JP2014055280A - 接着剤組成物、接着フィルムおよび貼付方法 - Google Patents
接着剤組成物、接着フィルムおよび貼付方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014055280A JP2014055280A JP2013117292A JP2013117292A JP2014055280A JP 2014055280 A JP2014055280 A JP 2014055280A JP 2013117292 A JP2013117292 A JP 2013117292A JP 2013117292 A JP2013117292 A JP 2013117292A JP 2014055280 A JP2014055280 A JP 2014055280A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- adhesive composition
- wafer
- adhesive
- elastomer
- composition according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J9/00—Adhesives characterised by their physical nature or the effects produced, e.g. glue sticks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J109/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of conjugated diene hydrocarbons
- C09J109/06—Copolymers with styrene
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
- C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
- C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
- C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
- C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
- C09J7/35—Heat-activated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
- C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
- C09J7/38—Pressure-sensitive adhesives [PSA]
- C09J7/381—Pressure-sensitive adhesives [PSA] based on macromolecular compounds obtained by reactions involving only carbon-to-carbon unsaturated bonds
- C09J7/387—Block-copolymers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
- C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
- C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
- C09J2301/304—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier the adhesive being heat-activatable, i.e. not tacky at temperatures inferior to 30°C
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68318—Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/6834—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/28—Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer
- Y10T428/2852—Adhesive compositions
- Y10T428/2878—Adhesive compositions including addition polymer from unsaturated monomer
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Adhesive Tapes (AREA)
Abstract
【解決手段】本発明に係る接着剤組成物は、エラストマーを主成分とする接着剤組成物であって、上記接着剤組成物を用いて形成した接着層の、220℃における貯蔵弾性率(G’)が20,000Pa以上、および、220℃における損失弾性率(G”)が20,000Pa以上の少なくとも一方を満たす。
【選択図】なし
Description
本発明に係る接着剤組成物は、エラストマーを主成分としており、上記接着剤組成物を用いて形成した接着層の220℃における貯蔵弾性率(G’)が20,000Pa以上、および220℃における損失弾性率(G”)が20,000Pa以上の少なくとも一方を満たす。
本発明に係る接着剤組成物に含まれるエラストマーは、接着剤組成物の主成分であり、当該接着剤組成物を用いて形成した接着層において、220℃における貯蔵弾性率(G’)が20,000Pa以上、および220℃における損失弾性率(G”)が20,000Pa以上の少なくとも一方を満たすものであればよい。
また、本発明に係る接着剤組成物は、炭化水素樹脂を含んでいてもよい。炭化水素樹脂は、炭化水素骨格を有し、単量体組成物を重合してなる樹脂である。炭化水素樹脂として、シクロオレフィン系ポリマーが挙げられる。
本発明に係る接着剤組成物に含まれる溶剤(主溶剤)は、エラストマーを溶解する機能を有していればよく、例えば、非極性の炭化水素系溶剤、並びに、極性および無極性の石油系溶剤等を用いることができる。
本発明に係る接着剤組成物は、必要に応じて熱重合禁止剤を含有していてもよい。熱重合禁止剤は、熱によるラジカル重合反応を防止する機能を有する。具体的には、熱重合禁止剤は、ラジカルに対して高い反応性を示すため、モノマーよりも優先的に反応してモノマーの重合を禁止する。接着剤組成物は、熱重合禁止剤を含むことにより、高温環境下(特に、250℃〜350℃)において重合反応が抑制される。
本発明に係る接着剤組成物は、本発明における接着剤組成物の本質的な特性を損なわない範囲において、混和性を有する他の成分をさらに含んでいてもよい。他の成分としては、例えば、接着剤組成物の性能を改良するための付加的樹脂、可塑剤、接着補助剤、安定剤、着色剤および界面活性剤等の、慣用されている各種添加剤が挙げられる。
本発明に係る接着剤組成物の調製方法は特に限定されず、公知の方法を用いればよいが、例えば、エラストマーを溶剤に溶解させ、既存の攪拌装置を用いて、各組成を攪拌することにより、本発明に係る接着剤組成物を得ることができる。
本発明に係る接着剤組成物はウエハと当該ウエハの支持体とを貼り付け、積層体を形成するために用いられる。
本発明に係る接着剤組成物によって接着されたウエハと支持体とを、上記の反応層を変質すること等によって分離した後に、接着層を除去する場合、上述の溶剤を用いれば容易に溶解して除去することができる。また、上記の反応層等を用いずに、ウエハと支持体とを接着した状態で接着層に直接、溶剤を供給することによって、容易に接着層が溶解して当該接着層が除去され、ウエハと支持体とを分離することができる。この場合、接着層への溶剤の供給効率を上げるため、支持体には貫通した穴が設けられていることがより好ましい。
本発明に係る接着剤組成物は、用途に応じて様々な利用形態を採用することができる。例えば、接着剤組成物を液体状態のまま、所望する接着層の膜厚に応じて適宜、公知の方法を用いて、被加工体であるウエハ上や支持体上に塗布し、乾燥させて接着層を形成する方法を採用してもよく、或いは、可撓性フィルム等のフィルム上に接着剤組成物を塗布し、乾燥させて接着層を形成することにより接着フィルムとした後、当該接着フィルムを、被加工体であるウエハや支持体に貼り付ける方法を採用してもよい。
本発明に係る貼付方法は、本発明に係る接着剤組成物を用いて、ウエハに支持体を貼り付ける貼付工程を包含することを特徴としている。本発明に係る接着剤組成物を用いて、ウエハと支持体とを貼り付けて形成される積層体は、加熱処理時における反りが抑制される。
実施例1〜14および比較例1〜3において使用したエラストマー(炭化水素樹脂)、熱重合禁止剤、主溶剤、添加溶剤を、以下の表4〜7に示す。なお、表4〜7に記載の「部」は、全て重量部である。
また、調製した実施例1〜14、比較例1〜3の接着剤組成物について、220℃における貯蔵弾性率(G’)および損失弾性率(G”)を、動的粘弾性測定装置を用いて測定した。まず、調製した接着剤組成物を、離型剤付のポリエチレンフィルムに塗布し、大気圧下のオーブンで100℃、180℃で各60分間焼成して接着層を形成した(厚さ0.5mm)。ポリエチレンフィルムから剥がした接着層の貯蔵弾性率(G’)および損失弾性率(G”)を、動的粘弾性測定装置(VAR100、Fischer社製)を用いて測定した。測定条件を、サンプル形状が厚さ1mmおよび直径φ25mm、並びにパラレルプレートφ25mmを用い、周波数10Hzのせん断条件において、室温から220℃まで、速度5℃/分で昇温する条件とし、220℃における貯蔵弾性率(G’)および損失弾性率(G”)を測定した。表4〜6に示すように、実施例1〜14については、220℃における貯蔵弾性率(G’)および損失弾性率(G”)が20,000Pa以上であった。また、表7に示すように、比較例1〜3については、220℃における貯蔵弾性率(G’)および損失弾性率(G”)が20,000Pa未満であった。
半導体ウエハ基板(12インチ、シリコン)に接着剤組成物を膜厚50μmでスピン塗布し、100℃、160℃、220℃の温度で各5分間ベークし、接着層を形成した。
真空下、215℃、4000kgの条件で5分間、532nmのレーザ吸収を示す反応層を兼ね備えたベアのガラス支持体(12インチ)とウエハとの貼り合わせを行い積層体とした。その際、その後の薄化工程および熱工程でウエハの破損またはウエハの面内均一性の低下につながる貼付不良(未接着部分)が無いことを確認した。
ウエハに対し、ガラス面から532nmのレーザ照射を行い、ガラス支持体と接着層との間で分離した。ガラス支持体を取り除いたウエハは、p−メンタンでスピン洗浄することで接着層を残渣なく除去することができた。実施例1〜14の結果を表4〜6に示し、比較例1〜3の結果を表7に示す。
Claims (10)
- エラストマーを主成分とする接着剤組成物であって、上記接着剤組成物を用いて形成した接着層の、220℃における貯蔵弾性率(G’)が20,000Pa以上、および、220℃における損失弾性率(G”)が20,000Pa以上の少なくとも一方を満たすことを特徴とする接着剤組成物。
- 上記エラストマーは、スチレン基を含んでいることを特徴とする請求項1に記載の接着剤組成物。
- 上記エラストマーは、主鎖の両末端がスチレン基であることを特徴とする請求項2に記載の接着剤組成物。
- 上記エラストマーのスチレン基含有量は、10重量%以上、65重量%以下であることを特徴とする請求項2または3に記載の接着剤組成物。
- 上記エラストマーの質量平均分子量は、50,000以上、150,000以下であることを特徴とする請求項1〜4の何れか一項に記載の接着剤組成物。
- 上記エラストマーは、水添物であることを特徴とする請求項1〜5の何れか一項に記載の接着剤組成物。
- 上記エラストマーは、ブロック共重合体であることを特徴とする請求項1〜6の何れか一項に記載の接着剤組成物。
- ウエハと支持体とを接着するために用いられ、上記ウエハは、上記支持体と接着した後に220℃以上の環境下に曝されるウエハであることを特徴とする請求項1〜7の何れか一項に記載の接着剤組成物。
- フィルム上に、請求項1〜8の何れか一項に記載の接着剤組成物を含有する接着層が形成されていることを特徴とする接着フィルム。
- 請求項1〜8の何れか一項に記載の接着剤組成物を用いて、ウエハに支持体を貼り付ける貼付工程を包含することを特徴とする貼付方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013117292A JP6128970B2 (ja) | 2012-08-13 | 2013-06-03 | 接着剤組成物、接着フィルム、貼付方法、および処理方法 |
KR1020130091419A KR101798687B1 (ko) | 2012-08-13 | 2013-08-01 | 접착제 조성물, 접착 필름 및 첩부 방법 |
US13/960,645 US20140044962A1 (en) | 2012-08-13 | 2013-08-06 | Adhesive composition, film adhesive, and bonding method |
TW102128287A TWI609061B (zh) | 2012-08-13 | 2013-08-07 | 接著劑組成物、接著薄膜及貼附方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012179312 | 2012-08-13 | ||
JP2012179312 | 2012-08-13 | ||
JP2013117292A JP6128970B2 (ja) | 2012-08-13 | 2013-06-03 | 接着剤組成物、接着フィルム、貼付方法、および処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014055280A true JP2014055280A (ja) | 2014-03-27 |
JP6128970B2 JP6128970B2 (ja) | 2017-05-17 |
Family
ID=50066379
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013117292A Active JP6128970B2 (ja) | 2012-08-13 | 2013-06-03 | 接着剤組成物、接着フィルム、貼付方法、および処理方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20140044962A1 (ja) |
JP (1) | JP6128970B2 (ja) |
KR (1) | KR101798687B1 (ja) |
TW (1) | TWI609061B (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015195266A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-05 | 日東電工株式会社 | ダイシングシート付きダイボンドフィルム、半導体装置、及び、半導体装置の製造方法 |
JP2017079274A (ja) * | 2015-10-21 | 2017-04-27 | Jsr株式会社 | 基材の処理方法、半導体装置およびその製造方法 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016112975A1 (de) * | 2015-01-14 | 2016-07-21 | Ev Group E. Thallner Gmbh | Verfahren und vorrichtung zum lösen eines substrats von einem substratstapel |
KR20180052810A (ko) * | 2016-11-10 | 2018-05-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치용 커버 윈도우 및 이를 포함하는 표시 장치 |
CN110003825A (zh) * | 2019-04-10 | 2019-07-12 | 广东绿洲化工有限公司 | 一种铝材粘接用的硅烷偶联剂改性sbs胶粘剂及其制备方法 |
EP3959264A4 (en) * | 2019-04-26 | 2022-12-28 | Avient Corporation | THERMOPLASTIC ELASTOMER GEL |
KR102452666B1 (ko) * | 2021-07-28 | 2022-10-07 | 주식회사 지오니어 | 애슬레저 소재용 열활성 접착테이프 |
Citations (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11265960A (ja) * | 1998-03-18 | 1999-09-28 | Hitachi Chem Co Ltd | 金属製補強材付き半導体装置 |
JP2000178526A (ja) * | 1998-12-17 | 2000-06-27 | Hitachi Chem Co Ltd | 電子部品用接着剤、接着フィルム及びこれらを用いた半導体装置 |
JP2001131501A (ja) * | 1999-11-04 | 2001-05-15 | Hitachi Chem Co Ltd | 三層接着フィルム、半導体チップ搭載用基板及び半導体装置 |
JP2002285109A (ja) * | 2001-03-22 | 2002-10-03 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着シートならびに半導体装置およびその製造方法 |
JP2006169446A (ja) * | 2004-12-17 | 2006-06-29 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 接着剤組成物およびカバーレイフィルム |
JP2006339652A (ja) * | 2005-06-03 | 2006-12-14 | Ls Cable Ltd | 半導体用ダイシングダイ接着フィルム |
JP2007129016A (ja) * | 2005-11-02 | 2007-05-24 | Nitto Denko Corp | 半導体装置製造用接着シート |
JP2008007584A (ja) * | 2006-06-28 | 2008-01-17 | Okayama Prefecture | 異種部材の接合方法及び異種部材接合品 |
JP2008101104A (ja) * | 2006-10-19 | 2008-05-01 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 硬化性組成物 |
JP2009111276A (ja) * | 2007-10-31 | 2009-05-21 | Namics Corp | ダイボンディング用熱硬化性フィルム及びこれを用いた半導体装置の製造方法 |
JP2010001387A (ja) * | 2008-06-20 | 2010-01-07 | Fujikura Ltd | エポキシ系接着樹脂組成物、接着剤フィルム、カバーレイ、金属張積層板、プリント配線基板 |
JP2012036269A (ja) * | 2010-08-05 | 2012-02-23 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 接着剤組成物 |
JP2013032516A (ja) * | 2011-07-05 | 2013-02-14 | Dexerials Corp | 蛍光体シート形成用樹脂組成物 |
JP2013093564A (ja) * | 2011-10-04 | 2013-05-16 | Hitachi Chemical Co Ltd | ダイボンディング用樹脂ペースト、半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
JP2013127014A (ja) * | 2011-12-16 | 2013-06-27 | Hitachi Chemical Co Ltd | 接着シート |
WO2013108816A1 (ja) * | 2012-01-17 | 2013-07-25 | 電気化学工業株式会社 | 多層シート、太陽電池用バックシート及び太陽電池モジュール |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2981143B2 (ja) * | 1994-05-17 | 1999-11-22 | 日東電工株式会社 | 再剥離性粘着剤、粘着テープもしくはシート、及びこれらを用いたファスニングシステム |
TW311927B (ja) * | 1995-07-11 | 1997-08-01 | Minnesota Mining & Mfg | |
JP4780828B2 (ja) * | 2000-11-22 | 2011-09-28 | 三井化学株式会社 | ウエハ加工用粘着テープ及びその製造方法並びに使用方法 |
US6730595B2 (en) * | 2000-12-12 | 2004-05-04 | Mitsui Chemicals, Inc. | Protecting method for semiconductor wafer and surface protecting adhesive film for semiconductor wafer used in said method |
US20080200011A1 (en) * | 2006-10-06 | 2008-08-21 | Pillalamarri Sunil K | High-temperature, spin-on, bonding compositions for temporary wafer bonding using sliding approach |
JP5368845B2 (ja) * | 2008-06-17 | 2013-12-18 | 東京応化工業株式会社 | 接着剤組成物、接着フィルムおよび熱処理方法 |
JP5661669B2 (ja) * | 2011-09-30 | 2015-01-28 | 東京応化工業株式会社 | 接着剤組成物、接着フィルムおよび基板の処理方法 |
-
2013
- 2013-06-03 JP JP2013117292A patent/JP6128970B2/ja active Active
- 2013-08-01 KR KR1020130091419A patent/KR101798687B1/ko active IP Right Grant
- 2013-08-06 US US13/960,645 patent/US20140044962A1/en not_active Abandoned
- 2013-08-07 TW TW102128287A patent/TWI609061B/zh active
Patent Citations (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11265960A (ja) * | 1998-03-18 | 1999-09-28 | Hitachi Chem Co Ltd | 金属製補強材付き半導体装置 |
JP2000178526A (ja) * | 1998-12-17 | 2000-06-27 | Hitachi Chem Co Ltd | 電子部品用接着剤、接着フィルム及びこれらを用いた半導体装置 |
JP2001131501A (ja) * | 1999-11-04 | 2001-05-15 | Hitachi Chem Co Ltd | 三層接着フィルム、半導体チップ搭載用基板及び半導体装置 |
JP2002285109A (ja) * | 2001-03-22 | 2002-10-03 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着シートならびに半導体装置およびその製造方法 |
JP2006169446A (ja) * | 2004-12-17 | 2006-06-29 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 接着剤組成物およびカバーレイフィルム |
JP2006339652A (ja) * | 2005-06-03 | 2006-12-14 | Ls Cable Ltd | 半導体用ダイシングダイ接着フィルム |
JP2007129016A (ja) * | 2005-11-02 | 2007-05-24 | Nitto Denko Corp | 半導体装置製造用接着シート |
JP2008007584A (ja) * | 2006-06-28 | 2008-01-17 | Okayama Prefecture | 異種部材の接合方法及び異種部材接合品 |
JP2008101104A (ja) * | 2006-10-19 | 2008-05-01 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 硬化性組成物 |
JP2009111276A (ja) * | 2007-10-31 | 2009-05-21 | Namics Corp | ダイボンディング用熱硬化性フィルム及びこれを用いた半導体装置の製造方法 |
JP2010001387A (ja) * | 2008-06-20 | 2010-01-07 | Fujikura Ltd | エポキシ系接着樹脂組成物、接着剤フィルム、カバーレイ、金属張積層板、プリント配線基板 |
JP2012036269A (ja) * | 2010-08-05 | 2012-02-23 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 接着剤組成物 |
JP2013032516A (ja) * | 2011-07-05 | 2013-02-14 | Dexerials Corp | 蛍光体シート形成用樹脂組成物 |
JP2013093564A (ja) * | 2011-10-04 | 2013-05-16 | Hitachi Chemical Co Ltd | ダイボンディング用樹脂ペースト、半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
JP2013127014A (ja) * | 2011-12-16 | 2013-06-27 | Hitachi Chemical Co Ltd | 接着シート |
WO2013108816A1 (ja) * | 2012-01-17 | 2013-07-25 | 電気化学工業株式会社 | 多層シート、太陽電池用バックシート及び太陽電池モジュール |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015195266A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-05 | 日東電工株式会社 | ダイシングシート付きダイボンドフィルム、半導体装置、及び、半導体装置の製造方法 |
JP2017079274A (ja) * | 2015-10-21 | 2017-04-27 | Jsr株式会社 | 基材の処理方法、半導体装置およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20140044962A1 (en) | 2014-02-13 |
JP6128970B2 (ja) | 2017-05-17 |
TWI609061B (zh) | 2017-12-21 |
KR20140021966A (ko) | 2014-02-21 |
TW201412916A (zh) | 2014-04-01 |
KR101798687B1 (ko) | 2017-11-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6128970B2 (ja) | 接着剤組成物、接着フィルム、貼付方法、および処理方法 | |
JP5680128B2 (ja) | 接着剤組成物、接着フィルム、及び貼付方法 | |
JP2014037458A (ja) | 接着剤組成物、接着フィルムおよび貼付方法 | |
JP6034625B2 (ja) | 剥離方法 | |
JP5661669B2 (ja) | 接着剤組成物、接着フィルムおよび基板の処理方法 | |
JP6216575B2 (ja) | 接着剤組成物及び接着フィルム | |
JP6194394B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP6059507B2 (ja) | 接着剤組成物及び接着フィルム | |
JP2014034632A (ja) | 接着剤組成物および接着フィルム並びに接着方法 | |
JP6085161B2 (ja) | 接着剤組成物及び接着フィルム | |
JP6063737B2 (ja) | 接着剤組成物、接着フィルムおよび基板の処理方法 | |
JP6247871B2 (ja) | 積層体、積層体形成キットおよび積層体形成方法 | |
JP6128837B2 (ja) | 接着剤組成物の製造方法、接着剤組成物及び接着フィルム | |
KR101777895B1 (ko) | 접착제 조성물, 접착 필름 및 기판의 처리 방법 | |
KR20130095223A (ko) | 접착제 조성물 및 접착 필름 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160316 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20161117 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161129 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170119 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170404 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170411 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6128970 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R157 | Certificate of patent or utility model (correction) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R157 |