CN105264365A - 集成到半导体电路上的电容性传感器 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种位于半导体电路(例如ASIC)的保护层上的电容性传感器、以及一种制造此传感器的方法。所述系统及方法可包括：在保护层的位于ASIC的有源电路上方的部分上形成底部电极层及搭接盘(520)；在底部电极层及搭接盘上形成气体敏感层(530)；形成穿过气体敏感层以暴露搭接盘的一部分的通路(540)；在气体敏感层上形成顶部电极层(550)，其中顶部电极层完全覆盖底部电极层的表面区域，且其中形成顶部电极层的工艺在通路孔中沉积顶部电极层的一部分，从而在顶部电极层与搭接盘之间形成电连接。

Description

集成到半导体电路上的电容性传感器

技术领域

本发明大体而言涉及直接构建于半导体电路的最外部保护层的顶部上的电容性气体传感器。

背景技术

电容性气体传感器是所属领域中已知的，其具体实例是用于水蒸气(相对湿度)的测量。存在与所述传感器相关联的多种构造。一种构造使用被气体敏感材料覆盖的具有相反极性的叉指共面电极，其中增大气体浓度会使此种气体敏感材料的介电常数增大，从而增大平面电极之间的介电耦合并进而增大所述电极之间的有效电容。在叉指电极的情形中，两个电极均位于气体敏感材料的顶面下方，且通过场边缘效应(fieldfringingeffect)而发生所述平面电极之间的介电耦合。

另一种构造采用平行板状电极，在所述电极之间存在气体敏感材料层，使得改变气体浓度会改变所述气体敏感材料的介电常数并改变平行板电容器的电容。在FR2750494(US6,450,026)中阐述的一种平行板构造具有由高度多孔导电聚合物构成的顶部电极，所述高度多孔导电聚合物容许所选择的气体经由所述电极扩散到气体敏感材料中。此顶部电极材料经处理，以使得其紧密结合到气体敏感材料并具有化学惰性及环境耐用性。FR2750494及US6,450,026以引用的方式全文并入本文中。

电容性气体传感器的电容随气体浓度变化，且以能够电激发所述传感器的相关联电子器件来测量所述电容。制造电容性气体传感器的成本与所述传感器及相关联电子器件的物理尺寸相关联，因此期望将电容性气体传感器提供成尽可能小的而同时仍达成所需的准确度及信号噪声比。随着气体敏感电容器的尺寸减小，气体敏感电容器变得越来越容易受到与杂散电容(包括在互连及相关联电子器件中存在的寄生电容)相关联的信号劣化的影响。一种在使用较小电容器时减小寄生电容影响的方式是将相关联的电子器件定位成在物理上尽可能地靠近传感器。

伴随着电容性气体传感器的尺寸减小并因此电容性气体传感器的制造成本降低，期望减小相关联电子器件的尺寸及成本。可通过使用专用集成电路(applicationspecificintegratedcircuits；ASICS)来降低相关联电子器件的制造成本，所述专用集成电路以小的低成本构造来提供所有必要的功能。

市场上可买到以下装置，在所述装置中，叉指共面电容器电极设置于ASIC的一部分的顶部上且气体敏感材料层设置于共面传感器电极的顶部上以形成气体传感器。ASIC的具有叉指电容器电极的此种构造具有以下缺点：若叉指电容器电极直接位于ASIC的有源电路上方，则可能会发生耦合及干扰。这会导致需要更大的硅面积来容纳传感器电极以使所述传感器电极不位于有源电路上方。值得注意的是，通过在叉指电极之间及下方添加导电层并无法使叉指电极免受电路诱发(circuitry-induced)杂散耦合信号的影响，因为此导电层将显著增大叉指感测电极之间的基线电容性耦合。由于通过改变气体敏感层中的气体浓度而产生的信号被测量作为电容的变化百分比，故增大基线电容将会降低装置的敏感性。具有叉指电极的ASIC的另一个缺陷在于电极间电容对气体敏感材料层顶部上的异物具有非期望的敏感性。举例而言，气体敏感材料层的表面上的水滴或小的金属颗粒可通过扭曲由电极产生的边缘电场而显著改变电极之间的介电耦合。

一种替代装置具有两个单独的芯片：一个芯片具有构建于恰当基板顶部上的气体感测电容器，第二个芯片具有适当的电路。这种采用两个芯片的解决方案具有分离用于生产各部件的生产良率、工艺、及基板材料的优点。然而，这些芯片必须利用倒装芯片或焊线技术而电互连，而所述两者均会影响感测电容器的性能。此外，电性及机械封装的成本大于垂直集成的构造。

因此，需要一种直接构建于恰当半导体电路的顶部上的更小更有效的电容性气体传感器。

发明内容

本发明的实施例涉及一种由直接构建于标准半导体气体传感器ASIC的保护表面顶部上的平行板电容性气体传感器构成的气体传感器组件。此构造提供平行板传感器构造的有益效果同时容许具有尽可能最小的传感器尺寸。

本发明的目标是生产一种用于测量半导体电路顶部上的气体的电容性传感器，由此简化所述电容性传感器的制造。

除将被用于气体传感器的传感器以外，本发明还涉及制造这些传感器的方法。在优选实施例中，此方法涉及依序堆叠或形成薄金属层、气体敏感层、及多孔顶部电极。

一种在半导体电路的保护层上制造电容性传感器的方法可包括：在所述保护层的顶部上沉积金属层以覆盖电路，所述金属层被图案化以形成底部电极、用于将所述底部电极连接至第一焊盘的第一迹线、搭接盘、以及用于将所述搭接盘连接至第二焊盘的第二迹线，所述底部电极被定位成使得其位于所述半导体电路的具有有源电路的部分上方；在所述底部电极及所述搭接盘上沉积气体敏感层；形成穿过所述气体敏感层的通路孔以暴露出所述搭接盘；以及在所述气体敏感层上沉积多孔导电电极，以形成经由所述通路孔电连接至所述搭接盘的顶部电极，其中所述顶部电极的一部分完全覆盖所述底部电极的表面区域且所述顶部电极连接所述搭接盘。

在一实施例中，一种在ASIC(510)的保护层上制造电容性传感器的方法可包括：在所述保护层的位于所述ASIC的有源电路上方的部分上形成底部电极层及搭接盘(520)；在所述底部电极层及所述搭接盘上形成气体敏感层(530)；形成穿过所述气体敏感层到达所述搭接盘的通路孔(540)；在所述气体敏感层上形成顶部电极层(550)，其中所述顶部电极层完全覆盖所述底部电极层的表面区域，且其中所述形成所述顶部电极层的工艺包括以导电材料填充所述通路孔，从而在所述顶部电极层与所述搭接盘之间形成电连接。

在一实施例中，用于自沉积于所述保护层上的金属层形成所述底部电极层及搭接盘的工艺可包括光刻工艺、光刻抗蚀剂工艺、或湿蚀刻工艺。可使用旋转涂布工艺在所述底部电极层及所述搭接盘上形成气体敏感层。在一实施例中，所述方法还可包括利用光刻技术然后利用干蚀刻工艺或湿蚀刻工艺将图案施加至所述气体敏感层上。用于在所述气体敏感层上形成所述多孔顶部电极层的工艺可包括网版印刷、丝网印刷、移印、喷墨印刷或旋转涂布。在一实施例中，所述方法还可包括在所述顶部电极及所述ASIC上形成模塑化合物，使得所述模塑化合物中的开口将所述顶部电极暴露至周围环境且使得所述模塑化合物在所述开口周围沿所有模塑化合物边缘覆盖至少0.1mm的所述气体敏感材料。

一种气体传感器可包括：半导体电路(200)，具有顶部保护层(210)；金属底部电极(310)，位于所述半导体电路(200)的所述保护层(210)上，其中所述底部电极(310)位于所述半导体电路的包含有源电路的区域上方；金属搭接盘(330)，位于所述保护层(210)上并与所述底部电极(310)电分离；气体敏感层(340)，位于所述金属底部电极(310)及所述金属搭接盘(330)上，所述气体敏感层(340)具有穿过其限定的通路(350)；多孔顶部电极(320)，位于所述气体敏感层(340)上，其中由所述多孔顶部电极(320)形成的区域完全覆盖由所述金属底部电极(310)形成的区域，且其中所述多孔顶部电极(320)经由所述气体敏感层(340)中的所述通路(350)电连接至所述搭接盘(330)；以及第一金属迹线(390)及第二金属迹线(370)，所述第一金属迹线(390)用于将所述金属底部电极(310)连接至第一焊盘(380)，所述第二金属迹线(370)用于将所述搭接盘(330)连接至第二焊盘(360)。所述底部电极、搭接盘及两个连接迹线可自同一金属层被图案化(例如，通过选择性图案化)。在一实施例中，所述半导体电路通过对所述金属底部电极(310)施加信号并通过所述顶部电极测量由所述电容器移动的电荷来测量所述气体敏感层的电容。

在一实施例中，所述气体敏感层(340)覆盖所述第一金属迹线(390)及所述第二金属迹线(370)，从而防止所述多孔顶部电极(320)与所述金属底部电极(310)之间出现可由用于沉积所述顶部电极的工艺导致的电短路。在另一实施例中，所述气体传感器还可包括邻近所述多孔顶部电极(320)的模塑化合物(400)，所述模塑化合物(400)具有开口(410)，所述开口(410)将所述多孔顶部电极(320)暴露至周围环境，且其中所述模塑化合物中的所述开口(410)的每一侧覆盖至少0.1mm的所述气体敏感层(340)。在所述气体传感器中，所述多孔顶部电极(320)的面积可大于所述底部电极(310)的面积，从而使得即使在所述多孔顶部电极(320)与所述底部电极(310)错位时所述多孔顶部电极(320)也完全覆盖所述底部电极(310)。

附图说明

图1a显示集成到包括注塑化合物的半导体电路上的电容性传感器的实例性实施例的立体图；

图1b显示集成到不包括注塑化合物的半导体电路上的电容性传感器的实例性实施例的立体图；

图1c显示上面集成有电容性传感器的ASIC的实例性实施例的俯视图，包括底部电极、搭接盘、通路孔的对齐以及底部电极及搭接盘至其各自的焊盘的互连；

图2显示沿具有图1c所示ASIC构造的短边宽度的图1c的A-A截取的局部剖视图，包括顶部电极覆盖底部电极并经由气体敏感材料层中的通路孔进行接触；

图3显示沿图1c所示ASIC构造的长边的图1c的B-B截取的纵向剖视图，包括芯片封装材料在用于电容器连接的连接盘上方的交叠；

图4显示沿具有图1c所示ASIC构造的短边宽度的图1c的A-A截取的局部剖视图，包括下伏电路至底部电极的非期望的寄生电容性耦合；以及

图5是根据本发明实施例制造具有集成气体传感器的半导体电路的工艺流程图。

具体实施方式

现在将详细参照其实例例示于附图中的本发明的实例性实施例。

图1a显示集成到包括模塑化合物的半导体电路上的气体传感器的实例性实施例的立体图。具体而言，图1a显示气体传感器100，气体传感器100包括：专用集成电路(applicationspecificintegratedcircuit；ASIC)200；平行板电容性传感器300，位于ASIC200上；以及模塑化合物400，位于气体传感器100上方。模塑化合物400包括开口410，开口410将电容性传感器300暴露至周围环境以使得电容性传感器300可读取其被设计以用于感测的环境。

图1b显示不具有模塑化合物400的图1a所示的传感器100的等距视图。传感器300被显示为大致位于ASIC200的顶部中心处以例示装置的一个实施例。

图1c显示上面集成有传感器300的ASIC200的实例性实施例的立体图。为清晰起见未示出模塑化合物400。底部电极310可利用高精度半导体平版工艺形成，且在一实施例中可由薄金属层构成。在一个非限制性实施例中，底部电极可由金(Au)以及钨化钛(TiW)黏著层/障壁层形成。底部电极可位于半导体电路或ASIC的有源电路上方，此会导致形成相比于所具有的叉指电极未被置于有源电路顶部上的传感器而言更紧凑的设计。

多孔顶部电极320完全覆盖底部电极。本文中所用的用语“覆盖”意义在于顶部电极的足迹或面积与底部电极的足迹完全交叠从而形成本质上的平行板电容器，但并不暗指顶部电极与底部电极之间存在接触。在一实施例中，顶部电极为多孔电极。本文中所用的用语“多孔”意义在于对于所关注的气体而言并非为完全不透气的。可用于实施本发明的实施例的多孔电极的实例包括但不限于基于膜的多孔电极、填充有铂或碳颗粒的有机粘合剂等，所述实例仅以非限制性实例的方式给出。

利用工艺来制造顶部电极320以提供有利的多孔性及黏著性，此工艺相比于如在底部电极中用于以光刻方式将金属电极成像到半导体晶圆上的工艺而言大致具有更低的尺寸精度。对于给定介电特性及厚度的气体感测材料，电容性传感器的基线电容是由底部电极及顶部电极的覆盖确定。在一个非限制性实施例中，电容可介于约1.5pF与约10pF电容之间，然而，此仅为实例性的，且依特定应用的需要可使用各种其他范围(例如，约0.2pF至约20pF的范围)。为消除由使用具有相同尺寸的顶部电极及底部电极、以及沉积工艺的定位及几何公差所导致的不可避免的电容变化，在一实施例中顶部电极320所具有的表面面积可大于底部电极310的表面面积，如图1c所示。这样一来，可确保顶部电极在上方完全覆盖底部电极，从而即使在顶部电极错位时所述传感器的电容也将为一致的。只要所述错位不会使得顶部电极不再完全覆盖底部电极，所述电容就将为一致的。

图1c也显示焊盘360及380以及金属迹线370及390。在所示的实施例中，焊盘360通过金属迹线370电连接至搭接盘(其连接至顶部电极)。类似地，焊盘380通过金属迹线390电连接至底部电极。当在ASIC的保护层上形成金属底层时，所述金属底层被形成为使得所述底层的电极部接触金属迹线380且所述底层的搭接盘部接触金属迹线360。如将理解，焊盘是被设计作为ASIC一部分以使得气体传感器可随后制造于ASIC上的特征结构。如将进一步理解，焊盘360及380电连接至ASIC的用于确定被感测的环境(例如，气体)的电路。ASIC或半导体电路也可包括输出引线(图中未示出)，所述输出引线提供具有指示所检测的气体浓度的数据的信号。如所注意，半导体电路通过对金属底部电极(310)施加信号并通过顶部电极测量由电容器移动的电荷来测量气体敏感层的电容。然后，ASIC或半导体电路使用所述测量结果来确定被感测的环境。

图2显示沿具有图1c所示ASIC200的短边宽度的A-A的局部剖视图。在图2所示的实施例中，顶部电极320完全覆盖底部电极310并连接搭接盘330，以使顶部电极320与半导体电路电互连。气体感测材料层340在其中限定有填充以导电材料的开口或通路350，经由所述开口或通路350在顶部电极320与搭接盘330之间形成电接触。顶部电极沉积工艺应确保顶部电极320经由通路350与搭接盘330建立可靠的电互连。气体感测材料340可为介电材料。在一个非限制性实施例中，所述介电材料可为聚合物材料，例如具有约2微米厚度的聚合物膜。以再一非限制性实例的方式，如众所周知及用于湿度感测的商业用途中，可使用聚酰亚胺(有机聚合物)来形成气体敏感材料层。再进一步而言，应理解，气体敏感聚合物材料为所属领域中已知的，因此为简洁起见，在本文中不再对其进行进一步的说明。

图3显示沿图1c所示ASIC200的长边的B-B的纵向剖视图。此视图显示封装模塑化合物400在分别用于使顶部电极320及底部电极310互连至ASIC电路的焊盘360及380上方的交叠。在一实施例中，模塑化合物400覆盖电容器互连盘至少0.1mm，以确保模塑化合物中由被测量的所关注气体引起的小的变化不会影响感测电容器连接迹线或连接盘之间的介电耦合。

图4显示沿具有图1c所示ASIC200的宽度的A-A的局部剖视图。图4类似于图2，只是图4还示出半导体保护层下方的有源电路中的迹线如何能够电容性地耦合至底部电极。电容性耦合由连接至ASIC电路230的ASIC200中所示的电容器符号220表示。

在一实施例中，ASIC上的传感器是电容性湿度传感器。如图4所示，将电容性气体传感器直接安置于有源电路顶部上会产生下伏电路到电容器的底部电极的非预期的寄生电容性耦合。由于电容随气体浓度的变化相对于气体敏感材料在零浓度时的电容为小，故此额外的寄生电容性耦合可影响传感器电荷位移测量的准确度。此外，所述耦合可能是不可预测的或不可使用传统电路模塑工具而轻易地模制，因为底部电极下方的电路不以任何方式因气体感测电容器的存在而受到约束。为避免这些寄生连接的有害影响，在本发明的实施例中底部电极由已知电平的低阻抗电压驱动，且使用顶部电极测量因施加所述电压而由感测电容器所移动的电荷(其一部分是由于气体浓度)。感测电容器的底部电极上的电压、且因此从所述感测电容器移动的电荷不受至半导体保护表面下方的任何电路的寄生电容性耦合的影响。

为降低所得传感器组件的成本并提高其可靠性，使与气体感测电容器及其绝缘及互连相关联的处理不会损坏下伏电路是重要的。在实例性实施例中的半导体电路是使用标准且具有高成本效益的CMOS设计及制造基本原则来生产，且可构建于适用于所述应用的最大晶圆上(例如，具有200mm或300mm直径的硅晶圆)。此制造加工会产生具有暴露的电互连焊盘及测试盘的晶圆，其中所暴露的顶面的大部分以及所有互连电路均覆盖于氮化硅或二氧化硅或类似的保护层中。在本发明中，旨在使电容性气体传感器直接构建于此外部保护层的顶部上。

在根据本发明的一方面制造电容器及相关联的迹线及封装材料中的步骤是在足够低的温度下进行以避免造成损坏，否则将会有害地影响下伏有源半导体电路的性能或可靠性。底部电极及用于顶部电极的搭接盘是利用标准、低风险、低成本光刻工艺(例如，PVD溅镀或蒸镀)、光刻抗蚀剂成像(包括显影及条带)及湿蚀刻制造。气体敏感材料及多孔顶部电极不会损坏在标准CMOS处理结束时通常暴露于晶圆的表面上的材料，包括氮化硅、二氧化硅、铝、或硅自身。气体敏感层可利用典型晶圆处理技术(例如旋转涂布及烘烤)沉积，且可使用与在处理或半导体聚合物(包括光致抗蚀剂及聚酰亚胺)中所用的技术类似的光刻技术来图案化材料。多孔顶部电极材料可利用包括以下的多种低温技术沉积：丝网印刷、移印、喷墨印刷、或旋转涂布。所有后CMOS工艺中所需要的固化或烘烤温度均保持低于会对下伏电路造成损害的温度。

在一实施例中，可利用使用防止对半导体电路造成损害的低温的方法来构建具有集成气体传感器的半导体电路(例如ASIC)。现在参见图5，结合图2及图3，示出了根据本发明的方面例示处理步骤的简化逻辑流程或图500。在方框510中提供半导体电路，例如ASIC。所述半导体电路可包括位于顶部的保护层(210)、以及被暴露出的焊盘(360及380)。在方框520处，在保护层(210)上形成底部电极层(310)及搭接盘(330)以及用于将气体传感器的顶部电极(320)及底部电极(310)电连接至ASIC电路的金属迹线(370及390)。在方框530处，可形成气体敏感层(340)。在一种构造中，通过选择性图案化自同一金属层形成用于将底部电极及搭接盘连接至其各自的焊盘的金属迹线。气体敏感层(340)可为电介质，例如聚合物。在方框540处，使用光刻图案化技术在气体敏感层(340)中形成通路或孔(350)。在方框550处，使用低温技术(例如网版印刷、丝网印刷、移印、喷墨印刷或旋转涂布)在气体敏感层(340)上形成顶部电极层(320)。顶部电极层的沉积形成经由通路350至搭接盘330的电接触。在一个非限制性实例中，气体传感器的聚合物材料可能需要固化，且因此可在恰当温度下对结构进行烘烤达给定时间。

尽管以上阐述了各实例性实施例及实施方式，但所属领域的技术人员将理解在不背离本发明的精神及范围的条件下可对本发明作出各种修改及变化。

Claims (10)

1.一种在半导体电路的保护层上制造电容性传感器的方法，所述保护层具有暴露出第一焊盘(360)及第二焊盘(380)的开口，其特征在于，所述方法包括：

在所述保护层(520)上形成金属层并将所述金属层图案化，以形成底部电极及搭接盘、以及用于将所述底部电极及所述搭接盘连接至其各自的焊盘的金属迹线，所述底部电极被定位成使所述底部电极位于所述半导体电路的具有有源电路的部分上方；

在所述底部电极与所述搭接盘(530)上形成气体敏感层；

形成穿过所述气体敏感层到达所述搭接盘的通路(540)；

在所述气体敏感层(550)上形成多孔电极，所述多孔电极经由所述通路孔电连接至所述搭接盘，其中顶部电极的一部分完全覆盖所述底部电极的表面区域且所述顶部电极的另一部分接触所述搭接盘。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在所述顶部电极及ASIC上形成模塑化合物，使得所述模塑化合物中的开口将所述顶部电极暴露至周围环境且使得所述模塑化合物在所述开口周围沿所有模塑化合物边缘覆盖至少0.1mm的所述气体敏感层。

3.一种在ASIC的保护层上制造电容性传感器的方法，其特征在于，所述方法包括：

利用低温工艺在所述保护层的位于所述ASIC的有源电路上方的部分上形成底部电极层及搭接盘(520)；

在所述底部电极层及所述搭接盘上形成气体敏感层(530)；

形成穿过所述气体敏感层到达所述搭接盘的通路(540)；

利用低温工艺在所述气体敏感层上形成顶部电极层(550)，其中所述顶部电极层完全覆盖所述底部电极层的表面区域，且其中所述形成所述顶部电极层的步骤在所述通路中沉积所述顶部电极层的一部分，从而在所述顶部电极层与所述搭接盘之间形成电连接。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，还包括在所述顶部电极层及所述ASIC上形成模塑化合物，使得所述模塑化合物中的开口将所述顶部电极层暴露至周围环境且使得所述模塑化合物在所述开口周围沿所有模塑化合物边缘覆盖至少0.1mm的所述气体敏感层。

5.一种气体传感器，其特征在于，包括：

半导体电路(200)，具有顶部保护层(210)；

金属底部电极(310)，位于所述半导体电路(200)的所述保护层(210)上，其中所述金属底部电极(310)位于所述半导体电路的包含有源电路的区域上方，

金属搭接盘(330)，位于所述保护层(210)上并与所述金属底部电极(310)电分离；

气体敏感层(340)，位于所述金属底部电极(310)及所述金属搭接盘(330)上，所述气体敏感层(340)包含通路孔(350)，所述通路孔(350)暴露出所述搭接盘的一部分；

多孔顶部电极(320)，位于所述气体敏感层(340)上，其中由所述多孔顶部电极(320)形成的区域完全覆盖由所述金属底部电极(310)形成的区域，且其中所述多孔顶部电极(320)经由所述气体敏感层(340)中的所述通路孔(350)电连接至所述搭接盘(330)；以及

第一金属迹线(390)及第二金属迹线(370)，所述第一金属迹线(390)位于所述金属底部电极(310)与第一焊盘(380)之间，所述第二金属迹线(370)位于所述搭接盘(330)与第二焊盘(360)之间；

其中所述半导体电路通过对所述金属底部电极(310)施加信号并通过所述多孔顶部电极测量由所述气体敏感层的电容移动的电荷来测量所述电容。

6.如权利要求5所述的气体传感器，其特征在于，其中气体敏感层(340)覆盖所述第一金属迹线(390)及所述第二金属迹线(370)，从而防止所述多孔顶部电极(320)与所述金属底部电极(310)之间出现电短路。

7.如权利要求5所述的气体传感器，其特征在于，还包括邻近所述多孔顶部电极(320)的模塑化合物(400)，所述模塑化合物(400)具有开口(410)，所述开口(410)将所述多孔顶部电极(320)暴露至周围环境，且其中所述模塑化合物中的所述开口(410)的每一侧覆盖至少0.1mm的所述气体敏感层(340)。

8.如权利要求5所述的气体传感器，其特征在于，其中所述多孔顶部电极(320)的面积大于所述金属底部电极(310)的面积，从而使得即使在所述多孔顶部电极(320)与所述底部电极(310)错位时所述多孔顶部电极(320)也完全覆盖所述底部电极(310)。

9.一种气体传感器，其特征在于，包括：

半导体电路，能够通过施加电压及测量所形成的位移电荷来测量平行板电容性传感器的电容；

金属层，直接形成于所述半导体电路的保护层的外表面上并位于所述半导体电路的包含有源电路的表面区域上方，其中所述金属层形成所述电容性气体传感器的底部电极、用于连接所述电容性气体传感器的顶部多孔电极的搭接盘、以及用于将所述底部电极与所述搭接盘二者连接至单独的焊盘的迹线，所述底部电极、所述搭接盘及所述迹线连接至所述半导体电路并作为所述半导体电路的ASIC制造工艺的一部分而形成；

气体敏感材料层，被沉积于所述半导体电路的外表面上的覆盖所述金属层的保护层上，所述气体敏感层被图案化以界定通路孔，所述通路孔用于将多孔顶部电极电连接至所述搭接盘并暴露出所述半导体电路的所述焊盘；

多孔顶部电极，被沉积于所述敏感层上以完全覆盖在所述金属层中形成的所述底部电极图案并形成与所述搭接盘的电连接；

其中所述半导体电路通过对所述底部电极施加信号并通过所述顶部电极测量由电容器移动的电荷来测量所述气体敏感层的电容。

10.如权利要求9所述的传感器构造，其特征在于，其中所述气体敏感层用以在大于所述顶部电极的最大面积的区域上覆盖用于将所述底部电极连接至其焊盘的所述金属迹线以及用于将顶部电极搭接盘连接至其焊盘的所述金属迹线，从而防止所述多孔顶部电极与所述底部电极之间出现电短路。