TWI840029B - 感測裝置及其半導體結構 - Google Patents

Abstract

本發明提出一種感測裝置，包括壓力感測單元以及溼度感測單元。壓力感測單元用以產生壓電信號，且包括壓電材料以及腔體。壓電材料形成於腔體之上。溼度感測單元用以產生溼度信號，且包括具有複數間隔空間之金屬交錯層以及溼度響應材料。溼度響應材料設置於間隔空間中。壓電信號以及溼度信號用以指示環境溼度。

Description

感測裝置及其半導體結構

本發明係有關於一種溼度感測裝置及其半導體結構，特別係有關於一種同時偵測壓力以及溼度之感測裝置及其半導體結構，並且利用壓電信號以及溼度信號獲得準確的環境溼度。

近年來隨著穿戴裝置以及智慧電子裝置的蓬勃發展，許多使用微機電系統(Micro-electro-mechanical System，MEMS)的技術之感測器也整合到穿戴裝置以及智慧電子裝置中，並且結合物聯網，使得所有行動裝置都能夠透過雲端互相通訊連結以分享資料。

在環境感測晶片中，溼度是環境參數中很重要的一項參數。然而，當溼度感測裝置感測環境溼度時，溼度感測裝置吸附的水分會產生壓電效應，使得溼度感測裝置所偵測到的環境溼度有所偏差。因此，有需要排除溼度感測裝置上的壓電效應，進而獲取較為準確之環境溼度。

有鑑於此，本發明提出一種感測裝置，包括一壓力感測單元以及一溼度感測單元。上述壓力感測單元用以產生一壓電信號，且包括一壓電材料以及一腔體，其中上述壓電材料形成於上述腔體之上。上述溼度感測單元用以產生一溼度信號，且包括一具有複數間隔空間之一金屬交錯層以及一溼度響應材料，其中上述溼度響應材料設置於上述間隔空間中。上述壓電信號以及上述溼度信號用以指示一環境溼度。

根據本發明之一實施例，上述金屬交錯層以及上述溼度響應材料形成於上述腔體之周圍。

根據本發明之一實施例，上述腔體係形成於一基板中，其中部分之上述壓電材料係覆蓋上述腔體。

根據本發明之一實施例，上述壓電材料係形成於一第一氧化層之上，其中上述第一氧化層係形成於上述基板以及上述腔體之上。

根據本發明之另一實施例，上述壓電材料係形成於一磊晶層中，其中上述磊晶層形成於上述基板以及上述腔體之上。

根據本發明之一實施例，上述壓電材料透過一惠斯同電橋而電性連接至一第一壓力電極以及一第二壓力電極，其中上述惠斯同電橋更電性連接至一第一電源電極以及一第二電源電極。上述第一電源電極接收一接地位準，上述第二電源電極接收一供應電壓，上述第一壓力電極以及上述第二壓力電極產生上述壓電信號。

根據本發明之一實施例，上述惠斯同電橋以及上述金屬交錯層係設置於相同的金屬層。

根據本發明之另一實施例，上述惠斯同電橋以及上述金屬交錯層分別設置於不同的金屬層。

根據本發明之一實施例，上述金屬交錯層係電性連接至一第一溼度電極以及一第二溼度電極，其中上述第一溼度電極以及上述第二溼度電極產生上述溼度信號。

本發明更提出一種半導體結構，包括一基板、一壓電材料、一第一通孔以及一第一金屬層。上述基板包括一腔體。上述壓電材料形成於上述基板之上，其中部分之上述壓電材料係覆蓋上述腔體。上述第一通孔形成於壓電材料之上，且電性連接上述壓電材料之兩端。上述第一金屬層形成於上述第一通孔之上，用以形成具有複數間隔空間之一金屬交錯層，其中上述金屬交錯層係設置於上述腔體之周圍。

根據本發明之一實施例，上述第一金屬層更形成一第一溼度電極、一第二溼度電極、一第一壓力電極、一第二壓力電極、一第一電源電極以及一第二電源電極，其中上述金屬交錯層電性連接至上述第一溼度電極以及上述第二溼度電極。

根據本發明之一實施例，上述第一金屬層更形成一惠斯同電橋，上述惠斯同電橋透過上述第一通孔電性連接至上述壓電材料，上述惠斯同電橋電性連接至上述第一壓力電極、上述第二壓力電極、上述第一電源電極以及上述第二電源電極，且透過上述第一通孔電性連接至上述壓電材料。

根據本發明之一實施例，半導體結構更包括一第二金屬層、一第一氧化層以及一第二通孔。上述第二金屬層用以形成一惠斯同電橋，且上述惠斯同電橋透過上述第一通孔電性連接至上述壓電材料。上述第一氧化層形成於上述第一金屬層以及上述第二金屬層之間。上述第二通孔形成於上述第一氧化層中，用以將上述惠斯同電橋電性連接至上述第一壓力電極、上述第二壓力電極、上述第一電源電極以及上述第二電源電極。

根據本發明之一實施例，上述第一溼度電極以及上述第二溼度電極用以產生一溼度信號，上述第一壓力電極以及上述第二壓力電極用以產生一壓力信號，上述第一電源電極以及上述第二電源電極分別接收一供應電壓以及一接地位準，其中上述溼度信號以及上述壓力信號用以指示一環境溼度。

根據本發明之一實施例，上述壓電材料係與上述腔體接觸。

根據本發明之一實施例，上述壓電材料係形成於一磊晶層中，其中上述磊晶層設置於上述基板以及上述腔體之上，且與上述基板以及上述腔體直接接觸。

根據本發明之另一實施例，半導體結構更包括一第二氧化層。上述第二氧化層設置於上述基板與上述腔體之上，其中上述壓電材料係形成於上述第二氧化層之上且直接接觸。

根據本發明之另一實施例，半導體結構更包括一第三氧化層。上述第三氧化層設置於上述第二氧化層之上，其中上述壓電材料以及上述第一通孔係形成於一第三氧化層中。

以下說明為本揭露的實施例。其目的是要舉例說明本揭露一般性的原則，不應視為本揭露之限制，本揭露之範圍當以申請專利範圍所界定者為準。

值得注意的是，以下所揭露的內容可提供多個用以實踐本揭露之不同特點的實施例或範例。以下所述之特殊的元件範例與安排僅用以簡單扼要地闡述本揭露之精神，並非用以限定本揭露之範圍。此外，以下說明書可能在多個範例中重複使用相同的元件符號或文字。然而，重複使用的目的僅為了提供簡化並清楚的說明，並非用以限定多個以下所討論之實施例以及/或配置之間的關係。此外，以下說明書所述之一個特徵連接至、耦接至以及/或形成於另一特徵之上等的描述，實際可包含多個不同的實施例，包括該等特徵直接接觸，或者包含其它額外的特徵形成於該等特徵之間等等，使得該等特徵並非直接接觸。

此外，實施例中可能使用相對性的用語，例如「較低」或「底部」及「較高」或「頂部」，以描述圖式的一個元件對於另一元件的相對關係。能理解的是，如果將圖式的裝置翻轉使其上下顛倒，則所敘述在「較低」側的元件將會成為在「較高」側的元件。

能理解的是，雖然在此可使用用語「第一」、「第二」、「第三」等來敘述各種元件、組成成分、區域、層、及/或部分，這些元件、組成成分、區域、層、及/或部分不應被這些用語限定，且這些用語僅是用來區別不同的元件、組成成分、區域、層、及/或部分。因此，以下討論的一第一元件、組成成分、區域、層、及/或部分可在不偏離本揭露一些實施例之教示的情況下被稱為一第二元件、組成成分、區域、層、及/或部分。

本揭露一些實施例可配合圖式一併理解，本揭露實施例之圖式亦被視為本揭露實施例說明之一部分。需了解的是，本揭露實施例之圖式並未以實際裝置及元件之比例繪示。在圖式中可能誇大實施例的形狀與厚度以便清楚表現出本揭露實施例之特徵。此外，圖式中之結構及裝置係以示意之方式繪示，以便清楚表現出本揭露實施例之特徵。

在此，「約」、「大約」、「大抵」之用語通常表示在一給定值或範圍的20%之內，較佳是10%之內，且更佳是5%之內，或3%之內，或2%之內，或1%之內，或0.5%之內。在此給定的數量為大約的數量，亦即在沒有特定說明「約」、「大約」、「大抵」的情況下，仍可隱含「約」、「大約」、「大抵」之含義。

除非另外定義，在此使用的全部用語（包括技術及科學用語）具有與此篇揭露所屬之一般技藝者所通常理解的相同涵義。能理解的是，這些用語，例如在通常使用的字典中定義的用語，應被解讀成具有與相關技術及本揭露的背景或上下文一致的意思，而不應以一理想化或過度正式的方式解讀，除非在本揭露實施例有特別定義。

在本揭露一些實施例中，關於接合、連接之用語例如「連接」、「互連」等，除非特別定義，否則可指兩個結構係直接接觸，或者亦可指兩個結構並非直接接觸，其中有其它結構設於此兩個結構之間。且此關於接合、連接之用語亦可包括兩個結構都可移動，或者兩個結構都固定之情況。

第1圖係顯示根據本發明之一實施例所述之感測裝置之上視圖。第2圖係顯示根據本發明之一實施例所述之沿著第1圖之AA’之感測裝置之剖面圖。第3圖係顯示根據本發明之一實施例所述之第1圖之感測裝置之爆炸圖。以下將結合第1-3圖所示之感測裝置100，進行詳細說明。

如第1圖所示，感測裝置100包括溼度響應材料111、具有複數間隔空間D之金屬交錯層112、惠斯同電橋121、壓電材料122、第一溼度電極EH1、第二溼度電極EH2、第一壓力電極EP1、第二壓力電極EP2、第一電源電極ES1以及第二電源電極ES2。根據本發明之一實施例，溼度響應材料111以及金屬交錯層112形成溼度感測單元110。

如第1-3圖所示，溼度響應材料111設置於金屬交錯層112之間隔空間D之中。如第1、3圖所示，溼度感測裝置110電性連接至第一溼度電極EH1以及第二溼度電極EH2，並且於第一溼度電極EH1以及第二溼度電極EH2產生溼度信號。

如第1-3圖所示，壓電材料122透過惠斯同電橋121電性連接至第一壓力電極EP1、第二壓力電極EP2、第一電源電極ES1以及第二電源電極ES2，其中第一壓力電極EP1以及第二壓力電極EP2產生壓電信號。根據本發明之一實施例，第一電源電極ES1接收接地位準，第二電源電極ES2接收供應電壓。

如第2、3圖所示，感測裝置100更包括基板131，其中腔體132係形成於基板131中。感置100更包括磊晶層133、第一氧化層134、第一通孔135以及第一金屬層136。磊晶層133係設置於基板131以及腔體132之上且與基板131以及腔體132直接接觸，壓電材料122係形成於磊晶層133之中且與腔體132直接接觸。根據本發明之其他實施例，壓電材料122與腔體132可不直接接觸。

根據本發明之一些實施例，至少部分之壓電材料122係覆蓋腔體132。根據本發明之另一些實施例，壓電材料122之全部係覆蓋腔體132。根據本發明之一實施例，惠斯同電橋121、壓電材料122以及腔體132形成壓力感測單元120。

第一氧化層134設置於磊晶層133之上，第一通孔135係形成於第一氧化層134中。如第2圖所示，第一通孔135用以將壓電材料122之兩端電性連接至惠斯同電橋121。如第2、3圖所示，第一金屬層136設置於第一氧化層134之上，且用以形成金屬交錯層112、惠斯同電橋121、第一溼度電極EH1、第二溼度電極EH2、第一壓力電極EP1、第二壓力電極EP2、第一電源電極ES1以及第二電源電極ES2，溼度響應材料111再接著形成於金屬交錯層112之複數間隔空間D之中。

根據本發明之一實施例，如第1-3圖所示，溼度響應材料111以及金屬交錯層112係形成於腔體132之周圍，避免因水分吸附於溼度感測裝置110之上而影響壓力感測裝置120所產生之壓電信號之讀數，並且溼度響應材料111以及金屬交錯層112不會影響到壓電材料122發生形變的空間。

第4圖係顯示根據本發明之一實施例所述之壓電信號、溼度信號以及環境溼度之關係圖。如第4圖所示，關係圖400係顯示第1圖之第一溼度電極SH1以及第二溼度電極SH2所產生之溼度信號SH、第一壓力電極SP1以及第二壓力電極SP2所產生之壓電信號SP以及環境溼度AH之相對關係。

當僅使用第一溼度電極SH1以及第二溼度電極SH2所產生之溼度信號SH來指示環境溼度AH時，將會造成環境溼度AH顯著的誤差。因此，結合第一溼度電極SH1以及第二溼度電極SH2所產生之溼度信號SH以及第一壓力電極SP1以及第二壓力電極SP2所產生之壓電信號SP，將有利於還原真實的環境溼度AH。

第5圖係顯示根據本發明之另一實施例所述之感測裝置之上視圖。第6圖係顯示根據本發明之另一實施例所述之沿著第5圖之AA’之感測裝置之剖面圖。第7圖係顯示根據本發明之一實施例所述之第1圖之感測裝置之爆炸圖。以下將結合第5-7圖所示之感測裝置500，進行詳細說明。

將第5-7圖之感測裝置500與第1-3圖之感測裝置100相比，惠斯同電橋121移至第一金屬層136之下方，使得溼度響應材料111以及金屬交錯層112於第一金屬層136的面積得以提升，進而提升反應強度。相對的，在相同溼度響應材料111以及金屬交錯層112的面積之下，感測裝置500的面積較感測裝置100的電路面積更為縮小，即可維持相同的反應強度。

如第6、7圖所示，感測裝置500相較於感測裝置100更包括第二金屬層531以及第二氧化層532。第二金屬層531形成於第一氧化層134之上，且用以形成惠斯同電橋121。第二氧化層532形成於第一金屬層136以及第二金屬層531之間，並且第二通孔533設置於第二氧化層532之中。第二通孔533用以將惠斯同電橋121電性連接至第一金屬層136之第一壓力電極SP1、第二壓力電極SP2、第一電源電極ES1以及第二電源電極ES2。

根據本發明之其他實施例，在第二金屬層531以及第二氧化層532之間，感測裝置500可更包括其他的氧化層以及金屬層。根據本發明之一些實施例，感測裝置500可由標準的互補式金屬氧化物半導體製程所實現，並且整合數位電路及/或類比電路。

第8圖係顯示根據本發明之又一實施例所述之感測裝置之上視圖。第9圖係顯示根據本發明之又一實施例所述之沿著第8圖之AA’之感測裝置之剖面圖。第10圖係顯示根據本發明之又一實施例所述之第8圖之感測裝置之爆炸圖。以下將結合第8-10圖所示之感測裝置800，進行詳細說明。

將第8-10圖之感測裝置800與第1-3圖之感測裝置100相比，感測裝置800移除了磊晶層133以及第一氧化層134，並且包括第三氧化層831以及第四氧化層832。第三氧化層831形成於基板131以及腔體132之上，並且與基板131以及腔體132直接接觸。

根據本發明之一實施例，第三氧化層831作為形成腔體132之蝕刻停止層。第四氧化層832形成於上述第三氧化層831之上，且壓電材料122以及第一通孔135係形成於第四氧化層832中，其中第一通孔135電性連接於壓電材料122之兩端 。根據本發明之一實施例，壓電材料122係與第三氧化層831直接接觸。

根據本發明之一些實施例，感測裝置800之壓電材料122可利用沉積的方式形成於第三氧化層831之上，且不限於矽材料。相較於第1-3圖之感測裝置100以及第5-7圖之感測裝置500，感測裝置800之壓電材料122之選擇性較高。

第11圖係顯示根據本發明之又一實施例所述之感測裝置之上視圖。第12圖係顯示根據本發明之另一實施例所述之沿著第11圖之AA’之感測裝置之剖面圖。第13圖係顯示根據本發明之一實施例所述之第11圖之感測裝置之爆炸圖。以下將結合第11-13圖所示之感測裝置1100，進行詳細說明。

將第11-13圖之感測裝置1100與第8-10圖之感測裝置800相比，感測裝置1100同樣包括第三氧化層831以及第四氧化層832。第三氧化層831形成於基板131以及腔體132之上，並且與基板131以及腔體132直接接觸。

根據本發明之一實施例，第三氧化層831作為形成腔體132之蝕刻停止層。第四氧化層832形成於上述第三氧化層831之上，且壓電材料122以及第一通孔135係形成於第四氧化層832中，其中第一通孔135電性連接於壓電材料122之兩端。根據本發明之一實施例，壓電材料122係與第三氧化層831直接接觸。

根據本發明之一些實施例，感測裝置1100之壓電材料122可利用沉積的方式形成於第三氧化層831之上，且不限於矽材料。相較於第1-3圖之感測裝置100以及第5-7圖之感測裝置500，感測裝置1100之壓電材料122之選擇性較高。

將第11-13圖之感測裝置1100與第5-7圖之感測裝置500相比，感測裝置1100同樣包括第二金屬層531以及第二氧化層532。第二金屬層531形成於第四氧化層832之上，且用以形成惠斯同電橋121。第二氧化層532形成於第二金屬層531之上，且位於第一金屬層136以及第二金屬層531之間，並且第二通孔533設置於第二氧化層532之中。第二通孔533用以將惠斯同電橋121電性連接至第一金屬層136之第一壓力電極SP1、第二壓力電極SP2、第一電源電極ES1以及第二電源電極ES2。

根據本發明之其他實施例，在第二金屬層531以及第二氧化層532之間，感測裝置1100可更包括其他的氧化層以及金屬層。根據本發明之一些實施例，感測裝置1100可由標準的互補式金屬氧化物半導體製程所實現，並且整合數位電路及/或類比電路。

將第11-13圖之感測裝置1100與第1-3圖之感測裝置100以及第8-10圖之感測裝置800相比，惠斯同電橋121移至第一金屬層136之下方，使得溼度響應材料111以及金屬交錯層112於第一金屬層136的面積得以提升，進而提升反應強度。相對的，在相同溼度響應材料111以及金屬交錯層112的面積之下，感測裝置1100的面積較感測裝置100以及感測裝置800的電路面積更為縮小，即可維持相同的反應強度。

本發明提出了一種結合溼度感測器以及壓力感測裝置之感測裝置及其半導體結構，並且同時利用溼度感測裝置所產生之溼度信號以及壓力感測裝置之壓電信號指示環境溼度，使得測得之環境溼度更為準確。本發明提出之感測裝置之溼度響應材料係設置於壓力感測裝置之腔體的周圍，以避免擠壓壓電材料而造成壓電信號不準確。另外，惠斯同電橋可設置於溼度響應材料之下方，以增加溼度響應材料之面積效率或降低整體電路面積。

雖然本揭露的實施例及其優點已揭露如上，但應該瞭解的是，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本揭露之精神和範圍內，當可作更動、替代與潤飾。此外，本揭露之保護範圍並未侷限於說明書內所述特定實施例中的製程、機器、製造、物質組成、裝置、方法及步驟，任何所屬技術領域中具有通常知識者可從本揭露一些實施例之揭示內容中理解現行或未來所發展出的製程、機器、製造、物質組成、裝置、方法及步驟，只要可以在此處所述實施例中實施大抵相同功能或獲得大抵相同結果皆可根據本揭露一些實施例使用。因此，本揭露之保護範圍包括上述製程、機器、製造、物質組成、裝置、方法及步驟。另外，每一申請專利範圍構成個別的實施例，且本揭露之保護範圍也包括各個申請專利範圍及實施例的組合。

100, 500, 800, 1100:感測裝置

110:溼度感測單元

111:溼度響應材料

112:金屬交錯層

120:壓力感測單元

121:惠斯同電橋

122:壓電材料

131:基板

132:腔體

133:磊晶層

134:第一氧化層

135:第一通孔

136:第一金屬層

400:關係圖

531:第二金屬層

532:第二氧化層

533:第二通孔

831:第三氧化層

832:第四氧化層

D:間隔空間

EH1:第一溼度電極

EH2:第二溼度電極

EP1:第一壓力電極

EP2:第二壓力電極

ES1:第一電源電極

ES2:第二電源電極

SH:溼度信號

SP:壓電信號

AH:環境溼度

第1圖係顯示根據本發明之一實施例所述之感測裝置之上視圖； 第2圖係顯示根據本發明之一實施例所述之沿著第1圖之AA’之感測裝置之剖面圖； 第3圖係顯示根據本發明之一實施例所述之第1圖之感測裝置之爆炸圖； 第4圖係顯示根據本發明之一實施例所述之壓電信號、溼度信號以及環境溼度之關係圖； 第5圖係顯示根據本發明之另一實施例所述之感測裝置之上視圖； 第6圖係顯示根據本發明之另一實施例所述之沿著第5圖之AA’之感測裝置之剖面圖； 第7圖係顯示根據本發明之一實施例所述之第1圖之感測裝置之爆炸圖； 第8圖係顯示根據本發明之另一實施例所述之感測裝置之上視圖； 第9圖係顯示根據本發明之另一實施例所述之沿著第8圖之AA’之感測裝置之剖面圖； 第10圖係顯示根據本發明之一實施例所述之第8圖之感測裝置之爆炸圖； 第11圖係顯示根據本發明之又一實施例所述之感測裝置之上視圖； 第12圖係顯示根據本發明之另一實施例所述之沿著第11圖之AA’之感測裝置之剖面圖；以及 第13圖係顯示根據本發明之一實施例所述之第11圖之感測裝置之爆炸圖。

100:感測裝置

110:溼度感測單元

111:溼度響應材料

112:金屬交錯層

120:壓力感測單元

121:惠斯同電橋

122:壓電材料

132:腔體

EH1:第一溼度電極

EH2:第二溼度電極

EP1:第一壓力電極

EP2:第二壓力電極

ES1:第一電源電極

ES2:第二電源電極

D:間隔空間

Claims (11)

1. 一種感測裝置，包括：一壓力感測單元，用以產生一壓電信號，且包括一壓電材料以及一腔體，其中上述壓電材料形成於上述腔體之上；以及一溼度感測單元，用以產生一溼度信號，且包括一具有複數間隔空間之一金屬交錯層以及一溼度響應材料，其中上述溼度響應材料設置於上述間隔空間中；其中上述壓電信號以及上述溼度信號用以指示一環境溼度；其中上述金屬交錯層以及上述溼度響應材料形成於上述腔體之周圍。
2. 如請求項1之感測裝置，其中上述腔體係形成於一基板中，其中部分之上述壓電材料係覆蓋上述腔體。
3. 如請求項2之感測裝置，其中上述壓電材料係形成於一第一氧化層之上，其中上述第一氧化層係形成於上述基板以及上述腔體之上。
4. 如請求項1之感測裝置，其中上述壓電材料透過一惠斯同電橋而電性連接至一第一壓力電極以及一第二壓力電極，其中上述惠斯同電橋更電性連接至一第一電源電極以及一第二電源電極，其中上述第一電源電極接收一接地位準，上述第二電源電極接收一供應電壓，其中上述第一壓力電極以及上述第二壓力電極產生上述壓電信號。
5. 一種半導體結構，包括： 一基板，包括一腔體；一壓電材料，形成於上述基板之上，其中部分之上述壓電材料係覆蓋上述腔體；一第一通孔，形成於壓電材料之上，且電性連接上述壓電材料之兩端；以及一第一金屬層，形成於上述第一通孔之上，用以形成具有複數間隔空間之一金屬交錯層，其中上述金屬交錯層形成複數間隔空間；一濕度響應材料，設置於上述間隔空間中，其中上述金屬交錯層以及上述溼度響應材料係設置於上述腔體之周圍。
6. 如請求項5之半導體結構，其中上述第一金屬層更形成一第一溼度電極、一第二溼度電極、一第一壓力電極、一第二壓力電極、一第一電源電極以及一第二電源電極，其中上述金屬交錯層電性連接至上述第一溼度電極以及上述第二溼度電極。
7. 如請求項6之半導體結構，其中上述第一金屬層更形成一惠斯同電橋，上述惠斯同電橋透過上述第一通孔電性連接至上述壓電材料，上述惠斯同電橋電性連接至上述第一壓力電極、上述第二壓力電極、上述第一電源電極以及上述第二電源電極，且透過上述第一通孔電性連接至上述壓電材料。
8. 如請求項6之半導體結構，更包括：一第二金屬層，用以形成一惠斯同電橋，且上述惠斯同電橋透過上述第一通孔電性連接至上述壓電材料； 一第一氧化層，形成於上述第一金屬層以及上述第二金屬層之間；以及一第二通孔，形成於上述第一氧化層中，用以將上述惠斯同電橋電性連接至上述第一壓力電極、上述第二壓力電極、上述第一電源電極以及上述第二電源電極。
9. 如請求項6之半導體結構，其中上述第一溼度電極以及上述第二溼度電極用以產生一溼度信號，上述第一壓力電極以及上述第二壓力電極用以產生一壓力信號，上述第一電源電極以及上述第二電源電極分別接收一供應電壓以及一接地位準，其中上述溼度信號以及上述壓力信號用以指示一環境溼度。
10. 如請求項5之半導體結構，更包括：一第二氧化層，設置於上述基板與上述腔體之上，其中上述壓電材料係形成於上述第二氧化層之上且直接接觸。
11. 如請求項10之半導體結構，更包括：一第三氧化層，設置於上述第二氧化層之上，其中上述壓電材料以及上述第一通孔係形成於一第三氧化層中。

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