JP2014077745A - 半導体圧力センサ - Google Patents
半導体圧力センサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014077745A JP2014077745A JP2012226530A JP2012226530A JP2014077745A JP 2014077745 A JP2014077745 A JP 2014077745A JP 2012226530 A JP2012226530 A JP 2012226530A JP 2012226530 A JP2012226530 A JP 2012226530A JP 2014077745 A JP2014077745 A JP 2014077745A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pressure sensor
- piezoresistive element
- wiring
- semiconductor pressure
- piezoresistive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
【課題】 ピエゾ抵抗素子に与える応力を低減してセンサ出力の安定性を向上させることができる半導体圧力センサを提供する。
【解決手段】 半導体圧力センサは、ダイヤフラム部2を備える半導体基板1と、ダイヤフラム部2の表面に形成され、ダイヤフラム部2に加えられた圧力を抵抗値の変化として検出する複数のピエゾ抵抗素子R1〜R4と、半導体基板1の表面に形成され、複数のピエゾ抵抗素子を接R1〜R4続してブリッジ回路を構成する拡散配線4a〜4hと、ピエゾ抵抗素子R1〜R4及び拡散配線4a〜4hの表面を含む半導体基板1表面を被覆する絶縁積層部3と、絶縁積層部3の内部であって、ダイヤフラム部2の回路形成領域1bに形成された導電体層8と、ピエゾ抵抗素子Rと回路形成領域1bとの間の絶縁積層部3に形成された溝部7とを有する。
【選択図】 図6
【解決手段】 半導体圧力センサは、ダイヤフラム部2を備える半導体基板1と、ダイヤフラム部2の表面に形成され、ダイヤフラム部2に加えられた圧力を抵抗値の変化として検出する複数のピエゾ抵抗素子R1〜R4と、半導体基板1の表面に形成され、複数のピエゾ抵抗素子を接R1〜R4続してブリッジ回路を構成する拡散配線4a〜4hと、ピエゾ抵抗素子R1〜R4及び拡散配線4a〜4hの表面を含む半導体基板1表面を被覆する絶縁積層部3と、絶縁積層部3の内部であって、ダイヤフラム部2の回路形成領域1bに形成された導電体層8と、ピエゾ抵抗素子Rと回路形成領域1bとの間の絶縁積層部3に形成された溝部7とを有する。
【選択図】 図6
Description
本発明は、圧力を検出する半導体圧力センサに関する。
半導体圧力センサとしては、下記の特許文献1,2がある。
特許文献1には、電源投入後のオフセット電圧の変動を抑制するために、ダイヤフラム部表面及び拡散配線表面に対応する絶縁膜表面上には導電体膜を形成した半導体圧力センサが記載されている。この導電体膜には、バイアス電圧印加用端子に接続されている。また、特許文献2に記載された導電性薄膜は、ダイヤフラム部表面に形成され、ピエゾ抵抗素子の抵抗値を変化させることを抑制するシールド層として機能している。
ところで、上述した半導体圧力センサでは、ダイヤフラム部の外側の周辺部に回路を形成するための金属配線が配置されている。この金属配線は、半導体プロセスや実装工程で熱歪みを蓄積している。この熱ひずみは時間とともに開放される。これにより金属配線が伸縮する。この金属配線の伸縮は、ダイヤフラム部を形成しているシリコン基板上に形成された絶縁層に引っ張り又は圧縮応力を与えてしまう。その結果、当該シリコン基板や絶縁層付近のピエゾ抵抗素子にせん断応力が生じる。
このようにピエゾ抵抗素子に応力が生ずると、当該応力を検出してしまいセンサ出力が変動してしまうという問題がある。その結果、長期的にセンサ出力の信頼性の低下をもたらす可能性がある。この問題は、ピエゾ式半導体圧力センサと周辺回路を1つのチップに集積した集積型圧力センサにおいて顕著となる。
そこで、本発明は、上述した実情に鑑みて提案されたものであり、ピエゾ抵抗素子に与える応力を低減してセンサ出力の安定性を向上させることができる半導体圧力センサを提供することを目的とする。
本発明の第1の態様に係る半導体圧力センサは、ダイヤフラム部を備える半導体基板と、前記ダイヤフラム部の表面に形成され、前記ダイヤフラム部に加えられた圧力を抵抗値の変化として検出する複数のピエゾ抵抗素子と、前記半導体基板の表面に形成され、前記複数のピエゾ抵抗素子を接続してブリッジ回路を構成する拡散配線と、前記ピエゾ抵抗素子及び前記拡散配線の表面を含む前記半導体基板表面を被覆する絶縁積層部と、前記絶縁積層部の内部であって、前記ダイヤフラム部の外側領域に形成された導電体層と、前記ピエゾ抵抗素子と前記外側領域との間の前記絶縁積層部に形成された溝部とを備えることを特徴とする。
本発明の第2の態様に係る半導体圧力センサは、上記第1の態様の半導体圧力センサであって、前記拡散配線は、前記ピエゾ抵抗素子から引き出された第1配線部と、前記他のピエゾ抵抗素子の引出部と接続する第2配線部とを含み、前記溝部は、前記第1配線部及び前記第2配線部と前記ピエゾ抵抗素子との間に形成されていることを特徴とする。
本発明の第3の態様に係る半導体圧力センサは、上記第1の態様の半導体圧力センサであって、前記拡散配線は、前記ピエゾ抵抗素子から引き出された第1配線部と、前記他のピエゾ抵抗素子の引出部と接続する第2配線部とを含み、前記溝部は、前記第2配線部と前記ピエゾ抵抗素子との間に形成されていることを特徴とする。
本発明によれば、ピエゾ抵抗素子と外側領域との間の絶縁積層部に形成された溝部を有するので、ダイヤフラム部上の絶縁積層部の歪みによる応力によってピエゾ抵抗素子に与える応力を抑制できる。これにより、ピエゾ抵抗素子に与える応力を低減してセンサ出力の安定性を向上させることができる。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
本発明の実施形態として示す半導体圧力センサは、例えば図1に示すように構成される。図1(a)は、半導体圧力センサの断面図であり、図1(b)は、半導体圧力センサの上面図である。
半導体圧力センサは、図1(a)に示すように、半導体基板1の裏面に薄膜部としてのダイヤフラム部2が形成されている。半導体基板1の表面には、絶縁積層部3が形成されている。半導体圧力センサにおいて、ダイヤフラム部2の外側領域が、絶縁積層部3に各種の回路が導電性薄膜によって形成される回路形成領域1bとなっている。回路形成領域1bの内側領域が、圧力を検出するためのセンシング領域(センサ部)1aとなっている。センシング領域1aは、ダイヤフラム部2上及び当該ダイヤフラム部2の外縁部を含む。
センシング領域1aには、図1(b)に示すように、ピエゾ抵抗素子R1〜R4、拡散領域4a〜4h、n型導電型領域5a〜5d、金属配線6a〜6dが形成されている。これらピエゾ抵抗素子R1〜R4、拡散領域4a〜4h、n型導電型領域5a〜5d、金属配線6a〜6dは、半導体プロセスによって半導体基板1に形成され、表面に絶縁積層部3が積層される。
ピエゾ抵抗素子R1〜R4は、ダイヤフラム部2の表面に形成される。ピエゾ抵抗素子R1〜R4は、ダイヤフラム部2に加えられた圧力を抵抗値の変化として検出する。
拡散領域4a〜4h及び金属配線6a〜6dは、半導体基板1の表面に形成される。拡散領域4a〜4h及び金属配線6a〜6dは、複数のピエゾ抵抗素子R1〜R4を接続してブリッジ回路を構成する拡散配線として機能する。
ピエゾ抵抗素子R1〜R4は、接地端子GND、電圧出力端子Vout+、電圧出力端子Vout−、バイアス電圧印加用端子Vddに接続されている。例えば以下のように接続されている。ピエゾ抵抗素子R4の一方端は拡散領域4h及び金属配線6dを介して接地端子GNDに接続され、その他方端は拡散領域4g及び金属配線6cを介して電圧出力端子Vout+に接続されている。ピエゾ抵抗素子R2の一方端は拡散領域4c及び金属配線6aを介して電圧出力端子Vout−に接続され、その他方端は拡散領域4d及び金属配線6bを介してバイアス電圧印加用端子Vddに接続されている。ピエゾ抵抗素子R3の一方端は拡散領域4e及び金属配線6cを介して電圧出力端子Vout+に接続され、その他方端は拡散領域4f及び金属配線6bを介してバイアス電圧印加用端子Vddに接続されている。ピエゾ抵抗素子R1の一方端は拡散領域4a及び金属配線6dを介して接地端子GNDに接続され、その他方端は拡散領域4b及び金属配線6aを介して電圧出力端子Vout−に接続されている。
このようにしてピエゾ抵抗素子R1,R2,R3,R4はブリッジ回路を構成している。すなわち、ピエゾ抵抗素子R1及びピエゾ抵抗素子R3とピエゾ抵抗素子R2及びピエゾ抵抗素子R4とがそれぞれ対になってブリッジ回路上で対向配置されている。このような構成を有する半導体圧力センサでは、ダイヤフラム部2の一方の表面から圧力を受けると、ダイヤフラム部2の上面と下面との間に差圧が生じることによってダイヤフラム部2に撓みが生じる。この撓みによってピエゾ抵抗素子R1〜R4を構成する結晶が歪んで抵抗値が変化する。そしてピエゾ抵抗素子R1〜R4の抵抗値の変化を、ブリッジ回路を利用してバイアス電圧印加用端子Vddに印加されたバイアス電圧に対する電圧変化として出力端子Vout+,Vout−から検出する。
センシング領域1aの周囲の回路形成領域1bには、センシング領域1aにおけるピエゾ抵抗素子R1〜R4によって得た電圧変化を処理する回路が形成されている。回路形成領域1bには、制御(ロジック)回路30、複数のパッド31、フロント処理回路32、感度/温特調整回路33、出力アンプ34、複数のパッド35が形成されている。
パッド31及びパッド35は、絶縁積層部3内に形成された電極である。パッド31は、半導体圧力センサと接続された各種の機器から、各種の信号又は電圧が供給される。パッド35は、各種の機器と接続され、出力アンプ34から供給された信号を出力する。
制御(ロジック)回路30は、フロント処理回路32及び出力アンプ34を制御する。これによって、制御(ロジック)回路30は、ピエゾ抵抗素子R1〜R4における出力端子Vout+、Vout−からの電圧の検出を制御し、出力アンプ34からの出力を制御する。感度/温特調整回路33は、フロント処理回路32によって取り出された電圧値に応じた信号に対して所定の処理を施す。これにより、感度/温特調整回路33は、半導体圧力センサの感度調整、温度特性調整を施す。
このような回路形成領域1bに形成された制御(ロジック)回路30、複数のパッド31、フロント処理回路32、感度/温特調整回路33、出力アンプ34、複数のパッド35は、半導体基板1及び絶縁積層部3内に、導電体層8(図4参照)を含んで形成されている。
また、図2に示すように、ピエゾ抵抗素子R1〜R4と回路形成領域1bとの間の絶縁積層部3には、溝部7が形成されている。更に具体的には、図3及び図4に示すように、ピエゾ抵抗素子R2と回路形成領域1bとの間であって、ピエゾ抵抗素子R2と金属配線6a〜6dとの間の拡散領域4上の絶縁積層部3を貫通するように溝部7が形成されている。
導電体層8は、例えば図4に示すように配置されている。図4は、図3に示した半導体圧力センサのA−A線断面図である。絶縁積層部3は、例えば4層の絶縁膜3a,3b,3c,3dが積層されてなる。導電体層8は、絶縁積層部3の各層上に形成された複数の導体膜8a〜8fを含む。導体膜8aは絶縁膜3b上に形成される。導体膜8b、8dは絶縁膜3c上に形成される。導体膜8c、8e、8fは絶縁膜3d上に形成される。また、導体膜8a、8b、8cはそれぞれ絶縁膜3間で導通される。導体膜8cは拡散領域4に接して、ピエゾ抵抗素子Rの変化に応じた電圧を検出する。
溝部7は、複数の導体膜8a〜8fからなる導電体層8のセンシング領域1a側に形成されている。更に詳しくは、金属配線6はピエゾ抵抗素子Rから引き出された第1配線部61と、他のピエゾ抵抗素子Rの引出部61と接続する第2配線部62とを含む。溝部7は、第1配線部61及び第2配線部62とピエゾ抵抗素子Rとの間に形成されている。
このような半導体圧力センサにおいて、導電体層8は、製造後の時系列変化によって変形が生ずる。図4中の矢印で示すように、導電体層8の変形によって、回路形成領域1bにおける絶縁膜3aには圧縮応力S1が発生する。しかし、この圧縮応力S1は、溝部7によって吸収され、溝部7よりもセンシング領域1a側には伝達されない。
以上のように、この半導体圧力センサは、絶縁積層部3の内部であってダイヤフラム部2の外側領域に各種の回路(導電体層8)が形成された構成であっても、当該導電体層8によって生ずる応力を溝部7によって吸収できる。したがって、導電体層8による応力がピエゾ抵抗素子R上の絶縁積層部3に伝達することを抑制できる。これにより、導電体層8の変形によって生じた圧縮応力S1によってピエゾ抵抗素子Rが変形することを抑制できる。これにより、半導体圧力センサは、導電体層8のクリープ現象による生じる応力をピエゾ抵抗素子Rで検出してしまい、長期的にセンサ出力(オフセット電圧)が変化することを抑制でき、導電体層8の変形による長期的なセンサ出力の変化を相殺できる。
すなわち、図5に示すように、導電体層8の変形による圧縮応力S1によってピエゾ抵抗素子Rの付近やセンシング領域1aにおける絶縁積層部3に応力S11が加わって、ピエゾ抵抗素子Rやその周囲にせん断応力S12が発生することが抑制できる。これにより、ピエゾ抵抗素子Rに与える応力を低減してセンサ出力の安定性を向上させることができる。
また、この半導体圧力センサによれば、第1配線部61及び第2配線部62とピエゾ抵抗素子Rとの間に溝部7を形成しているので、第1配線部61及び第2配線部62付近で導電体層8の変形よる応力を低減できる。したがって、この半導体圧力センサによれば、ピエゾ抵抗素子Rまで応力が及ぶことを抑制できる。
半導体圧力センサは、図6乃至図8に示すように、第2配線部62とピエゾ抵抗素子Rとの間に溝部7を形成してもよい。この溝部7は、図7に示すように、第2配線部62と平行に形成された溝部7aと第1配線部61間に形成された溝部7bとを含む。このような半導体圧力センサは、図8に示すように、導電体層8の一部(導体膜8c)よりも回路形成領域1b側に形成されている。この導体膜8cは第1配線部61に相当する。このような半導体圧力センサは、回路形成領域1bにおける導電体層8の変形によって圧縮応力S1が発生しても、溝部7によって吸収できる。また、溝部7よりもセンシング領域1a側の導電体層8の変形によって応力S3が生じても、溝部7によって吸収できる。したがって、この半導体圧力センサによれば、回路形成領域1bの各種回路の導電体層8及び第2配線部62の変形によって生ずる応力を溝部7a,7cによって吸収できる。また、回路形成領域1bにおける導電体層8の変形によって生じた応力を溝部7bによって吸収できる。
したがって、この半導体圧力センサも、上述と同様に、ピエゾ抵抗素子Rまで応力が及ぶことを抑制でき、センサ出力の安定性を向上させることができる。
なお、上述の実施の形態は本発明の一例である。このため、本発明は、上述の実施形態に限定されることはなく、この実施の形態以外であっても、本発明に係る技術的思想を逸脱しない範囲であれば、設計等に応じて種々の変更が可能であることは勿論である。
R1,R2,R3,R4 ピエゾ抵抗素子
1 半導体基板
1a センシング領域
1b 回路形成領域
2 ダイヤフラム部
3 絶縁積層部
3a,3b,3c,3d 絶縁膜
4a〜4h 拡散領域
5a〜5d n型導電型領域
6a〜6d 金属配線
7 溝部
8 導電体層
30 制御(ロジック)回路
31、35 パッド
32 フロント処理回路
33 感度/温特調整回路
34 出力アンプ
1 半導体基板
1a センシング領域
1b 回路形成領域
2 ダイヤフラム部
3 絶縁積層部
3a,3b,3c,3d 絶縁膜
4a〜4h 拡散領域
5a〜5d n型導電型領域
6a〜6d 金属配線
7 溝部
8 導電体層
30 制御(ロジック)回路
31、35 パッド
32 フロント処理回路
33 感度/温特調整回路
34 出力アンプ
Claims (3)
- ダイヤフラム部を備える半導体基板と、
前記ダイヤフラム部の表面に形成され、前記ダイヤフラム部に加えられた圧力を抵抗値の変化として検出する複数のピエゾ抵抗素子と、
前記半導体基板の表面に形成され、前記複数のピエゾ抵抗素子を接続してブリッジ回路を構成する拡散配線と、
前記ピエゾ抵抗素子及び前記拡散配線の表面を含む前記半導体基板表面を被覆する絶縁積層部と、
前記絶縁積層部の内部であって、前記ダイヤフラム部の外側領域に形成された導電体層と、
前記ピエゾ抵抗素子と前記外側領域との間の前記絶縁積層部に形成された溝部と
を備えることを特徴とする半導体圧力センサ。 - 前記拡散配線は、前記ピエゾ抵抗素子から引き出された第1配線部と、前記他のピエゾ抵抗素子の引出部と接続する第2配線部とを含み、
前記溝部は、前記第1配線部及び前記第2配線部と前記ピエゾ抵抗素子との間に形成されていること
を特徴とする請求項1に記載の半導体圧力センサ。 - 前記拡散配線は、前記ピエゾ抵抗素子から引き出された第1配線部と、前記他のピエゾ抵抗素子の引出部と接続する第2配線部とを含み、
前記溝部は、前記第2配線部と前記ピエゾ抵抗素子との間に形成されていること
を特徴とする請求項1に記載の半導体圧力センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012226530A JP2014077745A (ja) | 2012-10-12 | 2012-10-12 | 半導体圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012226530A JP2014077745A (ja) | 2012-10-12 | 2012-10-12 | 半導体圧力センサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014077745A true JP2014077745A (ja) | 2014-05-01 |
Family
ID=50783138
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012226530A Pending JP2014077745A (ja) | 2012-10-12 | 2012-10-12 | 半導体圧力センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2014077745A (ja) |
-
2012
- 2012-10-12 JP JP2012226530A patent/JP2014077745A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
USRE46486E1 (en) | Semiconductor pressure sensor | |
JP5867820B2 (ja) | 圧力センサ | |
JP5853169B2 (ja) | 半導体圧力センサ | |
WO2011092563A1 (ja) | 圧力センサ | |
JP2008102069A (ja) | 半導体感歪センサ | |
JP5974621B2 (ja) | 圧力センサ | |
KR101633027B1 (ko) | Mems 센서 | |
JP2009300197A (ja) | 半導体圧力センサ | |
JP2002340713A (ja) | 半導体圧力センサ | |
US10527513B2 (en) | Pressure sensor with resin portion and membrane having reduced temperature change distortion | |
JP5866496B2 (ja) | 半導体圧力センサ | |
KR101573367B1 (ko) | 압저항형 세라믹 압력센서 | |
JP2006078249A (ja) | 容量型半導体センサ | |
JP4483478B2 (ja) | 力検知装置とその製造方法 | |
JP5151281B2 (ja) | 半導体圧力センサ | |
JP5859133B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2014077745A (ja) | 半導体圧力センサ | |
JP2009265012A (ja) | 半導体センサ | |
JP7254214B2 (ja) | フォースセンサ | |
JP2014077744A (ja) | 半導体圧力センサ | |
JP2008082952A (ja) | 半導体感歪センサ | |
JP2014115099A (ja) | 圧力センサ | |
JP5002468B2 (ja) | 半導体圧力センサ | |
JP5324477B2 (ja) | 圧力センサ | |
TWI840029B (zh) | 感測裝置及其半導體結構 |