JP2014081351A - 半導体センサ装置及びこれを用いた電子装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】センサ素子30の周囲を囲む中空部材60と、
該中空部材60に充填され、前記センサ素子30を覆う封止材70と、
前記センサ素子30が実装される基板10と、を有し、
前記基板10上には、前記中空部材60を位置決めする凹部11が形成されている。
【選択図】図6
Description
該中空部材(60)に充填され、前記センサ素子(30)を覆う封止材(70)と、
前記センサ素子(30)が実装される基板(10)と、を有し、
前記基板(10)上には、前記中空部材(60)を位置決めする凹部(11)が形成されている。
該センサ素子(30)が実装される基板(10、16〜19)と、
該基板上(10、16〜19)に載置され、前記センサ素子(30)の周囲を覆う中空部材(64〜68)と、
該中空部材(64〜68)に充填され、前記センサ素子(30)を覆う封止材(70)と、を有し、
前記中空部材(64〜68)の厚さ方向外側には、内側よりも高さが低い段差面(64c〜68c)が形成された半導体センサ装置(81、82)。
11、14 凹部
12、14 側面
20 制御IC
30 センサ素子
40 パッド
50 配線
60〜68 シリンダー
62b、64b〜67b、66d、67d 張り出し部
64c〜67c 段差面
70 封止材
80、81、82 半導体センサ装置
90、92、94 筐体
91、93、95 半導体センサ装置収容部
100、102 O−リング
101 板状ゴム
Claims (22)
- センサ素子の周囲を囲む中空部材と、
該中空部材に充填され、前記センサ素子を覆う封止材と、
前記センサ素子が実装される基板と、を有し、
前記基板上には、前記中空部材を位置決めする凹部が形成された半導体センサ装置。 - 前記凹部内に前記センサ素子が実装された請求項1に記載の半導体センサ装置。
- 前記凹部内に前記センサ素子と積層されて実装される制御ICを有する請求項1又は2に記載の半導体センサ装置
- 前記凹部は、前記中空部材の下端部の外周を囲む外形を有し、かつ前記中空部材の下端部の長さと同長となる部分を含む請求項1乃至3のいずれか一項に記載の半導体センサ装置。
- 前記中空部材の厚さ方向外側には、内側よりも高さが低い段差面が形成された請求項1乃至4のいずれか一項に記載の半導体センサ装置。
- 請求項1乃至5のいずれか一項に記載の半導体センサ装置と、
該半導体センサ装置を収容する凹形状の半導体センサ装置収容部を有する筐体と、を有する電子装置。 - 前記半導体センサ装置収容部の底面と前記半導体センサ装置との間には、弾性部材が設けられた請求項6に記載の電子装置。
- 請求項5に記載の半導体センサ装置と、
該半導体センサ装置を収容する凹形状の半導体センサ装置収容部を有する筐体と、
該半導体装置収容部の底面と、前記半導体装置の前記段差面とが形成する空間内に設けられた弾性部材と、を有する電子装置。 - センサ素子と、
該センサ素子が実装される基板と、
該基板上に載置され、前記センサ素子の周囲を覆う中空部材と、
該中空部材に充填され、前記センサ素子を覆う封止材と、を有し、
前記中空部材の厚さ方向外側には、内側よりも高さが低い段差面が形成された半導体センサ装置。 - 前記中空部材は、第1の外径を有する第1の円筒部を、該第1の外径よりも大きい第2の外径を有する第2の円筒部上に積載した外形形状により、前記段差面を形成する請求項9に記載の半導体センサ装置。
- 前記基板は、略四角形の形状を有し、
前記中空部材は、前記基板の外形に略沿った外形を有する基底部を更に有する請求項10に記載の半導体センサ装置。 - 前記基底部の内周面により形成された内部空間は、直方体に近似した形状の空間を含み、
前記第1の円筒部の内周面により形成された内部空間は、少なくとも最上部に円柱状の空間を含む請求項11に記載の半導体センサ装置。 - 前記第2の円筒部の内周面は、前記基底部の内周面と、前記第1の円筒部の内周面とを接続する接続面である請求項12に記載の半導体センサ装置。
- 前記第1の円筒部の内周面により形成された内部空間は、前記円柱状の空間の下に、多角柱の空間を形成し、
前記接続面は、前記多角柱の各面に対応した接続面を有する請求項13に記載の半導体センサ装置。 - 前記多角柱は、八角柱以上の角を有する多角柱である請求項14に記載の半導体センサ装置。
- 前記直方体に近似した形状の空間は、長方形の四つの直角を切除するとともに、該直角をなす二辺の間に単数又は複数の辺を挿入して形成される多角形が高さを有して形成された空間である請求項15に記載の半導体センサ装置。
- 前記多角柱及び前記多角形は、角の数が同数である請求項16に記載の半導体センサ装置。
- 前記多角柱は八角柱であり、
前記多角形は八角形である請求項17に記載の半導体センサ装置。 - 前記接続面は、前記基底部の内周面との接続箇所及び前記第1の円筒部との接続箇所において、角が発生しないように丸め加工された請求項13乃至18のいずれか一項に記載の半導体センサ装置。
- 前記第1の円筒部の内周面、前記第2の円筒部の内周面及び前記基底部の内周面は、前記中空部材の肉厚が前記第1の円筒部、前記第2の円筒部及び前記基底部において略一定となるように、前記第1の円筒部及び前記基底部の外形に略沿った前記第1の円筒部の内周面と前記基底部の内周面とを、前記接続面が略S字形状をなして接続している請求項19に記載の半導体センサ装置。
- 前記接続面及び前記第1の円筒部の前記多角柱の空間を形成する内周面が粗面化されている請求項13乃至20のいずれか一項に記載の半導体センサ装置。
- 請求項9乃至21のいずれか一項に記載の半導体センサ装置と、
該半導体センサ装置を収容する凹形状の半導体センサ装置収容部を有する筐体と、
該半導体装置収容部の底面と、前記半導体装置の前記段差面とが形成する空間内に設けられた弾性部材と、を有する電子装置。
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