JP2014075469A - 気相成長装置 - Google Patents

Abstract

【課題】装置の構成が簡易で小型の気相成長装置を提供する。
【解決手段】
本発明に係る気相成長装置１は、円板状からなりチャンバー本体３側に着脱可能に設置されて基板５を保持する基板保持部７ｂを備えるサセプタ７と、サセプタ７における基板保持部７ｂ以外の部位を覆うようにサセプタ７上に載置されるサセプタカバー９と、サセプタ７とサセプタカバー９をチャンバー２の内外に搬送する搬送アーム１９と、サセプタ７またはサセプタカバー９を下方から突き上げて昇降可能に支持する突き上げ昇降機構１５とを備えたことを特徴とするものである。
【選択図】図１

Description

本発明は、反応炉内に設置された基板上に原料ガスを供給して前記基板上に薄膜を成長させる気相成長装置に関する。

気相成長法は、薄膜の原料をガス状態にして基板上に供給し、化学反応により基板表面に原料を堆積させる薄膜形成法である。例えば、青色発光ダイオード、緑色発光ダイオードや紫色レーザダイオードの材料となる窒化ガリウム系半導体薄膜は、原料として有機金属を用いるＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition:有機金属気相成長）法により製造される。

気相成長法を利用して半導体薄膜を成膜する気相成長装置としては、例えば、特許文献1に開示されるものがある。特許文献１の気相成長装置は、気相成長の反応炉となるチャンバーに複数枚の基板を載置し、上面をサセプタカバーで覆われたサセプタを設置し、チャンバー中央に配置されたノズルから、半導体薄膜の材料を含む原料ガスを全方位に供給して基板上に半導体薄膜を気相成長させる自公転型の気相成長装置である。

このような気相成長装置においては、成膜が終了すると、サセプタやサセプタカバー等の部材に反応生成物が付着する。これらの生成物を放置して成膜を継続すると、生成物に含まれる構成金属の一部が成膜時に液状となってチャンバー内に拡散して、成膜に悪影響を与える恐れがある。そのため、使用後のサセプタ等を使用前のものに交換する必要がある。
そこで、特許文献１の気相成長装置では、サセプタカバーを吸着保持して昇降可能な保持装置と、該保持装置とサセプタカバーの受渡可能かつサセプタカバーを搬入出可能な搬送装置とを有しており、これらを用いてサセプタカバーを交換する（特許文献１の段落［００４０］〜［００４２］を参照）。

特開２０１０−２５５０８３

しかし、特許文献１の保持装置はサセプタカバーの交換のみ用いるものであり、サセプタの交換のための他の機構を別途設けなければならず、そのため気相成長装置自体が複雑で大型化するという問題があった。また、特許文献１の保持装置は、サセプタカバーを吸着によって保持するものであるため、吸着面に微細なゴミなどが存在すると吸着保持を確実性にできない可能性があった。さらに、サセプタカバーは比較的軽量であるため吸着可能あるが、サセプタ等の重量物には適用しにくいという問題もある。

本発明は、かかる課題を解決するためになされたものであり、装置の構成をコンパクト化した気相成長装置を提供することを目的とする。

（１）本発明に係る気相成長装置は、チャンバー本体とチャンバー蓋とに上下に分割可能なチャンバー内に設置された基板上に原料ガスを供給して前記基板上に薄膜を成長させる気相成長装置であって、
前記気相成長装置は、
円板状からなり前記チャンバー本体側に着脱可能に設置されて前記基板を保持する基板保持部を備えるサセプタと、
該サセプタにおける前記基板保持部以外の部位を覆うように該サセプタ上に載置されるサセプタカバーと、
前記サセプタと前記サセプタカバーを前記チャンバーの内外に搬送する搬送アームと、
前記サセプタまたは前記サセプタカバーを下方から突き上げて昇降可能に支持する突き上げ昇降機構とを備えたことを特徴とするものである。

（２）また、上記（１）に記載のものにおいて、前記サセプタの外周部には複数の貫通孔が設けられており、
前記突き上げ昇降機構は、前記チャンバー本体の外周部に昇降可能に立設された複数の突き上げ棒と、前記サセプタを回転させて前記各貫通孔の位置と前記突き上げ棒の上端面との相対位置を制御することによって、前記突き上げ棒を上昇させる際に、前記各貫通孔を貫通させるか、貫通させないかを選択する機能とを有することを特徴とするものである。

（３）また、上記（２）に記載のものにおいて、前記気相成長装置は、前記サセプタを回転させるサセプタ回転機構と、前記サセプタの回転角度を測定する回転角度センサーと、該回転角度センサーによって測定された前記サセプタの回転角度を入力して、前記サセプタ回転機構を制御してサセプタの回転角度を調整し、前記突き上げ昇降機構の動作制御を行う制御部とを有していることを特徴とするものである。

（４）また、上記（３）に記載のものにおいて、前記サセプタは前記貫通孔から前記サセプタの径外方向に延びて前記サセプタの外周部を切り欠く切欠き部を有していることを特徴とするものである。

（５）また、上記（１）乃至（４）のいずれかに記載のものにおいて、前記制御部は、前記搬送アームの動作制御を行う機能を有し、前記突き上げ昇降機構で支持した前記サセプタまたは前記サセプタカバーを前記搬送アームで受取って搬送するように制御することを特徴とするものである。

本発明においては、サセプタまたはサセプタカバーを下方から突き上げて昇降可能に支持する突き上げ昇降機構とを備えたことにより、搬送アームとのサセプタとサセプタカバーの受渡が単一の機構でできるため、他の機構を別途備えずともよく、小型の気相成長装置を提供することができる。また、本発明はサセプタ等の下方から突き上げて保持するものであるため、特許文献１の気相成長装置にあるような保持の不確実性の問題もなく、また、比較的重量物であるサセプタの保持にも容易に適用できる。

本発明の実施の形態にかかる気相成長装置の立断面図である。 図１の気相成長装置を構成する部材について説明する説明図であって、サセプタの平面図である。 図１の気相成長装置を構成する部材について説明する説明図であって、サセプタカバーの平面図である。 図１の気相成長装置を構成する部材について説明する説明図であって、搬送アームの平面図である。 図１の気相成長装置を構成する部材について説明する説明図であって、チャンバー本体の平面図である。 図１の気相成長装置を用いた搬送方法の一例における１工程について説明する説明図である（その１）。 図１の気相成長装置を用いた搬送方法の一例における１工程について説明する説明図である（その２）。 図１の気相成長装置を用いた搬送方法の一例における１工程について説明する説明図である（その３）。 図６〜図８の搬送方法の他の搬送方法における１工程について説明する説明図である（その１）。 図６〜図８の搬送方法の他の搬送方法における１工程について説明する説明図である（その２）。 図６〜図８の搬送方法の他の搬送方法における１工程について説明する説明図である（その３）。 図２のサセプタの他の態様について説明する説明図である。

本発明の一実施の形態にかかる気相成長装置１は、図１に示すように、チャンバー本体３とチャンバー蓋４とに上下に分割可能なチャンバー２と、円板状からなりチャンバー本体３側に着脱可能に設置されて、気相成長のための基板５を保持する基板保持部７ｂ（図２参照）を備えるサセプタ７と、サセプタ７における基板保持部７ｂ以外の部位を覆うようにサセプタ７上に載置されるサセプタカバー９と、サセプタ７と対向するようにかつ着脱可能に設置されて原料ガスの流路Ｌを形成する天井板１１と、サセプタ７とサセプタカバー９をチャンバー２の内外に搬送する搬送アーム１９（図４、図６〜図１１参照）と、サセプタ７の回転角度を測定する回転角度センサー２０と、サセプタ７またはサセプタカバー９を下方から突き上げて昇降可能に支持する突き上げ昇降機構１５と、制御部１６とを備えている。
以下、各構成を詳細に説明する。

＜チャンバー＞
チャンバー２は、図１に示すように、概形が偏平して両端が閉じた円筒状からなる。チャンバー２は、有底円筒状からなるチャンバー本体３と、チャンバー本体３の開口側を覆う有底円筒状からなるチャンバー蓋４とに上下に分割可能になっている。
チャンバー本体３は、開口側を上にして固定して設けられている。チャンバー蓋４は、開口側を下にしてチャンバー本体３の上方に昇降可能に設けられている。
チャンバー本体３とチャンバー蓋４は、図１に示すように、チャンバー蓋４を下降させて開口部同士を合わせることで密閉された円筒状になり、基板５（図２参照）上に半導体薄膜を成膜するための反応炉となる。
チャンバー本体３およびチャンバー蓋４の材質には、耐食性に優れたステンレスを用いることができる。
なお、上記では、チャンバー蓋４は上下方向のみに移動するものを例として説明したが、所定の位置まで上下方向に移動するとともに水平方向に移動してもよい。

＜サセプタ＞
サセプタ７は、図２の平面図に示すように、中央に後述するノズル部１３の上部が挿通可能な開口部７ａを有する円環板状からなり、チャンバー本体３内に設けられたサセプタ回転機構８に着脱可能にかつ回転可能に設置されている（図１参照）。
開口部７ａの周りには、薄膜が形成される基板５が保持される基板保持部７ｂが周方向に等間隔に複数設けられている。なお、図２は基板保持部７ｂに基板５を載置した状態を示している。
サセプタ７の外周部には、３つの貫通孔７ｃが設けられている。貫通孔７ｃは突き上げ昇降機構１５の突き上げ棒１５ａ（詳細は後述する）が貫通可能になっている。
なお、サセプタ７の材質には、例えばカーボンを用いることができる。また、基板５の材質は、成膜する半導体薄膜の材料に合わせて選択される。

＜サセプタカバー＞
サセプタカバー９は、図３の平面図に示すように、平面視でサセプタ７とほぼ同形の円環板状からなり、中央にノズル部１３の上部が挿入可能な開口部９ａと、開口部９ａの周りに複数の開口部９ｂとを有している。
サセプタカバー９は、サセプタ７上に載置されて原料ガスによる汚染や酸化等からサセプタ７を保護するものである。サセプタカバー９がサセプタ７上に載置されると、サセプタカバー９の上面とサセプタ７の基板保持部７ｂに載置された基板５との上面とが面一になるようになっており、これらの面と天井板１１の下面とで原料ガスの流路Ｌが形成されている。なお、サセプタカバー９の材質には、例えば石英が用いられる。

＜天井板＞
天井板１１は、平面視でサセプタ７よりも一回り大きな円板状からなり、中央にノズル部１３の上部が挿入されて嵌合可能な開口部を有しており、図１に示すように、サセプタカバー９の上方に、サセプタカバー９の上面から所定の間隔を離して対向するように設置されている。天井板１１の開口部にはノズル部１３の上部が挿入されて嵌合している。
このように、天井板１１がチャンバー本体３側に設置されると、天井板１１の下面とサセプタカバー９の上面とで、半導体薄膜を成膜するための原料ガスの流路Ｌを形成する（図１参照）。なお、天井板１１の材質には、例えば石英を用いることができる。

＜ノズル部＞
ノズル部１３は、チャンバー本体３の中央に設置されて、天井板１１を支持するとともに、原料ガスの流路Ｌに原料ガスを供給する。
ノズル部１３は、図１に示すように、円柱の一端が外方に張り出した形状からなる第１ノズル壁１３ａと、第１ノズル壁１３ａの円柱の直径よりも大径の管状であって一端にフランジを有する第２ノズル壁１３ｂと、第２ノズル壁１３ｂよりも大径の管状であって一端にフランジを有する第３ノズル壁１３ｃと、第３ノズル壁１３ｃよりもさらに大径の管状であって一端にフランジを有する第４ノズル壁１３ｄとが入れ子状に配置されている。

第１ノズル壁１３ａ、第２ノズル壁１３ｂ、第３ノズル壁１３ｃおよび第４ノズル壁１３ｄの隣り合う部材同士で形成される空間は、原料ガスのガス導入路Ｆとなっている。ガス導入路Ｆには図示しない原料ガス供給部からそれぞれ原料ガスが供給されて、ノズル部１３から噴出される。例えば、成膜する半導体薄膜が窒化ガリウムである場合には、原料ガス供給部からそれぞれ有機金属ガスと、アンモニアガスと、パージガスとが供給される（図１中の矢印参照）。

ノズル部１３から噴出される原料ガスは、サセプタカバー９の上面と天井板１１の下面とで形成される原料ガスの流路Ｌ内を、チャンバー本体３の中央から外周に向かって流れて、チャンバー本体３の外周に設けられた排出口３ａから排出される（図１中の矢印参照）。これにより、サセプタ７に載置された基板５の表面上に半導体薄膜が形成される。
なお、原料ガスの材料は、成膜する半導体薄膜の種類等に合わせて選択される。また、ノズル部１３は、図１に示す構成に限定されるものではなく、天井板１１を支持するとともに、原料ガスの流路Ｌに原料ガスを供給可能な構成であればよい。

＜突き上げ昇降機構＞
突き上げ昇降機構１５は、図５に示すように、チャンバー本体３に設置されたサセプタ７の各貫通孔７ｃと同位置に配置可能に設置された３本の突き上げ棒１５ａと、これら突き上げ棒１５ａの上端面を常時はサセプタ７の下方に位置させ（図６参照）、動作時にはサセプタカバー９の上面よりも上方に上昇させる（図７参照）昇降手段１５ｂとを有する。突き上げ昇降機構１５は、サセプタ７を下方から突き上げて支持することで、図６に示すように、サセプタ７に載置されているサセプタカバー９ごとサセプタ７を昇降可能になっている。
なお、図５は、サセプタ７等を取り外して、チャンバー本体３の底部が見えるようにした状態を図示したものである。

また、回転角度センサー２０を用いてサセプタ７の回転角度を測定し、該測定された回転角度に基づいてサセプタ７を回転させて貫通孔７ｃを突き上げ棒１５ａの上端の真上に位置するように位置合わせして（図９参照）突き上げ棒１５ａを上昇させることで、図１０に示すように、突き上げ棒１５ａは貫通孔７ｃを貫通してサセプタカバー９のみを突き上げて支持して昇降させることができる。
このように、突き上げ棒１５ａを上昇させる際に、平面視における貫通孔７ｃと突き上げ棒１５ａの上端の相対位置を調整して、突き上げ棒１５ａで貫通孔７ｃを貫通させるかさせないか、貫通させないかを選択することによってサセプタカバー９ごとサセプタ７を突き上げるか、サセプタカバー９のみを突き上げるかを選択することができる。

なお、突き上げ棒１５ａは、サセプタ７の外周方向に等間隔かつ３本以上設置されることが好ましい。これにより、上記のようにサセプタ７を安定して支持することができる。
また、サセプタ７の貫通孔７ｃの数は、上記では３つとしたが、突き上げ棒１５ａの数に応じて適宜増減させてもよい。

＜天井板外周支持部＞
天井板外周支持部１７は、図１に示すように、天井板１１の外周側にあって、チャンバー本体３またはチャンバー蓋４のいずれか一方に着脱可能になっている。天井板外周支持部１７がチャンバー蓋４に装着されると、チャンバー２の開閉時に、チャンバー蓋４の昇降と連動して、天井板外周支持部１７が昇降するようになっている。このとき天井板１１の外周部が天井板外周支持部１７によって支持されて、天井板１１も昇降する。

他方、天井板外周支持部１７がチャンバー本体３に装着されると、チャンバー２の開閉時に、天井板外周支持部１７に天井板１１が載置されたまま、チャンバー蓋４のみを上昇させることができる。
このように、天井板外周支持部１７は、チャンバー２の開閉にともなって天井板１１を昇降させない場合にはチャンバー本体３に装着され、昇降させたい場合にはチャンバー蓋４に装着される。

＜搬送アーム＞
搬送アーム１９は、チャンバー２の外に設置され、サセプタ７、サセプタカバー９、天井板１１のいずれか１つ以上または全部をチャンバー２の内外に搬送する。
搬送アーム１９は、図４に示すように平面視が略Ｕ字状の板を、図６〜図１１に示すように上下２段（上段部１９ａおよび下段部１９ｂ）有している。上段部１９ａおよび下段部１９ｂは、Ｕ字の曲線部で連結部１９ｃによって連結されている。

上段部１９ａおよび下段部１９ｂは、図４に示すように平面視でほぼ同じ大きさになっており、サセプタ７やサセプタカバー９を載置すると、これらの外周部がはみ出すような大きさに設定されている。
また、上段部１９ａおよび下段部１９ｂは、後述する突き上げ棒１５ａを上昇させた状態で、これら間を通過してチャンバー本体３の上方に搬送アーム１９が侵入可能な大きさや形状に設定されている。
上段部１９ａと下段部１９ｂの間隔、すなわち連結部１９ｃの高さは、突き上げ昇降機構１５の突き上げ棒１５ａの稼動範囲を勘案して、搬送アーム１９と突き上げ昇降機構１５との搬送対象の部材の受け渡しが円滑に行われるように設定される。

＜制御部＞
制御部１６は、サセプタ回転機構８、突き上げ昇降機構１５、天井板外周支持部１７、搬送アーム１９の動作を制御する。具体的には、例えば、サセプタ回転機構８によるサセプタ７の回転の開始および停止、サセプタ７のチャンバー本体３との相対的な回転角度の調整、突き上げ昇降機構１５の突き上げ棒１５ａを昇降させるための昇降手段１５ｂの動作、天井板外周支持部１７のチャンバー本体３またはチャンバー蓋４への装着、チャンバー蓋４の昇降、搬送アーム１９のチャンバー２内外への搬送を制御する。なお、制御部１６の設置場所は、突き上げ昇降機構１５、天井板外周支持部１７、搬送アーム１９の動作の制御が可能であれば、特に限定されない。

以上のように構成された本実施の気相成長装置１において、気相成長で使用した後のサセプタ７とサセプタカバー９を搬出する方法について、以下に図１、図６〜図８に基づいて説明する。
各工程における気相成長装置１の構成要素の動作は、制御部１６により制御する。

図１に示す気相成長装置１の状態を気相成長処理後の状態として説明する。図１に示すように、チャンバー蓋４は、チャンバー本体３に接しており、チャンバー２は閉じた状態になっている。
使用後のサセプタ７はサセプタ回転機構８に支持されている。このサセプタ７にはサセプタカバー９が載置されている。また、サセプタ７の基板保持部７ｂには基板５が載置されている。

突き上げ昇降機構１５の突き上げ棒１５ａの上端面は、サセプタ７よりも下方に位置している。天井板外周支持部１７は、チャンバー蓋４に装着されている。
搬送アーム１９はチャンバー２外で待機している。搬送アーム１９の上段部１９ａおよび下段部１９ｂには何も載置されていない状態である。
上記の状態を初期位置として、以下に説明する第１〜第３工程を順次行う。

（第１工程）
まず、天井板外周支持部１７をチャンバー本体３に装着して、チャンバー蓋４を初期位置から搬送アーム１９の上段部１９ａよりも高い位置まで上昇させることでチャンバー２を開放する（図６参照）。このとき、天井板外周支持部１７はチャンバー蓋４に装着されているため、チャンバー蓋４が上昇することによって天井板外周支持部１７および天井板１１は上昇する。

（第２工程）
次に、突き上げ昇降機構１５の突き上げ棒１５ａを初期位置から上昇させることで、使用後のサセプタ７を搬送アーム１９の下段部１９ｂの高さまで突き上げる（図７参照）。
突き上げ棒１５ａを上昇させる際には、回転角度センサー２０を用いてサセプタ７の回転角度を測定し、該測定された回転角度に基づいてサセプタの回転角度を調整する。より具体的には、サセプタ７の貫通孔７ｃが突き上げ棒１５ａによって貫通される位置にある場合は、サセプタ回転機構８を用いてサセプタ７を回転させて、突き上げ棒１５ａが貫通孔７ｃを貫通しないように貫通孔７ｃの位置をずらす。
このようにすることでサセプタカバー９ごとサセプタ７を突き上げることができる。

（第３工程）
次に、搬送アーム１９を水平方向に移動させて、搬送アーム１９の上段部１９ａを突き上げられたサセプタカバー９の上方に位置させ、これとともに、搬送アーム１９の下段部１９ｂを突き上げられたサセプタ７の下方に位置させる。
その後、突き上げ棒１５ａを下降させることで、サセプタ７を搬送アーム１９の下段部１９ｂに載置する。このようにしてサセプタ７を搬送アーム１９に受渡す。突き上げ棒１５ａはそのまま下降させて初期位置の状態に戻す（図８参照）。
その後、搬送アーム１９をチャンバー２外に移動させる。これにより使用後のサセプタ７等がチャンバー２外に搬出される。搬出後は、サセプタ７に載置された気相成長後の基板５を回収することができる。また、搬出されたサセプタ７等は洗浄することができる。

搬送アームの下段部１９ｂに、使用前のサセプタカバー９が載置されたサセプタ７を載置した状態で上記第１工程〜第３工程を逆の手順で行うことによって、使用前のサセプタ７およびサセプタカバー９を搬入してチャンバー本体側３に設置することができる。つまり、チャンバー２外に待機させた搬送アーム１９の下段部１９ｂにサセプタカバー９を重ねたサセプタ７を載置しておき、次いで搬送アーム１９をチャンバー本体３の上方に移動させる。次いで、突き上げ棒１５ａを初期位置から上昇させて、搬送アーム１９に載置されているサセプタ７を突き上げて突き上げ棒１５ａで支持する。次いで、搬送アーム１９をチャンバー２外に退避さる。次いで、突き上げ棒１５ａを下降させることでサセプタ７をチャンバー本体３側に設置する。
このようにしてサセプタ７とサセプタカバー９の交換が完了する。その後、チャンバー蓋４を下降させてチャンバー２を閉じれば、再び気相成長を行うことができる。

上記では、サセプタ７およびサセプタカバー９の交換について説明したが、図９に示すように、サセプタ回転機構８を用いてサセプタ７を回転させて、突き上げ棒１５ａが貫通孔７ｃを貫通するように貫通孔７ｃの位置を予め合せておけば、上記第２工程において突き上げ棒１５ａを上昇させる際に、突き上げ棒１５ａがサセプタ７の貫通孔７ｃを貫通して、サセプタカバー９のみを突き上げることができる（図１０参照）。
このようにすることで、上記第３工程においてサセプタカバー９のみを搬送アーム１９に受け渡して（図１１参照）搬出することができる。

また、搬送アームの下段部１９ｂに、使用前のサセプタカバー９を載置した状態で上記第１工程〜第３工程を逆の手順で行うことによって、使用前のサセプタカバー９を搬入してサセプタ７に載置することができる。つまり、チャンバー２外に待機させた搬送アーム１９の下段部１９ｂにサセプタカバー９を載置しておき、次いで搬送アーム１９をチャンバー本体３の上方に移動させる。次いで、突き上げ棒１５ａを初期位置から上昇させて、搬送アーム１９に載置されているサセプタカバー９を突き上げて突き上げ棒１５ａで支持する。次いで、搬送アーム１９をチャンバー２外に退避さる。次いで、突き上げ棒１５ａを下降させることでサセプタカバー９をサセプタ７上に載置する。
このようにしてサセプタカバー９の交換が完了する。その後、チャンバー蓋４を下降させてチャンバー２を閉じれば、再び気相成長を行うことができる。

以上のように、本実施の形態においては、サセプタ７またはサセプタカバー９を下方から突き上げて昇降可能に支持する突き上げ昇降機構とを備えたことにより、搬送アーム１９とのサセプタ７とサセプタカバー９の受渡が単一の機構（突き上げ昇降機構１５）でできるため、他の機構を別途備えずともよく、気相成長装置化を図ることができる。また、本実施の形態においては、サセプタ７等の下方から突き上げることで実現でき、特許文献１のように吸引装置等の装置を設けずともよいため、装置の構成を簡易にできる。

なお、サセプタ７は、上記では貫通孔７ｃが円形状のものを示したが、突き上げ棒１５ａが貫通できるような形状であればよく、例えば、図１２に示すように、貫通孔７ｃと貫通孔７ｃからサセプタ７の径外方向に延びてサセプタ７の外周部を切り欠く切欠き部７ｄとが連通しているような形状でもよい。こうすることで、気相成長処理時に、チャンバー２の内部が高温になって、サセプタ７の内部に温度差がついた状況でもサセプタ７が割れたり、サセプタ７に亀裂が入ったりすることを防止することができ、サセプタ７の寿命低下を防止することができる。

Ｌ 流路
Ｆ ガス導入路
１ 気相成長装置
２ チャンバー
３ チャンバー本体
３ａ 排出口
４ チャンバー蓋
５ 基板
７ サセプタ
７ａ 開口部
７ｂ 基板保持部
７ｃ 貫通孔
７ｄ 切欠き部
８ サセプタ回転機構
９ サセプタカバー
９ａ 開口部
９ｂ 開口部
１１ 天井板
１３ ノズル部
１３ａ 第１ノズル壁
１３ｂ 第２ノズル壁
１３ｃ 第３ノズル壁
１３ｄ 第４ノズル壁
１５ 突き上げ昇降機構
１５ａ 突き上げ棒
１５ｂ 昇降手段
１６ 制御部
１７ 天井板外周支持部
１９ 搬送アーム
１９ａ 上段部
１９ｂ 下段部
１９ｃ 連結部
２０ 回転角度センサー

Claims (5)

1. チャンバー本体とチャンバー蓋とに上下に分割可能なチャンバー内に設置された基板上に原料ガスを供給して前記基板上に薄膜を成長させる気相成長装置であって、
   前記気相成長装置は、
   円板状からなり前記チャンバー本体側に着脱可能に設置されて前記基板を保持する基板保持部を備えるサセプタと、
   該サセプタにおける前記基板保持部以外の部位を覆うように該サセプタ上に載置されるサセプタカバーと、
   前記サセプタと前記サセプタカバーを前記チャンバーの内外に搬送する搬送アームと、
   前記サセプタまたは前記サセプタカバーを下方から突き上げて昇降可能に支持する突き上げ昇降機構とを備えたことを特徴とする気相成長装置。
2. 前記サセプタの外周部には複数の貫通孔が設けられており、
   前記突き上げ昇降機構は、前記チャンバー本体の外周部に昇降可能に立設された複数の突き上げ棒と、前記サセプタを回転させて前記各貫通孔の位置と前記突き上げ棒の上端面との相対位置を制御することによって、前記突き上げ棒を上昇させる際に、前記各貫通孔を貫通させるか、貫通させないかを選択する機能とを有することを特徴とする請求項１に記載の気相成長装置。
3. 前記気相成長装置は、前記サセプタを回転させるサセプタ回転機構と、前記サセプタの回転角度を測定する回転角度センサーと、該回転角度センサーによって測定された前記サセプタの回転角度を入力して、前記サセプタ回転機構を制御してサセプタの回転角度を調整し、前記突き上げ昇降機構の動作制御を行う制御部とを有していることを特徴とする請求項２に記載の気相成長装置。
4. 前記サセプタは前記貫通孔から前記サセプタの径外方向に延びて前記サセプタの外周部を切り欠く切欠き部を有していることを特徴とする請求項３に記載の気相成長装置。
5. 前記制御部は、前記搬送アームの動作制御を行う機能を有し、前記突き上げ昇降機構で支持した前記サセプタまたは前記サセプタカバーを前記搬送アームで受取って搬送するように制御することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の気相成長装置。

Images