TWI607278B - 光罩及其製造方法 - Google Patents

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Description

光罩及其製造方法
本揭露是關於一種光罩及其製造方法。
近來，積體電路(integrated circuit；IC)工業經歷快速增長。在積體電路設計及材料領域中的科技進步產生了多個積體電路世代，其中每一世代皆具有比上一世代更小且更為複雜的電路。在積體電路衍變過程中，功能密度(亦即，單位晶片面積中的內連接裝置的數量)大致地增加，而幾何形狀尺寸(亦即，可使用製程產生的最小元件(或線路))減小。
此體積縮小的過程可以增加生產效率並降低關聯成本。此體積縮小亦增加了積體電路處理及製造的複雜性。為了實現此等進步，需要積體電路處理及製造中的類似發展。一個方面為微影光罩製造。儘管現有的積體電路裝置製造方法已大致上適用於所欲目的，但仍尚未滿足全部方面的需求。舉例而言，在光罩製造過程中，如何減少乾式蝕刻製程中所誘發之充電效應的挑戰仍有許多問題。
本揭露之部分實施方式提供一種光罩，包括摻雜基板以及吸光材料層。摻雜基板具有第一區域、第二區域及第三區域。摻雜基板在第一區域中具有第一厚度以界定第一光罩狀態及在第二區域中具有第二厚度以界定第二光罩狀態。第二厚度與第一厚度不同。吸光材料層設置於第三區域上方以界定邊緣區域。
本揭露之部分實施方式提供一種光罩，包括摻雜透明基板以及吸光材料層。摻雜透明基板具有第一光罩狀態及第二光罩狀態，第二光罩狀態與第一光罩狀態不同。第一光罩狀態具有摻雜透明基板之第一厚度及第二光罩狀態具有摻雜透明基板之第二厚度，第二厚度與第一厚度不同。第一光罩狀態與第二光罩狀態相對於彼此異相。吸光材料層設置於摻雜透明基板上方以界定邊緣區域。
本揭露之部分實施方式提供一種製造光罩方法，包括在摻雜基板上方形成硬光罩，其中摻雜基板包括選自由金屬及金屬氧化物組成之群組的摻雜劑物種；圖案化硬光罩以界定第一光罩狀態及第二光罩狀態；透過圖案化硬光罩蝕刻摻雜基板以形成第一光罩狀態及第二光罩狀態，其中摻雜基板在第一光罩狀態中具有第一厚度及在第二光罩狀態中具有第二厚度，第二厚度與第一厚度不同。第一光罩狀態與第二光罩狀態相對於彼此異相；以及移除圖案化硬光罩。
30‧‧‧微影系統
32‧‧‧輻射源
34‧‧‧照明器
35‧‧‧光罩平臺
36‧‧‧光罩
38‧‧‧投影光學盒
40‧‧‧靶
42‧‧‧基板平臺
100‧‧‧方法
102~112‧‧‧步驟
210‧‧‧增強電荷耗散基板
212‧‧‧摻雜基板材料
214‧‧‧梯度式摻雜基板材料
216‧‧‧未摻雜基板材料
310‧‧‧吸光薄膜堆疊
312‧‧‧第一硬光罩
314‧‧‧吸光材料層
316‧‧‧第二硬光罩
410‧‧‧第一圖案化光阻層
415‧‧‧第一區域
416‧‧‧第二區域
510‧‧‧第二圖案化光阻層
S1‧‧‧第一光罩狀態
S2‧‧‧第二光罩狀態
t1‧‧‧第一厚度
t2‧‧‧第二厚度
當結合隨附圖式閱讀時，自以下詳細描述將很好地理解本揭露。應強調，根據工業中的標準實務，各特徵並非按比例 繪製。事實上，出於論述清晰之目的，可任意增加或減小各特徵之尺寸。此外，出於簡明性目的，可並未在所有圖式中繪示所有特徵。
第1圖係根據部分實施方式之微影系統及光罩結構之示意圖。
第2圖係製造根據部分實施方式之製造微影光罩之流程圖。
第3圖、第4A圖、第4B圖、第4C圖、第5圖、第6圖、第7圖、第8圖及第9圖係根據部分實施方式之光罩之局部剖面圖。
第10A圖、第10B圖及第10C圖係根據部分實施方式構造之光罩之局部剖面圖。
本發明大體而言係關於微影系統及使用此等系統之方法。然而，應理解，以下揭示內容提供許多不同實施方式或實施例，以便實施本揭露之不同特徵。下文描述元件及排列之特定實施例以簡化本發明。當然，此等實施例僅為示例性且並不欲為限制性。另外，本發明可在各實施例中重複元件符號及/或字母。此重複係出於簡明性及清晰之目的，且本身並不指示所論述之各實施方式及/或配置之間的關係。此外，以下描述中在第二特徵上方或第二特徵上形成第一特徵可包括以形成的第一特徵及第二特徵直接接觸的實施方式，且亦可包括可在第一特徵與第二特徵之間插入形成額外特徵以使得第一特徵及第二特徵可不直接接觸的實施例。
參看第1圖，根據部分實施方式，在示意圖中圖示微影系統30。設計微影系統30對輻射敏感材料層(例如，光阻層或 抗蝕層)執行微影曝光製程。在部分實施方式中，實施曝光模式以使得在積體電路(Integrated circuit；IC)基板上一次投影曝光形成光罩之影像。在部分實施方式中，實施步進曝光模式以使得在積體電路基板上的複數個場區域上反復形成光罩之影像。在部分實施方式中，實施步進掃描模式以使得對積體電路基板上的複數個場區域反復掃描光罩之影像。
微影系統30採用輻射源32產生輻射能，例如紫外線(ultraviolet；UV)光。在各實施方式中，輻射源32可為任何適宜光源，諸如具有248奈米之波長的氟化氪(KrF)準分子雷射、具有193奈米之波長的氟化氬(ArF)準分子雷射、具有157奈米之波長的氟化物(F2)準分子雷射或具有更長波長的其他光源。輻射源32可為連續波(continuous wave；CW)類型或脈衝類型。舉例而言，當光波長小於約248奈米時，輻射源32可為連續波類型或者脈衝類型任一者。當光波長大於約248奈米時，輻射源32可為具有自毫秒(millisecond；ms)至飛秒(femtosecond；fs)之時間持續範圍的脈衝類型。輻射源32可包括選自由以下組成之群組的光源：紫外線源、深紫外線(deep UV；DUV)源、極紫外線(extreme UV；EUV)源及X射線源。輻射源32可選擇性地包括選自由以下組成之群組的粒子源：電子束(electron beam；E-Beam)源、離子束源及電漿源。
微影系統30亦包括自輻射源32接收輻射能的光學子系統，從而藉由光罩之影像調變輻射能及將輻射能導向至積體電路基板上塗佈之抗蝕層。光學子系統包括照明器及投影光學盒。 在部分實施方式中，設計光學子系統具有折射機構。在此情況中，光學子系統包括各種折射元件，諸如透鏡。
在輻射能來自於準分子雷射或EUV輻射源的一些其他實施方式中，設計光學子系統具有反射機構。在此情況中，光學子系統包括各種反射元件，諸如鏡面。
特定言之，微影系統30採用照明器34(例如，聚光器)。在光學子系統具有折射機構的部分實施方式中，照明器34可包括單個透鏡或具有多個透鏡(波帶片)及/或其他透鏡元件的透鏡模組。舉例而言，照明器34可包括微透鏡陣列、遮蔽光罩及/或其他結構，此其他結構設計用以輔助將輻射能自輻射源32導向至光罩(亦稱為光罩或主光罩)36上。
可操作照明器34以提供軸上照明(on-axis illumination；ONI))來照射光罩36，其中根據本發明之各態樣設計軸上照明，稍後將進一步描述。在部分實施方式中，配置照明孔以提供軸上照明。在一些實施例中，照明器34包括複數個透鏡，透鏡可調諧用於再配置以便將輻射光再導向至不同照明位置，從而實現軸上照明。在部分其他實施方式中，照明器34之前的平臺可另外包括其他透鏡或其他光學元件，透鏡或光學元件為可控的以將輻射光導向至不同照明位置，從而實現軸上照明。
在光學子系統具有反射機構的一些其他實施方式中，照明器34可採用單個鏡面或具有多個鏡面的鏡面系統以便將光自輻射源導向至光罩上，從而實現軸上照明。可操作照明器以配置鏡面向光罩提供軸上照明。在一個實施例中，可轉換照明器之鏡面以將極紫外光反射至不同照明位置。在另一實施方式中， 照明器34之前的平臺另外包括其他可轉換鏡面，鏡面為可控的以將極紫外光導向至具有照明器之鏡面的不同照明位置。因此，微影系統能夠實現軸上照明而不損失照明能量。
微影系統30亦包括光罩平臺35，光罩平臺配置用以藉由適宜夾持機構(諸如真空夾具或靜電夾盤)緊固光罩36。根據部分實施方式，設計及配置光罩平臺35為可操作的以便平移與旋轉運動。光罩36可為透射光罩或反射光罩。在本實施方式中，光罩36為透射光罩，諸如稍後進一步詳細描述之透射光罩。
微影系統30亦採用投影光學盒38(projection optics box；POB)，用以將光罩36之圖案成像至緊固在微影系統30之基板平臺42上的靶40(例如，積體電路基板，諸如半導體晶圓或單純晶圓)上。在光學子系統具有折射機構的部分實施方式中，投影光學盒38具有折射光學件。藉由投影光學盒38收集自光罩36透射的輻射光。在一個實施例中，投影光學盒38可包括小於1的放大倍數(從而減小輻射中包括的圖案化影像)。在光學子系統具有反射機構的一些其他實施方式中，投影光學盒38具有折射光學件。藉由投影光學盒38收集光罩36(例如，圖案化輻射)反射的輻射。
以下描述指示光罩36及製造光罩之方法。光罩36可為透射光罩，諸如二元光罩(binary mask；BIM)或相移光罩(phase shift mask；PSM)，相移光罩包括交變相移光罩(alternative phase shift；alt.PSM)或衰減相移光罩(attenuated phase shift mask；att.PSM)。在本實施方式中，微影光罩製造包括兩個部分：形成空白光罩及圖案化空白光罩以形成圖案化光罩。藉由在 基板上沉積材料層來形成空白光罩。隨後圖案化空白光罩以實施積體電路(IC)裝置(或晶片)之設計。圖案化光罩係用於微影製程中以將電路圖案轉印至靶(例如，晶圓)上。可經由各種微影製程將圖案反復轉印至多個晶圓上。可使用若干光罩(例如，一組15至30個光罩)構造完整積體電路裝置。
第2圖係製備根據本發明之態樣構造之微影光罩之方法100之流程圖。第3圖至第10A圖至第10C圖係方法100之各製造平臺處的光罩36之實施方式之剖面圖。參看第2圖至第10A圖至第10C圖共同描述光罩36及製備光罩之方法100。
參看第2圖及第3圖，方法100在步驟102處開始，在增強電荷耗散(charging-dissipation-enhanced；CDE)基板210上方形成吸光薄膜堆疊310。可藉由適當技術(諸如離子植入)將摻雜物種引入到基板材料中來形成增強電荷耗散基板210以增加基板材料之導電率。基板材料可包括透明玻璃，諸如熔矽石、熔石英、氟化鈣(CaF2)及/或其他適宜材料。在本實施方式中，基板材料包括石英。摻雜物種可包括金屬或金屬氧化物，諸如鈦(Ti)、錫(Sn)、銅(Cu)、二氧化釕(RuO2)、二氧化錳(MnO2)、二氧化鍺(GeO2)。在本實施方式中，選擇增強電荷耗散基板210以提供在後續基板蝕刻製程期間於增強電荷耗散基板210上累積電荷有效率的耗散路徑，稍後將詳細描述。
在部分實施方式中，增強電荷耗散基板210包括均勻摻雜基板材料212，如第4A圖所示。在部分實施方式中，增強電荷耗散基板210包括梯度式摻雜基板材料214，如第4B圖所示。梯度式摻雜基板材料214具有摻雜劑濃度梯度。舉例而言，鄰近梯度式 摻雜基板材料214之上方設置吸光材料層的一側的摻雜劑濃度比梯度式摻雜基板材料214之相對側的摻雜劑濃度更大。在部分實施方式中，增強電荷耗散基板210包括未摻雜基板材料216且具有摻雜基板材料212作為頂層，如第4C圖所示。
出於簡明性及清晰目的，以下描述將針對具有包括均勻摻雜基板材料212的增強電荷耗散基板210的實施方式。熟習此項技術者認識到，方法100將類似應用於各實施方式中，諸如具有包括梯度式摻雜基板材料214的增強電荷耗散基板210的實施方式或具有包括未摻雜基板材料216且具有摻雜基板材料212作為頂層的增強電荷耗散基板210的實施方式。
再次參看第3圖，吸光薄膜堆疊310包括第一硬光罩(hard mask；HM)312、吸光材料層314及第二硬光罩316。增強電荷耗散基板210上方所形成之第一硬光罩312包括鉻(Cr)、鉻氧化物、鉻氮化物、釕(Ru)、諸如硼釕(RuB)、矽化釕(RuSi)之釕化合物及/或其他適宜材料。第一硬光罩312充當後續基板蝕刻製程中的蝕刻光罩以便最佳化蝕刻形貌及選擇別。在第一硬光罩312上方形成吸光材料層314。在部分實施方式中，吸光材料層314包括矽化鉬(MoSi)或其他適宜材料。吸光材料層314允許自輻射源32的輻射光部分通過，諸如例如約6%。在一些其他實施例中，吸光材料層314包括氮化鈦、氮化鉭、鉭、鈦或鋁銅、鈀、氮化鉭、氧化鋁、鉬、其他適宜材料及/或上述之組合。吸光材料層314上方所形成之第二硬光罩316可具有與第一硬光罩312類似的材料且亦充當後續基板蝕刻製程中的蝕刻光罩以便最佳化蝕刻形貌及選擇別。
可藉由各種方法形成材料層(第一硬光罩312、吸光材料層314及第二硬光罩316)中的一或多層，此等方法包括物理氣相沉積(physical vapor deposition；PVD)製程(諸如蒸發及直流磁控濺鍍)、鍍覆製程(諸如無電極鍍覆或電鍍)、化學氣相沉積(chemical vapor deposition；CVD)製程(諸如常壓化學氣相沉積(atmospheric pressure CVD；APCVD)、低壓化學氣相沉積(low pressure CVD；LPCVD)、電漿增強化學氣相沉積(plasma enhanced CVD；PECVD)或高密度電漿化學氣相沉積(high density plasma CVD；HDP CVD))、離子束沉積、旋轉塗佈、金屬有機物分解(metal-organic decomposition；MOD)及/或本技術領域中已知的其他方法。金屬有機物分解係一種在非真空環境中使用液基方法的沉積技術。藉由使用金屬有機物分解，將溶於溶劑的金屬有機物前驅物旋轉塗佈至基板上，並蒸發溶劑。使用真空紫外線(vacuum ultraviolet；VUV)源將金屬有機物前驅物轉換成組成金屬元素。
參看第2圖及第5圖，方法100行進至步驟104，形成第一圖案化光阻層410以界定第一區域415及第二區域416。第二區域416被第一圖案化光阻層410覆蓋，而第一區域415未被覆蓋。在本實施方式中，第一區域415為主圖案區域，而第二區域416為邊緣區域。可藉由微影製程形成第一圖案化光阻層410，此微影製程包括抗蝕劑塗佈(例如，旋轉塗佈)、軟烘乾、光罩對準、曝光、後曝光烘乾、使抗蝕劑顯影、漂洗、乾燥(例如，硬烘乾)、其他適宜製程及/或上述之組合。或者，由其他適當方法(諸如無 光罩光微影、電子束寫入、直接寫入及/或離子束寫入)實施或替代曝光製程。
參看第2圖及第6圖，方法100行進至步驟106，藉由使用第一圖案化光阻層410作為光罩蝕刻第二硬光罩316及吸光材料層314。蝕刻製程可包括乾式(電漿)蝕刻、濕式蝕刻及/或其他蝕刻方法。乾式蝕刻製程可藉由含氟氣體(例如，四氟化碳(CF4)、六氟化硫(SF6)、二氟甲烷(CH2F2)、三氟甲烷(CHF3)及/或乙氟烷(C2F6)、含氯氣體(例如，氯氣(Cl2)、三氯甲烷(CHCl3)、四氯化碳(CCl4)及/或三氯化硼(BCl3)、含溴氣體(例如，溴化氫(HBr)及/或三溴甲烷(CHBr3)、含氧氣體、含碘氣體、其他適宜氣體及/或電漿及/或上述之組合實施。蝕刻製程可包括多步蝕刻以增益蝕刻選擇別、彈性及所欲蝕刻形貌。
在部分實施方式中，第二硬光罩316為鉻及吸光材料層314為矽化鉬。在此情境中，實施多步乾式蝕刻。電漿蝕刻開始藉由氯基氣體移除第二硬光罩316，隨後行進至第二蝕刻步驟以藉由氟基氣體移除吸光材料層314。由於電漿氯基氣體及氟基氣體之性質，第一步具有實質高蝕刻選擇別，尤其是鉻薄膜相對於矽化鉬更高的蝕刻速率。第二蝕刻步驟具有實質高蝕刻選擇性，尤其是矽化鉬薄膜相對於鉻薄膜更高的蝕刻速率。可在蝕刻製程後移除第一圖案化光阻層410。
參看第2圖及第7圖，方法100行進至步驟108，根據積體電路佈局圖案(或單純積體電路圖案)，在第一區域415(於此，亦可稱為主圖案區域)上方形成第二圖案化光阻層510，包括覆蓋第二區域416(於此，亦可稱為邊緣區域)，以界定兩個光罩狀 態：第一光罩狀態S1及第二光罩狀態S2。第一光罩狀態S1及第二光罩狀態S2分別界定光罩36上的積體電路圖案之各特徵。在一些實施例中，形成的第一光罩狀態S1及第二光罩狀態S2具有相同穿透率但具有不同光學相位(單純相位)。舉例而言，形成第一光罩狀態S1及第二光罩狀態S2以分別具有相位φ1及相位φ2。第二圖案化光阻層510的形成與上文關聯第5圖中的第一圖案化光阻層410所論述的許多方面類似。
參看第2圖及第8圖，方法100行進至步驟110，透過第二圖案化光阻層510蝕刻第一硬光罩312以圖案化第一硬光罩312。圖案化第一硬光罩312界定第一光罩狀態S1及第二光罩狀態S2。蝕刻製程可包括乾式(電漿)蝕刻、濕式蝕刻及/或其他蝕刻方法。在本實施方式中，在第一光罩狀態S1區域中曝露增強電荷耗散基板210，而在第二光罩狀態S2區域中藉由第一硬光罩312覆蓋增強電荷耗散基板210。在圖案化第一硬光罩312後移除第二圖案化光阻層510。
參看第2圖及第9圖，方法100行進至步驟112，透過圖案化第一硬光罩312蝕刻增強電荷耗散基板210以在光罩36上形成第一光罩狀態S1及第二光罩狀態S2。基板蝕刻製程可包括乾式(電漿)蝕刻、濕式蝕刻及/或其他蝕刻方法。在本實施方式中，藉由使用含氟氣體(例如，四氟化碳、六氟化硫、二氟甲烷、三氟甲烷及/或乙氟烷)的乾式蝕刻製程，蝕刻增強電荷耗散基板210。
通常，在乾式蝕刻製程期間，若薄膜為絕緣體或高抗蝕材料，可在蝕刻中之薄膜上累積電子電荷，此引發蝕刻圖案畸 變(諸如奈米凹口)，從而可不利地影響晶圓印刷製程中所使用之光罩36的聚焦深度(depth of focus；DOF)及光罩誤差增強因子(mask error enhancement factor；MEEF)。
在本實施方式中，增強電荷耗散基板210有效率地耗散累積電荷及減少蝕刻圖案畸變。控制蝕刻深度以使得移除增強電荷耗散基板210的一部分以形成第一光罩狀態S1，而增強電荷耗散基板210被第一硬光罩312覆蓋的另一部分及其厚度保持完好，從而形成第二光罩狀態S2。在基板蝕刻製程期間，第二硬光罩316保護第二區域416(邊緣區域)。在基板蝕刻製程後移除第一硬光罩312及第二硬光罩316。
第10A圖至第10C圖展示經由上述方法100處理之各光罩，其中增強電荷耗散基板為第4A圖至第4C圖所揭示之基板中的一者。參看第10A圖至第10C圖(結合關於第4A圖至第4C圖描述之製程)，由第一區域415(主圖案區域)中的第一光罩狀態S1和第二光罩狀態S2及第二區域416(邊緣區域)中的薄膜堆疊形成光罩36。在部分實施方式中，第一硬光罩312為鉻。由於自第一區域415(主圖案區域)移除第一硬光罩312(即鉻硬光罩)，有時將光罩36稱為無鉻光罩。
在本實施方式中，由與增強電荷耗散基板210相同的材料形成第一光罩狀態S1及第二光罩狀態S2，且因此增強電荷耗散基板與此等光罩狀態具有相同穿透率。增強電荷耗散基板210在第一光罩狀態S1中具有第一厚度t1及在第二光罩狀態S2中具有第二厚度t2。藉由增強電荷耗散基板210適當配置，諸如第一厚度t1 與第二厚度t2之間的薄膜組成及厚度差異，第一光罩狀態S1與第二光罩狀態S2之間的光學相位差為約180°(異相)。
第10A圖圖示在包括摻雜基板材料212(即均勻摻雜增強電荷耗散基板材料)的第一區域415(主圖案區域)上界定分別具有第一厚度t1及第二厚度t2的第一光罩狀態S1及第二光罩狀態S2。第二區域416(邊緣區域)包括摻雜基板材料212(即均勻摻雜增強電荷耗散基板材料)(具有第二厚度t2)上方所安置之第一硬光罩312及第一硬光罩312上方所安置之吸光材料層314。
第10B圖與第10A圖類似，以下描述不同處。詳細而言，第10B圖圖示在包括梯度式摻雜基板材料214(即梯度式摻雜增強電荷耗散基板材料)的第一區域415(主圖案區域)上界定第一光罩狀態S1及第二光罩狀態S2。第二區域416(邊緣區域)包括設置於梯度式摻雜基板材料214(即梯度式摻雜增強電荷耗散基板材料，具有第二厚度t2)上方的第一硬光罩312及設置於第一硬光罩312上方之吸光材料層314。
第10C圖與第10A圖類似，以下描述不同處。詳細而言，在未摻雜基板材料216上方包括摻雜基板材料212(即均勻摻雜增強電荷耗散基板材料)的第一區域415(主圖案區域)上界定第一光罩狀態S1及第二光罩狀態S2。第二區域416(邊緣區域)包括設置於摻雜基板材料212(即均勻摻雜增強電荷耗散基板材料)上方之第一硬光罩312及設置於第一硬光罩312上方之吸光材料層314。
基於上述，本揭露提供一種無鉻光罩及製造光罩之方法。光罩具有由具有兩個不同厚度的增強電荷耗散形成的兩個光 罩狀態。兩個光罩平臺彼此為異相。方法採用增強電荷耗散基板有效率地耗散累積充電以減少蝕刻形貌畸變，此展示出對晶圓印刷方法中所使用之光罩之聚焦深度(DOF)及光罩誤差增強因子(MEEF))的改良。
本揭露提供微影光罩之許多不同實施例。光罩包括具有第一區域、第二區域及第三區域的摻雜基板。摻雜基板在第一區域中具有第一厚度以界定第一光罩狀態及在第二區域中具有第二厚度以界定第二光罩狀態。第二厚度與第一厚度不同。光罩亦包括第三區域上方所設置之吸光材料層以界定邊緣區域。
在又一實施例中，光罩包括具有第一光罩狀態及第二光罩狀態的摻雜透明基板，第二光罩狀態與第一光罩狀態不同。第一光罩狀態具有摻雜透明基板之第一厚度及第二光罩狀態具有摻雜透明基板之第二厚度，第二厚度與第一厚度不同。第一光罩狀態與第二光罩狀態相對於彼此異相。光罩亦包括摻雜透明基板上方所設置之吸光材料層以界定邊緣區域。
在又一實施例中，方法包括在摻雜基板上方形成硬光罩。摻雜基板包括選自由金屬及金屬氧化物組成之群組的摻雜劑物種。方法亦包括圖案化硬光罩以界定第一光罩狀態及第二光罩狀態，透過圖案化硬光罩蝕刻摻雜基板以形成第一光罩狀態及第二光罩狀態。摻雜基板在第一光罩狀態中具有第一厚度及在第二光罩狀態中具有第二厚度，第二厚度與第一厚度不同。第一光罩狀態與第二光罩狀態相對於彼此異相。方法亦包括移除圖案化硬光罩。
上文概述若干實施例之特徵，使得熟習此項技術者可更好地理解本發明之態樣。熟習此項技術者應瞭解，可輕易使用本發明作為設計或修改其他製程及結構的基礎，以便實施本文所介紹之實施例的相同目的及/或實現相同優勢。熟習此項技術者亦應認識到，此類等效結構並未脫離本發明之精神及範疇，且可在不脫離本發明之精神及範疇的情況下產生本文的各種變化、替代及更改。
36‧‧‧光罩
210‧‧‧充電-耗散-增強基板
212‧‧‧均勻摻雜基板材料
312‧‧‧第一硬光罩
314‧‧‧吸光材料層
415‧‧‧第一區域
416‧‧‧第二區域
S1‧‧‧第一光罩狀態
S2‧‧‧第二光罩狀態
t1‧‧‧第一厚度
t2‧‧‧第二厚度

Claims (10)

  1. 一種光罩，包含：一增強電荷耗散基板，具有一第一區域、一第二區域及一第三區域，其中該增強電荷耗散基板在該第一區域中具有一第一厚度以界定一第一光罩狀態，其中該增強電荷耗散基板在該第二區域中具有一第二厚度以界定一第二光罩狀態，其中該第二厚度與該第一厚度不同；以及一吸光材料層，設置在該第三區域上方以界定一邊緣區域。
  2. 如請求項1所述之光罩，其中該增強電荷耗散基板包括一均勻摻雜材料。
  3. 如請求項1所述之光罩，其中該增強電荷耗散基板具有一摻雜劑濃度梯度。
  4. 如請求項3所述之光罩，其中鄰近該增強電荷耗散基板之一頂表面的該摻雜劑濃度比該增強電荷耗散基板之一底表面的該摻雜劑濃度更大。
  5. 如請求項1所述之光罩，其中該第一光罩狀態與該第二光罩狀態異相。
  6. 如請求項1所述之光罩，其中該第一光罩狀態與該第二光罩狀態具有相同穿透率。
  7. 如請求項1所述之光罩，進一步包含一鉻(Cr)層，位於該增強電荷耗散基板與該邊緣區域中的該吸光材料層之間。
  8. 一種光罩，包含：一透明增強電荷耗散基板，具有一第一光罩狀態及一第二光罩狀態，該第二光罩狀態與該第一光罩狀態不同，其中該第一光罩狀態具有該透明增強電荷耗散基板之一第一厚度及該第二光罩狀態具有該透明增強電荷耗散基板之一第二厚度，該第二厚度與該第一厚度不同，其中該第一光罩狀態與該第二光罩狀態相對於彼此異相；以及一吸光材料層，設置在該透明增強電荷耗散基板上方以界定一邊緣區域。
  9. 一種製造一光罩之方法，該方法包含：在一增強電荷耗散基板上方形成一硬光罩，其中該增強電荷耗散基板包括選自由一金屬及一金屬氧化物組成之群組的一摻雜劑物種；圖案化該硬光罩以界定一第一光罩狀態及一第二光罩狀態，以形成一圖案化硬光罩；透過該圖案化硬光罩蝕刻該增強電荷耗散基板以形成該第一光罩狀態及該第二光罩狀態，其中該增強電荷耗散基板在該第一光罩狀態中具有一第一厚度，其中該增強電荷耗散基板在該第二光罩狀態中具有一第二厚度，該第二厚度與該 第一厚度不同，其中該第一光罩狀態與該第二光罩狀態相對於彼此異相；以及移除該圖案化硬光罩。
  10. 如請求項9所述之方法，進一步包含：在該硬光罩上方形成一吸光層；以及圖案化該吸光層以使得該吸光層的一部分設置於該光罩之一邊緣區域中。
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