JP2013110273A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. 配線パターンが設けられた基板と、
   前記基板の一方の主面に搭載され、前記配線パターンに電気的に接続された半導体発光素子と
   を備え、
   前記基板は、前記半導体発光素子から該基板に向けて放射された光の少なくとも一部を前記一方の主面に対して直交する方向に反射させる凹凸構造を前記一方の主面に有する、半導体発光装置。
2. 前記凹凸構造は、平面視において、前記半導体発光素子を中心として同心円状に複数位置する、請求項１に記載の半導体発光装置。
3. 前記凹凸構造は、平面視において、前記半導体発光素子を中心として同心矩形状に複数位置する、請求項１に記載の半導体発光装置。
4. 前記凹凸構造は、平面視において、前記半導体発光素子を中心として同心状に位置し、内側は矩形状、外側は円状に位置する、請求項１に記載の半導体発光装置。
5. 前記基板は、平面視において略長方形状の外形を有し、かつ、縁を囲むようにリフレクター部をさらに有し、
   前記凹凸構造は、前記基板の長手方向に直交する方向に延在し、前記長手方向において互いに間隔を置いて複数位置する、請求項１に記載の半導体発光装置。
6. 前記凹凸構造が、前記半導体発光素子を囲むように矩形状にさらに位置する、請求項５に記載の半導体発光装置。
7. 前記凹凸構造は、前記配線パターンと前記半導体発光素子との接続位置と重ならないように位置する、請求項１から６のいずれかに記載の半導体発光装置。
8. 前記凹凸構造は、前記半導体発光素子の周側面から該半導体発光素子の厚さの１倍以上１．５倍以下の距離だけ離間した位置より離れて形成されている、請求項１から７のいずれかに記載の半導体発光装置。
9. 前記凹凸構造は、横断面鋸歯状の外形を有し、かつ、前記半導体発光素子から放射された光を反射する反射面となる複数の傾斜面を有し、
   前記半導体発光素子の厚さをＨ、前記複数の傾斜面のうち最も前記半導体発光素子に近接する近接傾斜面と前記一方の主面との交差線と、前記半導体発光素子の周側面との間の最短距離をＬ、前記近接傾斜面と前記一方の主面とのなす内角をθとすると、
   前記近接傾斜面は、２θ＝９０°−ｔａｎ-1(Ｈ／Ｌ)の関係を満たす、請求項８に記載の半導体発光装置。
10. ３０°≦θ≦４５°である、請求項９に記載の半導体発光装置。
11. 前記凹凸構造の横断面において、互いに隣接する凸部の頂点同士の間隔をＬp、前記頂
    点の高さをｈ、前記頂点同士の間に位置する前記傾斜面の前記内角をθpとすると、
    Ｌp＝ｈ／ｔａｎθpの関係を満たす、請求項９または１０に記載の半導体発光装置。
12. 前記凹凸構造は、セラミックスで構成されている、請求項１から１１のいずれかに記載の半導体発光装置。
13. 前記凹凸構造は、金属で構成されている、請求項１から１１のいずれかに記載の半導体発光装置。
14. 前記凹凸構造の表面が鏡面加工されている、請求項１３に記載の半導体発光装置。
15. 前記凹凸構造の表面が銀で構成されている、請求項１４に記載の半導体発光装置。