユニット３５の吸引部３６の全面を洗浄することができる。また、このような構成であるために、例えば第一洗浄部材５５の上面が水平面に対してわずかなが傾斜している場合であっても、吸引部３６を均等に洗浄できるのが分かるであろう。 Thus, since the second cleaning member 65 circulates while rotating, the entire surface of the suction portion 36 of the transport unit 35 can be cleaned during operation. In addition, because of such a configuration, for example, it is understood that the suction part 36 can be evenly cleaned even when the upper surface of the first cleaning member 55 is slightly inclined with respect to the horizontal plane. Let's go.

なお、図３においては、ターンテーブル６４の外周部から中間プレート４３近傍まで下方に延びた周囲カバー６８が示されている。この周囲カバー６８は、太陽歯車６２と遊星歯車６３との係合部分に液体、スラッジ等が進入するのを防止する。 In FIG. 3, a peripheral cover 68 extending downward from the outer periphery of the turntable 64 to the vicinity of the intermediate plate 43 is shown. The peripheral cover 68 prevents liquid, sludge, and the like from entering the engagement portion between the sun gear 62 and the planetary gear 63.

図４は本発明に基づくクリーニング装置の動作を示すフローチャートである。以下、図４を参照しつつ、本発明に基づくクリーニング装置の動作を説明する。以下の動作は、ウェーハ２０がウェーハ処理装置１０の粗研削ユニット３１および仕上研削ユニット３２においてその裏面が研削され、さらに研磨ユニット３３により研磨された後で実施されるものとする。 FIG. 4 is a flowchart showing the operation of the cleaning device according to the present invention. The operation of the cleaning device according to the present invention will be described below with reference to FIG. The following operation is performed after the back surface of the wafer 20 is ground in the rough grinding unit 31 and the finish grinding unit 32 of the wafer processing apparatus 10 and further polished by the polishing unit 33.

はじめにステップ１０１において、搬送ユニット３５が研磨ユニット３３のチャック部１２ｄにおいて研磨後のウェーハ２０の裏面２２を吸引部３６により吸引保持する。次いで、ステップ１０２においては、エアシリンダ４６を駆動して、スライダ４７ａ、４７ｂをロッド４８ａ、４８ｂに摺動させ、それにより、シャフト４４および第一洗浄ユニット５０を上昇させる。第一洗浄ユニット５０の第一洗浄部材５５が第二洗浄ユニット６０の第二洗浄部材６５を越えてハウジング４１の頂部まで移動すると（図３を参照されたい）、第一洗浄ユニット５０の上昇を停止させる。 First, in step 101, the transport unit 35 sucks and holds the back surface 22 of the polished wafer 20 by the suction portion 36 in the chuck portion 12 d of the polishing unit 33. Next, in step 102, the air cylinder 46 is driven to slide the sliders 47a, 47b on the rods 48a, 48b, thereby raising the shaft 44 and the first cleaning unit 50. When the first cleaning member 55 of the first cleaning unit 50 moves over the second cleaning member 65 of the second cleaning unit 60 to the top of the housing 41 (see FIG. 3), the first cleaning unit 50 is lifted. Stop.

次いで、搬送ユニット３５を移動させて、ウェーハ２０をクリーニング装置４０と同心に配置する（ステップ１０３）。これにより、ウェーハ２０はクリーニング装置４０の開口部４２を概ね被覆するようになる。このときには、ウェーハ２０に貼付けられた保護フィルム３が第一洗浄部材５５に対面する。 Next, the transfer unit 35 is moved to place the wafer 20 concentrically with the cleaning device 40 (step 103). As a result, the wafer 20 substantially covers the opening 42 of the cleaning device 40. At this time, the protective film 3 attached to the wafer 20 faces the first cleaning member 55.

その後、液体供給ノズル７１から洗浄水を保護フィルム３に向かって供給すると共に、モータ４５を駆動して第一洗浄部材５５を軸線Ｘ回りに回転させる（ステップ１０４、１０５）。これにより、第一洗浄部材５５は保護フィルム３の外周部分に接触しつつ、この外周部分を洗浄するようになる。従って、保護フィルム３の外周部分に付着していたスラッジ等が洗流される。洗流されたスラッジ等および液体供給ノズル７１から供給された洗浄水は排出管４９を通ってクリーニング装置４０から排出される。 Thereafter, cleaning water is supplied from the liquid supply nozzle 71 toward the protective film 3, and the motor 45 is driven to rotate the first cleaning member 55 about the axis X (steps 104 and 105). Thereby, the 1st washing | cleaning member 55 comes to wash | clean this outer peripheral part, contacting the outer peripheral part of the protective film 3. FIG. Accordingly, sludge and the like adhering to the outer peripheral portion of the protective film 3 is washed away. The washed sludge and the washing water supplied from the liquid supply nozzle 71 are discharged from the cleaning device 40 through the discharge pipe 49.

なお、このときには第二洗浄部材６５も回転しながら軸線Ｘ周りを周回する。しかしながら、第二洗浄部材６５は第一洗浄部材５５よりも低い位置にあるので、第二洗浄部材６５はウェーハ２０の保護フィルム３に接触することはない。 At this time, the second cleaning member 65 also rotates around the axis X while rotating. However, since the second cleaning member 65 is at a lower position than the first cleaning member 55, the second cleaning member 65 does not contact the protective film 3 of the wafer 20.

所定時間にわたって保護フィルム３を洗浄すると、モータ４５を停止させ、さらに液体供給ノズル７１も停止させる（ステップ１０６）。次いで、ステップ１０７において、気体供給管７５に気体、例えば乾燥空気を供給する。これにより、気体は気体供給管７５の多数の孔から保護フィルム３に向かってクリーニング装置４０の半径方向内側に供給される。従って、保護フィルム３を乾燥させられる。なお、保護フィルム３を乾燥するときには、エアシリンダ４６を駆動して第一洗浄部材５５を下降させ、それにより、第一洗浄部材５５が保護フィルム３に接触しないようにするのが好ましい。 When the protective film 3 is cleaned for a predetermined time, the motor 45 is stopped and the liquid supply nozzle 71 is also stopped (step 106). Next, in step 107, a gas, for example, dry air is supplied to the gas supply pipe 75. As a result, the gas is supplied from the numerous holes of the gas supply pipe 75 toward the protective film 3 to the inside of the cleaning device 40 in the radial direction. Therefore, the protective film 3 can be dried. When the protective film 3 is dried, it is preferable to drive the air cylinder 46 to lower the first cleaning member 55 so that the first cleaning member 55 does not contact the protective film 3.

次いで、搬送ユニット３５を移動させて、ウェーハ２０を後工程の装置、例えばスピンナー洗浄機３９まで搬送する。スピンナー洗浄機３９においては、搬送ユニット３５の吸引部３６を解除して、ウェーハ２０をスピンナー洗浄機３９に残置する（ステップ１０８）。ウェーハ２０はスピンナー洗浄機３９によって、特にその裏面２２が洗浄され、搬送ロボット１５によってカセット１１ｂまで搬送される。 Next, the transfer unit 35 is moved, and the wafer 20 is transferred to a subsequent apparatus, for example, a spinner cleaner 39. In the spinner cleaner 39, the suction unit 36 of the transfer unit 35 is released, and the wafer 20 is left on the spinner cleaner 39 (step 108). The wafer 20 is cleaned by the spinner cleaning machine 39, particularly the back surface 22 thereof, and transferred to the cassette 11b by the transfer robot 15.

その後、エアシリンダ４６を再び駆動して、スライダ４７ａ、４７ｂをロッド４８ａ、４８ｂに摺動させ、それにより、シャフト４４および第一洗浄ユニット５０を下降させる（ステップ１０９）。図５は本発明に基づくクリーニング装置の他の側断面図である。図５に示されるように、第一洗浄ユニット５０は、第一洗浄部材５５が第二洗浄ユニット６０の第二洗浄部材６５よりも低い位置になるまで下降されて停止される。なお、第一洗浄ユニット５０を昇降させる際であっても、第二洗浄ユニット６０の高さは変化しないことに注意されたい。 Thereafter, the air cylinder 46 is driven again, and the sliders 47a and 47b are slid onto the rods 48a and 48b, thereby lowering the shaft 44 and the first cleaning unit 50 (step 109). FIG. 5 is another sectional side view of the cleaning device according to the present invention. As shown in FIG. 5, the first cleaning unit 50 is lowered and stopped until the first cleaning member 55 is positioned lower than the second cleaning member 65 of the second cleaning unit 60. It should be noted that the height of the second cleaning unit 60 does not change even when the first cleaning unit 50 is moved up and down.

次いで、後工程の装置、例えばスピンナー洗浄機３９からクリーニング装置４０まで搬送ユニット３５を移動させる（ステップ１１０）。搬送ユニット３５はウェーハ２０を保持していないので、搬送ユニット３５の吸引部３６がクリーニング装置４０の開口部４２を概ね被覆するようになる。このときには、搬送ユニット３５の露出した吸引部３６が第二洗浄部材６５に対面する。 Next, the transport unit 35 is moved from the post-process device, for example, the spinner cleaner 39 to the cleaning device 40 (step 110). Since the transfer unit 35 does not hold the wafer 20, the suction unit 36 of the transfer unit 35 substantially covers the opening 42 of the cleaning device 40. At this time, the exposed suction portion 36 of the transport unit 35 faces the second cleaning member 65.

次いで、ステップ１１１においてモータ４５を駆動して、第二洗浄部材６５を回転させつつ軸線Ｘ周りに周回させる。これにより、第二洗浄部材６５が搬送ユニット３５の吸引部３６に接触しつつ、吸引部３６全体を洗浄する。従って、吸引部３６上に付着していたスラッジ等が研磨により除去される。なお、このときには第一洗浄ユニット５０の第一洗浄部材５５が軸線Ｘ回りに回転するものの、第一洗浄部材５５は第二洗浄部材６５よりも低い位置に在るので第一洗浄部材５５は吸引部３６に接触しない。 Next, in step 111, the motor 45 is driven to rotate around the axis X while rotating the second cleaning member 65. Thus, the entire second suction member 36 is cleaned while the second cleaning member 65 is in contact with the suction unit 36 of the transport unit 35. Accordingly, sludge and the like adhering to the suction portion 36 are removed by polishing. At this time, although the first cleaning member 55 of the first cleaning unit 50 rotates around the axis X, the first cleaning member 55 is located at a lower position than the second cleaning member 65, so that the first cleaning member 55 is sucked. It does not touch the part 36.

所定時間にわたって搬送ユニット３５の吸引部３６を洗浄すると、モータ４５を停止させる。次いで、搬送ユニット３５の吸引部３６から気体を噴出させながら、第二洗浄部材６５で吸引部３６を洗浄することも好ましい。その後、ステップ１１２において、研磨後のウェーハ２０を再び保持するために、搬送ユニット３５を研磨ユニット３３のチャック部１２ｄまで移動させ、処理を終了する。 When the suction unit 36 of the transport unit 35 is cleaned for a predetermined time, the motor 45 is stopped. Next, it is also preferable to clean the suction part 36 with the second cleaning member 65 while ejecting gas from the suction part 36 of the transport unit 35. Thereafter, in step 112, in order to hold the polished wafer 20 again, the transfer unit 35 is moved to the chuck portion 12d of the polishing unit 33, and the processing is ended.

このように、本発明においては、単一のクリーニング装置４０内に第一洗浄ユニット５０と第二洗浄ユニット６０との両方を組込んでいる。そして、ウェーハ２０の保護フィルム３を洗浄するときには第一洗浄ユニット５０を第二洗浄ユニット６０よりも上昇させて第一洗浄ユニット５０の第一洗浄部材５５のみが保護フィルム３に接触するようにしている。さらに、搬送ユニット３５の吸引部３６を洗浄するときには第一洗浄ユニット５０を第二洗浄ユニット６０よりも下降させて、第二洗浄ユニット６０のみが吸引部３６に接触するようにしている。つまり、本発明のクリーニング装置４０は、より上方に位置する洗浄ユニットのみが対象物に接触するようになっている。このような構成であるので、本発明においては、比較的小型のクリーニング装置を提供することが可能である。 Thus, in the present invention, both the first cleaning unit 50 and the second cleaning unit 60 are incorporated in the single cleaning device 40. When cleaning the protective film 3 on the wafer 20, the first cleaning unit 50 is raised above the second cleaning unit 60 so that only the first cleaning member 55 of the first cleaning unit 50 contacts the protective film 3. Yes. Further, when the suction unit 36 of the transport unit 35 is cleaned, the first cleaning unit 50 is lowered from the second cleaning unit 60 so that only the second cleaning unit 60 contacts the suction unit 36. That is, in the cleaning device 40 of the present invention, only the cleaning unit positioned above is in contact with the object. Since it is such a structure, in this invention, it is possible to provide a comparatively small cleaning apparatus.

さらに、本発明においては、第一洗浄ユニット５０の第一洗浄部材５５は軸線Ｘ回りに回転し、第二洗浄ユニット６０の第二洗浄部材６５は回転しつつ同一の軸線Ｘ周りに周回するようにしている。このため、さらに小型のクリーニング装置４０を提供できることが分かるであろう。 Furthermore, in the present invention, the first cleaning member 55 of the first cleaning unit 50 rotates around the axis X, and the second cleaning member 65 of the second cleaning unit 60 rotates around the same axis X while rotating. I have to. For this reason, it will be understood that a more compact cleaning device 40 can be provided.

（ａ）本発明に基づくクリーニング装置を備えたウェーハ処理装置の略平面図である。（ｂ）搬送ユニットの先端部分の縦断面図である。(A) It is a schematic plan view of the wafer processing apparatus provided with the cleaning apparatus based on this invention. (B) It is a longitudinal cross-sectional view of the front-end | tip part of a conveyance unit. 本発明に基づくクリーニング装置の頂面図である。It is a top view of the cleaning apparatus based on this invention. 図２の線Ｂ−Ｂに沿ってみたクリーニング装置の側断面図である。FIG. 3 is a side sectional view of the cleaning device taken along line BB in FIG. 2. 本発明に基づくクリーニング装置の動作を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows operation | movement of the cleaning apparatus based on this invention. 本発明に基づくクリーニング装置の他の側断面図である。It is other side sectional drawing of the cleaning apparatus based on this invention.

Explanation of symbols

３保護フィルム
２０ウェーハ
２１表面
２２裏面
３５搬送ユニット
３６吸引部
３９スピンナー洗浄機
４０クリーニング装置
４１ハウジング
４２開口部
４３中間プレート
４３ａ排出孔
４４シャフト
４４ａ内部通路
４４ｂ接続口
４５モータ
４６エアシリンダ（昇降手段）
４７ａ、４７ｂスライダ
４８ａ、４８ｂロッド
４９排出管
５０第一洗浄ユニット
５１スリーブ
５２アーム
５５第一洗浄部材
５６配管
６０第二洗浄ユニット
６１中央スリーブ
６２太陽歯車
６３遊星歯車
６４ターンテーブル
６５第二洗浄部材
６６スリーブ
６７ロッド
６８周囲カバー
７１液体供給ノズル（液体供給手段）
７５気体供給管（気体供給手段）
７６閉鎖部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 3 Protective film 20 Wafer 21 Front surface 22 Back surface 35 Transfer unit 36 Suction part 39 Spinner washing machine 40 Cleaning device 41 Housing 42 Opening part 43 Intermediate plate 43a Discharge hole 44 Shaft 44a Internal passage 44b Connection port 45 Motor 46 Air cylinder (elevating means)
47a, 47b Slider 48a, 48b Rod 49 Discharge pipe 50 First cleaning unit 51 Sleeve 52 Arm 55 First cleaning member 56 Pipe 60 Second cleaning unit 61 Central sleeve 62 Sun gear 63 Planetary gear 64 Turntable 65 Second cleaning member 66 Sleeve 67 Rod 68 Surrounding cover 71 Liquid supply nozzle (liquid supply means)
75 Gas supply pipe (gas supply means)
76 Closure

Claims

When the back surface of the wafer is sucked by the suction unit of the transport unit, a first cleaning means for cleaning the protective film attached to the front surface of the wafer;
A second cleaning means for cleaning the suction portion of the transfer unit when not sucking the wafer;
Elevating means for raising and lowering the first cleaning means relative to the second cleaning means ,
The first cleaning means includes two first cleaning members corresponding to both ends of the diameter of the wafer,
The second cleaning means includes two second cleaning members having a length substantially equal to the radius of the wafer,
The first cleaning member is disposed so as to be rotatable around a rotation axis located at the center of the wafer, and the second cleaning member is rotatable about the center of the second cleaning member and the first cleaning member A cleaning device arranged so as to be capable of rotating around a common rotation axis .

The cleaning device according to claim 1 , wherein the first cleaning member is a sponge or a brush.

The cleaning apparatus according to claim 1 , further comprising a liquid supply unit that supplies a liquid to the wafer during cleaning by the first cleaning unit.

The cleaning apparatus according to claim 3 , further comprising a gas supply unit configured to supply a gas to the wafer after the liquid is supplied by the liquid supply unit.

The cleaning device according to claim 1 , wherein the second cleaning member is a grindstone.