JP3455907B2 - Semiconductor wafer spin cleaning equipment - Google Patents

Semiconductor wafer spin cleaning equipment

Info

Publication number
JP3455907B2
JP3455907B2 JP2000237841A JP2000237841A JP3455907B2 JP 3455907 B2 JP3455907 B2 JP 3455907B2 JP 2000237841 A JP2000237841 A JP 2000237841A JP 2000237841 A JP2000237841 A JP 2000237841A JP 3455907 B2 JP3455907 B2 JP 3455907B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor wafer
pad
air
vacuum suction
spin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2000237841A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2002050601A (en
Inventor
哲雄 奥山
史朗 村井
国廣 斎田
Original Assignee
株式会社日平トヤマ
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社日平トヤマ filed Critical 株式会社日平トヤマ
Priority to JP2000237841A priority Critical patent/JP3455907B2/en
Publication of JP2002050601A publication Critical patent/JP2002050601A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3455907B2 publication Critical patent/JP3455907B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハを
スピンシャフトの上端部の真空吸引パッドに吸引固定し
てスピンシャフトと共に高速回転させつつ洗浄する半導
体ウェーハのスピン洗浄装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a spin cleaning apparatus for a semiconductor wafer, which cleans a semiconductor wafer by suction-fixing it to a vacuum suction pad at the upper end of a spin shaft and rotating it at a high speed together with the spin shaft.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体ウェーハの製造工程において、イ
ンゴットからスライスされた各半導体ウェーハは、通
常、両面が研削加工された後、少なくとも片面が鏡面に
ポリッシング加工されて700μm程度の所定の厚さに
形成される。続いて、各半導体ウェーハは、スピン洗浄
装置によって高速回転されつつ純水の噴射により洗浄さ
れ、乾燥空気の噴射により乾燥される。そして、各半導
体ウェーハは、鏡面に仕上げられた片面にIC回路が形
成され、その後、多数のチップにダイシングされる。
In the manufacturing process of a semiconductor wafer, the semiconductor wafer sliced from the ingot is usually after the duplex is grinding, at least one side of the predetermined order of 700 mu m is polished mirror-finished thickness Is formed. Subsequently, each semiconductor wafer is cleaned by being sprayed with pure water while being rotated at a high speed by a spin cleaning device, and dried by being sprayed with dry air. Then, each semiconductor wafer has an IC circuit formed on one surface that is finished to have a mirror surface, and then is diced into a large number of chips.

【0003】ここで、前記チップとして、ICカード等
に組込み可能な厚さ100μm以下の極薄肉のチップを
製造する場合、一般には、多数のチップにダイシングさ
れる前のIC回路が形成された半導体ウェーハに対し、
IC回路が形成されていない他の片面を再度研削加工し
て100μm以下の極薄肉の半導体ウェーハに仕上げる
バックグラインド加工が行われている。
Here, in the case of manufacturing an extremely thin chip having a thickness of 100 μm or less that can be incorporated in an IC card or the like as the chip, generally, an IC circuit before being diced into a large number of chips is formed. For semiconductor wafers,
Back-grinding is performed to grind the other surface on which no IC circuit is formed again to finish an extremely thin semiconductor wafer of 100 μm or less.

【0004】前記バックグラインド加工は、IC回路が
形成された半導体ウェーハの片面に保護フィルムを貼付
して行われる。そして、バックグラインド加工が完了し
た半導体ウェーハは、前記スピン洗浄装置によって高速
回転されつつ、その研削面および保護フィルムの表面が
純水の噴射により洗浄され、乾燥空気の噴射により乾燥
される。その後、半導体ウェーハは、保護フィルムが剥
されて多数の極薄肉のチップにダイシングされる。
The back grinding process is performed by attaching a protective film to one side of a semiconductor wafer having an IC circuit formed thereon. Then, the back surface of the semiconductor wafer which has been subjected to the back grinding process is rotated at a high speed by the spin cleaning device, and the grinding surface and the surface of the protective film are cleaned by spraying pure water and dried by spraying dry air. Thereafter, the semiconductor wafer is diced into a large number of ultrathin chips with the protective film peeled off.

【0005】ここで、前記ポリッシング加工後およびバ
ックグラインド加工後の各半導体ウェーハを洗浄して乾
燥する従来のスピン洗浄装置は、モータにより高速回転
するスピンシャフトと、半導体ウェーハの下面中心部を
吸引固定するように前記スピンシャフトの上端部に固設
された真空吸引パッドと、この真空吸引パッドに下面中
心部が吸引固定されてスピンシャフトの回転により高速
回転する半導体ウェーハの上面に純水を噴射する純水噴
射ノズルと、前記半導体ウェーハの上面に乾燥空気を噴
射する空気噴射ノズルとを備えて構成されている。な
お、この種のスピン洗浄装置は、例えば特開2000−
58497の公開特許公報にも記載されている。
Here, in the conventional spin cleaning apparatus for cleaning and drying each semiconductor wafer after the polishing process and the back grinding process, a spin shaft rotated at a high speed by a motor and a central portion of the lower surface of the semiconductor wafer are fixed by suction. As described above, the vacuum suction pad fixedly provided on the upper end of the spin shaft, and the pure water is sprayed onto the upper surface of the semiconductor wafer whose central portion on the lower surface is suction-fixed to the vacuum suction pad and which is rotated at high speed by the rotation of the spin shaft. A pure water jet nozzle and an air jet nozzle for jetting dry air onto the upper surface of the semiconductor wafer are provided. A spin cleaning device of this type is disclosed in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 2000-
It is also described in the published patent publication of 58497.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】ところで、バックグラ
インド加工された厚さが100μm以下の極薄肉の半導
体ウェーハは、その下面の中心部のみがスピン洗浄装置
の真空吸引パッドに吸引固定されると、自重によって外
周部が撓み易い。また、このような極薄肉の半導体ウェ
ーハは、IC作製、バックグラインド加工、フィルムテ
ンション等に起因するひずみによっても反りが生じ易
い。特に、8〜12インチ程度の大径の半導体ウェーハ
では、その自重によって外周部の撓みや反りが大きくな
ってしまう。従って、従来のスピン洗浄装置では、極薄
肉で大径の半導体ウェーハを真空吸引パッドに吸引固定
し、スピンシャフトにより高速回転させてスピン洗浄す
ることは実質上困難である。
By the way, the back-grinded ultra-thin semiconductor wafer having a thickness of 100 μm or less is sucked and fixed to the vacuum suction pad of the spin cleaning apparatus only at the center of the lower surface thereof. Then, the outer peripheral portion is easily bent by its own weight. In addition, such an ultrathin semiconductor wafer is apt to warp due to strain caused by IC fabrication, back grinding, film tension, and the like. In particular, in the case of a semiconductor wafer having a large diameter of about 8 to 12 inches, the bending and warpage of the outer peripheral portion becomes large due to its own weight. Therefore, in a conventional spin cleaning apparatus, it is practically difficult to spin-fix an ultrathin, large-diameter semiconductor wafer on a vacuum suction pad and rotate the spin shaft at a high speed for spin cleaning.

【0007】もっとも、真空吸引パッドを大径化すれ
ば、極薄肉で大径の半導体ウェーハに対してもその外周
部の撓みや反りを防止でき、スピンシャフトにより高速
回転させてスピン洗浄することも可能である。しかしな
がら、この場合には、半導体ウェーハの下面の略全面が
真空吸引パッドに覆われるため、半導体ウェーハの下面
を十分に洗浄できないという不都合がある。
However, by increasing the diameter of the vacuum suction pad, it is possible to prevent the outer peripheral portion from bending and warping even for an extremely thin semiconductor wafer having a large diameter, and spin cleaning can be performed by rotating the spin shaft at a high speed. It is possible. However, in this case, since the vacuum suction pad covers substantially the entire lower surface of the semiconductor wafer, there is a disadvantage that the lower surface of the semiconductor wafer cannot be sufficiently cleaned.

【0008】そこで、本発明は、極薄肉で大径の半導体
ウェーハに対しても、真空吸引パッドを大径化すること
なく、その外周部の撓みや反りを防止して高速回転させ
つつスピン洗浄することができる半導体ウェーハのスピ
ン洗浄装置を提供することを課題とする。
Therefore, according to the present invention, even for a semiconductor wafer having an extremely thin thickness and a large diameter, the vacuum suction pad is prevented from being increased in diameter, and the outer peripheral portion thereof is prevented from being bent or warped to rotate at high speed while being spin-cleaned. It is an object of the present invention to provide a spin cleaning apparatus for semiconductor wafers that can be used.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】前記課題を解決する手段
として、請求項1に記載の発明は、スピンシャフトの上
端部に設けられた真空吸引パッドに半導体ウェーハの下
面中心部を吸引固定し、前記スピンシャフトの回転によ
り半導体ウェーハを高速回転させつつ洗浄する半導体ウ
ェーハのスピン洗浄装置であって、前記真空吸引パッド
に吸引固定された半導体ウェーハの下面との隙間にエア
ーを噴出して半導体ウェーハの外周部を浮上状態に支持
するエアー噴出パッドが前記真空吸引パッドの周囲に配
設され、前記エアー噴出パッドは、前記真空吸引パッド
に対して下方に退避移動可能に設けられていることを特
徴とする
As a means for solving the above-mentioned problems, the invention according to claim 1 is such that a central portion of a lower surface of a semiconductor wafer is suction-fixed to a vacuum suction pad provided at an upper end portion of a spin shaft, A spin cleaning apparatus for cleaning a semiconductor wafer while rotating the semiconductor wafer at a high speed by rotating the spin shaft, wherein air is jetted into a gap between the vacuum suction pad and the lower surface of the semiconductor wafer to fix the semiconductor wafer. An air jet pad for supporting the outer peripheral portion in a floating state is arranged around the vacuum suction pad, and the air jet pad is the vacuum suction pad.
It has a special feature that it can be retracted downward with respect to
To collect .

【0010】請求項1に記載の発明によれば、本発明に
係る半導体ウェーハのスピン洗浄装置は、スピンシャフ
トの上端部に設けられた真空吸引パッドが半導体ウェー
ハの下面中心部を吸引固定し、この真空吸引パッドの周
囲に配設されたエアー噴出パッドが半導体ウェーハの下
面との隙間にエアーを噴出して半導体ウェーハの外周部
を浮上状態に支持し、前記エアー噴出パッドが前記真空
吸引パッドに対して下方に退避移動可能に設けられてい
るとエアー噴出パッドを下方に退避移動させること
で、真空吸引パッド上に載置された半導体ウェーハの下
面とエアー噴出パッドの上面との間にロボットハンドの
挿入空間を形成することができ、半導体ウェーハをロボ
ットハンド上に載せて搬出入することが可能である
According to the first aspect of the present invention, in the spin cleaning apparatus for a semiconductor wafer according to the present invention, the vacuum suction pad provided on the upper end portion of the spin shaft sucks and fixes the central portion of the lower surface of the semiconductor wafer, the air injection pads arranged around the vacuum suction pad blown air in the gap between the lower surface of the semiconductor wafer outer peripheral portion of the semiconductor wafer supported on the floating state, the air injection pad the vacuum
It is provided so that it can be retracted downward with respect to the suction pad.
Then , move the air ejection pad downwards.
Under a semiconductor wafer placed on a vacuum suction pad.
Between the surface and the upper surface of the air ejection pad.
The insertion space can be formed, and the semiconductor wafer can be
It is possible to carry it in and out by placing it on the storage hand .

【0011】請求項2に記載の発明は、請求項1に記載
された半導体ウェーハのスピン洗浄装置であって、前記
エアー噴出パッドには、半導体ウェーハの下面に対向す
る複数のエアー噴出孔が半導体ウェーハの周方向に沿っ
て配列されており、前記複数のエアー噴出口は、直径の
異なる複数種類の半導体ウェーハに対応して同心状の複
数列に配列されていることを特徴とする
The invention as defined in claim 2 is as set forth in claim 1.
A spin cleaning apparatus for semiconductor wafers,
The air ejection pad should face the bottom surface of the semiconductor wafer.
Multiple air ejection holes along the circumference of the semiconductor wafer
And the plurality of air jets are
Concentric duplication for different types of semiconductor wafers
It is characterized in that it is arranged in a number sequence .

【0012】請求項2に記載の発明によれば、半導体ウ
ェーハの下面に対向する複数のエアー噴出孔が半導体ウ
ェーハの周方向に沿って前記エアー噴出パッドに配列さ
れていると、半導体ウェーハの外周を均一な浮上状態に
支持することができる。さらに、前記複数のエアー噴出
孔が直径の異なる複数種類の半導体ウェーハに対応して
前記エアー噴出パッドに同心状の複数列に配列されてい
ると、直径の異なる複数種類の半導体ウェーハに対して
も、その外周部をそれぞれ均一な浮上状態に支持するこ
とができる。
According to the second aspect of the invention, when a plurality of air ejection holes facing the lower surface of the semiconductor wafer are arranged in the air ejection pad along the circumferential direction of the semiconductor wafer, the outer periphery of the semiconductor wafer is formed. Can be supported in a uniform floating state. Furthermore, when the plurality of air ejection holes are arranged in a plurality of concentric rows on the air ejection pad corresponding to a plurality of types of semiconductor wafers having different diameters, even for a plurality of types of semiconductor wafers having different diameters. It is possible to support the outer peripheral portions of the respective parts in a uniform floating state.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明に係
る半導体ウェーハのスピン洗浄装置の実施の形態を説明
する。参照する図面において、図1は一実施形態に係る
半導体ウェーハのスピン洗浄装置の全体構造を示す断面
図、図2は図1に示すスピン洗浄装置の要部構造を示す
断面図、図3は図1および図2に示すエアー噴出パッド
の平面図である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of a spin cleaning apparatus for semiconductor wafers according to the present invention will be described below with reference to the drawings. In the drawings to be referred to, FIG. 1 is a cross-sectional view showing an overall structure of a spin cleaning apparatus for semiconductor wafers according to an embodiment, FIG. 2 is a cross-sectional view showing a main structure of the spin cleaning apparatus shown in FIG. 1, and FIG. FIG. 3 is a plan view of the air ejection pad shown in FIGS. 1 and 2.

【0014】図1に示すように、本発明の一実施形態に
係る半導体ウェーハのスピン洗浄装置1は、取付ベース
2に対し昇降装置3を介して上下方向に移動自在に支持
された支持ブラケット4上に配設されている。このスピ
ン洗浄装置1は、スピンシャフト5の上端部に設けられ
た真空吸引パッド6に半導体ウェーハWHの下面中心部
を吸引固定し、前記スピンシャフト5の回転により半導
体ウェーハWHを高速回転させつつ洗浄する装置であっ
て、半導体ウェーハWHの上面に洗浄液としての純水を
噴射する純水噴射ノズル7と、洗浄された半導体ウェー
ハWHの上面に乾燥空気を噴射する空気噴射ノズル8と
を備えている。
As shown in FIG. 1, a spin cleaning apparatus 1 for a semiconductor wafer according to an embodiment of the present invention includes a support bracket 4 which is movably supported in a vertical direction with respect to a mounting base 2 through an elevating device 3. It is located above. In this spin cleaning apparatus 1, the central portion of the lower surface of the semiconductor wafer WH is suction-fixed to a vacuum suction pad 6 provided on the upper end of the spin shaft 5, and the semiconductor wafer WH is rotated while being rotated at a high speed by the rotation of the spin shaft 5. And a pure water spray nozzle 7 that sprays pure water as a cleaning liquid onto the upper surface of the semiconductor wafer WH, and an air spray nozzle 8 that sprays dry air onto the upper surface of the cleaned semiconductor wafer WH. .

【0015】前記昇降装置3は、支持ブラケット4を上
下方向に駆動する機構として、取付ベース2側に略垂直
な姿勢で回転自在に架設されたボールネジ3Aと、この
ボールネジ3Aに螺合して支持ブラケット4側に固定さ
れたボールナット3Bと、取付ベース2側に固定されて
前記ボールネジ3Aを回転駆動する昇降用モータ3Cと
を備えている。また、支持ブラケット4を上下方向に案
内する機構として、前記ボールネジ3Aと平行にその両
側で取付ベース2側に架設された左右一対のガイドバー
3Dと、このガイドバー3Dに摺動自在に嵌合して前記
支持ブラケット4側に固定された左右一対のガイドナッ
3Eとを備えている。
The elevating device 3 serves as a mechanism for driving the support bracket 4 in the vertical direction, and a ball screw 3A rotatably installed in a posture substantially vertical to the mounting base 2 side, and is supported by being screwed onto the ball screw 3A. A ball nut 3B fixed to the bracket 4 side and a lifting motor 3C fixed to the mounting base 2 side to rotationally drive the ball screw 3A are provided. Further, as a mechanism for guiding the support bracket 4 in the vertical direction, a pair of left and right guide bars 3D installed on both sides of the ball screw 3A on the side of the mounting base 2 parallel to the ball screw 3A, and slidably fitted to the guide bars 3D. the fixed to the supporting bracket 4 side pair of right and left guide nut and
And 3E.

【0016】図1および図2に示すように、前記支持ブ
ラケット4の上部には、相互に所定間隔を開けて略水平
に張出す上段支持プレート4Aおよび下段支持プレート
4Bが設けられている。そして、上段支持プレート4A
の上面には、前記スピン洗浄装置1のスピンシャフト5
をベアリングBG、BGにより回転自在に支持する筒状
の支持ホルダ9がこれと一体の取付フランジ9Aを介し
てボルトB、B…により着脱自在に固定されている。ま
た、下段支持プレート4Bの下面には、前記スピンシャ
フト5を回転駆動するための駆動モータ10がその回転
軸10Aを上方に向けて固定されている。
As shown in FIGS. 1 and 2, an upper stage support plate 4A and a lower stage support plate 4B are provided on the upper part of the support bracket 4 and are extended substantially horizontally with a predetermined space therebetween. And the upper support plate 4A
The spin shaft 5 of the spin cleaning device 1 is provided on the upper surface of
A cylindrical support holder 9 that rotatably supports the bearings BG, BG is detachably fixed by bolts B, B ... Through a mounting flange 9A that is integral therewith. A drive motor 10 for rotationally driving the spin shaft 5 is fixed to the lower surface of the lower support plate 4B with the rotation shaft 10A thereof facing upward.

【0017】前記駆動モータ10の回転軸10Aは、下
段支持プレート4Bを貫通してその上方に突出してお
り、この回転軸10Aの上端部には、プーリ伝動機構1
1を構成する駆動プーリ11Aが固定されている。一
方、前記スピンシャフト5の下端部は、支持ホルダ9と
共に上段支持プレート4Aを貫通して支持ホルダ9の下
方に突出している。このスピンシャフト5の下端部に
は、プーリ伝動機構11を構成する従動プーリ11Bが
固定されている。そして、前記駆動プーリ11Aと従動
プーリ11Bとの間に伝動ベルト11Cが巻回されるこ
とにより、スピンシャフト5が駆動モータ10によって
1000〜2000rpm程度で高速回転駆動されるよ
うに構成されている。
The rotary shaft 10A of the drive motor 10 penetrates the lower support plate 4B and projects above it. The pulley transmission mechanism 1 is provided at the upper end of the rotary shaft 10A.
The drive pulley 11A forming part 1 is fixed. On the other hand, the lower end of the spin shaft 5 penetrates the upper support plate 4A together with the support holder 9 and projects below the support holder 9. A driven pulley 11B that constitutes the pulley transmission mechanism 11 is fixed to the lower end of the spin shaft 5. The transmission belt 11C is wound between the drive pulley 11A and the driven pulley 11B, so that the spin shaft 5 is driven to rotate at a high speed by the drive motor 10 at about 1000 to 2000 rpm.

【0018】前記スピンシャフト5は、図示しない真空
ポンプ等の負圧源に接続される真空供給口5Aが下端部
に設けられた管状を呈し、その上端部は支持ホルダ9の
上方に突出している。このスピンシャフト5の上端部に
は、前記真空吸引パッド6をボルトBにより着脱自在に
固定するための取付ベース5Bが設けられている。この
取付ベース5Bは、例えば溶接や、スピンシャフト5の
回転方向と逆向きのネジ嵌合、ネジ嵌合と接着剤との併
用などの適宜の手段でスピンシャフト5に固定される
が、スピンシャフト5と一体に切削加工されていてもよ
い。そして、この取付ベース5Bの上面は、前記真空吸
引パッド6の下面に均一に密着できるように、スピンシ
ャフト5の上端面と面一に仕上げ加工されている。
The spin shaft 5 has a tubular shape with a vacuum supply port 5A connected to a negative pressure source such as a vacuum pump (not shown) provided at the lower end, and the upper end thereof projects above the support holder 9. . At the upper end of the spin shaft 5, a mounting base 5B for detachably fixing the vacuum suction pad 6 with a bolt B is provided. The mounting base 5B is fixed to the spin shaft 5 by an appropriate means such as welding, screw fitting in the direction opposite to the rotation direction of the spin shaft 5, or combined use of screw fitting and an adhesive. It may be machined integrally with 5. Then, the upper surface of the mounting base 5B is finished to be flush with the upper end surface of the spin shaft 5 so that the lower surface of the vacuum suction pad 6 can be evenly adhered thereto.

【0019】前記真空吸引パッド6は、管状のスピンシ
ャフト5内を通して供給される負圧によって半導体ウェ
ーハWHを吸引固定できるものであれば、如何なる形式
のものであってもよい。例えば、半導体ウェーハWHの
下面に吸引負圧を及ぼす吸引孔や吸引溝が上面に形成さ
れた金属ブロック等で構成してもよい。一実施形態のス
ピン洗浄装置1においては、半導体ウェーハWHの下面
中心部を均一に吸引固定できるように、直径20〜40
mm程度の円形ブロック状に燒結された多孔質微粒子燒
結体などの多孔質材料により真空吸引パッド6が構成さ
れている。
The vacuum suction pad 6 may be of any type as long as it can suction and fix the semiconductor wafer WH by the negative pressure supplied through the tubular spin shaft 5. For example, the lower surface of the semiconductor wafer WH may be formed of a metal block or the like having a suction hole or suction groove that exerts a suction negative pressure on the upper surface. In the spin cleaning apparatus 1 according to one embodiment, the diameter of the semiconductor wafer WH is 20 to 40 so that the central portion of the lower surface of the semiconductor wafer WH can be uniformly sucked and fixed.
The vacuum suction pad 6 is made of a porous material such as a sintered body of porous fine particles that is sintered in a circular block shape of about mm.

【0020】前記純水噴射ノズル7は、図示しない純水
の噴射装置に接続されており、真空吸引パッド6に下面
中心部が吸引固定された半導体ウェーハWHの上面に向
けて純水を斜めに噴射できるように配置されている。ま
た、前記空気噴射ノズル8は、図示しない乾燥空気の噴
射装置に接続されており、前記半導体ウェーハWHの上
面に向けて乾燥空気を斜めに噴射できるように配置され
ている。
The pure water spray nozzle 7 is connected to a pure water spraying device (not shown), and the pure water is obliquely directed toward the upper surface of the semiconductor wafer WH whose center of the lower surface is suction-fixed to the vacuum suction pad 6. It is arranged so that it can be jetted. The air injection nozzle 8 is connected to a dry air injection device (not shown), and is arranged so as to obliquely inject the dry air toward the upper surface of the semiconductor wafer WH.

【0021】前記純水噴射ノズル7から噴射される純水
が飛散するのを防止し、かつ、前記半導体ウェーハWH
の表面に付着した純水が前記空気噴射ノズル8から噴射
される乾燥空気によって飛散するのを防止するため、一
実施形態のスピン洗浄装置1には、前記真空吸引パッド
6に吸引固定された半導体ウェーハWHの周囲を囲むス
プラッシュカバー12が設けられている。このスプラッ
シュカバー12は、概略円筒状に形成されており、その
下端部の内周側には環状の排水溝12Aが形成されてい
る。そして、この環状の排水溝12Aには、排水パイプ
12Bが接続されている。
Pure water sprayed from the pure water spray nozzle 7 is prevented from scattering and the semiconductor wafer WH is
In order to prevent the pure water attached to the surface of the device from being scattered by the dry air sprayed from the air spray nozzle 8, the spin cleaning apparatus 1 according to one embodiment has a semiconductor suction-fixed to the vacuum suction pad 6. A splash cover 12 that surrounds the periphery of the wafer WH is provided. The splash cover 12 is formed in a substantially cylindrical shape, and an annular drain groove 12A is formed on the inner peripheral side of the lower end thereof. A drain pipe 12B is connected to the annular drain groove 12A.

【0022】ここで、一実施形態の半導体ウェーハWH
のスピン洗浄装置1においては、前記真空吸引パッド6
に下面中心部が吸引固定された半導体ウェーハWHの下
面との隙間にエアーを噴出して半導体ウェーハWHの外
周部を浮上状態に支持するエアー噴出パッド13が前記
真空吸引パッド6の周囲に配設されている。このエアー
噴出パッド13は、前記支持ホルダ9の外周に嵌合して
上下方向に摺動自在なボス部13Aが下方に突設された
円盤状を呈しており、その中央のボス穴13Bには、前
記真空吸引パッド6およびスピンシャフト5の上端部の
取付ベース5Bが収容されている。
Here, the semiconductor wafer WH of one embodiment
In the spin cleaning apparatus 1 of FIG.
An air jet pad 13 is provided around the vacuum suction pad 6 for jetting air into the gap between the lower surface center portion of the semiconductor wafer WH and the lower surface center portion of the semiconductor wafer WH to be sucked and fixed to support the outer peripheral portion of the semiconductor wafer WH in a floating state. Has been done. The air ejection pad 13 has a disk shape in which a boss portion 13A that fits on the outer periphery of the support holder 9 and is slidable in the vertical direction is provided so as to project downward, and has a boss hole 13B at the center thereof. The vacuum suction pad 6 and the mounting base 5B at the upper end of the spin shaft 5 are housed.

【0023】前記エアー噴出パッド13を図2に示す上
方の作動位置と下方の退避位置とに位置制御するため、
前記支持ブラケット4の上段支持プレート4Aの上面
と、これに対向するエアー噴出パッド13の外周部の下
面との間には、昇降操作用のエアシリンダ14が介設さ
れている。ここで、前記エアー噴出パッド13を上方の
作動位置で停止させ、その上面を前記半導体ウェーハW
Hの外周部下面に対して10〜100μm程度の隙間を
開けて対向させるため、前記支持ホルダ9の上端部に
は、エアー噴出パッド13のボス穴13Bに摺動自在に
嵌合してボス穴13Bの段部13Cに係合するストッパ
15が固定されている。このストッパ15は、支持ホル
ダ9にスピンシャフト5を回転自在に支持するベアリン
グBGのカバーを兼用している。
In order to control the position of the air ejection pad 13 between the upper operating position and the lower retracted position shown in FIG. 2,
An air cylinder 14 for raising and lowering operation is provided between the upper surface of the upper support plate 4A of the support bracket 4 and the lower surface of the outer peripheral portion of the air ejection pad 13 facing the upper support plate 4A. Here, the air ejection pad 13 is stopped at an upper operating position, and its upper surface is covered with the semiconductor wafer W.
In order to face the lower surface of the outer peripheral portion of H with a gap of about 10 to 100 μm, the upper end portion of the support holder 9 is slidably fitted into the boss hole 13B of the air ejection pad 13. The stopper 15 that engages with the step portion 13C of the boss hole 13B is fixed. The stopper 15 also serves as a cover of the bearing BG that rotatably supports the spin shaft 5 on the support holder 9.

【0024】前記エアー噴出パッド13には、半導体ウ
ェーハWHの下面に対向する複数のエアー噴出孔13D
が形成されている。各エアー噴出孔13Dは、エアー噴
出パッド13の下面に付設されたエアー供給路16を介
して図示しないエアコンプレッサ等の空気圧送源に接続
されている。
The air ejection pad 13 has a plurality of air ejection holes 13D facing the lower surface of the semiconductor wafer WH.
Are formed. Each air ejection hole 13D is connected to an air pressure source such as an air compressor (not shown) via an air supply passage 16 attached to the lower surface of the air ejection pad 13.

【0025】前記エアー噴出パッド13の各エアー噴出
孔13Dは、真空吸引パッド6に中心部が吸引固定され
た半導体ウェーハWHの周方向に沿って配列されてい
る。これら複数のエアー噴出孔13Dは、8〜12イン
チまでの直径の異なる複数種類の半導体ウェーハWHに
対応するため、図3に示すように、エアー噴出パッド1
3のボス穴13Bと同心状の複数列に配列されている。
そして、同心状の複数列に配列された各エアー噴出孔1
3Dは、エアー噴出パッド13の上面に同心状に形成さ
れた複数列の環状溝13E内にそれぞれ開口している。
The air ejection holes 13D of the air ejection pad 13 are arranged along the circumferential direction of the semiconductor wafer WH whose central portion is suction-fixed to the vacuum suction pad 6. Since the plurality of air ejection holes 13D correspond to a plurality of types of semiconductor wafers WH having different diameters of 8 to 12 inches, as shown in FIG.
It is arranged in a plurality of rows concentric with the three boss holes 13B.
And each air ejection hole 1 arranged in a plurality of concentric rows
3D is opened in each of a plurality of rows of annular grooves 13E formed concentrically on the upper surface of the air ejection pad 13.

【0026】以上のように構成された一実施形態の半導
体ウェーハのスピン洗浄装置1は、両面が研削加工され
た後、少なくとも片面が鏡面にポリッシング加工された
半導体ウェーハWHの洗浄に使用される。特に、厚さが
100μm以下の極薄肉にバックグラインド加工された
8〜12インチ程度の大径の半導体ウェーハの洗浄に好
適に使用される。洗浄対象となる半導体ウェーハWH
は、代表的にはシリコンウェーハであるが、GaAs
(ガリウム・ヒ素)ウェーハやGaP(ガリウム・リ
ン)ウェーハ等の化合物半導体、あるいは、極薄となる
水晶発振子用の水晶、太陽電池用の単結晶、多結晶シリ
コンウェーハも含まれる。
The semiconductor wafer spin cleaning apparatus 1 of the embodiment having the above-described structure is used for cleaning the semiconductor wafer WH whose both surfaces are ground and then at least one surface is mirror-polished. In particular, it is suitably used for cleaning a semiconductor wafer having a large diameter of about 8 to 12 inches, which is back-grinded to have an extremely thin thickness of 100 μm or less. Semiconductor wafer WH to be cleaned
Is typically a silicon wafer, but GaAs
A compound semiconductor such as a (gallium / arsenic) wafer or a GaP (gallium / phosphorus) wafer, or a crystal for an extremely thin crystal oscillator, a single crystal for a solar cell, or a polycrystalline silicon wafer is also included.

【0027】一実施形態のスピン洗浄装置1を使用して
半導体ウェーハWHを洗浄するには、まず、昇降装置3
の昇降用モータ3Cによりボールネジ3Aを正転駆動し
て支持ブラケット4を上昇させ、スピン洗浄装置1を図
1の2点鎖線で示すロボットハンドRHの作動領域まで
上昇させる。続いて、エアシリンダ14を収縮操作して
エアー噴出パッド13を真空吸引パッド6に対し下方向
へ移動させ、退避位置に位置させる。そして、半導体ウ
ェーハの下面を支持したロボットハンドRHをスピン洗
浄装置1の真空吸引パッド6の上方に移動させ、このロ
ボットハンドRHを真空吸引パッド6側へ下降させるこ
とにより、半導体ウェーハWHをスピン洗浄装置1の真
空吸引パッド6上に載置する。
In order to clean the semiconductor wafer WH by using the spin cleaning apparatus 1 of one embodiment, first, the lifting device 3 is used.
The ball screw 3A is normally driven by the lifting motor 3C to raise the support bracket 4, and the spin cleaning apparatus 1 is raised to the operating region of the robot hand RH indicated by the chain double-dashed line in FIG. Then, the air cylinder 14 is contracted to move the air ejection pad 13 downward with respect to the vacuum suction pad 6 and position it in the retracted position. Then, the robot hand RH supporting the lower surface of the semiconductor wafer is moved above the vacuum suction pad 6 of the spin cleaning apparatus 1, and the robot hand RH is lowered to the vacuum suction pad 6 side to spin-clean the semiconductor wafer WH. It is placed on the vacuum suction pad 6 of the device 1.

【0028】ロボットハンドRHの下降により半導体ウ
ェーハWHを真空吸引パッド6上に載置する場合、半導
体ウェーハWHの中心が真空吸引パッド6の中心に合致
するように載置する。このとき、エアー噴出パッド13
の上面は、真空吸引パッド6の上面より下方に離れた退
避位置にあるため、ロボットハンドRHと干渉すること
がない。
When the semiconductor wafer WH is placed on the vacuum suction pad 6 by lowering the robot hand RH, the semiconductor wafer WH is placed so that the center of the semiconductor wafer WH coincides with the center of the vacuum suction pad 6. At this time, the air jet pad 13
Since the upper surface of the robot is at a retracted position below the upper surface of the vacuum suction pad 6, it does not interfere with the robot hand RH.

【0029】半導体ウェーハWHが真空吸引パッド6上
に載置されたら、真空吸引パッド6にスピンシャフト5
を介して吸引負圧を作用させることにより、半導体ウェ
ーハWHの下面中心部を真空吸引パッド6に吸引固定す
る。その後、ロボットハンドRHをスピン洗浄装置1か
ら退避させる。続いて、エアシリンダ14を伸長操作し
てエアー噴出パッド13を上方の作動位置に移動させ
る。そして、昇降装置3の昇降用モータ3Cによりボー
ルネジ3Aを逆転駆動して支持ブラケット4を下降さ
せ、スピン洗浄装置1を図1の実線で示す作業位置まで
下降させる。
After the semiconductor wafer WH is placed on the vacuum suction pad 6, the spin shaft 5 is attached to the vacuum suction pad 6.
By applying a suction negative pressure via the, the central portion of the lower surface of the semiconductor wafer WH is suction-fixed to the vacuum suction pad 6. Then, the robot hand RH is retracted from the spin cleaning device 1. Then, the air cylinder 14 is extended to move the air ejection pad 13 to the upper operating position. Then, the ball screw 3A is reversely driven by the lifting motor 3C of the lifting device 3 to lower the support bracket 4, and the spin cleaning device 1 is lowered to the working position shown by the solid line in FIG.

【0030】このような準備作業の後、エアー供給路1
6からエアー噴出パッド13の各エアー噴出孔13Dを
介してエアーを噴出させつつ、駆動モータ10によりプ
ーリ伝動機構11を介してスピンシャフト5を1000
〜2000rpm程度で高速回転させる。この状態で
は、スピンシャフト5の上端部に設けられた真空吸引パ
ッド6が半導体ウェーハWHの下面中心部を吸引固定す
ると共に、この真空吸引パッド6の周囲に配設されたエ
アー噴出パッド13が半導体ウェーハWHの下面との間
の10〜100μm程度の隙間に各エアー噴出孔13D
からエアーを噴出して半導体ウェーハWHの外周部を浮
上状態に支持する。
After such preparatory work, the air supply passage 1
6, while ejecting air through each air ejection hole 13D of the air ejection pad 13, the drive motor 10 drives the spin shaft 5 through the pulley transmission mechanism 11
Rotate at high speed at about 2000 rpm. In this state, the vacuum suction pad 6 provided on the upper end of the spin shaft 5 sucks and fixes the central portion of the lower surface of the semiconductor wafer WH, and the air ejection pad 13 arranged around the vacuum suction pad 6 is a semiconductor. Each air ejection hole 13D is provided in the gap of about 10 to 100 μm between the lower surface of the wafer WH and
Air is jetted from the outer peripheral portion of the semiconductor wafer WH to support it in a floating state.

【0031】そこで、真空吸引パッド6に中心部が吸引
固定され、エアー噴出パッド13により外周部が浮上状
態に支持された状態でスピンシャフト5と共に高速回転
する半導体ウェーハWHに対し、純水噴射ノズル7から
純水を噴射して半導体ウェーハWHの上面をスピン洗浄
し、その後、空気噴射ノズル8から乾燥空気を噴射して
スピン洗浄された半導体ウェーハWHの上面を乾燥させ
る。
Therefore, the pure water injection nozzle is applied to the semiconductor wafer WH which is rotated at a high speed together with the spin shaft 5 in a state where the central portion is sucked and fixed to the vacuum suction pad 6 and the outer peripheral portion is supported in a floating state by the air ejection pad 13. Pure water is sprayed from 7 to spin clean the upper surface of the semiconductor wafer WH, and then dry air is sprayed from the air spray nozzle 8 to dry the upper surface of the spin cleaned semiconductor wafer WH.

【0032】以上説明したように、一実施形態のスピン
洗浄装置1によれば、スピンシャフト5の回転により半
導体ウェーハWHを外周部が浮上した状態で高速回転さ
せることができ、厚さが100μm以下の極薄肉で直径
が8〜12インチ程度の大径の半導体ウェーハWHに対
しても、その外周部の自重による撓みや反りを防止した
状態でこれを高速回転させつつスピン洗浄することがで
きる。
As described above, according to the spin cleaning apparatus 1 of the embodiment, the rotation of the spin shaft 5 allows the semiconductor wafer WH to rotate at a high speed with the outer peripheral portion thereof floating, and has a thickness of 100 μm. It is possible to spin-clean a semiconductor wafer WH having an extremely thin wall thickness of m or less and a diameter of about 8 to 12 inches while rotating it at a high speed while preventing the outer peripheral portion from being bent or warped due to its own weight. it can.

【0033】特に、一実施形態の半導体ウェーハのスピ
ン洗浄装置1においては、エアシリンダ14の収縮動作
によりエアー噴出パッド13が真空吸引パッド6に対し
下方に離れた位置に退避移動するため、真空吸引パッド
13上に載置された半導体ウェーハWHの下面とエアー
噴出パッド13の上面との間にロボットハンドRHを挿
入することができ、半導体ウェーハWHをロボットハン
ドRH上に載せて搬出入することができる。
In particular, in the semiconductor wafer spin cleaning apparatus 1 of one embodiment, the air suction pad 13 is retracted to a position apart from the vacuum suction pad 6 by the contraction operation of the air cylinder 14, so that the vacuum suction is performed. The robot hand RH can be inserted between the lower surface of the semiconductor wafer WH placed on the pad 13 and the upper surface of the air ejection pad 13, and the semiconductor wafer WH can be loaded and unloaded on the robot hand RH. it can.

【0034】また、半導体ウェーハWHの下面に対向す
る複数のエアー噴出孔13Dが半導体ウェーハWHの周
方向に沿ってエアー噴出パッド13に配列されているた
め、半導体ウェーハWHの外周部を均一な浮上状態に支
持することができる。
Further, since the plurality of air ejection holes 13D facing the lower surface of the semiconductor wafer WH are arranged on the air ejection pad 13 along the circumferential direction of the semiconductor wafer WH, the outer peripheral portion of the semiconductor wafer WH is uniformly floated. Can be supported in a state.

【0035】さらに、前記複数のエアー噴出孔13Dが
直径の異なる複数種類の半導体ウェーハWHに対応して
前記エアー噴出パッド13に同心状の複数列に配列され
ているため、直径の異なる複数種類の半導体ウェーハW
Hに対しても、その外周部をそれぞれ均一な浮上状態に
支持することができる。
Further, since the plurality of air ejection holes 13D are arranged in a plurality of concentric rows on the air ejection pad 13 corresponding to the plurality of types of semiconductor wafers WH having different diameters, a plurality of types of different diameters are provided. Semiconductor wafer W
Even for H, the outer peripheral portions thereof can be supported in a uniform floating state.

【0036】また、前記複数のエアー噴出孔13Dがエ
アー噴出パッド13の上面に形成された環状溝13E内
に開口しているため、各エアー噴出孔13Dから噴出し
たエアーが環状溝13E内に滞留するので、半導体ウェ
ーハWHの外周部を一層均一な浮上状態に支持すること
ができる。
Further, since the plurality of air ejection holes 13D are opened in the annular groove 13E formed on the upper surface of the air ejection pad 13, the air ejected from each air ejection hole 13D stays in the annular groove 13E. Therefore, the outer peripheral portion of the semiconductor wafer WH can be supported in a more uniform floating state.

【0037】なお、図示省略したが、前記エアー噴出パ
ッド13の上面には、前記環状溝13Eに代る凹部を形
成し、この凹部内に各エアー噴出孔13Dを開口させて
もよい。
Although not shown, a recess may be formed on the upper surface of the air ejection pad 13 instead of the annular groove 13E, and each air ejection hole 13D may be opened in this recess.

【0038】また、ロボットハンドRHは、半導体ウェ
ーハWHの下面を支持して搬送する構造に限らず、半導
体ウェーハWHの上面を吸着して搬送する構造のもので
あってもよい。この場合、ロボットハンドRHは、エア
ー噴出パッド13に干渉することなく真空吸引パッド6
上に半導体ウェーハWHを搬出入することができるた
め、エアー噴出パッド13をエアシリンダ14により下
降させる必要はなく、エアシリンダ14を省略すること
ができる。
Further, the robot hand RH is not limited to the structure for supporting and carrying the lower surface of the semiconductor wafer WH, but may have a structure for sucking and carrying the upper surface of the semiconductor wafer WH. In this case, the robot hand RH does not interfere with the air ejection pad 13 and the vacuum suction pad 6
Since the semiconductor wafer WH can be carried in and out, the air ejection pad 13 does not have to be lowered by the air cylinder 14, and the air cylinder 14 can be omitted.

【0039】[0039]

【発明の効果】請求項1に記載の発明によれば、本発明
に係る半導体ウェーハのスピン洗浄装置は、スピンシャ
フトの上端部に設けられた真空吸引パッドが半導体ウェ
ーハの下面中心部を吸引固定し、この真空吸引パッドの
周囲に配設されたエアー噴出パッドが半導体ウェーハの
下面との隙間にエアーを噴出して半導体ウェーハの外周
部を浮上状態に支持し、前記エアー噴出パッドが前記真
空吸引パッドに対して下方に退避移動可能に設けられて
いると、エアー噴出パッドを下方に退避移動させること
で、真空吸引パッド上に載置された半導体ウェーハの下
面とエアー噴出パッドの上面との間にロボットハンドの
挿入空間を形成することができ、半導体ウ ェーハをロボ
ットハンド上に載せて搬出入することが可能である
According to the invention described in claim 1, in the spin cleaning apparatus for a semiconductor wafer according to the present invention, the vacuum suction pad provided on the upper end of the spin shaft suction-fixes the center of the lower surface of the semiconductor wafer. and, the air injection pads arranged around the vacuum suction pad by ejecting air into the gap between the lower surface of the semiconductor wafer to support the outer peripheral portion of the semiconductor wafer in floating state, the air injection pad said true
It is provided so that it can be retracted downward with respect to the empty suction pad.
If so, move the air ejection pad downwards.
Under a semiconductor wafer placed on a vacuum suction pad.
Between the surface and the upper surface of the air ejection pad.
It is possible to form the insertion space, Robo semiconductor c Eha
It is possible to carry it in and out by placing it on the storage hand .

【0040】請求項2に記載の発明によれば、半導体ウ
ェーハの下面に対向する複数のエアー噴出孔が半導体ウ
ェーハの周方向に沿って前記エアー噴出パッドに配列さ
れていると、半導体ウェーハの外周を均一な浮上状態に
支持することができる。さらに、前記複数のエアー噴出
孔が直径の異なる複数種類の半導体ウェーハに対応して
前記エアー噴出パッドに同心状の複数列に配列されてい
ると、直径の異なる複数種類の半導体ウェーハに対して
も、その外周部をそれぞれ均一な浮上状態に支持するこ
とができる
According to the second aspect of the invention, the semiconductor window is
A plurality of air ejection holes facing the bottom surface of the wafer
Arranged on the air ejection pad along the circumference of the wafer.
The outer circumference of the semiconductor wafer in a uniform floating state.
Can be supported. Furthermore, the plurality of air jets
Supports multiple types of semiconductor wafers with different diameters
The air ejection pads are arranged in a plurality of concentric rows.
Then, for multiple types of semiconductor wafers with different diameters
Also, the outer periphery of the
You can

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施形態に係る半導体ウェーハのス
ピン洗浄装置の全体構造を示す断面図である。
FIG. 1 is a sectional view showing the overall structure of a spin cleaning apparatus for semiconductor wafers according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1に示すスピン洗浄装置の要部構造を示す断
面図である。
FIG. 2 is a sectional view showing a main structure of the spin cleaning apparatus shown in FIG.

【図3】図1および図2に示すエアー噴出パッドの平面
図である。
FIG. 3 is a plan view of the air ejection pad shown in FIGS. 1 and 2.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 :スピン洗浄装置 2 :取付ベース 3 :昇降装置 4 :支持ブラケット 5 :スピンシャフト 6 :真空吸引パッド 7 :純水噴射ノズル 8 :空気噴射ノズル 9 :支持ホルダ 10 :駆動モータ 11 :プーリ伝動機構 12 :スプラッシュカバー 13 :エアー噴出パッド 13A:ボス部 13B:ボス穴 13C:段部 13D:エアー噴出孔 13E:環状溝 14 :エアシリンダ 15 :ストッパ 16 :エアー供給路 1: Spin cleaning device 2: Mounting base 3: Lifting device 4: Support bracket 5: Spin shaft 6: Vacuum suction pad 7: Pure water injection nozzle 8: Air injection nozzle 9: Support holder 10: Drive motor 11: Pulley transmission mechanism 12: Splash cover 13: Air ejection pad 13A: Boss 13B: Boss hole 13C: Step 13D: Air ejection hole 13E: annular groove 14: Air cylinder 15: Stopper 16: Air supply path

フロントページの続き (56)参考文献 特開2002−43400(JP,A) 特開 平9−64004(JP,A) 特開 平7−78745(JP,A) 実開 平3−73436(JP,U) 実開 昭62−32533(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/304 B08B 3/02 B08B 5/02 Continuation of the front page (56) Reference JP 2002-43400 (JP, A) JP 9-64004 (JP, A) JP 7-78745 (JP, A) Actual Kaihei 3-73436 (JP, U) Actual development Sho 62-32533 (JP, U) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 21/304 B08B 3/02 B08B 5/02

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】スピンシャフトの上端部に設けられた真空
吸引パッドに半導体ウェーハの下面中心部を吸引固定
し、前記スピンシャフトの回転により半導体ウェーハを
高速回転させつつ洗浄する半導体ウェーハのスピン洗浄
装置であって、 前記真空吸引パッドに吸引固定された半導体ウェーハの
下面との隙間にエアーを噴出して半導体ウェーハの外周
部を浮上状態に支持するエアー噴出パッドが前記真空吸
引パッドの周囲に配設され、前記エアー噴出パッドは、前記真空吸引パッドに対して
下方に退避移動可能に設けられていることを特徴とする
半導体ウェーハのスピン洗浄装置
1. A spin cleaning apparatus for a semiconductor wafer, in which a central portion of a lower surface of a semiconductor wafer is suction-fixed to a vacuum suction pad provided at an upper end portion of a spin shaft, and the semiconductor wafer is cleaned while being rotated at a high speed by rotation of the spin shaft. An air jet pad is provided around the vacuum suction pad for jetting air into a gap between the vacuum suction pad and the lower surface of the semiconductor wafer to support the outer peripheral portion of the semiconductor wafer in a floating state. The air jet pad is different from the vacuum suction pad.
Characterized by being provided so that it can be retracted downward
Spin cleaning system for semiconductor wafers .
【請求項2】請求項1に記載された半導体ウェーハのス
ピン洗浄装置であって、前記エアー噴出パッドには、半
導体ウェーハの下面に対向する複数のエアー噴出孔が半
導体ウェーハの周方向に沿って配列されており、前記複
数のエアー噴出口は、直径の異なる複数種類の半導体ウ
ェーハに対応して同心状の複数列に配列されていること
を特徴とする半導体ウェーハのスピン洗浄装置
2. The semiconductor wafer screen according to claim 1.
A pin cleaning device, wherein the air ejection pad has a half
Half of the air ejection holes facing the bottom surface of the conductor wafer are
Are arranged along the circumferential direction of the conductor wafer,
The number of air jets is equal to
Arranged in multiple concentric rows corresponding to the wafer
An apparatus for spin cleaning semiconductor wafers .
JP2000237841A 2000-08-07 2000-08-07 Semiconductor wafer spin cleaning equipment Expired - Fee Related JP3455907B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000237841A JP3455907B2 (en) 2000-08-07 2000-08-07 Semiconductor wafer spin cleaning equipment

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000237841A JP3455907B2 (en) 2000-08-07 2000-08-07 Semiconductor wafer spin cleaning equipment

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002050601A JP2002050601A (en) 2002-02-15
JP3455907B2 true JP3455907B2 (en) 2003-10-14

Family

ID=18729630

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000237841A Expired - Fee Related JP3455907B2 (en) 2000-08-07 2000-08-07 Semiconductor wafer spin cleaning equipment

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3455907B2 (en)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005040744A (en) * 2003-07-24 2005-02-17 Thai Toyo Denso Co Ltd Air blow cleaning device
JP5241317B2 (en) * 2008-05-15 2013-07-17 株式会社東京精密 Cleaning device
CN112547603A (en) * 2020-11-13 2021-03-26 马鞍山锲恒精密组件科技有限公司 Semiconductor wafer surface cleaning device
CN113437011A (en) * 2021-06-25 2021-09-24 争丰半导体科技(苏州)有限公司 Rotary vacuum conduction device for high rotating speed
CN115106339A (en) * 2022-06-20 2022-09-27 苏州富强科技有限公司 Wafer cleaning mechanism

Also Published As

Publication number Publication date
JP2002050601A (en) 2002-02-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6517420B2 (en) Wafer surface machining apparatus
JP4065650B2 (en) Chemical mechanical polishing apparatus and method for cleaning contaminants inside polishing head
KR20020089180A (en) Wafer planarization apparatus
US10279452B2 (en) Processing apparatus
JP5320014B2 (en) Grinding equipment
JP3455907B2 (en) Semiconductor wafer spin cleaning equipment
JP2008036744A (en) Polishing device
JP2006054388A (en) Workpiece-conveying equipment, spinner-cleaning equipment, grinder, workpiece-conveying method
KR20140070371A (en) Cleaning apparatus
JP2008098574A (en) Polishing device of wafer
JP4776431B2 (en) Protective film coating equipment
JP2012079910A (en) Processing method of plate-like object
JP4427308B2 (en) Method for dividing semiconductor wafer
JP3117132B2 (en) Wafer flat surface processing equipment
CN114833716A (en) Chemical mechanical polishing equipment and polishing method
JP7358096B2 (en) Wafer transport mechanism and grinding equipment
JP2003273055A (en) Spinner-cleaning unit
JP4235458B2 (en) Plasma etching method and plasma etching apparatus
KR100607199B1 (en) Apparatus for grinding back of wafer
JP2002307286A (en) Grinding device
JP4773650B2 (en) Wafer spin cleaning / drying method and cleaning / drying apparatus
US20230321781A1 (en) Gettering layer forming device and processing apparatus
KR20070017256A (en) Spinner for cleaning wafer grinded
TW201829126A (en) Polishing device to prevent slurry used in polishing from being stuck on a wafer
JP7299773B2 (en) Grinding equipment

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070801

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080801

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090801

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090801

Year of fee payment: 6

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090801

Year of fee payment: 6

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100801

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110801

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110801

Year of fee payment: 8

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110801

Year of fee payment: 8

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110801

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120801

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120801

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130801

Year of fee payment: 10

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees