JP2000049135A - Wafer processing apparatus and method of processing the wafer - Google Patents
Wafer processing apparatus and method of processing the waferInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ウェーハに洗浄水
や現像液やエッチング溶液などの処理液を接触させるこ
とにより洗浄や現像やエッチングなどの所定の処理を行
うようにしたウェーハ処理装置及びウェーハ処理方法に
関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer processing apparatus and a wafer processing apparatus for performing predetermined processing such as cleaning, development and etching by bringing a processing liquid such as cleaning water, a developing solution or an etching solution into contact with the wafer. Regarding the processing method.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、ウェーハの処理工程として、洗浄
水や現像液やエッチング溶液などの処理液がそれぞれ保
持された複数の処理槽内にウェーハを適宜順に浸漬して
洗浄や現像やエッチングなどの所定の処理を行うように
している。2. Description of the Related Art Conventionally, as a wafer processing step, a wafer is immersed in a plurality of processing tanks in which processing liquids such as cleaning water, a developing solution, an etching solution, etc. are respectively held, in order, for cleaning, developing and etching. A predetermined process is performed.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記構
造のものでは、各処理毎に処理槽が必要となり、装置全
体として大きなものとなるとともに、各処理槽に対して
個別にメンテナンスする必要があるなどといった問題が
あった。従って、本発明の目的は、上記問題を解決する
ことにあって、１つの装置でもって複数の処理を行うこ
とができ、処理効率を高めることができるとともに、処
理装置全体をコンパクトなものとすることができるウェ
ーハ処理装置及びウェーハ処理方法を提供することにあ
る。However, with the above structure, a processing tank is required for each processing, which increases the size of the apparatus as a whole and requires separate maintenance for each processing tank. There was such a problem. Therefore, an object of the present invention is to solve the above-mentioned problem, and it is possible to perform a plurality of processes with one device, to improve the processing efficiency, and to make the entire processing device compact. It is an object of the present invention to provide a wafer processing apparatus and a wafer processing method that can perform the processing.
【０００４】[0004]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は以下のように構成する。本発明の第１態様
によれば、ウェーハを支持する支持部材と、上記支持部
材により支持された上記ウェーハの少なくとも一方の面
の処理すべき領域に対向する対向面を有しかつ該対向面
から処理液を上記ウェーハに向けて供給させる供給孔を
備えた処理液供給部材を備え、上記処理液供給部材の上
記対向面と上記ウェーハとの間の隙間は、上記対向面の
上記供給孔から供給される上記処理液の表面張力を利用
して上記対向面と上記ウェーハとの間を上記処理液によ
り満たす寸法として、上記隙間内に上記処理液を満たし
続けるように上記供給孔から上記処理液を供給させるこ
とにより上記ウェーハの上記一方の面に対して所定の処
理を行うようにしたことを特徴とするウェーハ処理装置
を提供する。本発明の第２態様によれば、上記処理液供
給部材の上記対向面と上記ウェーハとのいずれか一方が
いずれか他方に対して相対的に回転するようにした第１
態様に記載のウェーハ処理装置を提供する。本発明の第
３態様によれば、上記支持部材により上記ウェーハは大
略水平方向沿いに支持されるとともに、上記供給孔は、
上記処理液供給部材の上記対向面の中心部から放射状に
延びる溝を有するようにした第１又は２態様に記載のウ
ェーハ処理装置を提供する。本発明の第４態様によれ
ば、上記支持部材により上記ウェーハは水平方向に対し
て傾斜して支持されるとともに、上記供給孔は、上記処
理液供給部材の上記対向面の上側の端部近傍から下向き
に延びる溝を有するようにした第１又は２態様に記載の
ウェーハ処理装置を提供する。本発明の第５態様によれ
ば、上記供給孔は、上記処理液供給部材の上記対向面に
ドット状に複数形成されるようにした第１又は２態様に
記載のウェーハ処理装置を提供する。本発明の第６態様
によれば、ウェーハを支持する支持部材と、上記支持部
材により支持された上記ウェーハの一方の面の処理すべ
き領域に対向する対向面を有しかつ該対向面から処理液
を上記ウェーハに向けて供給させる供給孔を備えた第１
処理液供給部材と、上記支持部材により支持された上記
ウェーハの他方の面の処理すべき領域に対向する対向面
を有しかつ該対向面から処理液を上記ウェーハに向けて
供給させる供給孔を備えた第２処理液供給部材とを備
え、上記各処理液供給部材の上記対向面と上記ウェーハ
との間の各隙間は、上記各対向面の上記供給孔から供給
される上記処理液の表面張力を利用して上記各対向面と
上記ウェーハとの間を上記処理液により満たす寸法とし
て、上記各間隙間内に上記処理液を満たし続けるように
上記各供給孔から上記処理液を供給させることにより上
記ウェーハの上記一方の面と上記他方の面に対して所定
の処理を行うようにしたことを特徴とするウェーハ処理
装置を提供する。本発明の第７態様によれば、上記支持
部材により上記ウェーハは大略水平方向沿いに支持され
るとともに、上記供給孔は、上記各処理液供給部材の上
記対向面の中心部から放射状に延びる溝を有するように
した第６態様に記載のウェーハ処理装置を提供する。本
発明の第８態様によれば、上記支持部材により上記ウェ
ーハは水平方向に対して傾斜して支持されるとともに、
上記供給孔は、上記各処理液供給部材の上記対向面の上
側の端部近傍から下向きに延びる溝を有するようにした
第６態様に記載のウェーハ処理装置を提供する。本発明
の第９態様によれば、上記供給孔は、上記各処理液供給
部材の上記対向面にドット状に複数形成されるようにし
た第６態様に記載のウェーハ処理装置を提供する。本発
明の第１０態様によれば、上記処理液は、複数種類の液
体であり、これらの処理液が順に連続して上記供給孔か
ら供給させるようにした第１〜９のいずれかの態様に記
載のウェーハ処理装置を提供する。本発明の第１１態様
によれば、ウェーハを支持し、支持された上記ウェーハ
の少なくとも一方の面の処理すべき領域に対向する対向
面から処理液を上記ウェーハに向けて供給させ、上記対
向面の上記供給孔から供給される上記処理液の表面張力
を利用して上記対向面と上記ウェーハとの間の隙間を上
記処理液で満たし続けるように上記供給孔から上記処理
液を供給させることにより上記ウェーハの上記一方の面
に対して所定の処理を行うようにしたことを特徴とする
ウェーハ処理方法を提供する。本発明の第１２態様によ
れば、上記処理液供給部材の上記対向面と上記ウェーハ
とのいずれか一方がいずれか他方に対して相対的に回転
するようにした第１１態様に記載のウェーハ処理方法を
提供する。本発明の第１３態様によれば、ウェーハを支
持し、支持された上記ウェーハの一方の面の処理すべき
領域と他方の面の処理すべき領域とにそれぞれ対向する
対向面から処理液を上記ウェーハに向けて供給させ、上
記各対向面の上記供給孔から供給される上記処理液の表
面張力を利用して上記各対向面と上記ウェーハとの間の
隙間を上記処理液で満たし続けるように上記供給孔から
上記処理液を供給させることにより上記ウェーハの上記
一方の面と上記他方の面に対して所定の処理を行うよう
にしたことを特徴とするウェーハ処理方法を提供する。
本発明の第１４態様によれば、上記処理液は、複数種類
の液体であり、これらの処理液が順に連続して上記供給
孔から供給させるようにした第１１〜１３のいずれかの
態様に記載のウェーハ処理方法を提供する。In order to achieve the above object, the present invention is configured as follows. According to the first aspect of the present invention, a supporting member for supporting a wafer, and a facing surface facing a region to be processed on at least one surface of the wafer supported by the supporting member, and from the facing surface A processing liquid supply member provided with a supply hole for supplying the processing liquid toward the wafer; a gap between the facing surface of the processing liquid supply member and the wafer is supplied from the supply hole on the facing surface; Utilizing the surface tension of the processing liquid to be filled with the processing liquid between the opposed surface and the wafer with the processing liquid, the processing liquid from the supply hole so as to continue filling the processing liquid in the gap. A wafer processing apparatus is provided, wherein a predetermined process is performed on the one surface of the wafer by supplying the wafer. According to the second aspect of the present invention, the first surface is configured such that one of the facing surface of the processing liquid supply member and the wafer rotates relatively to the other.
An aspect of the present invention provides a wafer processing apparatus according to an aspect. According to the third aspect of the present invention, the wafer is supported by the support member substantially along the horizontal direction, and the supply hole is
A wafer processing apparatus according to the first or second aspect, wherein the processing liquid supply member has a groove extending radially from a center portion of the facing surface. According to the fourth aspect of the present invention, the wafer is supported by the support member while being inclined with respect to the horizontal direction, and the supply hole is provided near an upper end of the facing surface of the processing liquid supply member. The wafer processing apparatus according to the first or second aspect, having a groove extending downward from the wafer. According to a fifth aspect of the present invention, there is provided the wafer processing apparatus according to the first or second aspect, wherein a plurality of the supply holes are formed in a dot shape on the facing surface of the processing liquid supply member. According to the sixth aspect of the present invention, a supporting member for supporting a wafer, and a facing surface facing a region to be processed on one surface of the wafer supported by the supporting member, and processing from the facing surface A first hole having a supply hole for supplying a liquid toward the wafer;
A processing liquid supply member, and a supply hole that has a facing surface facing a region to be processed on the other surface of the wafer supported by the support member, and that supplies a processing liquid from the facing surface to the wafer. A second processing liquid supply member provided, and each gap between the facing surface of the processing liquid supply member and the wafer is a surface of the processing liquid supplied from the supply hole of each of the facing surfaces. Utilizing tension, the gap between each of the opposed surfaces and the wafer is filled with the processing liquid, and the processing liquid is supplied from each of the supply holes so as to continuously fill the processing liquid in each of the gaps. A predetermined process is performed on the one surface and the other surface of the wafer. According to a seventh aspect of the present invention, the wafer is supported substantially along the horizontal direction by the support member, and the supply holes are grooves extending radially from the center of the facing surface of each of the processing liquid supply members. And a wafer processing apparatus according to a sixth aspect. According to the eighth aspect of the present invention, the wafer is supported by the support member while being inclined with respect to the horizontal direction,
The wafer processing apparatus according to a sixth aspect, wherein the supply hole has a groove extending downward from near an upper end of the facing surface of each of the processing liquid supply members. According to a ninth aspect of the present invention, there is provided the wafer processing apparatus according to the sixth aspect, wherein a plurality of the supply holes are formed in a dot shape on the facing surface of each of the processing liquid supply members. According to a tenth aspect of the present invention, in any one of the first to ninth aspects, the processing liquid is a plurality of types of liquids, and these processing liquids are sequentially supplied from the supply holes. The present invention provides a wafer processing apparatus as described above. According to an eleventh aspect of the present invention, the processing liquid is supplied toward the wafer from an opposing surface of the supported wafer that faces an area to be processed on at least one surface of the wafer. By using the surface tension of the processing liquid supplied from the supply hole, the processing liquid is supplied from the supply hole so as to continuously fill the gap between the facing surface and the wafer with the processing liquid. There is provided a wafer processing method, wherein a predetermined process is performed on the one surface of the wafer. According to a twelfth aspect of the present invention, the wafer processing according to the eleventh aspect, wherein one of the facing surface of the processing liquid supply member and the wafer is relatively rotated with respect to the other. Provide a way. According to the thirteenth aspect of the present invention, the wafer is supported, and the processing liquid is supplied from the opposing surfaces of the supported wafer, which oppose the region to be processed on one surface and the region to be processed on the other surface, respectively. Supplying toward the wafer, using the surface tension of the processing liquid supplied from the supply hole of each of the opposing surfaces, so as to continue filling the gap between each of the opposing surfaces and the wafer with the processing liquid. A wafer processing method, wherein a predetermined processing is performed on the one surface and the other surface of the wafer by supplying the processing liquid from the supply hole.
According to the fourteenth aspect of the present invention, the processing liquid is a plurality of types of liquids, and any one of the eleventh to thirteenth aspects, in which these processing liquids are sequentially and continuously supplied from the supply holes. There is provided a wafer processing method as described above.
【０００５】[0005]
【発明の実施の形態】以下に、本発明にかかる実施の形
態を図面に基づいて詳細に説明する。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.
【０００６】本発明の第１の実施形態にかかるウェーハ
処理装置は、図１〜５に示すように、ウェーハ３を支持
する支持部材と、上記支持部材により支持された上記ウ
ェーハ３の一方の面の処理すべき領域に対向する対向面
を有しかつ該対向面から処理液を上記ウェーハ３に向け
て供給させる供給孔１bを備えた第１処理液供給部材１
と、上記支持部材により支持された上記ウェーハ３の他
方の面の処理すべき領域に対向する対向面を有しかつ該
対向面から処理液を上記ウェーハ３に向けて供給させる
供給孔２ｂを備えた第２処理液供給部材２とを備え、上
記各処理液供給部材１，２の上記対向面と上記ウェーハ
３との間の各隙間３０は、上記各対向面の上記供給孔１
ｂ，２ｂから供給される上記処理液の表面張力を利用し
て上記各対向面と上記ウェーハ３との間を上記処理液に
より満たす寸法として、制御装置の制御により、上記各
隙間３０内に上記処理液を満たし続けるように上記各供
給孔１ｂ，２ｂから上記処理液を供給させることにより
上記ウェーハ３の上記一方の面と上記他方の面に対して
所定の処理を行うようにしている。なお、本実施形態で
は、ウェーハ３のみが回転し、２つの処理液供給部材
１，２は回転せずに静止しているようになっている。As shown in FIGS. 1 to 5, a wafer processing apparatus according to a first embodiment of the present invention includes a support member for supporting a wafer 3, and one surface of the wafer 3 supported by the support member. The first processing liquid supply member 1 having a surface facing the region to be processed and having a supply hole 1b through which the processing liquid is supplied toward the wafer 3 from the surface.
And a supply hole 2b having a facing surface facing a region to be processed on the other surface of the wafer 3 supported by the support member, and supplying a processing liquid from the facing surface toward the wafer 3. And a gap 30 between the opposed surface of each of the treatment liquid supply members 1 and 2 and the wafer 3 is provided with a corresponding one of the supply holes 1 on the opposed surface.
b, 2b, by using the surface tension of the processing liquid supplied from the processing liquid, the distance between each of the opposed surfaces and the wafer 3 is filled with the processing liquid. The predetermined processing is performed on the one surface and the other surface of the wafer 3 by supplying the processing liquid from the supply holes 1b and 2b so as to continuously fill the processing liquid. In the present embodiment, only the wafer 3 rotates, and the two processing liquid supply members 1 and 2 are stationary without rotating.
【０００７】この処理液としては、フッ酸、アンモニア
過水、純水、各種薬液などがある。第１処理液供給部材
１の下方であって上記処理装置を設置する設置床７の上
には、排気機構も兼ねた、円筒状の処理液回収部材６を
固定している。この処理液回収部材６は、上記第１及び
第２処理液供給部材１，２をその中に収納するように上
記第１及び第２処理液供給部材１，２をの外側を覆い、
第１及び第２処理液供給部材１，２間より供給される処
理液を回収するとともに、処理液回収部材６の外側はに
供給しないようにするものである。処理液回収部材６
は、円板状の本体６ｅの側方に位置する筒状の側壁６ｂ
と、側壁６ｂの下方に側壁６ｂに隣接して配置された処
理液溜め６ａと、側壁６ｂの上端より中心側に向けて張
り出した上壁６ｄとを備えている。[0007] Examples of the treatment liquid include hydrofluoric acid, ammonia peroxide, pure water, various chemicals, and the like. Below the first processing liquid supply member 1 and on an installation floor 7 where the above-mentioned processing apparatus is installed, a cylindrical processing liquid recovery member 6 also serving as an exhaust mechanism is fixed. The processing liquid recovery member 6 covers the outside of the first and second processing liquid supply members 1 and 2 so as to house the first and second processing liquid supply members 1 and 2 therein,
The processing liquid supplied between the first and second processing liquid supply members 1 and 2 is recovered, and the processing liquid is not supplied to the outside of the processing liquid recovery member 6. Processing liquid recovery member 6
Is a cylindrical side wall 6b located on the side of the disk-shaped main body 6e.
And a processing liquid reservoir 6a disposed adjacent to the side wall 6b below the side wall 6b, and an upper wall 6d projecting toward the center from the upper end of the side wall 6b.
【０００８】処理液回収部材６の円板状の本体６ｅの上
には、基台５の下面に下向きに突出した突出部５ｃを処
理液回収部材６の凹部６ｃに遊びを持って嵌合してガス
や液体などを遮断した状態で、隙間を介して、基台５が
相対的に回転可能に配置されている。基台５は、その中
央部が下方に延びる支持軸部材１４により支持されてお
り、図２に示すように、支持軸部材１４は２つの軸受６
０により回転自在にウェーハ処理装置のケーシング２０
に対して支持されている。支持軸部材１４の下部には歯
車１５が固定されており、この歯車１５は、図２に示す
ように、中間歯車１６を介して駆動歯車１７に連結され
ている。駆動歯車１７は、回転装置の一例としてのモー
タ９により回転駆動される。On the disk-shaped main body 6e of the processing liquid recovery member 6, a projection 5c projecting downward from the lower surface of the base 5 is fitted with play to the recess 6c of the processing liquid recovery member 6. The base 5 is disposed so as to be relatively rotatable through a gap in a state where gas, liquid, and the like are shut off. The base 5 is supported by a support shaft member 14 whose central portion extends downward. As shown in FIG.
0 to be freely rotatable by the casing 20 of the wafer processing apparatus.
Supported against. A gear 15 is fixed to a lower portion of the support shaft member 14, and the gear 15 is connected to a drive gear 17 via an intermediate gear 16 as shown in FIG. The drive gear 17 is rotationally driven by a motor 9 as an example of a rotating device.
【０００９】基台５の上面には支持台４が一体的にボル
トなどにより固定されている。この支持台４は、外周部
に等間隔に３箇所言いかえれば１２０度間隔毎に上向き
に突出した突出部４ａを有し、突出部４ａの上端に、係
止部材１３を回動可能に支持している。これらの３個の
係止部材１３は、図５に示すように、その先端の切欠凹
部１３ａにウェーハ３の端部を支持するようにしてい
る。よって、モータ９の駆動により、歯車１７，１６，
１５を介して、支持軸部材１４が回転され、支持軸部材
１４に固定される基台５及び支持台４が回転され、３個
の係止部材１３により支持されるウェーハ３が回転され
ることになる。このウェーハ３の回転により、各係止部
材１３に遠心力が作用して、図５において実線で示す位
置から一点鎖線で示す位置まで傾斜することにより、ウ
ェーハ３の端部を単に各係止部材１３の切欠凹部１３ａ
に載置するのではなく、ウェーハ３の端部の上下動を規
制するように機能することができ、より安定してウェー
ハ３を支持することができるようにしている。この各係
止部材１３と支持台４とにより、上記ウェーハ３を支持
する支持部材を構成している。On the upper surface of the base 5, the support 4 is integrally fixed by bolts or the like. The support base 4 has three projecting portions 4a projecting upward at equal intervals, in other words, at 120 ° intervals, on the outer peripheral portion, and rotatably supports the locking member 13 at the upper end of the projecting portion 4a. are doing. As shown in FIG. 5, these three locking members 13 support the ends of the wafer 3 in the notch recesses 13a at the tips thereof. Therefore, by driving the motor 9, the gears 17, 16,
15, the support shaft member 14 is rotated, the base 5 and the support base 4 fixed to the support shaft member 14 are rotated, and the wafer 3 supported by the three locking members 13 is rotated. become. Due to the rotation of the wafer 3, centrifugal force acts on each of the locking members 13 to incline from the position shown by the solid line to the position shown by the one-dot chain line in FIG. 13 notch recess 13a
Instead of placing the wafer 3 on the wafer 3, it can function to regulate the vertical movement of the end of the wafer 3 so that the wafer 3 can be supported more stably. Each of the locking members 13 and the support table 4 constitute a supporting member for supporting the wafer 3.
【００１０】上記第２処理液供給部材２は、その下面に
下向きに突出した突出部２ｃを支持台４の凹部４ｃに遊
びを持って嵌合してガスや液体などを遮断した状態で、
支持台４の上方に隙間を介して配置されており、その中
心部から上記支持軸部材１４を貫通して処理液供給管１
１が配置されている。処理液供給管１１の上端は、第２
処理液供給部材２の直径方向沿いその内部に延びる処理
液分配管２ａの中央部に連結され、処理液分配管２ａ
は、ウェーハ３の下面の処理すべき領域に対向する第２
処理液供給部材２の対向面に多数設けられた各供給孔２
ｂに連結されており、処理液供給管１１から供給される
処理液が処理液分配管２ａを介して各供給孔２ｂからウ
ェーハ３に供給されるようにしている。なお、上記支持
軸部材１４の内部においては、２つの軸受１２を介して
処理液供給管１１を支持するようにしており、上記支持
軸部材１４が回転しても、２つの軸受１２により、処理
液供給管１１は回転しないようにしている。この第２処
理液供給部材２の上面には、上記３個の係止部材１３に
より支持されたウェーハ３が所定寸法の隙間３０をあけ
て大略平行に配置されているThe second processing liquid supply member 2 has a downwardly projecting projection 2c fitted on the lower surface of the second processing liquid supply member 2 with play in the recess 4c of the support base 4 to shut off gas, liquid and the like.
The processing liquid supply pipe 1 is disposed above the support base 4 with a gap therebetween, and penetrates the support shaft member 14 from the center thereof.
1 is arranged. The upper end of the processing liquid supply pipe 11 is
A processing liquid distribution pipe 2a is connected to a central portion of a processing liquid distribution pipe 2a that extends along the diametrical direction of the processing liquid supply member 2 therein.
Is a second surface facing the region to be processed on the lower surface of the wafer 3.
A plurality of supply holes 2 provided on a facing surface of the processing liquid supply member 2
b, and the processing liquid supplied from the processing liquid supply pipe 11 is supplied to the wafer 3 from each supply hole 2b via the processing liquid distribution pipe 2a. The processing liquid supply pipe 11 is supported inside the support shaft member 14 via two bearings 12. Even when the support shaft member 14 rotates, the processing liquid is supported by the two bearings 12. The liquid supply pipe 11 does not rotate. On the upper surface of the second processing liquid supply member 2, the wafers 3 supported by the three locking members 13 are arranged substantially in parallel with a gap 30 having a predetermined dimension.
【００１１】なお、逆に、ウェーハ３を上記３個の係止
部材１３から取り外すときには、図３に示すように、ケ
ーシング２０内に配置された突き上げ駆動装置の一例と
してのピストン１９を駆動して、そのピストンロッド１
９ａを上昇させ、ブラケット３２を介して、隣接する各
２個の係止部材１３の中間の位置に位置する突き上げ棒
１８の先端の係合部１８ａが同時にウェーハ３の端部に
接触してこれを持ち上げて、３個の係止部材１３による
ウェーハ３の端部の支持を解除させて、搬送可能なよう
にしている。Conversely, when the wafer 3 is removed from the three locking members 13, as shown in FIG. 3, a piston 19 as an example of a push-up driving device disposed in a casing 20 is driven. , Its piston rod 1
9a, the engaging portion 18a of the tip of the push-up rod 18 located at the intermediate position between the two adjacent locking members 13 simultaneously contacts the end of the wafer 3 via the bracket 32, Is lifted to release the support of the end portion of the wafer 3 by the three locking members 13 so that the wafer 3 can be transported.
【００１２】一方、第１処理液供給部材１は、第２処理
液供給部材２の上方の退避位置（図１に二点鎖線で示す
位置）と、第２処理液供給部材２に近接してウェーハ３
との間で上記隙間３０を介して位置する処理位置（図１
に実線で示す位置）との間で移動可能にかつ中心軸回り
に回転可能に支持されて、回転及び上下駆動装置８の駆
動により、中心軸方向に上下動するようにしている。、
第１処理液供給部材１の中心部を貫通して処理液供給管
１０が配置されている。上記処理液供給管１０の下端
は、第１処理液供給部材１の直径方向沿いその内部に延
びる処理液分配管１ａの中央部に連結され、処理液分配
管１ａは、ウェーハ３の上面の処理すべき領域に対向す
る第１処理液供給部材１の対向面に多数設けられた各供
給孔１ｂに連結されており、処理液供給管１０から供給
される処理液が処理液分配管１ａを介して各供給孔１ｂ
からウェーハ３に供給されるようにしている。なお、図
１，５において、３３は各処理液分配管１ａ，２ａの端
部に嵌合された栓であり、３４は基台５に設けられて支
持台４と基台５との間を密閉するパッキングである。On the other hand, the first processing liquid supply member 1 is in a retracted position above the second processing liquid supply member 2 (a position indicated by a two-dot chain line in FIG. 1), and is located close to the second processing liquid supply member 2. Wafer 3
The processing position (FIG. 1)
(Position indicated by a solid line in FIG. 3) and rotatably around the central axis, and is moved up and down in the central axis direction by the rotation and the driving of the vertical driving device 8. ,
A processing liquid supply pipe 10 is disposed so as to penetrate the center of the first processing liquid supply member 1. A lower end of the processing liquid supply pipe 10 is connected to a central portion of a processing liquid distribution pipe 1a extending in a diametrical direction of the first processing liquid supply member 1 and inside the processing liquid distribution pipe 1a. The processing liquid supplied from the processing liquid supply pipe 10 is connected to a plurality of supply holes 1b provided on the opposed surface of the first processing liquid supply member 1 facing the region to be processed, and the processing liquid is supplied through the processing liquid distribution pipe 1a. Each supply hole 1b
From the wafer 3. In FIGS. 1 and 5, reference numeral 33 denotes a stopper fitted to the end of each of the processing liquid distribution pipes 1a and 2a, and reference numeral 34 denotes a stopper provided on the base 5 to allow a connection between the support 4 and the base 5. It is packing to seal.
【００１３】また、図８（Ａ），（Ｂ）には、第１処理
液供給部材１の対向面又は第２処理液供給部材２の対向
面の２つの例７１，７２が示されている。図８（Ａ）の
対向面７１では、対向面７１の中心に位置する中心供給
孔７１ｅから半円状の溝７１ｂが６本等間隔に外周端部
に向けて形成されて上記供給孔１ｂ又は２ｂを構成する
ようにしている。また、図８（Ｂ）の対向面７２では、
対向面７２の中心に位置する中心供給孔７２ｅから渦巻
き状の溝７２ｂが反時計方向に外周端部に向けて形成さ
れて上記供給孔１ｂ又は２ｂを構成するようにしてい
る。FIGS. 8A and 8B show two examples 71 and 72 of the opposing surface of the first processing liquid supply member 1 and the opposing surface of the second processing liquid supply member 2, respectively. . In the facing surface 71 of FIG. 8A, six semicircular grooves 71b are formed from the center supply hole 71e located at the center of the facing surface 71 at equal intervals toward the outer peripheral end portion. 2b. Further, on the facing surface 72 in FIG.
A spiral groove 72b is formed counterclockwise from the center supply hole 72e located at the center of the opposing surface 72 toward the outer peripheral end to constitute the supply hole 1b or 2b.
【００１４】上記第１処理液供給部材１とウェーハ３の
上面との隙間３０及び上記第２処理液供給部材２とウェ
ーハ３の下面との隙間３０のそれぞれの寸法は、上記各
処理液供給部材１，２の各対向面の上記供給孔１ｂ，２
ｂから供給される上記処理液の表面張力を利用して上記
各対向面と上記ウェーハ３との間を上記処理液により満
たす寸法とする。すなわち、図６（Ａ）に示すように、
ウェーハ３の上面に処理液の滴、例えば水滴５０を供給
し、図６（Ｂ），（Ｃ）に示すように、水の表面張力に
より水の膜５１を形成した状態で、上記第１処理液供給
部材１をウェーハ３の上面の処理位置まで下降させる
と、図６（Ｄ），（Ｅ）に示すように、第１処理液供給
部材１の対向面をウェーハ３の上面にある一定の隙間寸
法まで近づけると、第１処理液供給部材１の対向面とウ
ェーハ３の上面との間に均一な厚さの水の膜５３が形成
される。このようなに状態で、図６（Ｆ），（Ｇ）に示
すように、第１処理液供給部材１の対向面の供給孔１ｂ
から新たな水を矢印５８に示すようにウェーハ３の上面
に向けて供給すると、第１処理液供給部材１の対向面と
ウェーハ３の上面との間から余分な水が矢印５２のよう
にあふれ出るが、第１処理液供給部材１の対向面とウェ
ーハ３の上面との間には、水の表面張力により、均一な
厚さの水の膜５３が形成された状態を維持し続けること
ができる。この水の膜５３を形成する水は、常に新しい
水に置き換わるものであり、周囲の気体にウェーハ３の
上面が露出されることなく、順次、新しい水によりウェ
ーハ３の上面を覆うことがてきることがわかる。本発明
はこのような原理を利用するものである。なお、実際の
処理方法しては、一旦、図６（Ｂ），（Ｃ）に示すよう
に、水の表面張力により水の膜５１を形成した後に、第
１処理液供給部材１を下降させ、次いで、新たな水を矢
印５８に示すようにウェーハ３の上面に向けて供給する
のではなく、図６（Ｄ），（Ｅ）に示すように、第１処
理液供給部材１をウェーハ３の上面に隙間３０を介して
近接させた状態で、新たな処理液を供給することによ
り、図６（Ｆ），（Ｇ）及び図９に示すように、第１処
理液供給部材１の対向面とウェーハ３の上面との間に、
水の表面張力により、均一な厚さの水の膜５３が形成さ
れた状態を維持し続けながら、言いかえれば、ウェーハ
３の上面が空気など周囲の気体に接触しない状態を維持
し続けながら、新たな処理液をウェーハ３の上面に接触
させるようにしている。この結果、上記各隙間３０内に
上記処理液を満たし続けるように上記各供給孔１ｂ，２
ｂから上記処理液を供給させて、上記ウェーハ３の上面
と下面に対して所定の処理を行うようにしている。上記
隙間３０の寸法としては、処理液の特性や供給圧力に依
存するが、０．１ｍｍから１０ｍｍ程度が好ましい。よ
り好ましくは、１ｍｍ〜２ｍｍである。The dimensions of the gap 30 between the first processing liquid supply member 1 and the upper surface of the wafer 3 and the gap 30 between the second processing liquid supply member 2 and the lower surface of the wafer 3 are determined by the respective processing liquid supply members. The supply holes 1b, 2 in the respective opposing surfaces 1, 2
The distance between each of the opposing surfaces and the wafer 3 is set to a size that is filled with the processing liquid by utilizing the surface tension of the processing liquid supplied from b. That is, as shown in FIG.
Drops of a processing liquid, for example, water drops 50 are supplied to the upper surface of the wafer 3 and, as shown in FIGS. 6B and 6C, the first processing is performed in a state where a water film 51 is formed by the surface tension of water. When the liquid supply member 1 is lowered to the processing position on the upper surface of the wafer 3, the opposing surface of the first processing liquid supply member 1 is fixed on the upper surface of the wafer 3 as shown in FIGS. When approaching the gap size, a water film 53 having a uniform thickness is formed between the facing surface of the first processing liquid supply member 1 and the upper surface of the wafer 3. In this state, as shown in FIGS. 6 (F) and 6 (G), the supply hole 1b on the opposite surface of the first processing liquid supply member 1 is provided.
When new water is supplied toward the upper surface of the wafer 3 as shown by an arrow 58, excess water overflows as shown by an arrow 52 from between the facing surface of the first processing liquid supply member 1 and the upper surface of the wafer 3. However, due to the surface tension of water, a state in which a water film 53 having a uniform thickness is formed between the facing surface of the first processing liquid supply member 1 and the upper surface of the wafer 3 may be maintained. it can. The water forming the water film 53 is always replaced with new water, and the upper surface of the wafer 3 can be sequentially covered with the new water without exposing the upper surface of the wafer 3 to the surrounding gas. You can see that. The present invention utilizes such a principle. As an actual processing method, as shown in FIGS. 6B and 6C, once the water film 51 is formed by the surface tension of the water, the first processing liquid supply member 1 is lowered. Then, instead of supplying new water toward the upper surface of the wafer 3 as shown by an arrow 58, as shown in FIGS. By supplying a new processing liquid in a state where the processing liquid is brought close to the upper surface of the first processing liquid via the gap 30, as shown in FIGS. 6 (F), (G) and FIG. Between the surface and the upper surface of the wafer 3,
Due to the surface tension of the water, while maintaining the state in which the water film 53 having a uniform thickness is formed, in other words, while maintaining the state in which the upper surface of the wafer 3 does not contact the surrounding gas such as air, A new processing liquid is brought into contact with the upper surface of the wafer 3. As a result, each of the supply holes 1b and 2 is so filled that the processing liquid is continuously filled in the gap 30.
The predetermined processing is performed on the upper surface and the lower surface of the wafer 3 by supplying the processing liquid from b. The size of the gap 30 depends on the characteristics of the processing liquid and the supply pressure, but is preferably about 0.1 mm to 10 mm. More preferably, it is 1 mm to 2 mm.
【００１５】図７は、上記ウェーハ処理装置に使用され
上記制御装置により各弁などが適宜開閉制御される処理
液などの供給配管系統を示す図である。処理液は、フッ
酸ＨＦと純水ＤＩＷとを混合機１００で混合して所定濃
度に調整したのち、ポンプ１０１により弁１１１を介し
て第１処理液供給部材１の対向面の供給孔１ｂと第２処
理液供給部材２の対向面の供給孔２ｂとからウェーハ３
に向けて供給するようにしている。第１処理液供給部材
１の対向面とウェーハ３との隙間３０及び第２処理液供
給部材２の対向面とウェーハ３との隙間３０からあふれ
出た処理液は、処理液回収部材６により処理液回収部材
６の外側に飛散するのが防止されて、上壁６ｄや側壁６
ｂなどにより処理液溜め６ａに集められる。処理液溜め
６ａに集められた処理液は、図３に示すように、処理液
排出管２５から下方に排出され、気液分離装置２６内に
供給されて、気液分離装置２６の側壁に設けられた気体
排出管２７から気体のみが排出される一方、液体は気液
分離装置２６の底部に設けられた液体排出管２８から排
出されて液体貯留タンク２９に溜めたのち、処理装置外
に排出する。なお、１０２，１０３，１０４，１０５，
１０６，１０７，１１０，１１１，１１２，１１３，１
１５，１１６，１１９，１２０は弁、１０８は混合機１
００の気体抜きである。なお、１０９はポンプ移送時の
脈動を吸収するためのパルスダンパー，１１４及び１１
８はフィルター、１１７及び１２１は圧力調整用のレギ
ュレーターである。FIG. 7 is a diagram showing a supply piping system for a processing liquid or the like which is used in the above-mentioned wafer processing apparatus and in which the respective valves and the like are appropriately opened and closed by the above-mentioned control apparatus. The treatment liquid is prepared by mixing hydrofluoric acid HF and pure water DIW with a mixer 100 to adjust the concentration to a predetermined concentration. From the supply hole 2b on the opposite surface of the second processing liquid supply member 2, the wafer 3
We supply it to. The processing liquid overflowing from the gap 30 between the opposing surface of the first processing liquid supply member 1 and the wafer 3 and the gap 30 between the opposing surface of the second processing liquid supply member 2 and the wafer 3 is processed by the processing liquid collection member 6. Spattering to the outside of the liquid recovery member 6 is prevented, and the upper wall 6d and the side wall 6 are prevented.
b, and is collected in the processing liquid reservoir 6a. As shown in FIG. 3, the processing liquid collected in the processing liquid reservoir 6a is discharged downward from the processing liquid discharge pipe 25, supplied to the gas-liquid separator 26, and provided on the side wall of the gas-liquid separator 26. While only the gas is discharged from the gas discharge pipe 27, the liquid is discharged from the liquid discharge pipe 28 provided at the bottom of the gas-liquid separation device 26 and stored in the liquid storage tank 29, and then discharged outside the processing device. I do. Note that 102, 103, 104, 105,
106, 107, 110, 111, 112, 113, 1
15, 116, 119 and 120 are valves, and 108 is the mixer 1
00 degassing. Reference numeral 109 denotes a pulse damper for absorbing pulsation at the time of pump transfer, 114 and 11
Reference numeral 8 denotes a filter, and 117 and 121 are regulators for adjusting pressure.
【００１６】次に、上記構成にかかるウェーハ処理装置
を使用してウェーハ３に所定の処理を行うウェーハ処理
方法について説明する。まず、ウェーハ３を上記ウェー
ハ処理装置にセットする。すなわち、第１処理液供給部
材１を、回転及び上下駆動装置８の駆動により、上方の
退避位置まで退避させた状態で、第２処理液供給部材２
の上面に対して隙間３０を介して、ウェーハ３を３個の
係止部材１３により係止支持する。その後、第１処理液
供給部材１を、回転及び上下駆動装置８の駆動により、
退避位置から処理位置まで下降させ、第１処理液供給部
材１の処理位置で第１処理液供給部材１の下面とウェー
ハ３の上面との間に隙間３０を介して配置される。Next, a description will be given of a wafer processing method for performing a predetermined processing on the wafer 3 using the wafer processing apparatus having the above-described configuration. First, the wafer 3 is set in the wafer processing apparatus. That is, in a state where the first processing liquid supply member 1 is retracted to the upper evacuation position by the rotation and the driving of the vertical drive device 8, the second processing liquid supply member 2
The wafer 3 is locked and supported by three locking members 13 via a gap 30 with respect to the upper surface of the wafer 3. After that, the first processing liquid supply member 1 is rotated and driven by the up-down driving device 8,
It is lowered from the retracted position to the processing position, and is disposed at the processing position of the first processing liquid supply member 1 between the lower surface of the first processing liquid supply member 1 and the upper surface of the wafer 3 via a gap 30.
【００１７】次いで、第１処理液供給部材１と第２処理
液供給部材２に対して、ウェーハ３を、モータ９の駆動
により、支持軸部材１４、基台５、及び支持台４を介し
て所定の回転数で回転させる。なお、このウェーハ３の
回転駆動は以下の処理液供給動作と同時に行ってもよ
く、また、処理液供給動作後に行うようにしてもよい。
次いで、第１処理液供給部材１の対向面の供給孔１ｂと
第２処理液供給部材２の対向面の供給孔２ｂからウェー
ハ３に向けて処理液を供給する。このような処理液の例
としては、パーティクルや有機物の除去用としてのＡＰ
Ｍの洗浄液（ＮＨ4ＯＨ／Ｈ2Ｏ2／Ｈ2Ｏ）、有機物の除
去用としてのＳＰＭの洗浄液（Ｈ2ＳＯ4／Ｈ2Ｏ2）、金
属の除去用としてのＨＰＭの洗浄液（ＨＣｌ／Ｈ2Ｏ2／
Ｈ2Ｏ）などがある。Next, the wafer 3 is transferred to the first processing liquid supply member 1 and the second processing liquid supply member 2 by the drive of the motor 9 via the support shaft member 14, the base 5 and the support base 4. Rotate at a predetermined speed. The rotation of the wafer 3 may be performed simultaneously with the following processing liquid supply operation, or may be performed after the processing liquid supply operation.
Next, the processing liquid is supplied toward the wafer 3 from the supply holes 1 b on the opposing surface of the first processing liquid supply member 1 and the supply holes 2 b on the opposing surface of the second processing liquid supply member 2. Examples of such a treatment liquid include AP for removing particles and organic substances.
M cleaning solution (NH 4 OH / H 2 O 2 / H 2 O), SPM cleaning solution (H 2 SO 4 / H 2 O 2 ) for removing organic substances, HPM cleaning solution (HCl for removing metals) / H 2 O 2 /
H 2 O).
【００１８】例えば、第１から第４処理液の４種類の処
理液で処理を行ったのち、ウェーハ３を乾燥させる場合
には、以下のようになる。まず、第１処理液例えばフッ
酸を所定時間供給し、その後、第２処理液例えば上記い
ずれかの洗浄液を所定時間供給し、次いで、第３処理液
例えばアルカリ系の処理液を所定時間供給し、その後、
第４処理液例えば上記いずれかの洗浄液を所定時間供給
し、最後に窒素ガスを所定時間供給してウェーハ３を乾
燥する。本処理装置では、図７の配管における弁を適宜
操作することにより、これらの処理液及び窒素ガスを連
続的に供給することができる。なお、図７では簡略化の
ため、液体としては純水の配管経路しか図示していない
が、上記４種類の処理液は同様な配管経路をそれぞれ独
立して設けることにより、それぞれ独立して供給及び供
給停止させることができる。具体的には、第１処理液を
供給し、第１処理液の供給終了間際に第２処理液の弁を
開けて第１処理液と第２処理液とを混合して供給し、第
１処理液の量を減少して最終的には第２処理液のみを供
給するようにする。その後、第２処理液による洗浄が終
了するとき、第３処理液の弁を開けて第２処理液と第３
処理液とを混合して供給し、第２処理液の量を減少して
最終的には第３処理液のみを供給するようにする。この
ように連続的に処理液を供給することにより、ウェーハ
３の処理すべき面は、空気などの周囲の気体に接触する
ことなく、常にいずれかの処理液に接触した状態で必要
な処理を行うことができる。なお、これらの処理は、上
記制御装置により各弁などが適宜開閉制御されて処理液
などを供給配管系統から供給及び供給停止させることに
より、自動的に行うことができる。For example, when the wafer 3 is dried after processing with four types of processing liquids of the first to fourth processing liquids, the following is performed. First, a first processing liquid, for example, hydrofluoric acid is supplied for a predetermined time, then, a second processing liquid, for example, any of the above-mentioned cleaning liquids is supplied for a predetermined time, and then a third processing liquid, for example, an alkaline processing liquid is supplied for a predetermined time. ,afterwards,
A fourth processing liquid, for example, any of the above cleaning liquids is supplied for a predetermined time, and finally, a nitrogen gas is supplied for a predetermined time to dry the wafer 3. In this processing apparatus, these processing liquids and nitrogen gas can be continuously supplied by appropriately operating the valves in the piping in FIG. In FIG. 7, for the sake of simplicity, only a pure water pipe route is shown as a liquid. However, the above four types of processing liquids are supplied independently by providing the same pipe routes independently. And supply can be stopped. Specifically, the first processing liquid is supplied, and the valve of the second processing liquid is opened just before the end of the supply of the first processing liquid, and the first processing liquid and the second processing liquid are mixed and supplied. The amount of the processing liquid is reduced so that only the second processing liquid is finally supplied. Thereafter, when the cleaning with the second processing liquid is completed, the valve of the third processing liquid is opened, and the second processing liquid and the third processing liquid are opened.
The processing liquid is mixed and supplied, and the amount of the second processing liquid is reduced so that only the third processing liquid is finally supplied. By continuously supplying the processing liquid as described above, the surface to be processed of the wafer 3 does not need to be in contact with a surrounding gas such as air, and the necessary processing is always performed in a state of being in contact with any processing liquid. It can be carried out. Note that these processes can be automatically performed by appropriately opening and closing the respective valves and the like by the control device to supply and stop the supply of the processing liquid from the supply piping system.
【００１９】所定の処理が終了したのち、第１処理液供
給部材１を、回転及び上下駆動装置８の駆動により、上
方の退避位置まで退避させ、その後、ウェーハ３を３個
の係止部材１３から取り外す。このようにして、１枚の
ウェーハ３に対する処理が終了する。以下、このような
作業を連続的に行うことにより、ウェーハ３を１枚ずつ
処理することができる。After the predetermined processing is completed, the first processing liquid supply member 1 is retracted to the upper retreat position by rotation and driving of the vertical drive device 8, and then the wafer 3 is fixed to the three locking members 13. Remove from Thus, the process for one wafer 3 is completed. Hereinafter, by performing such operations continuously, the wafers 3 can be processed one by one.
【００２０】上記実施形態によれば、上記１つのウェー
ハ処理装置により複数の処理工程を連続的に行うことが
できる。よって、各種処理を行うために各種の処理液を
保持した処理槽をそれぞれ設ける必要がなくなり、処理
装置全体がコンパクトなものとなる。処理液としては、
処理液供給部材１，２の対向面とウェーハ３との間の各
隙間３０を満たす程度の量の処理液を連続的に供給する
だけで十分であるため、ウェーハ３を浸漬するための大
きな処理槽に必要な処理液の量よりも少ない量で十分に
処理が行えるため、処理液の量を削減することができ
る。また、従来の処理槽では、１つの処理槽での処理が
終了すると、当該処理槽からウェーハを取り出し、次の
処理槽に浸漬させるまでに時間がかかり、場合によって
はウェーハの表面に残留又は付着した液滴によってウォ
ータマークが生じることがあった。しかしながら、本実
施形態にかかる処理装置では、ウェーハ３を１つの上記
支持部材により支持した状態で、複数の種類の処理液に
よる複数の処理を連続して行うことができ、ウォータマ
ークが生じることを防止できる。なお、本発明は上記実
施形態に限定されるものではなく、その他種々の態様で
実施できる。According to the above embodiment, a plurality of processing steps can be continuously performed by the one wafer processing apparatus. Therefore, it is not necessary to provide processing tanks holding various processing liquids for performing various processing, and the entire processing apparatus is compact. As the processing solution,
Since it is sufficient to continuously supply the processing liquid in such an amount as to fill the gaps 30 between the opposing surfaces of the processing liquid supply members 1 and 2 and the wafer 3, a large processing for immersing the wafer 3 is sufficient. Since the processing can be sufficiently performed with an amount smaller than the amount of the processing liquid necessary for the tank, the amount of the processing liquid can be reduced. Further, in the conventional processing tank, when the processing in one processing tank is completed, it takes time to take out the wafer from the processing tank and immerse the wafer in the next processing tank, and in some cases, the wafer remains or adheres to the surface of the wafer. In some cases, a watermark was formed by the dropped droplet. However, in the processing apparatus according to the present embodiment, it is possible to continuously perform a plurality of processes using a plurality of types of processing liquids in a state where the wafer 3 is supported by one of the support members, and the generation of a watermark is prevented. Can be prevented. Note that the present invention is not limited to the above embodiment, and can be implemented in other various aspects.
【００２１】例えば、上記第１処理液供給部材１の対向
面又は第２処理液供給部材２の対向面の供給孔１ｂ又は
２ｂは、上記実施形態に限らず、図１０（Ａ），
（Ｂ），（Ｃ），（Ｄ），（Ｅ），（Ｆ）に示すよう
に、上記第１処理液供給部材１の対向面又は第２処理液
供給部材２の対向面の種々の例を採用することができ
る。すなわち、図１０（Ａ）の対向面では、複数の小円
形の供給孔７４を対向面の複数の直径方向沿いに配列し
ている。図１０（Ｂ）の対向面では、複数の小円形の供
給孔７５を対向面の半径方向沿いの一直線上に配列して
いる。図１０（Ｃ）の対向面では、複数の小円形の供給
孔７６を対向面の直径方向沿いに図１０（Ａ）よりも多
数配列している。図１０（Ｄ）の対向面では、対向面の
中心から放射状に溝を形成して供給孔７７を構成してい
る。図１０（Ｅ）の対向面では、対向面の中心から偏心
した位置を中心とするＸ状に溝を形成して供給孔７８を
構成している。図１０（Ｆ）の対向面では、対向面の中
心を中心とするＸ状に溝を形成して供給孔７９を構成し
ている。For example, the supply holes 1b or 2b on the opposing surface of the first processing liquid supply member 1 or the opposing surface of the second processing liquid supply member 2 are not limited to those in the above-described embodiment, but are shown in FIGS.
As shown in (B), (C), (D), (E), and (F), various examples of the opposing surface of the first processing liquid supply member 1 or the opposing surface of the second processing liquid supply member 2. Can be adopted. That is, in the facing surface of FIG. 10A, a plurality of small circular supply holes 74 are arranged along a plurality of diametrical directions of the facing surface. 10B, a plurality of small circular supply holes 75 are arranged on a straight line along the radial direction of the facing surface. In the facing surface of FIG. 10C, a plurality of small circular supply holes 76 are arranged along the diametrical direction of the facing surface as compared with FIG. 10A. In the facing surface of FIG. 10D, a supply hole 77 is formed by forming a groove radially from the center of the facing surface. In the opposing surface of FIG. 10E, a supply hole 78 is formed by forming an X-shaped groove centered on a position eccentric from the center of the opposing surface. On the opposing surface in FIG. 10F, a supply hole 79 is formed by forming an X-shaped groove centered on the center of the opposing surface.
【００２２】また、上記ウェーハ３に対しては、第１及
び第２処理液供給部材１，２の両方の対向面から処理液
を供給するものに限らず、ウェーハ３のいずれか一方の
面のみを処理するだけで十分な場合には、ウェーハ３の
いずれか一方の面に対向する一方の処理液供給部材の対
向面の供給孔からのみ処理液を供給するようにしてもよ
い。この場合、ウェーハ３のいずれか他方の面に対向す
る他方の処理液供給部材の対向面の供給孔からは例えば
窒素ガスなどの不活性気体を供給して、ウェーハ３の上
下いずれか一方の面に一方の処理液供給部材の対向面の
供給孔から処理液を供給するときその供給圧力により、
ウェーハ３の他方の面が他方の処理液供給部材側に大き
く撓むのを防止するようにしてもよい。又は、ウェーハ
３のいずれか他方の面に対向する他方の処理液供給部材
の対向面の供給孔からは例えば窒素ガスなどの不活性気
体を供給して、ウェーハ３の他方の面が空気などにより
酸化しないように防止するようにしてもよい。また、ウ
ェーハ３のいずれか一方の面に対向する一方の処理液供
給部材の対向面の供給孔からのみ処理液を供給する場合
には、当該一方の処理液供給部材のみを設け、他方の処
理液供給部材は省略するようにしてもよい。Further, the wafer 3 is not limited to the one which supplies the processing liquid from both opposing surfaces of the first and second processing liquid supply members 1 and 2, and only one of the surfaces of the wafer 3 is supplied. Is sufficient, the processing liquid may be supplied only from the supply hole on the opposite surface of one of the processing liquid supply members facing one of the surfaces of the wafer 3. In this case, for example, an inert gas such as nitrogen gas is supplied from a supply hole on the opposite surface of the other processing liquid supply member facing one of the other surfaces of the wafer 3, and one of the upper and lower surfaces of the wafer 3 is supplied. When the processing liquid is supplied from the supply hole on the opposite surface of one of the processing liquid supply members,
The other surface of the wafer 3 may be prevented from significantly bending toward the other processing liquid supply member. Alternatively, an inert gas such as nitrogen gas is supplied from a supply hole on the opposite surface of the other processing liquid supply member that faces one of the other surfaces of the wafer 3 so that the other surface of the wafer 3 is exposed to air or the like. You may make it prevent so that it may not be oxidized. When the processing liquid is supplied only from the supply hole of the one processing liquid supply member facing one of the surfaces of the wafer 3, only the one processing liquid supply member is provided and the other processing liquid is supplied. The liquid supply member may be omitted.
【００２３】上記第１及び第２処理液供給部材１，２の
対向面が対向するウェーハ３の少なくとも一方の面の処
理すべき領域とは、ウェーハ３の上記一方の面の全面若
しくは係止部材１３により係止支持される外周端部以外
の面を意味する。また、２つの処理液供給部材１，２の
対向面間にウェーハ３を隙間３０をそれぞれ介して支持
部材で支持するとき、２つの処理液供給部材１，２の対
向面及びウェーハ３の処理すべき面は大略水平方向沿い
に限らず、水平方向に対して所定角度だけ傾斜するよう
にしてもよい。このように傾斜させる場合には、処理液
の供給圧力や供給孔の配置や形状など適宜選択して、２
つの処理液供給部材１，２の対向面及びウェーハ３の処
理すべき面との間に所望の均一な処理液膜が形成される
ようにする。The area to be processed on at least one surface of the wafer 3 where the opposing surfaces of the first and second processing liquid supply members 1 and 2 face each other is the entire surface of the one surface of the wafer 3 or the locking member 13 means a surface other than the outer peripheral end portion which is locked and supported. Further, when the wafer 3 is supported by the supporting member between the opposing surfaces of the two processing liquid supply members 1 and 2 via the gaps 30 respectively, the processing of the opposing surface of the two processing liquid supply members 1 and 2 and the wafer 3 is performed. The surface to be formed is not limited to substantially along the horizontal direction, and may be inclined at a predetermined angle with respect to the horizontal direction. In the case of such inclination, the supply pressure of the processing liquid, the arrangement and the shape of the supply holes are appropriately selected, and the
A desired uniform processing liquid film is formed between the opposing surfaces of the two processing liquid supply members 1 and 2 and the surface of the wafer 3 to be processed.
【００２４】また、２つの処理液供給部材１，２を静止
させた状態でウェーハ３を回転させるものに限らず、ウ
ェーハ３を静止させた状態で２つの処理液供給部材１，
２の両方又はいずれか一方を回転させるようにしてもよ
い。すなわち、図１１に示すように、ウェーハ３を支持
する支持台４及び基台５は回転駆動装置に連結せずに静
止させるようにし、第２処理液供給部材２に連結される
処理液供給管１１をモータなどの回転駆動装置１７０に
連結し、回転駆動装置１７０の駆動により第２処理液供
給部材２を、静止しているウェーハ３に対して回転させ
るようにしてもよい。またさらに、回転及び上下駆動装
置８の駆動により、第１処理液供給部材１を、静止して
いるウェーハ３に対して回転させるようにしてもよい。
このとき、第１処理液供給部材１と第２処理液供給部材
２の両方を同時に同一回転数で又は異なる回転数で回転
させたり、いずれか一方のみを回転させたりすることが
できる。また、第１処理液供給部材１と第２処理液供給
部材２の両方を同時に回転させるときの回転方向は同一
方向でもよいし、逆方向でもよい。また、このとき、図
１２に示すように、第１処理液供給部材１の処理液供給
管１０の開閉弁１４０と第２処理液供給部材２の処理液
供給管１１の開閉弁１４１とをさらに図７の供給配管系
統に追加することにより、第１処理液供給部材１側から
の処理液の供給と、第２処理液供給部材２側からの処理
液の供給とを独立的に制御することができる。Further, the present invention is not limited to the one in which the wafer 3 is rotated while the two processing liquid supply members 1 and 2 are kept stationary, and the two processing liquid supply members 1 and 2 are kept in a state where the wafer 3 is stationary.
Alternatively, both or one of the two may be rotated. That is, as shown in FIG. 11, the support 4 and the base 5 supporting the wafer 3 are not connected to the rotary driving device but are kept stationary, and the processing liquid supply pipe connected to the second processing liquid supply member 2. 11 may be connected to a rotation driving device 170 such as a motor, and the second processing liquid supply member 2 may be rotated with respect to the stationary wafer 3 by driving the rotation driving device 170. Further, the first processing liquid supply member 1 may be rotated with respect to the stationary wafer 3 by the rotation and the driving of the vertical driving device 8.
At this time, both the first processing liquid supply member 1 and the second processing liquid supply member 2 can be simultaneously rotated at the same rotation speed or at different rotation speeds, or only one of them can be rotated. In addition, when both the first processing liquid supply member 1 and the second processing liquid supply member 2 are simultaneously rotated, the rotation direction may be the same direction or the opposite directions. At this time, as shown in FIG. 12, the on-off valve 140 of the processing liquid supply pipe 10 of the first processing liquid supply member 1 and the on-off valve 141 of the processing liquid supply pipe 11 of the second processing liquid supply member 2 are further connected. Independently controlling the supply of the processing liquid from the first processing liquid supply member 1 and the supply of the processing liquid from the second processing liquid supply member 2 by adding to the supply piping system of FIG. Can be.
【００２５】[0025]
【発明の効果】本発明によれば、１つのウェーハ処理装
置により複数の処理工程を連続的に行うことができる。
よって、各種処理を行うために各種の処理液を保持した
処理槽をそれぞれ設ける必要がなくなり、処理装置全体
がコンパクトなものとなる。処理液としては、処理液供
給部材の対向面とウェーハとの間の隙間を満たす程度の
量の処理液を連続的に供給するだけで十分であるため、
ウェーハを浸漬するための大きな処理槽に必要な処理液
の量よりも少ない量で十分に処理が行えるため、処理液
の量を削減することができる。また、従来の処理槽で
は、１つの処理槽での処理が終了すると、当該処理槽か
らウェーハを取り出し、次の処理槽に浸漬させるまでに
時間がかかり、場合によってはウェーハの表面に残留又
は付着した液滴によってウォータマークが生じることが
あった。しかしながら、本発明にかかる処理装置及び方
法では、ウェーハを１つの上記支持部材により支持した
状態で、複数の種類の処理液による複数の処理を連続し
て行うことができ、ウォータマークが生じることを防止
できる。According to the present invention, a plurality of processing steps can be continuously performed by one wafer processing apparatus.
Therefore, it is not necessary to provide processing tanks holding various processing liquids for performing various processing, and the entire processing apparatus is compact. As the processing liquid, it is sufficient to continuously supply the processing liquid in such an amount as to fill the gap between the facing surface of the processing liquid supply member and the wafer.
Since the processing can be sufficiently performed with an amount smaller than the amount of the processing liquid necessary for the large processing tank for immersing the wafer, the amount of the processing liquid can be reduced. Further, in the conventional processing tank, when the processing in one processing tank is completed, it takes time to take out the wafer from the processing tank and immerse the wafer in the next processing tank, and in some cases, the wafer remains or adheres to the surface of the wafer. In some cases, a watermark was formed by the dropped droplet. However, in the processing apparatus and method according to the present invention, a plurality of processings using a plurality of types of processing liquids can be continuously performed in a state where the wafer is supported by one of the support members, and the generation of a watermark is prevented. Can be prevented.
【図１】 本発明の一実施形態にかかるウェーハ処理装
置の一部拡大断面図である。FIG. 1 is a partially enlarged sectional view of a wafer processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図２】 図１のウェーハ処理装置の大略全体を示す一
部断面正面図である。FIG. 2 is a partial cross-sectional front view showing substantially the entire wafer processing apparatus of FIG. 1;
【図３】 図１のウェーハ処理装置の大略全体を示す一
部断面側面図である。FIG. 3 is a partial cross-sectional side view showing substantially the entire wafer processing apparatus of FIG. 1;
【図４】 図１のウェーハ処理装置の大略全体を示す平
面図である。FIG. 4 is a plan view showing roughly the entire wafer processing apparatus of FIG. 1;
【図５】 図１のウェーハ処理装置の一部の拡大断面図
である。FIG. 5 is an enlarged sectional view of a part of the wafer processing apparatus of FIG.
【図６】 （Ａ），（Ｂ），（Ｃ），（Ｄ），（Ｅ），
（Ｆ），（Ｇ）は処理液供給部材の対向面とウェーハと
の間に表面張力により液体の膜が形成されることを説明
するための説明図である。FIG. 6 (A), (B), (C), (D), (E),
(F), (G) is an explanatory view for explaining that a liquid film is formed between the facing surface of the processing liquid supply member and the wafer by surface tension.
【図７】 上記ウェーハ処理装置に使用される処理液な
どの供給配管系統を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing a supply piping system for a processing solution and the like used in the wafer processing apparatus.
【図８】 （Ａ），（Ｂ）は、上記第１処理液供給部材
の対向面又は第２処理液供給部材の対向面の２つの例を
示す図である。FIGS. 8A and 8B are diagrams showing two examples of a facing surface of the first processing liquid supply member or a facing surface of the second processing liquid supply member.
【図９】 第１処理液供給部材の対向面と第２処理液供
給部材の対向面との間にウェーハが配置された状態での
処理状態を示す説明図である。FIG. 9 is an explanatory diagram illustrating a processing state in a state where a wafer is arranged between a facing surface of a first processing liquid supply member and a facing surface of a second processing liquid supply member.
【図１０】 （Ａ），（Ｂ），（Ｃ），（Ｄ），
（Ｅ），（Ｆ）は、上記第１処理液供給部材の対向面又
は第２処理液供給部材の対向面の種々の例を示す概略図
である。FIG. 10 (A), (B), (C), (D),
(E), (F) is a schematic diagram showing various examples of the facing surface of the first processing liquid supply member or the facing surface of the second processing liquid supply member.
【図１１】 本発明の別の実施形態にかかるウェーハ処
理装置の一部拡大断面図である。FIG. 11 is a partially enlarged cross-sectional view of a wafer processing apparatus according to another embodiment of the present invention.
【図１２】 本発明のさらに別の実施形態にかかるウェ
ーハ処理装置に使用される処理液などの供給配管系統を
示す図である。FIG. 12 is a diagram showing a supply piping system for a processing liquid and the like used in a wafer processing apparatus according to still another embodiment of the present invention.
１…第１処理液供給部材、１a…処理液分配管、１b…供
給孔、２…第２処理液供給部材、２a…処理液分配管、
２b…供給孔、２c…突出部、３…ウェーハ、４…支持
台、４a…突出部、４ｃ…凹部、５…基台、５ｃ…突出
部、６…処理液回収部材、６a…処理液溜め、６ｂ…側
壁、６ｃ…凹部、６ｄ…上壁、６ｅ…本体、７…設置
床、８…回転及び上下駆動装置、９…モータ、１０…処
理液供給管、１１…処理液供給管、１２…軸受、１３…
係止部材、１４…支持軸部材、１５…歯車、１６…中間
歯車、１７…駆動歯車、１８…突き上げ棒、１８ａ…係
合部、１９…突き上げ駆動装置、１９ａ…ピストンロッ
ド、２０…ケーシング、２１…、２２…、２３…、２４
…、２５…処理液排出管、２６…気液分離装置、２７…
気体排出管、２８…液体排出管、２９…液体貯留タン
ク、３０…隙間、３２…ブラケット、３３…栓、３４…
パッキング、５０…水滴、５１…水の膜、５２…、５３
…水の膜、６０…軸受、７１，７２…対向面、７１ｂ，
７２ｂ…溝、７１ｅ，７２ｅ，７４，７５，７６，７
７，７８，７９…供給孔、１００…混合機、１０１…ポ
ンプ、１０２，１０３，１０４，１０５，１０６，１０
７，１１０，１１１，１１２，１１３，１１５，１１
６，１１９，１２０…弁、１０８…気体抜き、１０９…
パルスダンパー、１１４，１１８…フィルター、１１
７，１２１…圧力調整用のレギュレーター、１４０，１
４１…開閉弁、１７０…回転駆動装置。DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... 1st treatment liquid supply member, 1a ... treatment liquid distribution pipe, 1b ... supply hole, 2 ... 2nd treatment liquid supply member, 2a ... treatment liquid distribution pipe,
2b ... supply hole, 2c ... projection, 3 ... wafer, 4 ... support, 4a ... projection, 4c ... recess, 5 ... base, 5c ... projection, 6 ... treatment liquid collecting member, 6a ... treatment liquid reservoir , 6b ... side wall, 6c ... concave part, 6d ... upper wall, 6e ... main body, 7 ... installation floor, 8 ... rotation and vertical drive device, 9 ... motor, 10 ... processing liquid supply pipe, 11 ... processing liquid supply pipe, 12 ... bearing, 13 ...
Locking member, 14: Support shaft member, 15: Gear, 16: Intermediate gear, 17: Drive gear, 18: Thrust rod, 18a: Engagement part, 19: Thrust drive, 19a: Piston rod, 20: Casing, 21 ..., 22 ..., 23 ..., 24
..., 25 ... processing liquid discharge pipe, 26 ... gas-liquid separator, 27 ...
Gas discharge pipe, 28 liquid discharge pipe, 29 liquid storage tank, 30 gap, 32 bracket, 33 plug, 34
Packing, 50 ... water droplets, 51 ... water film, 52 ..., 53
... water film, 60 ... bearing, 71, 72 ... facing surface, 71b,
72b ... groove, 71e, 72e, 74, 75, 76, 7
7, 78, 79 ... supply hole, 100 ... mixer, 101 ... pump, 102, 103, 104, 105, 106, 10
7, 110, 111, 112, 113, 115, 11
6, 119, 120 ... valve, 108 ... gas release, 109 ...
Pulse damper, 114, 118 ... filter, 11
7, 121: Regulator for pressure adjustment, 140, 1
41: open / close valve, 170: rotary drive device.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/306 Ｈ０１Ｌ 21/306 Ｊ Ｂ (72)発明者 野口 英夫 奈良県大和郡山市今国府町６番２号 東邦 化成株式会社内 Ｆターム(参考） 2H096 AA25 GA02 GA17 GA23 GA25 3B201 AA03 AB34 AB47 BB24 BB92 BB93 BB96 CB12 CC12 CD22 5F043 BB27 DD23 DD30 EE08 EE27 EE33 EE35 EE36 5F046 LA09 LA12 LA14 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification FI FI Theme Court ゛ (Reference) H01L 21/306 H01L 21/306 JB (72) Inventor Hideo Noguchi 6th Imakokufu-cho, Yamatokoriyama City, Nara Prefecture No. 2 F-term in Toho Kasei Co., Ltd. (Reference) 2H096 AA25 GA02 GA17 GA23 GA25 3B201 AA03 AB34 AB47 BB24 BB92 BB93 BB96 CB12 CC12 CD22 5F043 BB27 DD23 DD30 EE08 EE27 EE33 EE35 EE36 5F046 LA09 LA12 LA14
Claims (14)
（４，１３）と、 上記支持部材により支持された上記ウェーハの少なくと
も一方の面の処理すべき領域に対向する対向面を有しか
つ該対向面から処理液を上記ウェーハに向けて供給させ
る供給孔（１b，２ｂ）を備えた処理液供給部材（１，
２）を備え、 上記処理液供給部材の上記対向面と上記ウェーハとの間
の隙間（３０）は、上記対向面の上記供給孔から供給さ
れる上記処理液の表面張力を利用して上記対向面と上記
ウェーハとの間を上記処理液により満たす寸法として、
上記隙間内に上記処理液を満たし続けるように上記供給
孔から上記処理液を供給させることにより上記ウェーハ
の上記一方の面に対して所定の処理を行うようにしたこ
とを特徴とするウェーハ処理装置。A support member (4, 13) for supporting a wafer (3), and an opposing surface opposing a region to be processed on at least one surface of the wafer supported by the support member; A processing liquid supply member (1, 1) having supply holes (1b, 2b) for supplying the processing liquid toward the wafer from the facing surface.
2) wherein the gap (30) between the opposed surface of the processing liquid supply member and the wafer is formed by utilizing the surface tension of the processing liquid supplied from the supply hole in the opposed surface. As dimensions to fill the space between the surface and the wafer with the processing liquid,
A wafer processing apparatus, wherein a predetermined processing is performed on the one surface of the wafer by supplying the processing liquid from the supply hole so as to continuously fill the processing liquid in the gap. .
ウェーハとのいずれか一方がいずれか他方に対して相対
的に回転するようにした請求項１に記載のウェーハ処理
装置。2. The wafer processing apparatus according to claim 1, wherein one of the opposed surface of the processing liquid supply member and the wafer is rotated relatively to one of the other.
水平方向沿いに支持されるとともに、上記供給孔は、上
記処理液供給部材の上記対向面の中心部から放射状に延
びる溝を有するようにした請求項１又は２に記載のウェ
ーハ処理装置。3. The wafer is supported substantially horizontally along the support member, and the supply hole has a groove extending radially from the center of the facing surface of the processing liquid supply member. Item 3. The wafer processing apparatus according to item 1 or 2.
方向に対して傾斜して支持されるとともに、上記供給孔
は、上記処理液供給部材の上記対向面の上側の端部近傍
から下向きに延びる溝を有するようにした請求項１又は
２に記載のウェーハ処理装置。4. The wafer is supported by the support member so as to be inclined with respect to a horizontal direction, and the supply hole is formed in a groove extending downward from near an upper end of the facing surface of the processing liquid supply member. The wafer processing apparatus according to claim 1, further comprising:
記対向面にドット状に複数形成されるようにした請求項
１又は２に記載のウェーハ処理装置。5. The wafer processing apparatus according to claim 1, wherein a plurality of the supply holes are formed in a dot shape on the facing surface of the processing liquid supply member.
（４，１３）と、 上記支持部材により支持された上記ウェーハの一方の面
の処理すべき領域に対向する対向面を有しかつ該対向面
から処理液を上記ウェーハに向けて供給させる供給孔
（１b）を備えた第１処理液供給部材（１）と、 上記支持部材により支持された上記ウェーハの他方の面
の処理すべき領域に対向する対向面を有しかつ該対向面
から処理液を上記ウェーハに向けて供給させる供給孔
（２ｂ）を備えた第２処理液供給部材（２）とを備え、 上記各処理液供給部材の上記対向面と上記ウェーハとの
間の各隙間（３０）は、上記各対向面の上記供給孔から
供給される上記処理液の表面張力を利用して上記各対向
面と上記ウェーハとの間を上記処理液により満たす寸法
として、上記各間隙間内に上記処理液を満たし続けるよ
うに上記各供給孔から上記処理液を供給させることによ
り上記ウェーハの上記一方の面と上記他方の面に対して
所定の処理を行うようにしたことを特徴とするウェーハ
処理装置。6. A support member (4, 13) for supporting a wafer (3), and an opposing surface opposing a region to be processed on one surface of the wafer supported by the support member. A first processing liquid supply member (1) having a supply hole (1b) for supplying a processing liquid from the surface toward the wafer; and a first processing liquid supply member (1) provided on the other surface of the wafer supported by the support member. A second processing liquid supply member (2) having a supply surface (2b) through which the processing liquid is supplied toward the wafer from the opposite surface. Each gap (30) between the facing surface and the wafer is formed between the facing surface and the wafer by utilizing the surface tension of the processing liquid supplied from the supply hole of the facing surface. As the dimensions to be filled with the treatment liquid, The predetermined processing is performed on the one surface and the other surface of the wafer by supplying the processing liquid from each of the supply holes so as to continuously fill the processing liquid in the gap. Wafer processing equipment.
水平方向沿いに支持されるとともに、上記供給孔は、上
記各処理液供給部材の上記対向面の中心部から放射状に
延びる溝を有するようにした請求項６に記載のウェーハ
処理装置。7. The wafer is supported substantially horizontally along the support member, and the supply holes have grooves extending radially from the center of the facing surface of each of the processing liquid supply members. The wafer processing apparatus according to claim 6.
方向に対して傾斜して支持されるとともに、上記供給孔
は、上記各処理液供給部材の上記対向面の上側の端部近
傍から下向きに延びる溝を有するようにした請求項６に
記載のウェーハ処理装置。8. The wafer is supported by the support member so as to be inclined with respect to the horizontal direction, and the supply holes extend downward from near the upper end of the facing surface of each of the processing liquid supply members. 7. The wafer processing apparatus according to claim 6, wherein the apparatus has a groove.
上記対向面にドット状に複数形成されるようにした請求
項６に記載のウェーハ処理装置。9. The wafer processing apparatus according to claim 6, wherein a plurality of the supply holes are formed in a dot shape on the facing surface of each of the processing liquid supply members.
り、これらの処理液が順に連続して上記供給孔から供給
させるようにした請求項１〜９のいずれかに記載のウェ
ーハ処理装置。10. The wafer processing apparatus according to claim 1, wherein the processing liquid is a plurality of types of liquids, and the processing liquids are sequentially and sequentially supplied from the supply holes.
べき領域に対向する対向面から処理液を上記ウェーハに
向けて供給させ、上記対向面の上記供給孔から供給され
る上記処理液の表面張力を利用して上記対向面と上記ウ
ェーハとの間の隙間を上記処理液で満たし続けるように
上記供給孔から上記処理液を供給させることにより上記
ウェーハの上記一方の面に対して所定の処理を行うよう
にしたことを特徴とするウェーハ処理方法。11. A wafer (3) is supported, and a processing liquid is supplied toward the wafer from an opposing surface of at least one surface of the supported wafer opposite to a region to be processed. The wafer is supplied by supplying the processing liquid from the supply hole so as to continuously fill the gap between the opposed surface and the wafer with the processing liquid by using the surface tension of the processing liquid supplied from the supply hole. A predetermined process is performed on the one surface.
記ウェーハとのいずれか一方がいずれか他方に対して相
対的に回転するようにした請求項１１に記載のウェーハ
処理方法。12. The wafer processing method according to claim 11, wherein one of the opposed surface of the processing liquid supply member and the wafer is rotated relatively to the other.
他方の面の処理すべき領域とにそれぞれ対向する対向面
から処理液を上記ウェーハに向けて供給させ、上記各対
向面の上記供給孔から供給される上記処理液の表面張力
を利用して上記各対向面と上記ウェーハとの間の隙間を
上記処理液で満たし続けるように上記供給孔から上記処
理液を供給させることにより上記ウェーハの上記一方の
面と上記他方の面に対して所定の処理を行うようにした
ことを特徴とするウェーハ処理方法。13. A wafer (3) is supported, and a processing solution is applied to the wafer from opposite surfaces of the supported wafer, which are respectively opposed to a region to be processed on one surface and a region to be processed on the other surface. And supplying the liquid so as to continuously fill the gap between each of the opposed surfaces and the wafer with the processing liquid by using the surface tension of the processing liquid supplied from the supply hole of each of the opposed surfaces. A wafer processing method, wherein a predetermined processing is performed on the one surface and the other surface of the wafer by supplying the processing liquid from a hole.
り、これらの処理液が順に連続して上記供給孔から供給
させるようにした請求項１１〜１３のいずれかに記載の
ウェーハ処理方法。14. The wafer processing method according to claim 11, wherein the processing liquid is a plurality of types of liquids, and the processing liquids are sequentially supplied from the supply holes.
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