JP2014053606A - 発光素子 - Google Patents
発光素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014053606A JP2014053606A JP2013180900A JP2013180900A JP2014053606A JP 2014053606 A JP2014053606 A JP 2014053606A JP 2013180900 A JP2013180900 A JP 2013180900A JP 2013180900 A JP2013180900 A JP 2013180900A JP 2014053606 A JP2014053606 A JP 2014053606A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- light emitting
- connection part
- electrode
- semiconductor layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 241
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 9
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 8
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 118
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 118
- 239000000463 material Substances 0.000 description 42
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 42
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 42
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 37
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 35
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 34
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 34
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 30
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 30
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 30
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 30
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 23
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 22
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 20
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 description 18
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 15
- 229960001296 zinc oxide Drugs 0.000 description 13
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 12
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 12
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 12
- SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N stibanylidynetin;hydrate Chemical compound O.[Sn].[Sb] SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 9
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N indium;oxozinc;tin Chemical compound [In].[Sn].[Zn]=O HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 7
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 6
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 6
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 6
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 6
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 5
- -1 Indium-Aluminum-Zinc Chemical compound 0.000 description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- DZLPZFLXRVRDAE-UHFFFAOYSA-N [O--].[O--].[O--].[O--].[Al+3].[Zn++].[In+3] Chemical compound [O--].[O--].[O--].[O--].[Al+3].[Zn++].[In+3] DZLPZFLXRVRDAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910017944 Ag—Cu Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910002668 Pd-Cu Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 3
- 229910019897 RuOx Inorganic materials 0.000 description 3
- RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N aluminum gallium Chemical compound [Al].[Ga] RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N gallium tin Chemical compound [Ga].[Sn] YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 3
- VRIVJOXICYMTAG-IYEMJOQQSA-L iron(ii) gluconate Chemical compound [Fe+2].OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O.OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O VRIVJOXICYMTAG-IYEMJOQQSA-L 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 3
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N nickel(II) oxide Inorganic materials [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AUCDRFABNLOFRE-UHFFFAOYSA-N alumane;indium Chemical compound [AlH3].[In] AUCDRFABNLOFRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000000071 blow moulding Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/08—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a plurality of light emitting regions, e.g. laterally discontinuous light emitting layer or photoluminescent region integrated within the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
- H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
- H01L33/385—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending at least partially onto a side surface of the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
- H01L33/405—Reflective materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)
Abstract
【課題】電流集中を防止し、電気的信頼性を向上させる発光素子、発光素子パッケージ、ライトユニットを提供する。
【解決手段】伝導性支持部材７０、第１導電型の第１半導体層１１、第１半導体層の下に第１活性層１２、及び第１活性層の下に第２導電型の第２半導体層１３を含み、伝導性支持部材の上に配置された第１発光構造物１０、第１発光構造物の下部周りと第２発光構造物２０の下部周りに配置されたチャンネル層３０、第１半導体層に電気的に連結された第１電極８０、第２半導体層に電気的に連結された第２電極８３、第３半導体層２１に電気的に連結された第３電極８５、第４半導体層に電気的に連結された第４電極８７、第１電極と伝導性支持部材に電気的に連結された第１連結部９０、第２電極と第３電極に電気的に連結された第２連結部９５、及び第４電極と電気的に連結され、一端がチャンネル層の上に配置された第３連結部９７を含む。
【選択図】図１
【解決手段】伝導性支持部材７０、第１導電型の第１半導体層１１、第１半導体層の下に第１活性層１２、及び第１活性層の下に第２導電型の第２半導体層１３を含み、伝導性支持部材の上に配置された第１発光構造物１０、第１発光構造物の下部周りと第２発光構造物２０の下部周りに配置されたチャンネル層３０、第１半導体層に電気的に連結された第１電極８０、第２半導体層に電気的に連結された第２電極８３、第３半導体層２１に電気的に連結された第３電極８５、第４半導体層に電気的に連結された第４電極８７、第１電極と伝導性支持部材に電気的に連結された第１連結部９０、第２電極と第３電極に電気的に連結された第２連結部９５、及び第４電極と電気的に連結され、一端がチャンネル層の上に配置された第３連結部９７を含む。
【選択図】図１
Description
本発明は、発光素子、発光素子パッケージ、及びライトユニットに関するものである。
発光素子の１つとして発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）が多く使われている。発光ダイオードは、化合物半導体の特性を用いて電気信号を赤外線、可視光線、紫外線のような光の形態に変換する。
発光素子の光効率が増加するにつれて、表示装置、照明機器を始めとする多様な分野に発光素子が適用されている。
本発明の目的は、電流集中を防止し、電気的信頼性を向上させることができる発光素子、発光素子パッケージ、ライトユニットを提供することにある。
本発明の一態様に従う発光素子は、伝導性支持部材、第１導電型の第１半導体層、前記第１半導体層の下に第１活性層、前記第１活性層の下に第２導電型の第２半導体層を含み、前記伝導性支持部材の上に配置された第１発光構造物、第１導電型の第３半導体層、前記第３半導体層の下に第２活性層、前記第２活性層の下に第２導電型の第４半導体層を含み、前記伝導性支持部材の上に配置された第２発光構造物、前記第１発光構造物の下部周りと前記第２発光構造物の下部周りに配置されたチャンネル層、前記第１半導体層に電気的に連結された第１電極、前記第２半導体層に電気的に連結された第２電極、前記第３半導体層に電気的に連結された第３電極、前記第４半導体層に電気的に連結された第４電極、前記第１電極と前記伝導性支持部材に電気的に連結された第１連結部、前記第２電極と前記第３電極に電気的に連結された第２連結部、及び前記第４電極と電気的に連結され、一端が前記チャンネル層の上に配置された第３連結部を含む。
本発明の一態様に従う発光素子、発光素子パッケージ、ライトユニットは、電流集中を防止し、電気的信頼性を向上させることができる長所がある。
本発明を説明するに当たって、各層（膜）、領域、パターン、または構造物が、基板、各層（膜）、領域、パッド、またはパターンの“上／の上（on）”に、または“下／の下（under）”に形成されることと記載される場合において、“上／の上（on）”と“下／の下（under）”は、“直接（directly）”または“他の層を介して（indirectly）”形成されることを全て含む。また、各層の上／の上または下／の下に対する基準は、図面を基準として説明する。
図面において、各層の厚さやサイズは説明の便宜及び明確性のために誇張、省略、または概略的に図示された。また、各構成要素のサイズは実際のサイズを全的に反映するものではない。
以下、添付した図面を参照して実施形態に従う発光素子、発光素子パッケージ、ライトユニット、及び発光素子製造方法に対して詳細に説明する。
図１は、本発明の実施形態に従う発光素子を示す図である。
実施形態に従う発光素子は、図１に示すように、第１発光構造物１０、第２発光構造物２０、第１電極８０、第２電極８３、第３電極８５、第４電極８７、及び伝導性支持部材７０を含むことができる。
図１では、一例として前記伝導性支持部材７０の上に前記第１発光構造物１０及び前記第２発光構造物２０が配置された場合を示したが、前記伝導性支持部材７０の上には３個以上の発光構造物が配置されることもできる。前記複数の発光構造物は電気的に連結できる。例として、前記複数の発光構造物は電気的に直列構造で連結できる。
前記第１発光構造物１０は、第１導電型の第１半導体層１１、第１活性層１２、及び第２導電型の第２半導体層１３を含むことができる。前記第１活性層１２は、前記第１導電型の第１半導体層１１と前記第２導電型の第２半導体層１３との間に配置できる。前記第１活性層１２は前記第１導電型の第１半導体層１１の下に配置されることができ、前記第２導電型の第２半導体層１３は前記第１活性層１２の下に配置できる。
例として、前記第１導電型の第１半導体層１１が第１導電型ドパントとしてｎ型ドーパントが添加されたｎ型半導体層で形成され、前記第２導電型の第２半導体層１３が第２導電型ドーパントとしてｐ型ドーパントが添加されたｐ型半導体層で形成できる。また、前記第１導電型の第１半導体層１１がｐ型半導体層で形成され、前記第２導電型の第２半導体層１３がｎ型半導体層で形成されることもできる。
前記第１導電型の第１半導体層１１は、例えば、ｎ型半導体層を含むことができる。前記第１導電型の第１半導体層１１は化合物半導体で具現できる。前記第１導電型の第１半導体層１１は、例としてII族−VI族化合物半導体、またはIII族−V族化合物半導体で具現できる。
例えば、前記第１導電型の第１半導体層１１は、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体材料で具現できる。前記第１導電型の第１半導体層１１は、例えばＧａＮ、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＮ、ＩｎＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＮ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＩｎＰなどから選択されることができ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｅ、Ｔｅなどのｎ型ドーパントがドーピングできる。
前記第１活性層１２は前記第１導電型の第１半導体層１１を通じて注入される電子（または、正孔）と前記第２導電型の第２半導体層１３を通じて注入される正孔（または、電子）とが互いに会って、前記第１活性層１２の形成物質に従うエネルギーバンド（Energy Band）のバンドギャップ（Band Gap）差によって光を放出する層である。前記第１活性層１２は、単一井戸構造、多重井戸構造、量子点構造、または量子線構造のうち、いずれか１つで形成できるが、これに限定されるものではない。
前記第１活性層１２は化合物半導体で具現できる。前記第１活性層１２は、例としてII族−VI族またはIII族−V族化合物半導体で具現できる。前記第１活性層１２は、例としてＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体材料で具現できる。前記第１活性層１２が前記多重井戸構造で具現された場合、前記第１活性層１２は複数の井戸層と複数の障壁層が積層されて具現されることができ、例えば、ＩｎＧａＮ井戸層／ＧａＮ障壁層の周期で具現できる。
前記第２導電型の第２半導体層１３は、例えば、ｐ型半導体層で具現できる。前記第２導電型の第２半導体層１３は化合物半導体で具現できる。前記第２導電型の第２半導体層１３は、例としてII族−VI族化合物半導体またはIII族−V族化合物半導体で具現できる。
例えば、前記第２導電型の第２半導体層１３は、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体材料で具現できる。前記第２導電型の第２半導体層１３は、例えばＧａＮ、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＮ、ＩｎＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＮ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＩｎＰなどから選択されることができ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａなどのｐ型ドーパントがドーピングできる。
一方、前記第１導電型の第１半導体層１１がｐ型半導体層を含み、前記第２導電型の第２半導体層１３がｎ型半導体層を含むこともできる。また、前記第２導電型の第２半導体層１３の下にはｎ型またはｐ型半導体層を含む半導体層がさらに形成されることもできる。これによって、前記第１発光構造物１０はｎｐ、ｐｎ、ｎｐｎ、ｐｎｐ接合構造のうち、少なくともいずれか１つを有することができる。また、前記第１導電型の第１半導体層１１及び前記第２導電型の第２半導体層１３の内の不純物のドーピング濃度は均一または不均一に形成できる。即ち、前記第１発光構造物１０の構造は多様に形成されることができ、これに対して限定するものではない。
また、前記第１導電型の第１半導体層１１と前記第１活性層１２との間には第１導電型ＩｎＧａＮ／ＧａＮスーパーラティス構造またはＩｎＧａＮ／ＩｎＧａＮスーパーラティス構造が形成されることもできる。また、前記第２導電型の第２半導体層１３と前記第１活性層１２との間には第２導電型のＡｌＧａＮ層が形成されることもできる。
前記第２発光構造物２０は、第１導電型の第３半導体層２１、第２活性層２２、及び第２導電型の第４半導体層２３を含むことができる。前記第２活性層２２は、前記第１導電型の第３半導体層２１と前記第２導電型の第４半導体層２３との間に配置できる。前記第２活性層２２は前記第１導電型の第３半導体層２１の下に配置されることができ、前記第２導電型の第４半導体層２３は前記第２活性層２２の下に配置できる。
前記第２発光構造物２０の構成及び組成は前述した前記第１発光構造物１０と類似するように形成できる。
実施形態に従う発光素子は、前記第１発光構造物１０の下部周りと前記第２発光構造物２０の下部周りに配置されたチャンネル層３０を含むことができる。例えば、前記チャンネル層３０の上部面は前記第１活性層１２の上部面に比べてより高く配置できる。前記チャンネル層３０の上部面は前記第２活性層２２の上部面に比べてより高く配置できる。
前記チャンネル層３０は、前記第１活性層１２の周りを覆いかぶせるように配置できる。前記チャンネル層３０は、前記第２導電型の第２半導体層１３の周りを覆いかぶせるように配置できる。前記チャンネル層３０の一端は前記第２導電型の第２半導体層１３の下に配置できる。前記チャンネル層３０の一端は前記第２導電型の第２半導体層１３の下部面に接触して配置できる。前記チャンネル層３０の一端は前記第２導電型の第２半導体層１３と前記第２電極８３との間に配置できる。前記チャンネル層３０の一端は前記第２導電型の第２半導体層１３と第１反射層１７との間に配置できる。
前記チャンネル層３０は、前記第２活性層２２の周りを覆いかぶせるように配置できる。前記チャンネル層３０は、前記第２導電型の第４半導体層２３の周りを覆いかぶせるように配置できる。前記チャンネル層３０の一端は、前記第２導電型の第４半導体層２３の下に配置できる。前記チャンネル層３０の一端は、前記第２導電型の第４半導体層２３の下部面に接触して配置できる。前記チャンネル層３０の一端は、前記第２導電型の第４半導体層２３と前記第４電極８７との間に配置できる。前記チャンネル層３０の一端は、前記第２導電型の第４半導体層２３と第２反射層２７との間に配置できる。
前記チャンネル層３０は、例えば酸化物または窒化物で具現できる。例えば、前記チャンネル層３０は、ＳｉＯ２、ＳｉｘＯｙ、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉｘＮｙ、ＳｉＯｘＮｙ、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＡｌＮなどからなる群から少なくとも１つが選択されて形成できる。前記チャンネル層３０はアイソレーション層と称されることもできる。前記チャンネル層３０は、今後、前記第１発光構造物１０と前記第２発光構造物２０に対するアイソレーション工程時、エッチングストッパーの機能を遂行することができ、またアイソレーション工程による発光素子の電気的な特性の低下を防止することができる。
前記第１電極８０は、前記第１導電型の第１半導体層１１に電気的に連結できる。前記第１電極８０は、前記第１導電型の第１半導体層１１の上に配置できる。前記第１電極８０は、前記第１導電型の第１半導体層１１に接触できる。前記第１反射層１７は、前記第２導電型の第２半導体層１３に電気的に連結できる。前記第１反射層１７は、前記第１発光構造物１０の下に配置できる。前記第１反射層１７は、前記第２導電型の第２半導体層１３の下に配置できる。
実施形態による発光素子は、前記第１反射層１７と前記第２導電型の第２半導体層１３との間に配置された第１オーミック接触層１５を含むことができる。前記第１オーミック接触層１５は、前記第２導電型の第２半導体層１３に接触して配置できる。
前記第１オーミック接触層１５は、前記第１発光構造物１０とオーミック接触するように形成できる。前記第１オーミック接触層１５は、前記第１発光構造物１０とオーミック接触する領域を含むことができる。前記第１反射層１７は、前記第２導電型の第２半導体層１３に電気的に連結できる。また、前記第１反射層１７は前記第１発光構造物１０から入射される光を反射させて外部に抽出される光量を増加させる機能を遂行することができる。
前記第１オーミック接触層１５は、例えば透明伝導性酸化膜で形成できる。前記第１オーミック接触層１５は、例としてＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）、ＡＺＯ（Aluminum Zinc Oxide）、ＡＧＺＯ（Aluminum Gallium Zinc Oxide）、ＩＺＴＯ（Indium Zinc Tin Oxide）、ＩＡＺＯ（Indium Aluminum Zinc Oxide）、ＩＧＺＯ（Indium Gallium Zinc Oxide）、ＩＧＴＯ（Indium Gallium Tin Oxide）、ＡＴＯ（Antimony Tin Oxide）、ＧＺＯ（Gallium Zinc Oxide）、ＩＺＯN（IZO Nitride）、ＺｎＯ、ＩｒＯｘ、ＲｕＯｘ、ＮｉＯ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｔｉのうちから選択された少なくとも１つの物質で形成できる。
前記第１反射層１７は、高反射率を有する物質で形成できる。例えば、前記第１反射層１７は、Ａｇ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｈｆのうち、少なくとも１つを含む金属または合金で形成できる。また、前記第１反射層１７は前記金属または合金とＩＴＯ（Indium-Tin-Oxide）、ＩＺＯ（Indium-Zinc-Oxide）、ＩＺＴＯ（Indium-Zinc-Tin-Oxide）、ＩＡＺＯ（Indium-Aluminum-Zinc-Oxide）、ＩＧＺＯ（Indium-Gallium-Zinc-Oxide）、ＩＧＴＯ（Indium-Gallium-Tin-Oxide）、ＡＺＯ（Aluminum-Zinc-Oxide）、ＡＴＯ（Antimony-Tin-Oxide）などの透光性伝導性物質を用いて多層に形成できる。例えば、実施形態で前記第１反射層１７は、Ａｇ、Ａｌ、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金、またはＡｇ−Ｃｕ合金のうち、少なくともいずれか１つを含むことができる。
例えば、前記第１反射層１７はＡｇ層とＮｉ層とが交互に形成されることもでき、Ｎｉ／Ａｇ／Ｎｉ、あるいはＴｉ層、Ｐｔ層を含むことができる。また、前記第１オーミック接触層１５は前記第１反射層１７の下に形成され、少なくとも一部が前記第１反射層１７を通過して前記第１発光構造物１０とオーミック接触されることもできる。
実施形態に従う発光素子は、前記第１反射層１７の下に配置された第１金属層３５を含むことができる。前記第１金属層３５は、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｔｉ−Ｗ、Ｃｒ、Ｗ、Ｐｔ、Ｖ、Ｆｅ、Ｍｏ物質のうち、少なくとも１つを含むことができる。
実施形態によれば、前記第２電極８３は、前記第１反射層１７、前記第１オーミック接触層１５、前記第１金属層３５のうち、少なくとも１つを含むことができる。例として、前記第２電極８３は、前記第１反射層１７、前記第１金属層３５、及び前記第１オーミック接触層１５を全て含むこともでき、選択された１つの層または選択された２つの層を含むこともできる。また、前記第２電極８３を構成する前記第１反射層１７、前記第１オーミック接触層１５、前記第１金属層３５の積層順序は変更できる。
前記第３電極８５は、前記第１導電型の第３半導体層２１に電気的に連結できる。前記第３電極８５は、前記第１導電型の第３半導体層２１の上に配置できる。前記第３電極８５は、前記第１導電型の第３半導体層２１に接触できる。前記第２反射層２７は、前記第２導電型の第４半導体層２３に電気的に連結できる。前記第２反射層２７は、前記第２発光構造物２０の下に配置できる。前記第２反射層２７は、前記第２導電型の第４半導体層２３の下に配置できる。
実施形態による発光素子は、前記第２反射層２７と前記第２導電型の第４半導体層２３との間に配置された第２オーミック接触層２５を含むことができる。前記第２オーミック接触層２５は、前記第２導電型の第４半導体層２３に接触して配置できる。
前記第２オーミック接触層２５は、前記第２発光構造物２０とオーミック接触するように形成できる。前記第２オーミック接触層２５は、前記第２発光構造物２０とオーミック接触する領域を含むことができる。前記第２反射層２７は、前記第２導電型の第４半導体層２３に電気的に連結できる。また、前記第２反射層２７は前記第２発光構造物２０から入射される光を反射させて外部に抽出される光量を増加させる機能を遂行することができる。
前記第２オーミック接触層２５は、例えば透明伝導性酸化膜で形成できる。前記第２オーミック接触層２５は、例として、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）、ＡＺＯ（Aluminum Zinc Oxide）、ＡＧＺＯ（Aluminum Gallium Zinc Oxide）、ＩＺＴＯ（Indium Zinc Tin Oxide）、ＩＡＺＯ（Indium Aluminum Zinc Oxide）、ＩＧＺＯ（Indium Gallium Zinc Oxide）、ＩＧＴＯ（Indium Gallium Tin Oxide）、ＡＴＯ（Antimony Tin Oxide）、ＧＺＯ（Gallium Zinc Oxide）、ＩＺＯN（IZO Nitride）、ＺｎＯ、ＩｒＯｘ、ＲｕＯｘ、ＮｉＯ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｔｉのうちから選択された少なくとも１つの物質で形成できる。
前記第２反射層２７は、高反射率を有する物質で形成できる。例えば、前記第２反射層２７は、Ａｇ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｈｆのうち、少なくとも１つを含む金属または合金で形成できる。また、前記第２反射層２７は、前記金属または合金と、ＩＴＯ（Indium-Tin-Oxide）、ＩＺＯ（Indium-Zinc-Oxide）、ＩＺＴＯ（Indium-Zinc-Tin-Oxide）、ＩＡＺＯ（Indium-Aluminum-Zinc-Oxide）、ＩＧＺＯ（Indium-Gallium-Zinc-Oxide）、ＩＧＴＯ（Indium-Gallium-Tin-Oxide）、ＡＺＯ（Aluminum-Zinc-Oxide）、ＡＴＯ（Antimony-Tin-Oxide）などの透光性伝導性物質を用いて多層に形成できる。例えば、実施形態で前記第２反射層２７は、Ａｇ、Ａｌ、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金、またはＡｇ−Ｃｕ合金のうち、少なくともいずれか１つを含むことができる。
例えば、前記第２反射層２７はＡｇ層とＮｉ層とが交互に形成されることもでき、Ｎｉ／Ａｇ／Ｎｉ、あるいはＴｉ層、Ｐｔ層を含むことができる。また、前記第２オーミック接触層２５は前記第２反射層２７の下に形成され、少なくとも一部が前記第２反射層２７を通過して前記第２発光構造物２０とオーミック接触されることもできる。
実施形態に従う発光素子は、前記第２反射層２７の下に配置された第２金属層４５を含むことができる。前記第２金属層４５は、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｔｉ−Ｗ、Ｃｒ、Ｗ、Ｐｔ、Ｖ、Ｆｅ、Ｍｏ物質のうち、少なくとも１つを含むことができる。
実施形態によれば、前記第４電極８７は、前記第２反射層２７、前記第２オーミック接触層２５、前記第２金属層４５のうち、少なくとも１つを含むことができる。例として、前記第４電極８７は、前記第２反射層２７、前記第２金属層４５、及び前記第２オーミック接触層２５を全て含むこともでき、選択された１つの層または選択された２つの層を含むこともできる。また、前記第４電極８７を構成する前記第２反射層２７、前記第２オーミック接触層２５、前記第２金属層４５の積層順序は変更できる。
実施形態に従う発光素子は、前記第１金属層３５の下に配置された第３金属層５０を含むことができる。前記第３金属層５０は、前記第２金属層４５の下に配置できる。
前記第３金属層５０は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｔｉ−Ｗ、Ｃｒ、Ｗ、Ｐｔ、Ｖ、Ｆｅ、Ｍｏ物質のうち、少なくとも１つを含むことができる。前記第３金属層５０は、拡散障壁層の機能を遂行することもできる。前記第３金属層５０の下にボンディング層６０及び伝導性支持部材７０が配置できる。
前記第３金属層５０は、前記ボンディング層６０が提供される工程で前記ボンディング層６０に含まれた物質が前記第１反射層１７と前記第２反射層２７方向への拡散を防止する機能を遂行することができる。前記第３金属層５０は、前記ボンディング層６０に含まれたスズ（Ｓｎ）などの物質が前記第１反射層１７と前記第２反射層２７に影響を及ぼすことを防止することができる。
前記ボンディング層６０は、バリア金属またはボンディング金属などを含み、例えば、Ｔｉ、Ａｕ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｎｂ、Ｐｄ、またはＴａのうち、少なくとも１つを含むことができる。前記伝導性支持部材７０は実施形態に従う第１発光構造物１０と第２発光構造物２０を支持し、放熱機能を遂行することができる。前記ボンディング層６０は、シード層で具現できる。
前記伝導性支持部材７０は、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｗ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｃｕ−Ｗ、または不純物が注入された半導体基板（例：Ｓｉ、Ｇｅ、ＧａＮ、ＧａＡｓ、ＺｎＯ、ＳｉＣ、ＳｉＧｅ等）のうち、少なくともいずれか１つで形成できる。
実施形態によれば、前記第１電極８０及び前記第２電極８３を通じて前記第１発光構造物１０に電源が印加できるようになる。実施形態によれば、前記第１電極８０はオーミック層、中間層、上部層で具現できる。前記オーミック層は、Ｃｒ、Ｖ、Ｗ、Ｔｉ、Ｚｎなどから選択された物質を含んでオーミック接触を具現することができる。前記中間層は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌなどから選択された物質で具現できる。前記上部層は、例えばＡｕを含むことができる。前記第１電極８０は、Ｃｒ、Ｖ、Ｗ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ｍｏのうち、少なくとも１つを含むことができる。
前記第１導電型の第１半導体層１１の上部面にラフネス（roughness）が形成できる。これによって、前記ラフネスが形成された領域で上方に抽出される光の光量を増加させることができるようになる。
実施形態によれば、前記第３電極８５及び前記第４電極８７を通じて前記第２発光構造物２０に電源が印加できるようになる。実施形態によれば、前記第３電極８５はオーミック層、中間層、上部層で具現できる。前記オーミック層は、Ｃｒ、Ｖ、Ｗ、Ｔｉ、Ｚｎなどから選択された物質を含んでオーミック接触を具現することができる。前記中間層は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌなどから選択された物質で具現できる。前記上部層は、例えばＡｕを含むことができる。前記第３電極８５は、Ｃｒ、Ｖ、Ｗ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ｍｏのうち、少なくとも１つを含むことができる。
前記第１導電型の第３半導体層２１の上部面にラフネス（roughness）が形成できる。これによって、前記ラフネスが形成された領域で上方に抽出される光の光量を増加させることができるようになる。
実施形態に従う発光素子は、前記第１金属層３５と前記第３金属層５０との間に配置された絶縁層４０を含むことができる。前記絶縁層４０は、前記第１金属層３５と前記第３金属層５０とを絶縁させることができる。前記絶縁層４０は、前記第１金属層３５と前記伝導性支持部材７０とを絶縁させることができる。前記絶縁層４０は、例えば酸化物または窒化物で具現できる。例えば、前記絶縁層４０は、ＳｉＯ２、ＳｉｘＯｙ、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉｘＮｙ、ＳｉＯｘＮｙ、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＡｌＮなどからなる群から少なくとも１つが選択されて形成できる。
前記絶縁層４０は、前記第１金属層３５の周りを覆いかぶせるように配置できる。前記絶縁層４０の一部領域は、前記第１反射層１７の側面に接触して配置できる。前記絶縁層４０の上部面は、前記第１発光構造物１０の下部周りに露出できる。前記絶縁層４０は、前記チャンネル層３０の周りを覆いかぶせるように配置できる。
実施形態に従う発光素子は、前記第２金属層４５と前記第３金属層５０との間に配置された前記絶縁層４０を含むことができる。前記絶縁層４０は、前記第２金属層４５と前記第３金属層５０とを絶縁させることができる。前記絶縁層４０は、前記第２金属層４５と前記伝導性支持部材７０とを絶縁させることができる。前記絶縁層４０は、前記第１金属層３５と前記第２金属層４５との間に配置できる。前記絶縁層４０は、前記第１金属層３５と前記第２金属層４５とを絶縁させることができる。
前記絶縁層４０は、前記第２金属層４５の周りを覆いかぶせるように配置できる。前記絶縁層４０の一部領域は、前記第２反射層２７の側面に接触して配置できる。前記絶縁層４０の上部面は、前記第２発光構造物２０の下部周りに露出できる。前記絶縁層４０は、前記チャンネル層３０の周りを覆いかぶせるように配置できる。
実施形態に従う発光素子は、第１連結部９０、第２連結部９５、及び第３連結部９７を含むことができる。前記第１連結部９０は、前記第１電極８０と前記伝導性支持部材７０に電気的に連結できる。前記第２連結部９５は、前記第２電極８３と前記第３電極８５に電気的に連結できる。前記第３連結部９７は、前記第４電極８７に電気的に連結できる。前記第３連結部９７の一端は、前記チャンネル層３０の上に配置できる。前記第３連結部９７は、前記第２反射層２７に電気的に連結できる。
前記第１連結部９０は、前記第１電極８０に接触できる。前記第１連結部９０は、前記第３金属層５０に電気的に連結できる。前記第１連結部９０は、前記第３金属層５０に接触できる。前記第１連結部９０は、前記第３金属層５０、前記ボンディング層６０を通じて前記伝導性支持部材７０に電気的に連結できる。前記第１連結部９０は、前記ボンディング層６０または前記伝導性支持部材７０に直接接触して配置できる。
前記第１連結部９０は、前記絶縁層４０を貫通して配置されることもできる。前記第１連結部９０は、前記絶縁層４０を貫通して前記伝導性支持部材７０に電気的に連結できる。また、前記第１連結部９０は前記チャンネル層３０を貫通して前記第３金属層５０に電気的に連結されることもできる。前記第１連結部９０は、前記チャンネル層３０と前記絶縁層４０を貫通して前記第３金属層５０に電気的に連結されることもできる。
前記第１連結部９０は、前記第１発光構造物１０の側面に配置できる。前記第１連結部９０は、前記第１導電型の第１半導体層１１の側面に配置できる。前記第１連結部９０は、前記第１導電型の第１半導体層１１の側面に接触できる。前記チャンネル層３０は、前記第１連結部９０と前記第１活性層１２とを絶縁させることができる。前記チャンネル層３０は、前記第１連結部９０と前記第２導電型の第２半導体層１３とを絶縁させることができる。前記第１連結部９０は、前記第１活性層１２と少なくとも３マイクロメートル以上離隔して配置できる。
前記第２連結部９５は、前記第２発光構造物２０の側面に配置できる。前記第２連結部９５は、前記第１導電型の第３半導体層２１の側面に配置できる。前記第２連結部９５は、前記第１導電型の第３半導体層２１の側面に接触できる。前記チャンネル層３０は、前記第２連結部９０と前記第２活性層２２とを絶縁させることができる。前記チャンネル層３０は、前記第２連結部９０と前記第２導電型の第４半導体層２３とを絶縁させることができる。前記第２連結部９５は、前記第２活性層２２と少なくとも３マイクロメートル以上離隔して配置できる。
前記第３連結部９７は、前記第２金属層４５に電気的に連結できる。前記第３連結部９７は、前記第２金属層４５に接触できる。前記第３連結部９７の一端は、前記チャンネル層３０の上に配置できる。前記第３連結部９７の一端は、前記第２発光構造物２０の側面と離隔して配置できる。前記第３連結部９７の一端は、前記第２発光構造物２０の側面に露出して配置できる。
前記第３連結部９７は、前記チャンネル層３０を貫通して前記第２金属層４５に電気的に連結できる。また前記第３連結部９７は、前記絶縁層４０を貫通して前記第２金属層４５に電気的に連結されることもできる。前記第３連結部９７は、前記第４電極８７に電気的に連結できる。前記第３連結部９７は、前記第４電極８７に接触して配置できる。
前記第１連結部９０、前記第２連結部９５、及び前記第３連結部９７は、Ｃｒ、Ｖ、Ｗ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ｍｏのうち、少なくとも１つを含むことができる。
実施形態に従う発光素子は、前記第２電極８３の下部に配置された前記伝導性支持部材７０を通じて前記第２電極８３の上部に配置された前記第１導電型の第１半導体層１１に電気的に連結できる。前記第２電極８３は、前記第２導電型の第２半導体層１３と前記伝導性支持部材７０との間に配置できる。
これによって、前記伝導性支持部材７０をボンディングパッドに付着させる方法などにより前記第１導電型の第１半導体層１１に電源が提供できるようになる。また、実施形態によれば、前記第２連結部９５が前記第２電極８３と前記第３電極８５に電気的に連結できる。また、前記第３連結部９７が前記第４電極８７に電気的に連結できる。これによって、前記第３連結部９７をワイヤボンディングなどにより電源パッドに連結させることによって、前記第２導電型の第２半導体層２３に電源が提供できるようになる。
このように実施形態に従う発光素子によれば、前記伝導性支持部材７０と前記第３連結部９７を通じて前記第１発光構造物１０と前記第２発光構造物２０に電源が提供できるようになる。これによって、実施形態によれば電流集中を防止し、電気的信頼性を向上させることができるようになる。
すると、図２乃至図６を参照して実施形態に従う発光素子製造方法を説明する。
実施形態に従う発光素子製造方法によれば、図２に示すように、基板５の上に第１導電型半導体層１１ａ、活性層１２ａ、及び第２導電型半導体層１３ａを形成する。前記第１導電型半導体層１１ａ、前記活性層１２ａ、前記第２導電型半導体層１３ａは、発光構造物１０ａとして定義できる。
前記基板５は、例えば、サファイア基板（Ａｌ２Ｏ３）、ＳｉＣ、ＧａＡｓ、ＧａＮ、ＺｎＯ、Ｓｉ、ＧａＰ、ＩｎＰ、Ｇｅのうち、少なくとも１つで形成されることができ、これに対して限定するものではない。前記第１導電型半導体層１１ａと前記基板５との間にはバッファ層がさらに形成できる。
例として、前記第１導電型半導体層１１ａが第１導電型ドーパントとしてｎ型ドーパントが添加されたｎ型半導体層で形成され、前記第２導電型半導体層１３ａが第２導電型ドーパントとしてｐ型ドーパントが添加されたｐ型半導体層で形成できる。また、前記第１導電型半導体層１１ａがｐ型半導体層で形成され、前記第２導電型半導体層１３ａがｎ型半導体層で形成されることもできる。
前記第１導電型半導体層１１ａは、例えば、ｎ型半導体層を含むことができる。前記第１導電型半導体層１１ａは、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体材料で形成できる。前記第１導電型半導体層１１ａは、例えばＩｎＡｌＧａＮ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮなどから選択されることができ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｅ、Ｔｅなどのｎ型ドーパントがドーピングできる。
前記活性層１２ａは、前記第１導電型半導体層１１ａを通じて注入される電子（または、正孔）と前記第２導電型半導体層１３ａを通じて注入される正孔（または、電子）とが互いに会って、前記活性層１２ａの形成物質に従うエネルギーバンド（Energy Band）のバンドギャップ（Band Gap）差によって光を放出する層である。前記活性層１２ａは、単一井戸構造、多重井戸構造、量子点構造、または量子線構造のうち、いずれか１つで形成できるが、これに限定されるものではない。
前記活性層１２ａは、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体材料で形成できる。前記活性層１２ａが前記多重量子井戸構造で形成された場合、前記活性層１２ａは複数の井戸層と複数の障壁層が積層されて形成されることができ、例えば、ＩｎＧａＮ井戸層／ＧａＮ障壁層の周期で形成できる。
前記第２導電型半導体層１３ａは、例えば、ｐ型半導体層で具現できる。前記第２導電型半導体層１３ａは、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体材料で形成できる。前記第２導電型半導体層１３ａは、例えばＩｎＡｌＧａＮ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＩｎＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮなどから選択されることができ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａなどのｐ型ドーパントがドーピングできる。
一方、前記第１導電型半導体層１１ａがｐ型半導体層を含み、前記第２導電型半導体層１３ａがｎ型半導体層を含むこともできる。また、前記第２導電型半導体層１３ａの上にはｎ型またはｐ型半導体層を含む半導体層がさらに形成されることもでき、これによって、前記発光構造物１０ａはｎｐ、ｐｎ、ｎｐｎ、ｐｎｐ接合構造のうち、少なくともいずれか１つを有することができる。また、前記第１導電型半導体層１１ａ及び前記第２導電型半導体層１３ａの内の不純物のドーピング濃度は均一または不均一に形成できる。即ち、前記発光構造物１０ａの構造は多様に形成されることができ、これに対して限定するものではない。
また、前記第１導電型半導体層１１ａと前記活性層１２ａとの間には第１導電型ＩｎＧａＮ／ＧａＮスーパーラティス構造またはＩｎＧａＮ／ＩｎＧａＮスーパーラティス構造が形成されることもできる。また、前記第２導電型半導体層１３ａと前記活性層１２ａとの間には第２導電型のＡｌＧａＮ層が形成されることもできる。
次に、図３に示すように、前記発光構造物１０ａに対するエッチングを遂行して前記第１導電型半導体層１１ａの一部領域を露出させることができる。この際、前記エッチングは湿式エッチングまたは乾式エッチングにより遂行できる。ここで、第１活性層１２と第２導電型の第２半導体層１３は、今後、第１発光構造物を形成するようになり、第２活性層２２と第２導電型の第４半導体層２３は、今後、第２発光構造物を形成するようになる。
そして、図４に示すように、チャンネル層３０、第１オーミック接触層１５、第２オーミック接触層２５、第１反射層１７、及び第２反射層２７を形成することができる。
例えば、前記チャンネル層３０は、ＳｉＯ２、ＳｉｘＯｙ、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉｘＮｙ、ＳｉＯｘＮｙ、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＡｌＮなどからなる群から少なくとも１つが選択されて形成できる。
前記第１反射層１７と前記第２導電型の第２半導体層１３との間に前記第１オーミック接触層１５が配置できる。前記第１オーミック接触層１５は、前記第２導電型の第２半導体層１３に接触して配置できる。前記第１反射層１７は、前記第２導電型の第２半導体層１３に電気的に連結できる。前記第１オーミック接触層１５は、前記第２導電型の第２半導体層１３とオーミック接触する領域を含むことができる。
前記第２反射層２７と前記第２導電型の第４半導体層２３との間に前記第２オーミック接触層２５が配置できる。前記第２オーミック接触層２５は、前記第２導電型の第４半導体層２３に接触して配置できる。前記第２反射層２７は、前記第２導電型の第４半導体層２３に電気的に連結できる。前記第２オーミック接触層２５は、前記第２導電型の第４半導体層２３とオーミック接触する領域を含むことができる。
前記第１オーミック接触層１５と前記第２オーミック接触層２５は、例えば透明伝導性酸化膜で形成できる。前記第１オーミック接触層１５と前記第２オーミック接触層２５は、例としてＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）、ＡＺＯ（Aluminum Zinc Oxide）、ＡＧＺＯ（Aluminum Gallium Zinc Oxide）、ＩＺＴＯ（Indium Zinc Tin Oxide）、ＩＡＺＯ（Indium Aluminum Zinc Oxide）、ＩＧＺＯ（Indium Gallium Zinc Oxide）、ＩＧＴＯ（Indium Gallium Tin Oxide）、ＡＴＯ（Antimony Tin Oxide）、ＧＺＯ（Gallium Zinc Oxide）、ＩＺＯN（IZO Nitride）、ＺｎＯ、ＩｒＯｘ、ＲｕＯｘ、ＮｉＯ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｔｉのうちから選択された少なくとも１つの物質で形成できる。
前記第１反射層１７と前記第２反射層２７は、高反射率を有する物質で形成できる。例えば、前記第１反射層１７と前記第２反射層２７は、Ａｇ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｈｆのうち、少なくとも１つを含む金属または合金で形成できる。また、前記第１反射層１７と前記第２反射層２７は前記金属または合金とＩＴＯ（Indium-Tin-Oxide）、ＩＺＯ（Indium-Zinc-Oxide）、ＩＺＴＯ（Indium-Zinc-Tin-Oxide）、ＩＡＺＯ（Indium-Aluminum-Zinc-Oxide）、ＩＧＺＯ（Indium-Gallium-Zinc-Oxide）、ＩＧＴＯ（Indium-Gallium-Tin-Oxide）、ＡＺＯ（Aluminum-Zinc-Oxide）、ＡＴＯ（Antimony-Tin-Oxide）などの透光性伝導性物質を用いて多層に形成できる。例えば、実施形態において、前記第１反射層１７と前記第２反射層２７は、Ａｇ、Ａｌ、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金、またはＡｇ−Ｃｕ合金のうち、少なくともいずれか１つを含むことができる。例えば、前記第１反射層１７と前記第２反射層２７は、Ａｇ層とＮｉ層とが交互に形成されることもでき、Ｎｉ／Ａｇ／Ｎｉ、あるいはＴｉ層、Ｐｔ層を含むことができる。
次に、図５に示すように、前記第１反射層１７の上に第１金属層３５が形成され、前記第２反射層２７の上に第２金属層４５が形成できる。次に、前記第１金属層３５と前記第２金属層４５の上に絶縁層４０、第３金属層５０、ボンディング層６０、及び伝導性支持部材７０が形成できる。
前記第１金属層３５と前記第２金属層４５は、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｔｉ-Ｗ、Ｃｒ、Ｗ、Ｐｔ、Ｖ、Ｆｅ、Ｍｏ物質のうち、少なくとも１つを含むことができる。
実施形態によれば、第２電極８３は、前記第１反射層１７、前記第１オーミック接触層１５、前記第１金属層３５のうち、少なくとも１つを含むことができる。前記第４電極８７は、前記第２反射層２７、前記第２オーミック接触層２５、前記第２金属層４５のうち、少なくとも１つを含むことができる。
前記絶縁層４０は、前記第１金属層３５と前記第３金属層５０とを絶縁させることができる。前記絶縁層４０は、前記第１金属層３５と前記伝導性支持部材７０とを絶縁させることができる。前記絶縁層４０は、前記第２金属層４５と前記第３金属層５０とを絶縁させることができる。前記絶縁層４０は、前記第２金属層４５と前記伝導性支持部材７０とを絶縁させることができる。前記絶縁層４０は、前記第１金属層３５と前記第２金属層４５とを絶縁させることができる。
前記絶縁層４０は、例えば酸化物または窒化物で具現できる。例えば、前記絶縁層４０は、ＳｉＯ２、ＳｉｘＯｙ、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉｘＮｙ、ＳｉＯｘＮｙ、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＡｌＮなどからなる群から少なくとも１つが選択されて形成できる。
前記絶縁層４０は、前記第１金属層３５の周りを覆いかぶせるように配置できる。前記絶縁層４０の一部領域は、前記第１反射層１７の側面に接触して配置できる。前記絶縁層４０は、前記チャンネル層３０の周りを覆いかぶせるように配置できる。前記絶縁層４０は、前記第２金属層４５の周りを覆いかぶせるように配置できる。前記絶縁層４０の一部領域は、前記第２反射層２７の側面に接触して配置できる。
前記第３金属層５０はＣｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｔｉ−Ｗ、Ｃｒ、Ｗ、Ｐｔ、Ｖ、Ｆｅ、Ｍｏ物質のうち、少なくとも１つを含むことができる。前記第３金属層５０は、拡散障壁層の機能を遂行することもできる。
前記第３金属層５０は、前記ボンディング層６０が提供される工程で前記ボンディング層６０に含まれた物質が前記第１反射層１７と前記第２反射層２７方向への拡散を防止する機能を遂行することができる。前記第３金属層５０は、前記ボンディング層６０に含まれたスズ（Ｓｎ）などの物質が前記第１反射層１７と前記第２反射層２７に影響を及ぼすことを防止することができる。
前記ボンディング層６０は、バリア金属またはボンディング金属などを含み、例えば、Ｔｉ、Ａｕ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｎｂ、Ｐｄ、またはＴａのうち、少なくとも１つを含むことができる。前記伝導性支持部材７０は、実施形態に従う発光構造物を支持し、放熱機能を遂行することができる。前記ボンディング層６０は、シード層で具現されることもできる。
前記伝導性支持部材７０は、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｗ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｃｕ−Ｗ、または不純物が注入された半導体基板（例：Ｓｉ、Ｇｅ、ＧａＮ、ＧａＡｓ、ＺｎＯ、ＳｉＣ、ＳｉＧｅ等）のうち、少なくともいずれか１つで形成できる。
次に、前記第１導電型半導体層１１ａから前記基板５を除去する。一例として、前記基板５はレーザーリフトオフ（ＬＬＯ：Laser Lift Off）工程により除去できる。レーザーリフトオフ工程（ＬＬＯ）は、前記基板５の下面にレーザーを照射して、前記基板５と前記第１導電型半導体層１１ａとを互いに剥離させる工程である。
そして、図６に示すように、アイソレーションエッチングを遂行して第１発光構造物１０と第２発光構造物２０の側面をエッチングし、前記チャンネル層３０の一部領域が露出できるようになる。この際、前記絶縁層４０の一部領域が露出されることもできる。前記アイソレーションエッチングは、例えば、ＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma）のような乾式エッチングにより実施できるが、これに対して限定するものではない。
前記第１発光構造物１０と前記第２発光構造物２０の上部面にラフネス（roughness）が形成できる。前記第１発光構造物１０と前記第２発光構造物２０の上部面に光抽出パターンが提供できる。前記第１発光構造物１０と前記第２発光構造物２０の上部面に凹凸パターンが提供できる。前記第１発光構造物１０と前記第２発光構造物２０に提供される光抽出パターンは、一例として、ＰＥＣ（Photo Electro Chemical）エッチング工程により形成できる。これによって、実施形態によれば、外部光抽出効果を上昇させることができるようになる。
次に、図６に示すように、第１電極８０、第３電極８５、第１連結部９０、第２連結部９５、及び第３連結部９７が形成できる。
実施形態によれば、前記第１電極８０及び前記第２電極８３を通じて前記第１発光構造物１０に電源が印加できるようになる。実施形態によれば、前記第１電極８０は、オーミック層、中間層、上部層で具現できる。前記オーミック層は、Ｃｒ、Ｖ、Ｗ、Ｔｉ、Ｚｎなどから選択された物質を含んでオーミック接触を具現することができる。前記中間層は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌなどから選択された物質で具現できる。前記上部層は、例えばＡｕを含むことができる。前記第１電極８０は、Ｃｒ、Ｖ、Ｗ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ｍｏのうち、少なくとも１つを含むことができる。
実施形態によれば、前記第３電極８５及び前記第４電極８７を通じて前記第２発光構造物２０に電源が印加できるようになる。実施形態によれば、前記第３電極８５は、オーミック層、中間層、上部層で具現できる。前記オーミック層は、Ｃｒ、Ｖ、Ｗ、Ｔｉ、Ｚｎなどから選択された物質を含んでオーミック接触を具現することができる。前記中間層は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌなどから選択された物質で具現できる。前記上部層は、例えばＡｕを含むことができる。前記第３電極８５は、Ｃｒ、Ｖ、Ｗ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ｍｏのうち、少なくとも１つを含むことができる。
実施形態に従う発光素子は、第１連結部９０、第２連結部９５、第３連結部９７を含むことができる。前記第１連結部９０は、前記第１電極８０と前記伝導性支持部材７０に電気的に連結できる。前記第２連結部９５は、前記第２電極８３と前記第３電極８５に電気的に連結できる。前記第３連結部９７は、前記第４電極８７に電気的に連結できる。前記第３連結部９７の一端は、前記チャンネル層３０の上に配置できる。前記第３連結部９７は、前記第２反射層２７に電気的に連結できる。
前記第１連結部９０は、前記第１電極８０に接触できる。前記第１連結部９０は、前記第３金属層５０に電気的に連結できる。前記第１連結部９０は、前記第３金属層５０に接触できる。前記第１連結部９０は、前記第３金属層５０、前記ボンディング層６０を通じて前記伝導性支持部材７０に電気的に連結できる。前記第１連結部９０は、前記ボンディング層６０または前記伝導性支持部材７０に直接接触して配置されることもできる。
前記第１連結部９０は、前記絶縁層４０を貫通して配置されることもできる。前記第１連結部９０は、前記絶縁層４０を貫通して前記伝導性支持部材７０に電気的に連結できる。また、前記第１連結部９０は前記チャンネル層３０を貫通して前記第３金属層５０に電気的に連結されることもできる。前記第１連結部９０は、前記チャンネル層３０と前記絶縁層４０を貫通して前記第３金属層５０に電気的に連結されることもできる。
前記第１連結部９０は、前記第１発光構造物１０の側面に配置できる。前記第１連結部９０は、前記第１導電型の第１半導体層１１の側面に配置できる。前記第１連結部９０は、前記第１導電型の第１半導体層１１の側面に接触できる。前記チャンネル層３０は、前記第１連結部９０と前記第１活性層１２とを絶縁させることができる。前記チャンネル層３０は、前記第１連結部９０と前記第２導電型の第２半導体層１３とを絶縁させることができる。前記第１連結部９０は、前記第１活性層１２と少なくとも３マイクロメートル以上離隔して配置できる。
前記第２連結部９５は、前記第２発光構造物２０の側面に配置できる。前記第２連結部９５は、前記第１導電型の第３半導体層２１の側面に配置できる。前記第２連結部９５は、前記第１導電型の第３半導体層２１の側面に接触できる。前記チャンネル層３０は、前記第２連結部９０と前記第２活性層２２とを絶縁させることができる。前記チャンネル層３０は、前記第２連結部９０と前記第２導電型の第４半導体層２３とを絶縁させることができる。前記第２連結部９５は、前記第２活性層２２と少なくとも３マイクロメートル以上離隔して配置できる。
前記第３連結部９７は、前記第２金属層４５に電気的に連結できる。前記第３連結部９７は、前記第２金属層４５に接触できる。前記第３連結部９７の一端は、前記チャンネル層３０の上に配置できる。前記第３連結部９７の一端は、前記第２発光構造物２０の側面と離隔して配置できる。前記第３連結部９７の一端は、前記第２発光構造物２０の側面に露出して配置できる。
前記第３連結部９７は、前記チャンネル層３０を貫通して前記第２金属層４５に電気的に連結できる。また、前記第３連結部９７は前記絶縁層４０を貫通して前記第２金属層４５に電気的に連結されることもできる。前記第３連結部９７は、前記第４電極８７に電気的に連結できる。前記第３連結部９７は、前記第４電極８７に接触して配置できる。
前記第１連結部９０、前記第２連結部９５、及び前記第３連結部９７は、Ｃｒ、Ｖ、Ｗ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ｍｏのうち、少なくとも１つを含むことができる。
実施形態に従う発光素子は、前記第２電極８３の下部に配置された前記伝導性支持部材７０を通じて前記第２電極８３の上部に配置された前記第１導電型の第１半導体層１１に電気的に連結できる。前記第２電極８３は、前記第２導電型の第２半導体層１３と前記伝導性支持部材７０との間に配置できる。
これによって、前記伝導性支持部材７０をボンディングパッドに付着させる方法などにより前記第１導電型の第１半導体層１１に電源が提供できるようになる。また、実施形態によれば、前記第２連結部９５が前記第２電極８３と前記第３電極８５に電気的に連結できる。また、前記第３連結部９７が前記第４電極８７に電気的に連結できる。これによって、前記第３連結部９７をワイヤボンディングなどにより電源パッドに連結させることによって、前記第２導電型の第２半導体層２３に電源が提供できるようになる。
このように実施形態に従う発光素子によれば、前記伝導性支持部材７０と前記第３連結部９７を通じて前記第１発光構造物１０と前記第２発光構造物２０に電源が提供できるようになる。これによって、実施形態によれば電流集中を防止し、電気的信頼性を向上させることができるようになる。
一方、前述した各層の形成工程は１つの例示であり、その工程順序は多様に変形できる。
図７は、本発明の実施形態に従う発光素子の他の例を示す図である。図７に図示された発光素子を説明するに当たって、図１を参照して説明された部分と重複する事項に対しては説明を省略する。
図７に図示された実施形態によれば、第１発光構造物１０の下部周りと第２発光構造物２０の下部周りにチャンネル層３０が配置されることができ、絶縁層４０が前記第１発光構造物１０の下部周りと前記第２発光構造物２０の下部周りに露出しなことがある。
実施形態に従う発光素子は、前記第１発光構造物１０の下部周りと前記第２発光構造物２０の下部周りに配置されたチャンネル層３０を含むことができる。例えば、前記チャンネル層３０の上部面は前記第１活性層１２の上部面に比べてより高く配置できる。前記チャンネル層３０の上部面は前記第２活性層２２の上部面に比べてより高く配置できる。
前記チャンネル層３０は、前記第１活性層１２の周りを覆いかぶせるように配置できる。前記チャンネル層３０は、前記第２導電型の第２半導体層１３の周りを覆いかぶせるように配置できる。前記チャンネル層３０の一端は、前記第２導電型の第２半導体層１３の下に配置できる。前記チャンネル層３０の一端は、前記第２導電型の第２半導体層１３の下部面に接触して配置できる。前記チャンネル層３０の一端は、前記第２導電型の第２半導体層１３と前記第２電極８３との間に配置できる。前記チャンネル層３０の一端は、前記第２導電型の第２半導体層１３と第１反射層１７との間に配置できる。
前記チャンネル層３０は、前記第２活性層２２の周りを覆いかぶせるように配置できる。前記チャンネル層３０は、前記第２導電型の第４半導体層２３の周りを覆いかぶせるように配置できる。前記チャンネル層３０の一端は、前記第２導電型の第４半導体層２３の下に配置できる。前記チャンネル層３０の一端は、前記第２導電型の第４半導体層２３の下部面に接触して配置できる。前記チャンネル層３０の一端は、前記第２導電型の第４半導体層２３と前記第４電極８７との間に配置できる。前記チャンネル層３０の一端は、前記第２導電型の第４半導体層２３と第２反射層２７との間に配置できる。
前記チャンネル層３０は、例えば酸化物または窒化物で具現できる。例えば、前記チャンネル層３０は、ＳｉＯ２、ＳｉｘＯｙ、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉｘＮｙ、ＳｉＯｘＮｙ、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＡｌＮなどからなる群から少なくとも１つが選択されて形成できる。前記チャンネル層３０は、アイソレーション層と称されることもできる。前記チャンネル層３０は、今後、前記第１発光構造物１０と前記第２発光構造物２０に対するアイソレーション工程時、エッチングストッパーの機能を遂行することができ、またアイソレーション工程による発光素子の電気的な特性の低下を防止することができる。
実施形態によれば、前記第１電極８０及び前記第２電極８３を通じて前記第１発光構造物１０に電源が印加できるようになる。実施形態によれば、前記第１電極８０は、オーミック層、中間層、上部層で具現できる。前記オーミック層は、Ｃｒ、Ｖ、Ｗ、Ｔｉ、Ｚｎなどから選択された物質を含んでオーミック接触を具現することができる。前記中間層は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌなどから選択された物質で具現できる。前記上部層は、例えばＡｕを含むことができる。前記第１電極８０は、Ｃｒ、Ｖ、Ｗ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ｍｏのうち、少なくとも１つを含むことができる。
実施形態によれば、前記第３電極８５及び前記第４電極８７を通じて前記第２発光構造物２０に電源が印加できるようになる。実施形態によれば、前記第３電極８５は、オーミック層、中間層、上部層で具現できる。前記オーミック層は、Ｃｒ、Ｖ、Ｗ、Ｔｉ、Ｚｎなどから選択された物質を含んでオーミック接触を具現することができる。前記中間層は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌなどから選択された物質で具現できる。前記上部層は、例えばＡｕを含むことができる。前記第３電極８５は、Ｃｒ、Ｖ、Ｗ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ｍｏのうち、少なくとも１つを含むことができる。
実施形態に従う発光素子は、第１連結部９０、第２連結部９５、及び第３連結部９７を含むことができる。前記第１連結部９０は、前記第１電極８０と前記伝導性支持部材７０に電気的に連結できる。前記第２連結部９５は、前記第２電極８３と前記第３電極８５に電気的に連結できる。前記第３連結部９７は、前記第４電極８７に電気的に連結できる。前記第３連結部９７の一端は、前記チャンネル層３０の上に配置できる。前記第３連結部９７は、前記第２反射層２７に電気的に連結できる。
前記第１連結部９０は、前記第１電極８０に接触できる。前記第１連結部９０は、前記第３金属層５０に電気的に連結できる。前記第１連結部９０は、前記第３金属層５０に接触できる。前記第１連結部９０は、前記第３金属層５０、前記ボンディング層６０を通じて前記伝導性支持部材７０に電気的に連結できる。前記第１連結部９０は、前記ボンディング層６０または前記伝導性支持部材７０に直接接触して配置されることもできる。
前記第１連結部９０は、前記絶縁層４０を貫通して配置されることもできる。前記第１連結部９０は、前記絶縁層４０を貫通して前記伝導性支持部材７０に電気的に連結できる。また、前記第１連結部９０は前記チャンネル層３０を貫通して前記第３金属層５０に電気的に連結されることもできる。前記第１連結部９０は、前記チャンネル層３０と前記絶縁層４０を貫通して前記第３金属層５０に電気的に連結されることもできる。
前記第１連結部９０は、前記第１発光構造物１０の側面に配置できる。前記第１連結部９０は、前記第１導電型の第１半導体層１１の側面に配置できる。前記第１連結部９０は、前記第１導電型の第１半導体層１１の側面に接触できる。前記チャンネル層３０は、前記第１連結部９０と前記第１活性層１２とを絶縁させることができる。前記チャンネル層３０は、前記第１連結部９０と前記第２導電型の第２半導体層１３とを絶縁させることができる。前記第１連結部９０は、前記第１活性層１２と少なくとも３マイクロメートル以上離隔して配置できる。
前記第２連結部９５は、前記第２発光構造物２０の側面に配置できる。前記第２連結部９５は、前記第１導電型の第３半導体層２１の側面に配置できる。前記第２連結部９５は、前記第１導電型の第３半導体層２１の側面に接触できる。前記チャンネル層３０は、前記第２連結部９５と前記第２活性層２２とを絶縁させることができる。前記チャンネル層３０は、前記第２連結部９５と前記第２導電型の第４半導体層２３とを絶縁させることができる。前記第２連結部９５は、前記第２活性層２２と少なくとも３マイクロメートル以上離隔して配置できる。
前記第３連結部９７は、前記第２金属層４５に電気的に連結できる。前記第３連結部９７は、前記第２金属層４５に接触できる。前記第３連結部９７の一端は、前記チャンネル層３０の上に配置できる。前記第３連結部９７の一端は、前記第２発光構造物２０の側面と離隔して配置できる。前記第３連結部９７の一端は、前記第２発光構造物２０の側面に露出して配置できる。
前記第３連結部９７は、前記チャンネル層３０を貫通して前記第２金属層４５に電気的に連結できる。また、前記第３連結部９７は前記絶縁層４０を貫通して前記第２金属層４５に電気的に連結されることもできる。前記第３連結部９７は、前記第４電極８７に電気的に連結できる。前記第３連結部９７は、前記第４電極８７に接触して配置できる。
前記第１連結部９０、前記第２連結部９５、前記第３連結部９７は、Ｃｒ、Ｖ、Ｗ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ｍｏのうち、少なくとも１つを含むことができる。
実施形態に従う発光素子は、前記第２電極８３の下部に配置された前記伝導性支持部材７０を通じて前記第２電極８３の上部に配置された前記第１導電型の第１半導体層１１に電気的に連結できる。前記第２電極８３は、前記第２導電型の第２半導体層１３と前記伝導性支持部材７０との間に配置できる。
これによって、前記伝導性支持部材７０をボンディングパッドに付着させる方法などにより前記第１導電型の第１半導体層１１に電源が提供できるようになる。また、実施形態によれば、前記第２連結部９５が前記第２電極８３と前記第３電極８５に電気的に連結できる。また、前記第３連結部９７が前記第４電極８７に電気的に連結できる。これによって、前記第３連結部９７をワイヤボンディングなどにより電源パッドに連結させることによって、前記第２導電型の第２半導体層２３に電源が提供できるようになる。
このように実施形態に従う発光素子によれば、前記伝導性支持部材７０と前記第３連結部９７を通じて前記第１発光構造物１０と前記第２発光構造物２０に電源が提供できるようになる。これによって、実施形態によれば電流集中を防止し、電気的信頼性を向上させることができるようになる。
図８は、本発明の実施形態に従う発光素子の他の例を示す図である。図８に図示された発光素子を説明するに当たって、図１を参照して説明された部分と重複する事項に対しては説明を省略する。
実施形態に従う発光素子によれば、前記第１発光構造物１０の下に第１オーミック反射層１９が配置できる。前記第１オーミック反射層１９は、第１反射層１７と第１オーミック接触層１５の機能を全て遂行するように具現できる。これによって、前記第１オーミック反射層１９は、前記第２導電型の第２半導体層１３にオーミック接触し、前記第１発光構造物１０から入射される光を反射させる機能を遂行することができる。
実施形態に従う発光素子によれば、前記第２発光構造物２０の下に第２オーミック反射層２９が配置できる。前記第２オーミック反射層２９は、第２反射層２７と第２オーミック接触層２５の機能を全て遂行するように具現できる。これによって、前記第２オーミック反射層２９は、前記第２導電型の第４半導体層２３にオーミック接触し、前記第２発光構造物２０から入射される光を反射させる機能を遂行することができる。
ここで、前記第１オーミック反射層１９と前記第２オーミック反射層２９は多層に形成できる。例えば、前記第１オーミック反射層１９と前記第２オーミック反射層２９はＡｇ層とＮｉ層とが交互に形成されることもでき、Ｎｉ／Ａｇ／Ｎｉ、あるいはＴｉ、Ｐｔ層を含むこともできる。
実施形態に従う発光素子は、前記第１発光構造物１０の下部周りと前記第２発光構造物２０の下部周りに配置されたチャンネル層３０を含むことができる。例えば、前記チャンネル層３０の上部面は前記第１活性層１２の上部面に比べてより高く配置できる。前記チャンネル層３０の上部面は前記第２活性層２２の上部面に比べてより高く配置できる。
実施形態によれば、前記第１電極８０及び前記第２電極８３を通じて前記第１発光構造物１０に電源が印加できるようになる。実施形態によれば、前記第１電極８０は、オーミック層、中間層、上部層で具現できる。前記オーミック層は、Ｃｒ、Ｖ、Ｗ、Ｔｉ、Ｚｎなどから選択された物質を含んでオーミック接触を具現することができる。前記中間層は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌなどから選択された物質で具現できる。前記上部層は、例えばＡｕを含むことができる。前記第１電極８０は、Ｃｒ、Ｖ、Ｗ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ｍｏのうち、少なくとも１つを含むことができる。
実施形態によれば、前記第３電極８５及び前記第４電極８７を通じて前記第２発光構造物２０に電源が印加できるようになる。実施形態によれば、前記第３電極８５は、オーミック層、中間層、上部層で具現できる。前記オーミック層は、Ｃｒ、Ｖ、Ｗ、Ｔｉ、Ｚｎなどから選択された物質を含んでオーミック接触を具現することができる。前記中間層は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌなどから選択された物質で具現できる。前記上部層は、例えばＡｕを含むことができる。前記第３電極８５は、Ｃｒ、Ｖ、Ｗ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ｍｏのうち、少なくとも１つを含むことができる。
実施形態に従う発光素子は、第１連結部９０、第２連結部９５、及び第３連結部９７を含むことができる。前記第１連結部９０は、前記第１電極８０と前記伝導性支持部材７０に電気的に連結できる。前記第２連結部９５は、前記第２電極８３と前記第３電極８５に電気的に連結できる。前記第３連結部９７は、前記第４電極８７に電気的に連結できる。前記第３連結部９７の一端は、前記チャンネル層３０の上に配置できる。前記第３連結部９７は、前記第２反射層２７に電気的に連結できる。
前記第１連結部９０は、前記第１電極８０に接触できる。前記第１連結部９０は、前記第３金属層５０に電気的に連結できる。前記第１連結部９０は、前記第３金属層５０に接触できる。前記第１連結部９０は、前記第３金属層５０、前記ボンディング層６０を通じて前記伝導性支持部材７０に電気的に連結できる。前記第１連結部９０は、前記ボンディング層６０または前記伝導性支持部材７０に直接接触して配置されることもできる。
前記第１連結部９０は、前記絶縁層４０を貫通して配置されることもできる。前記第１連結部９０は、前記絶縁層４０を貫通して前記伝導性支持部材７０に電気的に連結できる。また、前記第１連結部９０は前記チャンネル層３０を貫通して前記第３金属層５０に電気的に連結されることもできる。前記第１連結部９０は、前記チャンネル層３０と前記絶縁層４０を貫通して前記第３金属層５０に電気的に連結されることもできる。
前記第１連結部９０は、前記第１発光構造物１０の側面に配置できる。前記第１連結部９０は、前記第１導電型の第１半導体層１１の側面に配置できる。前記第１連結部９０は、前記第１導電型の第１半導体層１１の側面に接触できる。前記チャンネル層３０は、前記第１連結部９０と前記第１活性層１２とを絶縁させることができる。前記チャンネル層３０は、前記第１連結部９０と前記第２導電型の第２半導体層１３とを絶縁させることができる。前記第１連結部９０は、前記第１活性層１２と少なくとも３マイクロメートル以上離隔して配置できる。
前記第２連結部９５は、前記第２発光構造物２０の側面に配置できる。前記第２連結部９５は、前記第１導電型の第３半導体層２１の側面に配置できる。前記第２連結部９５は、前記第１導電型の第３半導体層２１の側面に接触できる。前記チャンネル層３０は、前記第２連結部９０と前記第２活性層２２とを絶縁させることができる。前記チャンネル層３０は、前記第２連結部９０と前記第２導電型の第４半導体層２３とを絶縁させることができる。前記第２連結部９５は、前記第２活性層２２と少なくとも３マイクロメートル以上離隔して配置できる。
前記第３連結部９７は、前記第２金属層４５に電気的に連結できる。前記第３連結部９７は、前記第２金属層４５に接触できる。前記第３連結部９７の一端は、前記チャンネル層３０の上に配置できる。前記第３連結部９７の一端は、前記第２発光構造物２０の側面と離隔して配置できる。前記第３連結部９７の一端は、前記第２発光構造物２０の側面に露出して配置できる。
前記第３連結部９７は、前記チャンネル層３０を貫通して前記第２金属層４５に電気的に連結できる。また、前記第３連結部９７は前記絶縁層４０を貫通して前記第２金属層４５に電気的に連結されることもできる。前記第３連結部９７は、前記第４電極８７に電気的に連結できる。前記第３連結部９７は、前記第４電極８７に接触して配置できる。
前記第１連結部９０、前記第２連結部９５、及び前記第３連結部９７は、Ｃｒ、Ｖ、Ｗ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ｍｏのうち、少なくとも１つを含むことができる。
実施形態に従う発光素子は、前記第２電極８３の下部に配置された前記伝導性支持部材７０を通じて前記第２電極８３の上部に配置された前記第１導電型の第１半導体層１１に電気的に連結できる。前記第２電極８３は、前記第２導電型の第２半導体層１３と前記伝導性支持部材７０との間に配置できる。
これによって、前記伝導性支持部材７０をボンディングパッドに付着させる方法などにより前記第１導電型の第１半導体層１１に電源が提供できるようになる。また、実施形態によれば、前記第２連結部９５が前記第２電極８３と前記第３電極８５に電気的に連結できる。また、前記第３連結部９７が前記第４電極８７に電気的に連結できる。これによって、前記第３連結部９７をワイヤボンディングなどにより電源パッドに連結させることによって、前記第２導電型の第２半導体層１３に電源が提供できるようになる。
このように実施形態に従う発光素子によれば、前記伝導性支持部材７０と前記第３連結部９７を通じて前記第１発光構造物１０と前記第２発光構造物２０に電源が提供できるようになる。これによって、実施形態によれば電流集中を防止し、電気的信頼性を向上させることができるようになる。
図９は、本発明の実施形態に従う発光素子の他の例を示す図である。図９に図示された発光素子を説明するに当たって、図７を参照して説明された部分と重複する事項に対しては説明を省略する。
実施形態に従う発光素子によれば、前記第１発光構造物１０の下に第１オーミック反射層１９が配置できる。前記第１オーミック反射層１９は、第１反射層１７と第１オーミック接触層１５の機能を全て遂行するように具現できる。これによって、前記第１オーミック反射層１９は、前記第２導電型の第２半導体層１３にオーミック接触し、前記第１発光構造物１０から入射される光を反射させる機能を遂行することができる。
実施形態に従う発光素子によれば、前記第２発光構造物２０の下に第２オーミック反射層２９が配置できる。前記第２オーミック反射層２９は、第２反射層２７と第２オーミック接触層２５の機能を全て遂行するように具現できる。これによって、前記第２オーミック反射層２９は、前記第２導電型の第４半導体層２３にオーミック接触し、前記第２発光構造物２０から入射される光を反射させる機能を遂行することができる。
ここで、前記第１オーミック反射層１９と前記第２オーミック反射層２９は多層に形成できる。例えば、前記第１オーミック反射層１９と前記第２オーミック反射層２９はＡｇ層とＮｉ層とが交互に形成されることもでき、Ｎｉ／Ａｇ／Ｎｉ、あるいはＴｉ、Ｐｔ層を含むこともできる。
実施形態に従う発光素子は、前記第１発光構造物１０の下部周りと前記第２発光構造物２０の下部周りに配置されたチャンネル層３０を含むことができる。例えば、前記チャンネル層３０の上部面は前記第１活性層１２の上部面に比べてより高く配置できる。前記チャンネル層３０の上部面は前記第２活性層２２の上部面に比べてより高く配置できる。
実施形態によれば、前記第１電極８０及び前記第２電極８３を通じて前記第１発光構造物１０に電源が印加できるようになる。実施形態によれば、前記第１電極８０は、オーミック層、中間層、上部層で具現できる。前記オーミック層は、Ｃｒ、Ｖ、Ｗ、Ｔｉ、Ｚｎなどから選択された物質を含んでオーミック接触を具現することができる。前記中間層は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌなどから選択された物質で具現できる。前記上部層は、例えばＡｕを含むことができる。前記第１電極８０は、Ｃｒ、Ｖ、Ｗ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ｍｏのうち、少なくとも１つを含むことができる。
実施形態によれば、前記第３電極８５及び前記第４電極８７を通じて前記第２発光構造物２０に電源が印加できるようになる。実施形態によれば、前記第３電極８５は、オーミック層、中間層、上部層で具現できる。前記オーミック層は、Ｃｒ、Ｖ、Ｗ、Ｔｉ、Ｚｎなどから選択された物質を含んでオーミック接触を具現することができる。前記中間層は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌなどから選択された物質で具現できる。前記上部層は、例えばＡｕを含むことができる。前記第３電極８５は、Ｃｒ、Ｖ、Ｗ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ｍｏのうち、少なくとも１つを含むことができる。
実施形態に従う発光素子は、第１連結部９０、第２連結部９５、及び第３連結部９７を含むことができる。前記第１連結部９０は、前記第１電極８０と前記伝導性支持部材７０に電気的に連結できる。前記第２連結部９５は、前記第２電極８３と前記第３電極８５に電気的に連結できる。前記第３連結部９７は、前記第４電極８７に電気的に連結できる。前記第３連結部９７の一端は、前記チャンネル層３０の上に配置できる。前記第３連結部９７は、前記第２反射層２７に電気的に連結できる。
前記第１連結部９０は、前記第１電極８０に接触できる。前記第１連結部９０は、前記第３金属層５０に電気的に連結できる。前記第１連結部９０は、前記第３金属層５０に接触できる。前記第１連結部９０は、前記第３金属層５０、前記ボンディング層６０を通じて前記伝導性支持部材７０に電気的に連結できる。前記第１連結部９０は、前記ボンディング層６０または前記伝導性支持部材７０に直接接触して配置されることもできる。
前記第１連結部９０は、前記絶縁層４０を貫通して配置されることもできる。前記第１連結部９０は、前記絶縁層４０を貫通して前記伝導性支持部材７０に電気的に連結できる。また、前記第１連結部９０は前記チャンネル層３０を貫通して前記第３金属層５０に電気的に連結されることもできる。前記第１連結部９０は、前記チャンネル層３０と前記絶縁層４０を貫通して前記第３金属層５０に電気的に連結されることもできる。
前記第１連結部９０は、前記第１発光構造物１０の側面に配置できる。前記第１連結部９０は、前記第１導電型の第１半導体層１１の側面に配置できる。前記第１連結部９０は、前記第１導電型の第１半導体層１１の側面に接触できる。前記チャンネル層３０は、前記第１連結部９０と前記第１活性層１２とを絶縁させることができる。前記チャンネル層３０は、前記第１連結部９０と前記第２導電型の第２半導体層１３とを絶縁させることができる。前記第１連結部９０は、前記第１活性層１２と少なくとも３マイクロメートル以上離隔して配置できる。
前記第２連結部９５は、前記第２発光構造物２０の側面に配置できる。前記第２連結部９５は、前記第１導電型の第３半導体層２１の側面に配置できる。前記第２連結部９５は、前記第１導電型の第３半導体層２１の側面に接触できる。前記チャンネル層３０は、前記第２連結部９５と前記第２活性層２２とを絶縁させることができる。前記チャンネル層３０は、前記第２連結部９５と前記第２導電型の第４半導体層２３とを絶縁させることができる。前記第２連結部９５は、前記第２活性層２２と少なくとも３マイクロメートル以上離隔して配置できる。
前記第３連結部９７は、前記第２金属層４５に電気的に連結できる。前記第３連結部９７は、前記第２金属層４５に接触できる。前記第３連結部９７の一端は、前記チャンネル層３０の上に配置できる。前記第３連結部９７の一端は、前記第２発光構造物２０の側面と離隔して配置できる。前記第３連結部９７の一端は、前記第２発光構造物２０の側面に露出して配置できる。
前記第３連結部９７は、前記チャンネル層３０を貫通して前記第２金属層４５に電気的に連結できる。また、前記第３連結部９７は前記絶縁層４０を貫通して前記第２金属層４５に電気的に連結されることもできる。前記第３連結部９７は、前記第４電極８７に電気的に連結できる。前記第３連結部９７は、前記第４電極８７に接触して配置できる。
前記第１連結部９０、前記第２連結部９５、及び前記第３連結部９７は、Ｃｒ、Ｖ、Ｗ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ｍｏのうち、少なくとも１つを含むことができる。
実施形態に従う発光素子は、前記第２電極８３の下部に配置された前記伝導性支持部材７０を通じて前記第２電極８３の上部に配置された前記第１導電型の第１半導体層１１に電気的に連結できる。前記第２電極８３は、前記第２導電型の第２半導体層１３と前記伝導性支持部材７０との間に配置できる。
これによって、前記伝導性支持部材７０をボンディングパッドに付着させる方法などにより前記第１導電型の第１半導体層１１に電源が提供できるようになる。また、実施形態によれば、前記第２連結部９５が前記第２電極８３と前記第３電極８５に電気的に連結できる。また、前記第３連結部９７が前記第４電極８７に電気的に連結できる。これによって、前記第３連結部９７をワイヤボンディングなどにより電源パッドに連結させることによって、前記第２導電型の第２半導体層１３に電源が提供できるようになる。
このように実施形態に従う発光素子によれば、前記伝導性支持部材７０と前記第３連結部９７を通じて前記第１発光構造物１０と前記第２発光構造物２０に電源が提供できるようになる。これによって、実施形態によれば、電流集中を防止し、電気的信頼性を向上させることができるようになる。
図１０は、本発明の実施形態に従う発光素子が適用された発光素子パッケージを示す図である。
図１０を参照すると、実施形態に従う発光素子パッケージは、胴体１２０、前記胴体１２０に配置された第１リード電極１３１及び第２リード電極１３２、前記胴体１２０に提供されて前記第１リード電極１３１及び第２リード電極１３２と電気的に連結される実施形態に従う発光素子１００、及び前記発光素子１００を囲むモールディング部材１４０を含むことができる。
前記胴体１２０は、シリコン材質、合成樹脂材質、または金属材質を含んで形成されることができ、前記発光素子１００の周囲に傾斜面が形成できる。
前記第１リード電極１３１及び第２リード電極１３２は互いに電気的に分離され、前記発光素子１００に電源を提供する。また、前記第１リード電極１３１及び第２リード電極１３２は前記発光素子１００で発生した光を反射させて光効率を増加させることができ、前記発光素子１００で発生した熱を外部に排出させる役割をすることもできる。
前記発光素子１００は前記胴体１２０の上に配置されるか、前記第１リード電極１３１または第２リード電極１３２の上に配置できる。
前記発光素子１００は、前記第１リード電極１３１及び第２リード電極１３２とワイヤ方式、フリップチップ方式、またはダイボンディング方式のうち、いずれか１つにより電気的に連結されることもできる。
前記モールディング部材１４０は、前記発光素子１００を囲んで前記発光素子１００を保護することができる。また、前記モールディング部材１４０には蛍光体が含まれて前記発光素子１００から放出された光の波長を変化させることができる。
実施形態に従う発光素子または発光素子パッケージは、複数個が基板の上にアレイされることができ、前記発光素子パッケージの光経路の上に光学部材であるレンズ、導光板、プリズムシート、拡散シートなどが配置できる。このような発光素子パッケージ、基板、及び光学部材は、ライトユニットとして機能することができる。前記ライトユニットは、トップビューまたはサイドビュータイプで具現されて、携帯端末機及びノートブックコンピュータなどの表示装置に提供されるか、照明装置及び指示装置などに多様に適用できる。更に他の実施形態は、前述した実施形態に記載された発光素子または発光素子パッケージを含む照明装置で具現できる。例えば、照明装置はランプ、街灯、電光板、及び前照灯を含むことができる。
実施形態に従う発光素子は、ライトユニットに適用できる。前記ライトユニットは、複数の発光素子がアレイされた構造を含み、図１１及び図１２に図示された表示装置、図１３に図示された照明装置を含むことができる。
図１１を参照すると、実施形態に従う表示装置１０００は、導光板１０４１、前記導光板１０４１に光を提供する発光モジュール１０３１、前記導光板１０４１の下に反射部材１０２２、前記導光板１０４１の上に光学シート１０５１、前記光学シート１０５１の上に表示パネル１０６１、前記導光板１０４１、発光モジュール１０３１、及び反射部材１０２２を収納するボトムカバー１０１１を含むことができるが、これに限定されるものではない。
前記ボトムカバー１０１１、反射部材１０２２、導光板１０４１、光学シート１０５１は、ライトユニット１０５０として定義できる。
前記導光板１０４１は、光を拡散させて面光源化させる役割をする。前記導光板１０４１は透明な材質からなり、例えば、ＰＭＭＡ（polymethyl metaacrylate）のようなアクリル樹脂系列、ＰＥＴ（polyethylene terephthlate）、ＰＣ（poly carbonate）、ＣＯＣ（cycloolefin copolymer）、及びＰＥＮ（polyethylene naphthalate）樹脂のうち、１つを含むことができる。
前記発光モジュール１０３１は、前記導光板１０４１の少なくとも一側面に光を提供し、窮極的には表示装置の光源として作用するようになる。
前記発光モジュール１０３１は少なくとも１つが提供されることができ、前記導光板１０４１の一側面で直接または間接的に光を提供することができる。前記発光モジュール１０３１は、基板１０３３と前述した実施形態に従う発光素子または発光素子パッケージ２００を含むことができる。前記発光素子パッケージ２００は、前記基板１０３３の上に所定間隔でアレイできる。
前記基板１０３３は、回路パターンを含む印刷回路基板（ＰＣＢ；Printed Circuit Board）でありうる。但し、前記基板１０３３は一般ＰＣＢだけでなく、メタルコアＰＣＢ（ＭＣＰＣＢ；Metal Core PCB）、軟性ＰＣＢ（ＦＰＣＢ；Flexible PCB）などを含むことができ、これに対して限定するものではない。前記発光素子パッケージ２００は、前記ボトムカバー１０１１の側面または放熱プレートの上に提供される場合、前記基板１０３３は除去できる。ここで、前記放熱プレートの一部は前記ボトムカバー１０１１の上面に接触できる。
そして、前記多数の発光素子パッケージ２００は光が放出される出射面が前記導光板１０４１と所定距離離隔するように搭載されることができ、これに対して限定するものではない。前記発光素子パッケージ２００は、前記導光板１０４１の一側面である入光部に光を直接または間接的に提供することができ、これに対して限定するものではない。
前記導光板１０４１の下には前記反射部材１０２２が配置できる。前記反射部材１０２２は、前記導光板１０４１の下面に入射された光を反射させて上に向けるようにすることによって、前記ライトユニット１０５０の輝度を向上させることができる。前記反射部材１０２２は、例えば、ＰＥＴ、ＰＣ、ＰＶＣレジンなどで形成できるが、これに対して限定するものではない。前記反射部材１０２２は、前記ボトムカバー１０１１の上面であることがあり、これに対して限定するものではない。
前記ボトムカバー１０１１は、前記導光板１０４１、発光モジュール１０３１、及び反射部材１０２２などを収納することができる。このために、前記ボトムカバー１０１１は上面が開口されたボックス（box）形状を有する収納部１０１２が備えられることができ、これに対して限定するものではない。前記ボトムカバー１０１１はトップカバーと結合されることができ、これに対して限定するものではない。
前記ボトムカバー１０１１は金属材質または樹脂材質で形成されることができ、プレス成形または押出成形などの工程を用いて製造できる。また、前記ボトムカバー１０１１は熱伝導性のよい金属または非金属材料を含むことができ、これに対して限定するものではない。
前記表示パネル１０６１は、例えばＬＣＤパネルであって、互いに対向する透明な材質の第１及び第２基板、そして第１及び第２基板の間に介された液晶層を含む。前記表示パネル１０６１の少なくとも一面には偏光板が付着されることができ、このような偏光板の付着構造に限定するものではない。前記表示パネル１０６１は、光学シート１０５１を通過した光により情報を表示するようになる。このような表示装置１０００は、各種携帯端末機、ノートブックコンピュータのモニタ、ラップトップコンピュータのモニタ、テレビなどに適用できる。
前記光学シート１０５１は、前記表示パネル１０６１と前記導光板１０４１との間に配置され、少なくとも一枚の透光性シートを含む。前記光学シート１０５１は、例えば拡散シート、水平及び垂直プリズムシート、及び輝度強化シートなどのシートのうち、少なくとも１つを含むことができる。前記拡散シートは入射される光を拡散させ、前記水平または／及び垂直プリズムシートは入射される光を表示領域に集光させ、前記輝度強化シートは損失される光を再使用して輝度を向上させる。また、前記表示パネル１０６１の上には保護シートが配置されることができ、これに対して限定するものではない。
ここで、前記発光モジュール１０３１の光経路の上には光学部材として、前記導光板１０４１及び光学シート１０５１を含むことができ、これに対して限定するものではない。
図１２は、本発明の実施形態に従う表示装置の他の例を示す図である。
図１２を参照すると、表示装置１１００は、ボトムカバー１１５２、前記に開示された発光素子１００がアレイされた基板１０２０、光学部材１１５４、及び表示パネル１１５５を含む。
前記基板１０２０と前記発光素子パッケージ２００は、発光モジュール１０６０として定義できる。前記ボトムカバー１１５２、少なくとも１つの発光モジュール１０６０、光学部材１１５４は、ライトユニットとして定義できる。
前記ボトムカバー１１５２には収納部１１５３を備えることができ、これに対して限定するものではない。
ここで、前記光学部材１１５４は、レンズ、導光板、拡散シート、水平及び垂直プリズムシート、及び輝度強化シートなどから少なくとも１つを含むことができる。前記導光板は、ＰＣ材質またはＰＭＭＡ（Poly methy methacrylate）材質からなることができ、このような導光板は除去できる。前記拡散シートは入射される光を拡散させ、前記水平及び垂直プリズムシートは入射される光を表示領域に集光させ、前記輝度強化シートは損失される光を再使用して輝度を向上させる。
前記光学部材１１５４は前記発光モジュール１０６０の上に配置され、前記発光モジュール１０６０から放出された光を面光源するか、拡散、集光などを遂行するようになる。
図１３は、本発明の実施形態に従う照明装置を示す図である。
図１３を参照すると、実施形態に従う照明装置は、カバー２１００、光源モジュール２２００、放熱体２４００、電源提供部２６００、内部ケース２７００、及びソケット２８００を含むことができる。また、実施形態に従う照明装置は、部材２３００とホルダー２５００のうち、いずれか１つ以上をさらに含むことができる。前記光源モジュール２２００は、実施形態に従う発光素子パッケージを含むことができる。
例えば、前記カバー２１００はバルブ（bulb）または半球形状を有し、中空であり、一部分が開口された形状に提供できる。前記カバー２１００は、前記光源モジュール２２００と光学的に結合できる。例えば、前記カバー２１００は前記光源モジュール２２００から提供される光を拡散、散乱、または励起させることができる。前記カバー２１００は一種の光学部材でありうる。前記カバー２１００は、前記放熱体２４００と結合できる。前記カバー２１００は、前記放熱体２４００と結合する結合部を有することができる。
前記カバー２１００の内面には乳白色塗料がコーティングできる。乳白色の塗料は光を拡散させる拡散材を含むことができる。前記カバー２１００の内面の表面粗さは前記カバー２１００の外面の表面粗さより大きく形成できる。これは、前記光源モジュール２２００からの光が十分に散乱及び拡散されて外部に放出させるためである。
前記カバー２１００の材質は、ガラス（glass）、プラスチック、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリカーボネート（ＰＣ）などでありうる。ここで、ポリカーボネートは、耐光性、耐熱性、及び強度に優れる。前記カバー２１００は外部から前記光源モジュール２２００が見えるように透明であることがあり、不透明であることがある。前記カバー２１００は、ブロー（blow）成形により形成できる。
前記光源モジュール２２００は、前記放熱体２４００の一面に配置できる。したがって、前記光源モジュール２２００からの熱は前記放熱体２４００に伝導される。前記光源モジュール２２００は、光源部２２１０、連結プレート２２３０、及びコネクター２２５０を含むことができる。
前記部材２３００は前記放熱体２４００の上面の上に配置され、複数の光源部２２１０とコネクター２２５０が挿入されるガイド溝２３１０を有する。前記ガイド溝２３１０は前記光源部２２１０の基板及びコネクター２２５０と対応する。
前記部材２３００の表面は光反射物質で塗布またはコーティングされたものであることがある。例えば、前記部材２３００の表面は白色の塗料で塗布またはコーティングされたものであることがある。このような前記部材２３００は、前記カバー２１００の内面に反射されて前記光源モジュール２２００の方向に戻る光をまた前記カバー２１００の方向に反射する。したがって、実施形態に従う照明装置の光効率を向上させることができる。
前記部材２３００は、例として絶縁物質からなることができる。前記光源モジュール２２００の連結プレート２２３０は電気伝導性の物質を含むことができる。したがって、前記放熱体２４００と前記連結プレート２２３０との間に電気的な接触がなされることができる。前記部材２３００は絶縁物質で構成されて、前記連結プレート２２３０と前記放熱体２４００との電気的短絡を遮断することができる。前記放熱体２４００は、前記光源モジュール２２００からの熱と前記電源提供部２６００からの熱の伝達を受けて放熱する。
前記ホルダー２５００は、内部ケース２７００の絶縁部２７１０の収納溝２７１９を防ぐ。したがって、前記内部ケース２７００の前記絶縁部２７１０に収納される前記電源提供部２６００は密閉される。前記ホルダー２５００は、ガイド突出部２５１０を有する。前記ガイド突出部２５１０は、前記電源提供部２６００の突出部２６１０が貫通するホールを有する。
前記電源提供部２６００は、外部から提供を受けた電気的信号を処理または変換して前記光源モジュール２２００に提供する。前記電源提供部２６００は前記内部ケース２７００の収納溝２７１９に収納され、前記ホルダー２５００により前記内部ケース２７００の内部に密閉される。
前記電源提供部２６００は、突出部２６１０、ガイド部２６３０、及びベース２６５０、及び延長部２６７０を含むことができる。
前記ガイド部２６３０は、前記ベース２６５０の一側から外部に突出した形状を有する。前記ガイド部２６３０は、前記ホルダー２５００に挿入できる。前記ベース２６５０の一面の上に多数の部品が配置できる。多数の部品は、例えば、外部電源から提供される交流電源を直流電源に変換する直流変換装置、前記光源モジュール２２００の駆動を制御する駆動チップ、前記光源モジュール２２００を保護するためのＥＳＤ（Electro Static discharge）保護素子などを含むことができるが、これに対して限定するものではない。
前記延長部２６７０は、前記ベース２６５０の他の一側から外部に突出した形状を有する。前記延長部２６７０は前記内部ケース２７００の連結部２７５０の内部に挿入され、外部からの電気的信号の提供を受ける。例えば、前記延長部２６７０は前記内部ケース２７００の連結部２７５０の幅と等しいか小さく提供できる。前記延長部２６７０には“＋電線”と“−電線”の各一端が電気的に連結され、“＋電線”と“−電線”の他端はソケット２８００に電気的に連結できる。
前記内部ケース２７００は内部に前記電源提供部２６００と共にモールディング部を含むことができる。モールディング部はモールディング液体が固まった部分であって、前記電源提供部２６００が前記内部ケース２７００の内部に固定できるようにする。
以上、実施形態に説明された特徴、構造、効果などは、本発明の少なくとも１つの実施形態に含まれ、必ず１つの実施形態のみに限定されるものではない。延いては、各実施形態で例示された特徴、構造、効果などは、当業者により他の実施形態に対しても組合または変形されて実施可能である。したがって、このような組合と変形に関連した内容は本発明の範囲に含まれることと解釈されるべきである。
以上、本発明を好ましい実施形態をもとに説明したが、これは単なる例示であり、本発明を限定するのでない。本発明の本質的な特性を逸脱しない範囲内で、多様な変形及び応用が可能であることが当業者にとって明らかである。例えば、実施形態に具体的に表れた各構成要素は変形して実施することができ、このような変形及び応用にかかわる差異点も、特許請求の範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。
１０ 第１発光構造物
１１ 第１半導体層
１２ 第１活性層
１３ 第２半導体層
１５ 第１オーミック接触層
１７ 第１反射層
２０ 第２発光構造物
２１ 第３半導体層
２２ 第２活性層
２３ 第４半導体層
２５ 第２オーミック接触層
２７ 第２反射層
３０ チャンネル層
３５ 第１金属層
４０ 絶縁層
４５ 第２金属層
５０ 第３金属層
６０ ボンディング層
７０ 伝導性支持部材
８０ 第１電極
８３ 第２電極
８５ 第３電極
８７ 第４電極
９０ 第１連結部
９５ 第２連結部
９７ 第３連結部
１１ 第１半導体層
１２ 第１活性層
１３ 第２半導体層
１５ 第１オーミック接触層
１７ 第１反射層
２０ 第２発光構造物
２１ 第３半導体層
２２ 第２活性層
２３ 第４半導体層
２５ 第２オーミック接触層
２７ 第２反射層
３０ チャンネル層
３５ 第１金属層
４０ 絶縁層
４５ 第２金属層
５０ 第３金属層
６０ ボンディング層
７０ 伝導性支持部材
８０ 第１電極
８３ 第２電極
８５ 第３電極
８７ 第４電極
９０ 第１連結部
９５ 第２連結部
９７ 第３連結部
Claims (21)
- 伝導性支持部材と、
第１導電型の第１半導体層、前記第１半導体層の下に第１活性層、及び前記第１活性層の下に第２導電型の第２半導体層を含み、前記伝導性支持部材の上に配置された第１発光構造物と、
第１導電型の第３半導体層、前記第３半導体層の下に第２活性層、及び前記第２活性層の下に第２導電型の第４半導体層を含み、前記伝導性支持部材の上に配置された第２発光構造物と、
前記第１発光構造物の下部周りと前記第２発光構造物の下部周りに配置されたチャンネル層と、
前記第１半導体層に電気的に連結された第１電極と、
前記第２半導体層に電気的に連結された第２電極と、
前記第３半導体層に電気的に連結された第３電極と、
前記第４半導体層に電気的に連結された第４電極と、
前記第１電極と前記伝導性支持部材に電気的に連結された第１連結部と、
前記第２電極と前記第３電極に電気的に連結された第２連結部と、
前記第４電極と電気的に連結され、一端が前記チャンネル層の上に配置された第３連結部と、
を含むことを特徴とする、発光素子。 - 前記第１連結部は前記第１半導体層の側面に接触して配置されたことを特徴とする、請求項１に記載の発光素子。
- 前記チャンネル層の上部面は前記第１活性層の上部面と前記第２活性層の上部面に比べてより高く配置されたことを特徴とする、請求項１または２に記載の発光素子。
- 前記第１電極は前記第１半導体層の上に配置されたことを特徴とする、請求項１乃至３のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
- 前記第２電極は前記第２半導体層と前記伝導性支持部材との間に配置されたことを特徴とする、請求項１乃至４のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
- 前記第３電極は前記第３半導体層の上に配置されたことを特徴とする、請求項１乃至５のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
- 前記第４電極は前記第４半導体層と前記伝導性支持部材との間に配置されたことを特徴とする、請求項１乃至６のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
- 前記第３連結部の一端は前記第２発光構造物の側面と離隔して配置され、前記第２発光構造物の側面に露出したことを特徴とする、請求項１乃至７のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
- 前記第２電極と前記伝導性支持部材との間と、前記第４電極と前記伝導性支持部材との間に配置された絶縁層を含むことを特徴とする、請求項１乃至８のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
- 前記絶縁層の上部面は前記第２発光構造物の下部周りに露出されたことを特徴とする、請求項９に記載の発光素子。
- 前記絶縁層は前記チャンネル層の周りを覆いかぶせるように配置されたことを特徴とする、請求項９または１０に記載の発光素子。
- 前記第１連結部は前記チャンネル層を貫通して前記伝導性支持部材に電気的に連結されたことを特徴とする、請求項１乃至１１のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
- 前記チャンネル層は前記第１活性層の周りと前記第２活性層の周りを覆いかぶせるように配置されたことを特徴とする、請求項１乃至１２のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
- 前記チャンネル層は前記第２半導体層の周りと前記第４半導体層の周りを覆いかぶせるように配置されたことを特徴とする、請求項１乃至１３のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
- 前記第１発光構造物と前記第２発光構造物の上部に配置されたラフネス（roughness）を含むことを特徴とする、請求項１乃至１４のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
- 前記第２電極の下に配置された拡散障壁層、ボンディング層を含むことを特徴とする、請求項１乃至１５のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
- 前記チャンネル層は酸化物または窒化物を含むことを特徴とする、請求項１乃至１６のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
- 前記チャンネル層の一端が前記第２導電型の第２半導体層と前記第２電極との間に配置されたことを特徴とする、請求項１乃至１７のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
- 前記チャンネル層の一端は、前記第２導電型の第２半導体層の下部面に接触して配置されたことを特徴とする、請求項１乃至１８のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
- 前記第２連結部は、前記第２発光構造物の側面に配置されたことを特徴とする、請求項１乃至１９のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
- 前記第２連結部は、前記第２活性層と少なくとも３マイクロメートル以上離隔して配置されたことを特徴とする、請求項１乃至２０のうち、いずれか１項に記載の発光素子。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020120098713A KR101956101B1 (ko) | 2012-09-06 | 2012-09-06 | 발광소자 |
| KR10-2012-0098713 | 2012-09-06 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2014053606A true JP2014053606A (ja) | 2014-03-20 |
| JP2014053606A5 JP2014053606A5 (ja) | 2016-10-20 |
| JP6210800B2 JP6210800B2 (ja) | 2017-10-11 |
Family
ID=49111049
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013180900A Active JP6210800B2 (ja) | 2012-09-06 | 2013-09-02 | 発光素子 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9048368B2 (ja) |
| EP (1) | EP2706572B1 (ja) |
| JP (1) | JP6210800B2 (ja) |
| KR (1) | KR101956101B1 (ja) |
| CN (1) | CN103682070B (ja) |
Families Citing this family (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008091846A2 (en) | 2007-01-22 | 2008-07-31 | Cree Led Lighting Solutions, Inc. | Illumination devices using externally interconnected arrays of light emitting devices, and methods of fabricating same |
| US12002915B2 (en) | 2011-06-24 | 2024-06-04 | Creeled, Inc. | Multi-segment monolithic LED chip |
| US11251348B2 (en) | 2011-06-24 | 2022-02-15 | Creeled, Inc. | Multi-segment monolithic LED chip |
| KR20130021296A (ko) * | 2011-08-22 | 2013-03-05 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자, 발광소자 패키지, 및 라이트 유닛 |
| US11792898B2 (en) | 2012-07-01 | 2023-10-17 | Ideal Industries Lighting Llc | Enhanced fixtures for area lighting |
| US11160148B2 (en) | 2017-06-13 | 2021-10-26 | Ideal Industries Lighting Llc | Adaptive area lamp |
| EP2701212B1 (en) * | 2012-08-20 | 2020-06-17 | LG Innotek Co., Ltd. | Light emitting diode |
| DE102013103079A1 (de) * | 2013-03-26 | 2014-10-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips |
| DE102013107531A1 (de) * | 2013-07-16 | 2015-01-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip |
| WO2015111202A1 (ja) * | 2014-01-27 | 2015-07-30 | 株式会社日立製作所 | 半導体モジュール |
| KR20150138758A (ko) * | 2014-06-02 | 2015-12-10 | 삼성전자주식회사 | 폴리이미드 필름 및 그 제조 방법, 상기 폴리이미드 필름을 포함하는 광학 장치 |
| TWI552394B (zh) * | 2014-11-18 | 2016-10-01 | 隆達電子股份有限公司 | 發光二極體結構與發光二極體模組 |
| KR102237152B1 (ko) * | 2015-02-23 | 2021-04-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 라이팅 유닛 |
| KR102374268B1 (ko) | 2015-09-04 | 2022-03-17 | 삼성전자주식회사 | 발광소자 패키지 |
| JP6637703B2 (ja) * | 2015-09-10 | 2020-01-29 | アルパッド株式会社 | 半導体発光装置 |
| JP6354799B2 (ja) * | 2015-12-25 | 2018-07-11 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子 |
| US10529696B2 (en) | 2016-04-12 | 2020-01-07 | Cree, Inc. | High density pixelated LED and devices and methods thereof |
| US11705440B2 (en) * | 2017-06-26 | 2023-07-18 | PlayNitride Inc. | Micro LED display panel |
| TWI780195B (zh) | 2017-08-03 | 2022-10-11 | 美商克里公司 | 高密度像素化發光二極體晶片和晶片陣列裝置以及製造方法 |
| US10734363B2 (en) | 2017-08-03 | 2020-08-04 | Cree, Inc. | High density pixelated-LED chips and chip array devices |
| KR102411948B1 (ko) * | 2017-12-15 | 2022-06-22 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 반도체 소자 |
| US10529773B2 (en) | 2018-02-14 | 2020-01-07 | Cree, Inc. | Solid state lighting devices with opposing emission directions |
| KR102471684B1 (ko) * | 2018-04-05 | 2022-11-28 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 반도체 소자 패키지 |
| WO2019194618A1 (ko) | 2018-04-05 | 2019-10-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 소자 패키지 |
| FR3086100B1 (fr) * | 2018-09-13 | 2022-08-12 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication d'un dispositif optoelectronique comprenant une pluralite de diodes |
| US10903265B2 (en) | 2018-12-21 | 2021-01-26 | Cree, Inc. | Pixelated-LED chips and chip array devices, and fabrication methods |
| US11355686B2 (en) * | 2019-03-29 | 2022-06-07 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Unit pixel having light emitting device, pixel module and displaying apparatus |
| CN111864027B (zh) * | 2019-10-11 | 2022-09-16 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 紫外led高反电极、紫外led及其制备方法 |
| US11817526B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-11-14 | Creeled, Inc. | Texturing for high density pixelated-LED chips and chip array devices |
| US11437548B2 (en) | 2020-10-23 | 2022-09-06 | Creeled, Inc. | Pixelated-LED chips with inter-pixel underfill materials, and fabrication methods |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005079202A (ja) * | 2003-08-28 | 2005-03-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光装置、発光モジュール、照明装置、および半導体発光装置の製造方法 |
| JP2011166150A (ja) * | 2010-02-11 | 2011-08-25 | Lg Innotek Co Ltd | 発光素子 |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6504180B1 (en) * | 1998-07-28 | 2003-01-07 | Imec Vzw And Vrije Universiteit | Method of manufacturing surface textured high-efficiency radiating devices and devices obtained therefrom |
| KR100721515B1 (ko) * | 2006-01-09 | 2007-05-23 | 서울옵토디바이스주식회사 | Ⅰｔｏ층을 갖는 발광다이오드 및 그 제조방법 |
| KR101587539B1 (ko) * | 2009-03-31 | 2016-01-22 | 서울반도체 주식회사 | 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법 |
| KR101597326B1 (ko) * | 2009-03-31 | 2016-02-23 | 서울반도체 주식회사 | 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 소자 |
| US8937327B2 (en) * | 2009-03-31 | 2015-01-20 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting device having plurality of light emitting cells and method of fabricating the same |
| US9093293B2 (en) * | 2009-04-06 | 2015-07-28 | Cree, Inc. | High voltage low current surface emitting light emitting diode |
| KR101007133B1 (ko) * | 2009-06-08 | 2011-01-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
| KR100986570B1 (ko) * | 2009-08-31 | 2010-10-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
| KR101081193B1 (ko) * | 2009-10-15 | 2011-11-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
| EP2333852B1 (en) * | 2009-12-09 | 2019-03-27 | LG Innotek Co., Ltd. | Light emitting device and light emitting package |
| KR100986318B1 (ko) * | 2010-02-09 | 2010-10-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
| KR100999798B1 (ko) * | 2010-02-11 | 2010-12-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
| KR101665932B1 (ko) * | 2010-02-27 | 2016-10-13 | 삼성전자주식회사 | 멀티셀 어레이를 갖는 반도체 발광장치, 발광모듈 및 조명장치 |
| KR101014155B1 (ko) * | 2010-03-10 | 2011-02-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지 |
| KR101039879B1 (ko) * | 2010-04-12 | 2011-06-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 그 제조방법 |
| JP5471774B2 (ja) * | 2010-04-27 | 2014-04-16 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、電子機器 |
| KR101795053B1 (ko) * | 2010-08-26 | 2017-11-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자, 발광 소자 패키지, 라이트 유닛 |
| US8653542B2 (en) * | 2011-01-13 | 2014-02-18 | Tsmc Solid State Lighting Ltd. | Micro-interconnects for light-emitting diodes |
| EP2562814B1 (en) * | 2011-08-22 | 2020-08-19 | LG Innotek Co., Ltd. | Light emitting device and light emitting device package |
| EP2701212B1 (en) * | 2012-08-20 | 2020-06-17 | LG Innotek Co., Ltd. | Light emitting diode |
| US9257481B2 (en) * | 2012-11-26 | 2016-02-09 | Epistar Corporation | LED arrray including light-guiding structure |
-
2012
- 2012-09-06 KR KR1020120098713A patent/KR101956101B1/ko active IP Right Grant
-
2013
- 2013-09-02 JP JP2013180900A patent/JP6210800B2/ja active Active
- 2013-09-04 US US14/017,625 patent/US9048368B2/en active Active
- 2013-09-05 EP EP13183248.7A patent/EP2706572B1/en active Active
- 2013-09-06 CN CN201310404135.XA patent/CN103682070B/zh active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005079202A (ja) * | 2003-08-28 | 2005-03-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光装置、発光モジュール、照明装置、および半導体発光装置の製造方法 |
| JP2011166150A (ja) * | 2010-02-11 | 2011-08-25 | Lg Innotek Co Ltd | 発光素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103682070A (zh) | 2014-03-26 |
| KR101956101B1 (ko) | 2019-03-11 |
| US9048368B2 (en) | 2015-06-02 |
| KR20140032163A (ko) | 2014-03-14 |
| EP2706572A2 (en) | 2014-03-12 |
| US20140061685A1 (en) | 2014-03-06 |
| EP2706572B1 (en) | 2020-05-20 |
| JP6210800B2 (ja) | 2017-10-11 |
| EP2706572A3 (en) | 2015-11-25 |
| CN103682070B (zh) | 2017-12-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6210800B2 (ja) | 発光素子 | |
| JP6239311B2 (ja) | 発光素子 | |
| JP6239312B2 (ja) | 発光素子 | |
| JP5827666B2 (ja) | 発光素子 | |
| KR102181381B1 (ko) | 발광소자 | |
| JP6039590B2 (ja) | 発光素子 | |
| JP5709949B2 (ja) | 発光素子 | |
| KR102065398B1 (ko) | 발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛 | |
| JP5833149B2 (ja) | 発光素子 | |
| KR102008313B1 (ko) | 발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛 | |
| KR20140034472A (ko) | 발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛 | |
| KR20140009649A (ko) | 발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛 | |
| JP6265715B2 (ja) | 発光素子 | |
| KR101946919B1 (ko) | 발광소자 | |
| KR101976470B1 (ko) | 발광소자 | |
| KR101976466B1 (ko) | 발광소자 | |
| KR102055794B1 (ko) | 발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛 | |
| KR101956096B1 (ko) | 발광소자 | |
| KR102008328B1 (ko) | 발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛 | |
| KR102065437B1 (ko) | 발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛 | |
| KR102008291B1 (ko) | 발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛 | |
| KR102086115B1 (ko) | 발광소자 | |
| KR102026098B1 (ko) | 발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛 | |
| KR20140054580A (ko) | 발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛 | |
| KR20140056974A (ko) | 발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160901 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160901 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170724 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170815 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170912 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6210800 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |