JP2014086551A5 - - Google Patents
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Description
上記課題に鑑みて、本発明の第1側面は、入射光を受ける第1面と、前記第1面の反対側にある第2面とを有し、光電変換部が配された半導体基板と、前記半導体基板の前記第2面の側に配された反射層と、前記第2面と前記反射層との間に、前記光電変換部と少なくとも部分的に重なるように配された第1非金属領域と、前記第1非金属領域の側面に沿って配された第2非金属領域とを備え、前記第1非金属領域の屈折率は前記第2非金属領域の屈折率よりも高いことを特徴とする撮像装置を提供する。
本発明の第2側面は、入射光を受ける第1面と、前記第1面の反対側にある第2面とを有し、光電変換部が配された半導体基板と、前記半導体基板の前記第2面の側に配された反射層と、前記第2面と前記反射層との間に、前記光電変換部と少なくとも部分的に重なるように配された第1絶縁層と、前記第1絶縁層の側面に沿って配された第2絶縁層とを備え、前記第1絶縁層の屈折率は前記第2絶縁層の屈折率よりも高いことを特徴とする撮像装置を提供する。
本発明の第2側面は、入射光を受ける第1面と、前記第1面の反対側にある第2面とを有し、光電変換部が配された半導体基板と、前記半導体基板の前記第2面の側に配された反射層と、前記第2面と前記反射層との間に、前記光電変換部と少なくとも部分的に重なるように配された第1絶縁層と、前記第1絶縁層の側面に沿って配された第2絶縁層とを備え、前記第1絶縁層の屈折率は前記第2絶縁層の屈折率よりも高いことを特徴とする撮像装置を提供する。
Claims (16)
- 入射光を受ける第1面と、前記第1面の反対側にある第2面とを有し、光電変換部が配された半導体基板と、
前記半導体基板の前記第2面の側に配された反射層と、
前記第2面と前記反射層との間に、前記光電変換部と少なくとも部分的に重なるように配された第1非金属領域と、
前記第1非金属領域の側面に沿って配された第2非金属領域とを備え、
前記第1非金属領域の屈折率は前記第2非金属領域の屈折率よりも高いことを特徴とする撮像装置。 - 前記第2非金属領域は、前記第1非金属領域の側面に接することを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。
- 前記第1非金属領域の側面は、前記第2面と前記反射層との間に位置することを特徴とする請求項2に記載の撮像装置。
- 前記撮像装置は前記半導体基板の前記第2面の側に配線パターンを更に備え、
前記反射層と、前記配線パターンとは、前記半導体基板の前記第2面から等しい高さに位置することを特徴とする請求項2又は3に記載の撮像装置。 - 前記反射層は、配線の一部として機能することを特徴とする請求項4に記載の撮像装置。
- 前記撮像装置は前記半導体基板の前記第2面の側に配線パターンを更に備え、
前記反射層と、前記配線パターンとは、前記半導体基板の前記第2面から異なる高さに位置することを特徴とする請求項2又は3に記載の撮像装置。 - 前記撮像装置は前記半導体基板の前記第2面の側に、前記第2面からの高さが互いに異なる複数の配線パターンを更に備え、
前記反射層は、前記複数の配線パターンのうち最も低い配線パターンよりも前記半導体基板の近くに位置することを特徴とする請求項2又は3に記載の撮像装置。 - 前記第1非金属領域の側面は、前記半導体基板の前記第2面の法線に対して傾斜していることを特徴とする請求項1乃至7の何れか1項に記載の撮像装置。
- 前記第1非金属領域は、前記光電変換部とその周囲の領域との境界を覆うことを特徴とする請求項1乃至8の何れか1項に記載の撮像装置。
- 前記光電変換部は、前記第2非金属領域によって覆われる部分を有することを特徴とする請求項1乃至8の何れか1項に記載の撮像装置。
- 前記光電変換部は、第1波長帯の光を検出するための第1光電変換部であり、
前記半導体基板に、前記第1波長帯より短波長側である第2波長帯の光を検出するための第2光電変換部が更に配されており、
前記第2光電変換部の上に、前記第1非金属領域と同じ屈折率を有する非金属領域が配されていないことを特徴とする請求項1乃至10の何れか1項に記載の撮像装置。 - 前記撮像装置は前記半導体基板の前記第2面の側に配線パターンを更に備え、
前記第2非金属領域は、前記半導体基板と前記配線パターンとの間に位置する層間絶縁層であることを特徴とする請求項1乃至11の何れか1項に記載の撮像装置。 - 前記第2非金属領域はエアギャップであることを特徴とする請求項1乃至11の何れか1項に記載の撮像装置。
- 前記半導体基板は前記光電変換部を複数備え、
前記半導体基板における各光電変換部の位置に対応して、当該光電変換部の中心から前記第1非金属領域がずれて配されることを特徴とする請求項1乃至13の何れか1項に記載の撮像装置。 - 入射光を受ける第1面と、前記第1面の反対側にある第2面とを有し、光電変換部が配された半導体基板と、
前記半導体基板の前記第2面の側に配された反射層と、
前記第2面と前記反射層との間に、前記光電変換部と少なくとも部分的に重なるように配された第1絶縁層と、
前記第1絶縁層の側面に沿って配された第2絶縁層とを備え、
前記第1絶縁層の屈折率は前記第2絶縁層の屈折率よりも高いことを特徴とする撮像装置。 - 請求項1乃至15の何れか1項に記載の撮像装置と、
前記撮像装置からの信号を処理する信号処理装置とを備えることを特徴とするカメラ。
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