JP2014096484A - Euvlマスク用ブランクス及びその製造方法、euvlマスク及びその更新方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】繰り返し行われる露光における静電チャックによるEUVLマスクの裏面に対する汚染を露光後に除去し、異物又は傷の影響により発生するパターンの位置ずれ、寸法ずれを低減できるEUVLマスク及びその更新方法、また、そのためのEUVLマスク用ブランクス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板21の表面に形成された多層反射膜22と、その上に形成された保護膜23と、その上に形成された露光光を吸収する吸収膜24と、基板21の裏面に多層膜から形成された裏面多層導電膜25とを備えた。裏面多層導電膜25は、エッチング耐性の異なる2種類以上の材料A,Bを積層される。EUV露光時に異物汚染されるか又は傷付いた裏面多層導電膜25の表層面を、エッチングにより除去して更新する。
【選択図】図3
【解決手段】基板21の表面に形成された多層反射膜22と、その上に形成された保護膜23と、その上に形成された露光光を吸収する吸収膜24と、基板21の裏面に多層膜から形成された裏面多層導電膜25とを備えた。裏面多層導電膜25は、エッチング耐性の異なる2種類以上の材料A,Bを積層される。EUV露光時に異物汚染されるか又は傷付いた裏面多層導電膜25の表層面を、エッチングにより除去して更新する。
【選択図】図3
Description
本発明は、EUVL(Extreme UltraViolet Lithography)マスク用ブランクス及びその製造方法、EUVLマスク及びその更新方法に関する。
近年、半導体デバイスの製造プロセスにおいては、半導体デバイスの微細化に伴い、フォトリソグラフィ技術の微細化に対する要求が高まっている。既に、リソグラフィの露光も従来の波長が193nmのArFエキシマレーザー光を用いた露光から、波長が13.5nmのEUV(Extreme Ultra Violet:極端紫外線)領域の光を用いた露光に置き換わりつつある。
EUV露光用のマスク(EUVマスク)は、EUV領域の光に対してほとんどの物質が高い光吸収性をもつため、従来の透過型のマスクとは異なり、反射型のマスクである(例えば、特許文献1参照)。特許文献1には、ガラス基板上にモリブデン(Mo)層及びシリコン(Si)層を交互に積層して多層膜からなる光反射膜を形成し、その上にタンタル(Ta)を主成分とする光吸収体によりパターンを形成する技術が開示されている。このような従来のEUVLマスク用ブランクス、及びEUVLマスクの一例を、以下に図1を用いて説明する。
図1は、従来のEUVLマスク用ブランクス及びEUVLマスクの構造を示す断面図である。図1(a)に示す反射型マスクブランク(以下、EUVLマスク用ブランクスという)10は、基板11の表面に多層膜構造でEUV光を反射する多層反射膜12を有し、その多層反射膜12の上にエッチングストッパー膜(以下、保護膜という)13が設けられ、更にその上にEUV光を吸収する吸収膜14が形成された構造となっている。図1(b)に示す反射型マスク(以下、EUVLマスクという)100は、上記EUVLマスク用ブランクス10の吸収膜14をパターニングして形成される。EUVLマスク100に入射したEUV光は、反射膜12では反射され、吸収膜14では吸収され、反射されたEUV光によりウェハ上に縮小転写パターンが形成される。
EUV露光(ELVL)では、不図示の露光装置にマスクを設置して露光する際に、マスクの自重によりマスクが僅かでも歪むことにより転写後のパターンの位置ずれが発生するのを防ぐために、静電チャックによるマスク保持方法が用いられている。そのため、図1に示すEUVLマスク100のパターン形成された面とは反対側の面に、裏面導電膜15を設けてマスクを保持することが行われている。
しかしながら、図1に示す裏面導電膜15を設けたEUVLマスク100において、ウェハ露光後、裏面導電膜15の表面に、図示せぬ多量の異物による汚染や、静電チャックへの接触による傷が生じ、再びウェハ露光を行おうとすると、これらの汚染によって静電チャック上にてEUVLマスク100の平坦度が損なわれ、露光されたパターンの位置精度、寸法精度が悪化するという問題があった。
そこで、裏面導電膜15に存在する異物を、露光前に洗浄して除去する工程が一般的に行われているが、異物によっては静電チャックにより裏面導電膜15に埋め込まれてしまうため、洗浄工程で除去できず、さらに傷に関しては除去不能であるため、洗浄工程では裏面導電膜15の汚染等による悪影響を完全に除去することは難しいという問題があった。
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、その目的とするところは、繰り返し行われる露光における静電チャックによるEUVLマスクの裏面に対する汚染を露光後に除去し、異物又は傷の影響により発生するパターンの位置ずれ、寸法ずれを低減できるEUVLマスク及びその更新方法、また、そのためのEUVLマスク用ブランクス及びその製造方法を提供することにある。
請求項1に記載の発明は、波長5nmから15nmの光を露光光に用いる反射型のEUVLマスク用ブランクスであって、基板(21)と、該基板(21)の一方の主面上に形成された多層反射膜(22)と、該多層反射膜(22)の上に形成された保護膜(23)と、該保護膜(23)の上に形成された前記露光光を吸収する吸収膜(24)と、前記基板(21)の他方の主面上に多層膜から形成された裏面多層導電膜(25)とを備えたことを特徴とする(図2、図3、図5)。
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載のEUVLマスク用ブランクスにおいて、前記裏面多層導電膜(25)は、エッチング耐性の異なる2種類以上の材料(A,B)を積層して構成されることを特徴とする(図3、図7)。
請求項3に記載の発明は、請求項2に記載のEUVLマスク用ブランクスにおいて、前記エッチング耐性の異なる2種類以上の材料(A,B)は、Ru及びSiO2の組合せと、Cr及びSiO2の組合せと、Ta及びSiO2の組合せと、Ta及びSiの組合せとのいずれかであることを特徴とする。
請求項3に記載の発明は、請求項2に記載のEUVLマスク用ブランクスにおいて、前記エッチング耐性の異なる2種類以上の材料(A,B)は、Ru及びSiO2の組合せと、Cr及びSiO2の組合せと、Ta及びSiO2の組合せと、Ta及びSiの組合せとのいずれかであることを特徴とする。
請求項4に記載の発明は、請求項1又は2に記載のEUVLマスク用ブランクスを用いて製造したことを特徴とするEUVLマスク(図2(b))である。
請求項5に記載の発明は、請求項4に記載のEUVLマスクの更新方法であって、EUV露光時に異物汚染されるか又は傷付いた前記裏面多層導電膜(25)の表層面を、エッチングにより除去して更新することを特徴とする(図6、図7)。
請求項5に記載の発明は、請求項4に記載のEUVLマスクの更新方法であって、EUV露光時に異物汚染されるか又は傷付いた前記裏面多層導電膜(25)の表層面を、エッチングにより除去して更新することを特徴とする(図6、図7)。
請求項6に記載の発明は、基板(21)の一方の主面上に、少なくともEUV光を反射する多層反射膜(22)と、該多層反射膜(22)の上に前記EUV光を吸収する吸収膜(24)とを設けてパターン形成層としたEUVLマスク用ブランクスの製造方法であって、前記基板(21)の一方の主面上に前記多層反射膜(22)を形成する工程(S10)と、前記多層反射膜(22)の上に前記吸収膜(24)を形成する工程(S20)と、前記基板(21)の他方の主面上に多層膜からなる裏面多層導電膜(25)を形成する工程(S30)とを有することを特徴とする(図3、図8)。
本発明によれば、繰り返し行われる露光における静電チャックによるEUVLマスクの裏面に対する汚染を露光後に除去し、異物又は傷の影響により発生するパターンの位置ずれ、寸法ずれを低減できるEUVLマスク及びその更新方法、また、そのためのEUVLマスク用ブランクス及びその製造方法を提供することができる。
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施形態について説明する。なお、本発明の実施形態では、膜と記載しているが、膜を層としても良い。
図2は、本発明の実施形態に係るEUVLマスク用ブランクス及びEUVLマスクの構造を示す断面図である。図2(a)は、EUVLマスク用ブランクス(以下、反射型マスクブランクともいう)20の断面図である。より具体的には、EUV光を用いた露光に使用するマスク用のブランクスである。EUV光の波長は、例えば13.5nmである。図2(b)は、EUVLマスク(以下、反射型マスクともいう)200の断面図である。図2に示すように、反射型マスクブランク20は、基板21の一面上に多層反射膜22、保護膜23、吸収膜24をこの順に形成されている。基板21は石英基板であり、6インチ角で厚さは6.35mmである。多層反射膜22はモリブデン(Mo)を4.2nm、珪素(Si)を2.8nmを交互にイオンビームスパッタリング装置で交互に40対、合計80対を最上層が珪素(Si)となるように積層されている。次に保護膜23としてルテニウム(Ru)をマグネトロンスパッタにて0.5nmから3nm積層する。次に吸収膜をタンタル(Ta)を母材として珪素(Si)を含む化合物に窒素ガスを雰囲気中に混合した合金をマグネトロンスパッタにより20から150nm堆積し、さらにその上層にタンタル(Ta)を母材として珪素(Si)を含む化合物に窒素ガス、酸素ガスを混合したガスを雰囲気中に混合した合金をマグネトロンスパッタにより5から20nm堆積されている。また、基板21の、多層反射膜22とは反対側面には多層導電膜25をマグネトロンスパッタや塗布により形成されている。
また、保護膜23は、パターン欠陥修正あるいは、その他の工程において、多層反射膜22に損傷が生じて反射率が低下することを防止するために設けられる場合が多い。なお、保護膜23の有無は任意である。
図2は、本発明の実施形態に係るEUVLマスク用ブランクス及びEUVLマスクの構造を示す断面図である。図2(a)は、EUVLマスク用ブランクス(以下、反射型マスクブランクともいう)20の断面図である。より具体的には、EUV光を用いた露光に使用するマスク用のブランクスである。EUV光の波長は、例えば13.5nmである。図2(b)は、EUVLマスク(以下、反射型マスクともいう)200の断面図である。図2に示すように、反射型マスクブランク20は、基板21の一面上に多層反射膜22、保護膜23、吸収膜24をこの順に形成されている。基板21は石英基板であり、6インチ角で厚さは6.35mmである。多層反射膜22はモリブデン(Mo)を4.2nm、珪素(Si)を2.8nmを交互にイオンビームスパッタリング装置で交互に40対、合計80対を最上層が珪素(Si)となるように積層されている。次に保護膜23としてルテニウム(Ru)をマグネトロンスパッタにて0.5nmから3nm積層する。次に吸収膜をタンタル(Ta)を母材として珪素(Si)を含む化合物に窒素ガスを雰囲気中に混合した合金をマグネトロンスパッタにより20から150nm堆積し、さらにその上層にタンタル(Ta)を母材として珪素(Si)を含む化合物に窒素ガス、酸素ガスを混合したガスを雰囲気中に混合した合金をマグネトロンスパッタにより5から20nm堆積されている。また、基板21の、多層反射膜22とは反対側面には多層導電膜25をマグネトロンスパッタや塗布により形成されている。
また、保護膜23は、パターン欠陥修正あるいは、その他の工程において、多層反射膜22に損傷が生じて反射率が低下することを防止するために設けられる場合が多い。なお、保護膜23の有無は任意である。
次に図2(b)及び図3を参照して、より詳しく説明する。
図3は、本発明の実施形態に係るEUVLマスク用ブランクスの裏面多層導電膜の構造を示す断面図である。図3に示す反射型マスクブランク20の裏面多層導電膜25は2種類以上の材料が、交互に積層された多層構造である。すなわち、EUVLマスク用ブランクス20において、裏面多層導電膜25は、エッチング耐性の異なる2種類以上の材料A,Bを積層して構成されている。ここでは一例として2種類の材料を用いた場合の構造を示すが、2種類以上の材料を用いて多層膜を構成しても良い。多層導電膜25の材料については、EUVLマスク200はEUV露光される際、静電チャックによってマスク裏面、すなわち裏面多層導電膜25を保持されるため、使用する材料のうち1つは導電性を有する材料である必要がある。図3に示すように、裏面最表面となる材料Aが、導電性材料である必要がある。一方の材料Bについては、導電性を有することが好ましいが、誘電作用を示す絶縁材料であってもよく、その膜厚によってはトンネル電流を活用できるので必要はないが、材料A、材料Bは、互いのエッチングに対して耐性(選択比)を持つ材料を選択する必要がある。つまり、汚染された多層導電膜を除去する工程において、材料Aをエッチングする際には材料Bがエッチングストッパーとしての機能を有し、続いて材料Bをエッチングする際には材料Aがエッチングストッパーとなり、かつそのまま材料Aが多層導電膜25の最表面となる。多層導電膜25は、これらの材料Aと材料Bをマグネトロンスパッタや塗布により、交互に積層して形成される。一例として、材料Aをルテニウム(Ru)、材料Bを二酸化珪素(SiO2)とし、ルテニウム(Ru)を10nmから20nm、二酸化珪素(SiO2)を5nmから10nmの厚みで、5〜10回繰り返して積層し、最上層がルテニウム(Ru)となるように積層する。
図3は、本発明の実施形態に係るEUVLマスク用ブランクスの裏面多層導電膜の構造を示す断面図である。図3に示す反射型マスクブランク20の裏面多層導電膜25は2種類以上の材料が、交互に積層された多層構造である。すなわち、EUVLマスク用ブランクス20において、裏面多層導電膜25は、エッチング耐性の異なる2種類以上の材料A,Bを積層して構成されている。ここでは一例として2種類の材料を用いた場合の構造を示すが、2種類以上の材料を用いて多層膜を構成しても良い。多層導電膜25の材料については、EUVLマスク200はEUV露光される際、静電チャックによってマスク裏面、すなわち裏面多層導電膜25を保持されるため、使用する材料のうち1つは導電性を有する材料である必要がある。図3に示すように、裏面最表面となる材料Aが、導電性材料である必要がある。一方の材料Bについては、導電性を有することが好ましいが、誘電作用を示す絶縁材料であってもよく、その膜厚によってはトンネル電流を活用できるので必要はないが、材料A、材料Bは、互いのエッチングに対して耐性(選択比)を持つ材料を選択する必要がある。つまり、汚染された多層導電膜を除去する工程において、材料Aをエッチングする際には材料Bがエッチングストッパーとしての機能を有し、続いて材料Bをエッチングする際には材料Aがエッチングストッパーとなり、かつそのまま材料Aが多層導電膜25の最表面となる。多層導電膜25は、これらの材料Aと材料Bをマグネトロンスパッタや塗布により、交互に積層して形成される。一例として、材料Aをルテニウム(Ru)、材料Bを二酸化珪素(SiO2)とし、ルテニウム(Ru)を10nmから20nm、二酸化珪素(SiO2)を5nmから10nmの厚みで、5〜10回繰り返して積層し、最上層がルテニウム(Ru)となるように積層する。
なお、上述したエッチング耐性の異なる2種類以上の材料A,Bとして、ルテニウム(Ru)及び二酸化珪素(SiO2)の組合せ以外に、クロム(Cr)及び二酸化珪素(SiO2)の組合せと、タンタル(Ta)及び二酸化珪素(SiO2)の組合せと、タンタル(Ta)及び珪素(Si)の組合せてあっても良い。
次に、本発明の実施形態に係るEUVLマスクの製造方法を図4乃至図5を参照して説明する。
図4は、本発明の実施形態に係るEUVLマスクの製造方法を説明するフローチャートを示す図である。
図5は、本発明の実施例に係る反射型マスクの製造方法の各工程における断面図である。
図4は、本発明の実施形態に係るEUVLマスクの製造方法を説明するフローチャートを示す図である。
図5は、本発明の実施例に係る反射型マスクの製造方法の各工程における断面図である。
ここで、図2(a)に示すEUVL用マスクブランク20を用いて図2(b)に示すEUVLマスク200を製造する工程を図5及び図6を用いて説明する。まず、図2(a)に示す反射型マスクブランク20を用意し、図2(b)に示すように、吸収膜24に回路パターンAを形成する。図4及び図5に示すように、まず、電子線に反応を示す化学増幅系や非化学増幅系レジスト26(図4では不図示)を、吸収膜24に200nmの膜厚で塗布(S1)する。工程S1の後、所定の回路パターンAを電子線描画装置により描画する(S2)。工程S2の後、アルカリ溶液などで現像(S3)を行う。工程S3により形成したレジスト26のパターンをマスクにして、フッ素系ガスや塩素系ガスを用いたガスプラズマによるエッチング(S4)を行う。工程S4のエッチングにより、不要なレジスト26のパターンを酸素プラズマによる灰化や硫酸やオゾン水などの酸化薬液による分解ないし有機溶剤などで溶解除去(S5)する。工程S5の後、必要に応じて、酸・アルカリ系薬品やオゾンガスや水素ガスなどを溶解した超純水や有機アルカリ系薬品、界面活性剤などによる洗浄処理(S6)と、遠心力を利用したスピン乾燥(S7)を行う。
以上の工程S1〜S7により回路パターンAが形成され、反射型マスク200が完成する。
以上の工程S1〜S7により回路パターンAが形成され、反射型マスク200が完成する。
次に本発明の実施形態に係るEUVLマスクの裏面汚染を除去して更新する方法について図6及び図7を参照して説明する。
図6は、本発明の実施形態に係るEUVLマスクの裏面汚染を除去して更新する工程について説明するフローチャートを示す図である。
図7は、本発明の実施形態に係るEUVLマスクの裏面汚染を除去して更新する方法の各工程における断面図である。
図6は、本発明の実施形態に係るEUVLマスクの裏面汚染を除去して更新する工程について説明するフローチャートを示す図である。
図7は、本発明の実施形態に係るEUVLマスクの裏面汚染を除去して更新する方法の各工程における断面図である。
まず露光に使用して裏面が汚染されたEUVLマスクを用意する。最表面の材料A(Ru)を、酸素ガスを用いたガスプラズマエッチング(S11)により除去する。続いて工程S11によって最表面に露出した材料B(SiO2)を、フッ化水素(HF)を用いたウェットエッチング(S12)により除去する。その工程S12の後、必要に応じて、酸・アルカリ系薬品やオゾンガスや水素ガスなどを溶解した超純水や有機アルカリ系薬品、界面活性剤などによる洗浄処理する(S13)。その工程S13の後、遠心力を利用したスピン乾燥(S14)を行う。
以上の工程S11〜S13により、露光中の静電チャックにより汚染された裏面を再生することが可能となった。また、本工程S11〜S13は、多層導電膜の積層数だけ繰り返し行うことができる。したがって、マスク裏面、すなわち、裏面多層導電膜25は、露光時に汚染されても、更新可能である。つまり、繰り返し再生して利用することが可能である。
以下、EUVLマスク200の製造方法について、その概略を説明する。
図8は、EUVLマスクの製造工程の概略を説明するフローチャートを示す図である。図8に示すように、先ず、工程S10により基板21の一方の主面上に、多層反射膜22を形成する。ここで、オプション工程S15として多層反射膜22の上に保護膜23を形成した後、その上に吸収膜24を形成する場合もある。次に、工程S20により多層反射膜22の上に吸収膜24を形成する。そして、工程S30により基板21の他方の主面上に多層膜からなる裏面多層導電膜25を形成する。この工程S10〜S30により製造されるEUVLマスク用ブランクス200は、製造方法基板21の一方の主面上に、少なくともEUV光を反射する多層反射膜22と、その多層反射膜22の上にEUV光を吸収する吸収膜24とを設けてパターン形成層とする。
図8は、EUVLマスクの製造工程の概略を説明するフローチャートを示す図である。図8に示すように、先ず、工程S10により基板21の一方の主面上に、多層反射膜22を形成する。ここで、オプション工程S15として多層反射膜22の上に保護膜23を形成した後、その上に吸収膜24を形成する場合もある。次に、工程S20により多層反射膜22の上に吸収膜24を形成する。そして、工程S30により基板21の他方の主面上に多層膜からなる裏面多層導電膜25を形成する。この工程S10〜S30により製造されるEUVLマスク用ブランクス200は、製造方法基板21の一方の主面上に、少なくともEUV光を反射する多層反射膜22と、その多層反射膜22の上にEUV光を吸収する吸収膜24とを設けてパターン形成層とする。
以下、図2及び図4も参照して、EUVLマスク200の製造方法について、より具体的な説明をする。
図2に示した反射型マスク用ブランクス20を用意した。このEUVLマスク用ブランクス20は、基板21の上に波長13.5nmのEUV光に対して反射率が64%程度となるように設計されたMoとSiの40ペアの多層反射膜22が形成されている。その多層反射膜22の上に、2.5nm厚のRuの保護膜23と、更にその上に70nm厚のTaSiからなる吸収膜24とが、順次形成されている。また、ブランクス裏面には、RuとSiO2とによるぺア層が、10ペア積層された裏面多層導電膜25が形成されている。
図2に示した反射型マスク用ブランクス20を用意した。このEUVLマスク用ブランクス20は、基板21の上に波長13.5nmのEUV光に対して反射率が64%程度となるように設計されたMoとSiの40ペアの多層反射膜22が形成されている。その多層反射膜22の上に、2.5nm厚のRuの保護膜23と、更にその上に70nm厚のTaSiからなる吸収膜24とが、順次形成されている。また、ブランクス裏面には、RuとSiO2とによるぺア層が、10ペア積層された裏面多層導電膜25が形成されている。
図4を参照してEUVLマスク200の各製造工程を説明する。EUVLマスク用ブランクス20に対し、ポジ型化学増幅レジスト26(FEP171:富士フィルムエレクトロニクスマテリアルズ)を300nmの膜厚で塗布する(S1)。工程S1に続いて、電子線描画機(JBX3040:日本電子)によって描画(S2)する。工程S1の後、110度、10分のPEB(Post Exposure Bake;露光後の軽い熱処理)及びスプレー現像(SFG3000:シグマメルテック)により、レジスト26の部分にレジストパターンを形成する(S3)。
次いで、ドライエッチング装置を用いて、CF4プラズマとCl2プラズマにより、吸収層24をエッチングし(S4)、レジスト剥離(S5)、洗浄(S6)、乾燥(S7)する工程により、図2に示す回路パターンAを有するEUVLマスク200を製造した。回路パターンAは、寸法200nmの1:1のライン&スペースパターンをマスク中心に配置した。パターン領域の大きさは、10cm×10cmとした。
次に本実施形態に係るEUVLマスク20の裏面多層導電膜25における表面の更新処理について説明する。EUV露光により裏面多層導電膜25の表面が汚染されたEUVLマスク20を用意した。このEUVLマスク20は、図2に示したものと同様である。
図6を参照してEUVLマスク20の裏面汚染を除去して更新する工程を説明する。EUVLマスク200の裏面多層導電膜25の表面を、不図示のドライエッチング装置を用いて、先ず、O2プラズマにより、最表面のRu膜をエッチングする(S11)。工程S11の次に、ウェットエッチング装置を用いてSiO2膜をエッチングする(S12)。この工程S12により、RuとSiO2の1ペアを除去する。続いて洗浄(S13)及び乾燥(S14)する。これらの工程S11〜S14により、固着した異物や傷のついた裏面多層導電膜25の表面を、薄く除去した結果、更新処理が完了する。このように、EUVLマスクの更新方法は、EUV露光時に異物汚染されるか又は傷付いた裏面多層導電膜の表層面を、エッチングにより除去して更新する方法である。
本発明は前記実施形態そのままに限定されるものでなく、本発明の趣旨を逸脱しない限り、変形して具体化できる。また、明細書に示される事項の適宜の組み合わせによって種々の発明を想定できるものである。
10,20 反射型マスク用ブランク(EUVLマスク用ブランクス)
11,21 基板
12,22 多層反射膜
13,23 保護膜
14,24 吸収膜
15,25 裏面導電膜
26 レジスト(パターン)
100,200 反射型マスク(EUVLマスク)
11,21 基板
12,22 多層反射膜
13,23 保護膜
14,24 吸収膜
15,25 裏面導電膜
26 レジスト(パターン)
100,200 反射型マスク(EUVLマスク)
Claims (6)
- 波長5nmから15nmの光を露光光に用いる反射型のEUVL(Extreme UltraViolet Lithography)マスク用ブランクスであって、
基板と、
該基板の一方の主面上に形成された多層反射膜と、
該多層反射膜の上に形成された保護膜と、
該保護膜の上に形成された前記露光光を吸収する吸収膜と、
前記基板の他方の主面上に多層膜から形成された裏面多層導電膜とを備えたことを特徴とするEUVLマスク用ブランクス。 - 前記裏面多層導電膜は、エッチング耐性の異なる2種類以上の材料を積層して構成されることを特徴とする請求項1に記載のEUVLマスク用ブランクス。
- 前記エッチング耐性の異なる2種類以上の材料は、Ru及びSiO2の組合せと、Cr及びSiO2の組合せと、Ta及びSiO2の組合せと、Ta及びSiの組合せとのいずれかであることを特徴とする請求項2に記載のEUVLマスク用ブランクス。
- 請求項1乃至3のいずれかに記載のEUVLマスク用ブランクスを用いて製造したことを特徴とするEUVLマスク。
- 請求項4に記載のEUVLマスクの更新方法であって、
EUV露光時に異物汚染されるか又は傷付いた前記裏面多層導電膜の表層面を、エッチングにより除去して更新することを特徴とするEUVLマスクの更新方法。 - 基板の一方の主面上に、少なくともEUV(Extreme UltraViolet)光を反射する多層反射膜と、該多層反射膜の上に前記EUV光を吸収する吸収膜とを設けてパターン形成層としたEUVLマスク用ブランクスの製造方法であって、
前記基板の一方の主面上に前記多層反射膜を形成する工程と、
前記多層反射膜の上に前記吸収膜を形成する工程と、
前記基板の他方の主面上に多層膜からなる裏面多層導電膜を形成する工程とを有することを特徴とするEUVLマスク用ブランクスの製造方法。
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