JP2014049527A - 光電変換素子、光電変換素子の製造方法、及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
【課題】光電変換効率と応答性に優れた光電変換素子を提供する。
【解決手段】第1電極120を形成する第1電極形成工程と、第1半導体膜210を形成し、さらに第2半導体膜220を形成する光電変換部形成工程と、第2電極膜300を形成する第2電極膜形成工程と、スイッチング素子400を形成するトランジスター形成工程と、第2電極膜300とスイッチング素子400とを接続する配線を形成する配線形成工程とを含み、トランジスター工程及び配線工程に先んじて光電変換部形成工程を実行する。
【選択図】図1
【解決手段】第1電極120を形成する第1電極形成工程と、第1半導体膜210を形成し、さらに第2半導体膜220を形成する光電変換部形成工程と、第2電極膜300を形成する第2電極膜形成工程と、スイッチング素子400を形成するトランジスター形成工程と、第2電極膜300とスイッチング素子400とを接続する配線を形成する配線形成工程とを含み、トランジスター工程及び配線工程に先んじて光電変換部形成工程を実行する。
【選択図】図1
Description
本発明は、光電変換素子、光電変換素子の製造方法、及び電子機器に関するものである。
従来、基板上にトランジスターによるスイッチング素子が形成され、スイッチング素子に接続されるカルコパイライト構造を有する半導体膜から成る半導体装置を用いた光電変換部を備える光電変換素子が知られている。
カルコパイライト構造を有する半導体膜は、IB(1B)族元素と、IIIA(3A)族元素と、VIA(6A)族元素とを含んで構成される化合物半導体薄膜が用いられる。この化合物半導体薄膜をp形半導体膜とし、n形半導体膜と共にpn接合を形成することで光電変換素子を構成している。
上記IB−IIIA−VIA族化合物半導体薄膜には、銅(Cu)、インジウム(In)、セレン(Se)を含む、いわゆるCIS系薄膜や、銅(Cu)、インジウム(In)、ガリウム(Ga)、セレン(Se)等を含む、いわゆるCIGS系薄膜が用いられる。
CIS系薄膜は、銅(Cu),インジウム(In)を含む半導体膜を500℃程度のセレン(Se)雰囲気でアニールすることで形成される。また、同様にCIGS系薄膜は、銅(Cu)、インジウム(In)、ガリウム(Ga)を含む半導体膜をセレン(Se)雰囲気でアニールすることで形成される。
CIS系薄膜及びCIGS系薄膜は、多源蒸着法で形成されることもある。多源蒸着法の場合でも、基板温度は最高で500℃程度である。
例えば、特許文献1では、基板上に回路部としてトランジスターが形成され、その回路部に積層させて上述したCIGS系薄膜を用いた光電変換素子が形成されている。
カルコパイライト構造を有する半導体膜は、IB(1B)族元素と、IIIA(3A)族元素と、VIA(6A)族元素とを含んで構成される化合物半導体薄膜が用いられる。この化合物半導体薄膜をp形半導体膜とし、n形半導体膜と共にpn接合を形成することで光電変換素子を構成している。
上記IB−IIIA−VIA族化合物半導体薄膜には、銅(Cu)、インジウム(In)、セレン(Se)を含む、いわゆるCIS系薄膜や、銅(Cu)、インジウム(In)、ガリウム(Ga)、セレン(Se)等を含む、いわゆるCIGS系薄膜が用いられる。
CIS系薄膜は、銅(Cu),インジウム(In)を含む半導体膜を500℃程度のセレン(Se)雰囲気でアニールすることで形成される。また、同様にCIGS系薄膜は、銅(Cu)、インジウム(In)、ガリウム(Ga)を含む半導体膜をセレン(Se)雰囲気でアニールすることで形成される。
CIS系薄膜及びCIGS系薄膜は、多源蒸着法で形成されることもある。多源蒸着法の場合でも、基板温度は最高で500℃程度である。
例えば、特許文献1では、基板上に回路部としてトランジスターが形成され、その回路部に積層させて上述したCIGS系薄膜を用いた光電変換素子が形成されている。
しかしながら、スイッチング素子として薄膜トランジスターを用いる場合には、課題があった。一般的に、水素終端された珪素膜を300℃以上に加熱すると、水素が離脱する。薄膜トランジスターに用いられる非晶質珪素膜や多結晶珪素膜は、カルコパイライト構造の半導体膜を形成する工程で高温(500℃程度)に晒されると、これらの膜から水素が離脱しダングリングボンドが増加する。これによって、薄膜トランジスターの電気特性が悪化してしまう虞があった。また、スイッチング素子に設けられたアルミニウム等の低融点金属で形成された配線が高温に晒されると、配線の電気抵抗が増加したり、配線が断線したりする虞があった。
本発明は、上述した課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
[適用例1]
本適用例に係る光電変換素子の製造方法は、第1電極を形成する第1電極形成工程と、第1半導体膜を形成し、さらに第2半導体膜を形成する光電変換部形成工程と、第2電極膜を形成する第2電極形成工程と、スイッチング素子を形成するトランジスター形成工程と、第2電極膜とスイッチング素子とを接続する配線を形成する配線形成工程とを含み、トランジスター工程及び配線工程に先んじて光電変換部形成工程を実行することを特徴とする。
本適用例に係る光電変換素子の製造方法は、第1電極を形成する第1電極形成工程と、第1半導体膜を形成し、さらに第2半導体膜を形成する光電変換部形成工程と、第2電極膜を形成する第2電極形成工程と、スイッチング素子を形成するトランジスター形成工程と、第2電極膜とスイッチング素子とを接続する配線を形成する配線形成工程とを含み、トランジスター工程及び配線工程に先んじて光電変換部形成工程を実行することを特徴とする。
この様な光電変換素子の製造方法は、スイッチング素子、及び配線を形成する工程に先んじて、第1半導体膜を形成し、さらに当該第1半導体膜に接続する第2半導体膜を形成する光電変換部形成工程を実行する。光電変換部形成工程の最高温度は400℃以上であり、好ましくは500℃以上である。これによって、スイッチング素子と配線とが形成された後に高温に晒されることを抑制し、スイッチング素子の電気特性の悪化と、配線抵抗の増加と、を抑制することができる。
[適用例2]
上記適用例に係る光電変換素子の製造方法において、トランジスター形成工程は、多結晶珪素膜形成工程を含むことが好ましい。
上記適用例に係る光電変換素子の製造方法において、トランジスター形成工程は、多結晶珪素膜形成工程を含むことが好ましい。
この様な光電変換素子の製造方法は、トランジスター形成工程においてスイッチング素子の形成に多結晶珪素膜を形成する多結晶珪素膜形成工程を備える。多結晶珪素膜は水素化されており、ダングリングボンドが水素終端されている。
適用例2の製造方法によって、多結晶珪素膜形成工程を備えるトランジスター形成工程に先んじて光電変換部形成工程が実行されるので、スイッチング素子を構成する多結晶珪素膜が高温に晒されることなく、多結晶珪素膜から水素が離脱して多結晶珪素膜中のダングリングボンドが増加することを抑制することができる。
適用例2の製造方法によって、多結晶珪素膜形成工程を備えるトランジスター形成工程に先んじて光電変換部形成工程が実行されるので、スイッチング素子を構成する多結晶珪素膜が高温に晒されることなく、多結晶珪素膜から水素が離脱して多結晶珪素膜中のダングリングボンドが増加することを抑制することができる。
[適用例3]
上記適用例に係る光電変換素子の製造方法において、トランジスター形成工程は、水素化非晶質珪素膜形成工程を含むことが好ましい。
上記適用例に係る光電変換素子の製造方法において、トランジスター形成工程は、水素化非晶質珪素膜形成工程を含むことが好ましい。
この様な光電変換素子の製造方法は、トランジスター形成工程においてスイッチング素子を構成する水素化非晶質珪素膜を形成する水素化非晶質珪素膜形成工程を含む。光電変換部は、上述した光電変換部形成工程で形成する第1半導体膜としてのp形半導体膜と、第2半導体膜としてのn形半導体膜と、が接続して形成される。第1半導体膜と、第2半導体膜とは、高温雰囲気に晒されると第2半導体膜に含まれるドナーとなる原子が第1半導体膜に拡散し、第2半導体膜との界面付近の第1半導体膜がn形化する。n形化が過剰に進行すると、第1半導体膜におけるn形半導体膜で光が吸収されてしまい、本来光を吸収させたい第1半導体膜における空乏層領域まで光が届かなくなり、光電変換部における光電変換効率が低下する。
ここで水素化非晶質珪素膜を形成する水素化非晶質珪素膜形成工程では、その工程による基板や既に形成されている光電変換部へ加えられる温度が300℃以下である。多結晶珪素膜形成工程における最高温度は450℃程度であるので、水素化非晶質珪素膜形成工程の方が低い温度である。
よって、トランジスター形成工程で加えられる温度を低温下することで、第2半導体膜に含まれるドナーとなる原子が第1半導体膜に過剰に拡散して光電変換効率が低下することを抑制することができる。また、配線抵抗の増加及び配線の断線を抑制することができる。
ここで水素化非晶質珪素膜を形成する水素化非晶質珪素膜形成工程では、その工程による基板や既に形成されている光電変換部へ加えられる温度が300℃以下である。多結晶珪素膜形成工程における最高温度は450℃程度であるので、水素化非晶質珪素膜形成工程の方が低い温度である。
よって、トランジスター形成工程で加えられる温度を低温下することで、第2半導体膜に含まれるドナーとなる原子が第1半導体膜に過剰に拡散して光電変換効率が低下することを抑制することができる。また、配線抵抗の増加及び配線の断線を抑制することができる。
[適用例4]
本適用例に係る光電変換素子は、基板と、基板上に設けられた第1電極膜と、第1電極膜と接続して設けられた第1半導体膜と、第1半導体膜に対応して第1半導体膜と接続して設けられた第2半導体膜と、第2半導体膜に対応して第2半導体膜と接続して設けられた第2電極膜と、第1電極膜に対応して第1半導体膜と、第2半導体膜と、第2電極膜と、を覆う様に設けられた第1層間絶縁膜を備え、第1層間絶縁膜上にスイッチング素子が設けられ、スイッチング素子と、第2電極膜との間を配線で接続されていることを特徴とする。
本適用例に係る光電変換素子は、基板と、基板上に設けられた第1電極膜と、第1電極膜と接続して設けられた第1半導体膜と、第1半導体膜に対応して第1半導体膜と接続して設けられた第2半導体膜と、第2半導体膜に対応して第2半導体膜と接続して設けられた第2電極膜と、第1電極膜に対応して第1半導体膜と、第2半導体膜と、第2電極膜と、を覆う様に設けられた第1層間絶縁膜を備え、第1層間絶縁膜上にスイッチング素子が設けられ、スイッチング素子と、第2電極膜との間を配線で接続されていることを特徴とする。
この様な光電変換素子は、基板上に第1電極膜、第1半導体膜、第2半導体膜、第2電極膜、が順に積層され、第1半導体膜、第2半導体膜、第2電極膜を覆う様に第1電極膜に対応して第1層間絶縁膜が設けられている。また、第1層間絶縁膜上にスイッチング素子が設けられている。このことで、光電変換素子は、第1半導体膜を形成した後にスイッチング素子を形成することができ、スイッチング素子が高温に晒されることを抑制することができる。従って、スイッチング素子の電気特性の悪化と、配線抵抗の増加、及び配線の断線とを抑制し、光電変換効率と応答性に優れた光電変換素子を得ることができる。
[適用例5]
本適用例に係る電子機器は、上述した光電変換素子を搭載したことを特徴とする。
本適用例に係る電子機器は、上述した光電変換素子を搭載したことを特徴とする。
この様な電子機器は、上述した光電変換効率と、応答性の優れた光電変換素子を適用することで、光電変換素子が搭載された電子機器の動作の高速化と、信頼性の向上とを実現することができる。
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。なお、以下に示す各図においては、各構成要素を図面上で認識され得る程度の大きさとするため、各構成要素の寸法や比率を実際の構成要素とは適宜に異ならせて記載する場合がある。
(第1実施形態)
図1は、第1実施形態に係る光電変換素子の概略構成を示す図である。図2は、光電変換素子の製造工程フロー示す図である。また、図3から図5は、光電変換素子の製造工程を示す図である。なお、本実施形態の光電変換素子は、図1(a)に示す様に、例えば基板上にアレイ状に形成されるものであり、各図において示す光電変換素子は、その一部分を拡大した断面を示すものである。
図1から図5を用いて第1実施形態にかかる光電変換素子、及び光電変換素子の製造方法について説明する。
図1は、第1実施形態に係る光電変換素子の概略構成を示す図である。図2は、光電変換素子の製造工程フロー示す図である。また、図3から図5は、光電変換素子の製造工程を示す図である。なお、本実施形態の光電変換素子は、図1(a)に示す様に、例えば基板上にアレイ状に形成されるものであり、各図において示す光電変換素子は、その一部分を拡大した断面を示すものである。
図1から図5を用いて第1実施形態にかかる光電変換素子、及び光電変換素子の製造方法について説明する。
[光電変換素子の構造]
図1(b)に示す光電変換素子1aは、基板110と、第1電極膜120と、光電変換部200と、第2電極膜300と、スイッチング素子400aと、を備える。また、スイッチング素子400aと、光電変換部200との間、及びスイッチング素子400aから光電変換素子1aの外部に電気信号を出力するための配線500を備える。
図1(b)に示す光電変換素子1aは、基板110と、第1電極膜120と、光電変換部200と、第2電極膜300と、スイッチング素子400aと、を備える。また、スイッチング素子400aと、光電変換部200との間、及びスイッチング素子400aから光電変換素子1aの外部に電気信号を出力するための配線500を備える。
光電変換素子1aは、図1(b)に示す様に基板110に第1電極膜120と、光電変換部200と、第2電極膜300と、スイッチング素子400aと、を重ねて構成されている。
光電変換素子1aには、基板110上にスイッチング素子400aとしての薄膜トランジスターが形成されている。スイッチング素子400aには、当該スイッチング素子400aに接続された第2電極膜300を介して光電変換部200が接続されている。
なお、光電変換部200は、カルコパイライト構造を有する半導体を含み、光電変換部200に入射する光を電気信号に変換する素子である。
光電変換素子1aには、基板110上にスイッチング素子400aとしての薄膜トランジスターが形成されている。スイッチング素子400aには、当該スイッチング素子400aに接続された第2電極膜300を介して光電変換部200が接続されている。
なお、光電変換部200は、カルコパイライト構造を有する半導体を含み、光電変換部200に入射する光を電気信号に変換する素子である。
基板110は、ガラス等の材料を含み形成されている。基板110は、例えばホウ珪酸ガラスが用いられる。
光電変換部200は、前述の基板110上に設けられ、第1電極膜120上に第1半導体膜210と、第2半導体膜220を備えている。
光電変換部200は、カルコパイライト構造の半導体(半導体装置)を含んで形成され、基板110上に設けられた第1電極膜120上に、Ib(1b)族元素と、IIIa(3a)族元素と、VIa(6a)族元素とを含む第1半導体膜210が設けられている。詳細には、光電変換部200が設けられる第1電極膜120は、モリブデン(Mo)等を含み形成されている。また、第1半導体膜210を構成する金属膜211は、銅(Cu)と、インジウム(In)等とを含み形成されている。金属膜211は、セレン(Se)雰囲気中で加熱される、いわゆるアニールを行うことで、セレン(Se)化された第1半導体膜210が形成される。前述のセレン化された第1半導体膜210は、いわゆるCIS(CuInSe2)系膜であり、p形半導体となる。
また、第1半導体膜210を構成する金属膜211は、銅(Cu)と、インジウム(In)と、ガリウム(Ga)等とを含み形成されている。この様な金属膜211は、セレン(Se)雰囲気中で加熱されるアニールを行うことで、セレン(Se)化された第1半導体膜210が形成される。前述のセレン化された第1半導体膜210は、いわゆるCIGS(Cu(In,Ga)Se2)系膜であり、p形半導体となる。
また、第1半導体膜210に対応して設けられている第2半導体膜220は、例えば、カドミウム(Cd)及び硫黄(S)等を含み形成されており、n形半導体となる。
なお、第1半導体膜210と、第2半導体膜220とは、後述する第2電極膜300と同様にパターニングされて第1電極膜120上に設けられている。
光電変換部200は、カルコパイライト構造の半導体(半導体装置)を含んで形成され、基板110上に設けられた第1電極膜120上に、Ib(1b)族元素と、IIIa(3a)族元素と、VIa(6a)族元素とを含む第1半導体膜210が設けられている。詳細には、光電変換部200が設けられる第1電極膜120は、モリブデン(Mo)等を含み形成されている。また、第1半導体膜210を構成する金属膜211は、銅(Cu)と、インジウム(In)等とを含み形成されている。金属膜211は、セレン(Se)雰囲気中で加熱される、いわゆるアニールを行うことで、セレン(Se)化された第1半導体膜210が形成される。前述のセレン化された第1半導体膜210は、いわゆるCIS(CuInSe2)系膜であり、p形半導体となる。
また、第1半導体膜210を構成する金属膜211は、銅(Cu)と、インジウム(In)と、ガリウム(Ga)等とを含み形成されている。この様な金属膜211は、セレン(Se)雰囲気中で加熱されるアニールを行うことで、セレン(Se)化された第1半導体膜210が形成される。前述のセレン化された第1半導体膜210は、いわゆるCIGS(Cu(In,Ga)Se2)系膜であり、p形半導体となる。
また、第1半導体膜210に対応して設けられている第2半導体膜220は、例えば、カドミウム(Cd)及び硫黄(S)等を含み形成されており、n形半導体となる。
なお、第1半導体膜210と、第2半導体膜220とは、後述する第2電極膜300と同様にパターニングされて第1電極膜120上に設けられている。
第2電極膜300は、光電変換部200から電気信号を取り出す電極であって、図1(b)に示す様にパターニングされて光電変換部200に対応して設けられている。
第2電極膜300には、透明導電膜310を備えている。第2電極膜300は、前述の光電変換部200の第2半導体膜220に対応して透明導電膜310が設けられている。透明導電膜310は、例えば、ITO(Indium tin oxide)等を含み形成されている。
第2電極膜300には、透明導電膜310を備えている。第2電極膜300は、前述の光電変換部200の第2半導体膜220に対応して透明導電膜310が設けられている。透明導電膜310は、例えば、ITO(Indium tin oxide)等を含み形成されている。
また、第2電極膜300と後述するスイッチング素子400aとの間を絶縁する第1層間絶縁膜330が、光電変換部200と、第2電極膜300とを覆う様に設けられている。第1層間絶縁膜330は、例えば、酸化シリコン(SiO2)等を含み形成されている。
図1(b)に示す光電変換素子1aのスイッチング素子400aは、いわゆる薄膜トランジスター構造を有し、ソース・ドレイン領域及びチャネル形成領域としての多結晶珪素膜410aと、ゲート電極430aと、ゲート絶縁膜420aと、第2層間絶縁膜440aと、を備えている。多結晶珪素膜410aは結晶粒界を含み、結晶粒界に存在するダングリングボンドは水素によって終端されている。
スイッチング素子400aは、図1(b)に示す様に、第1層間絶縁膜330上に多結晶珪素膜410aが設けられ、その多結晶珪素膜410aを覆う様に第1層間絶縁膜330に対応させてゲート絶縁膜420aが設けられている。また、ゲート絶縁膜420a上にゲート電極430aが設けられ、そのゲート電極430aを覆う様にゲート絶縁膜420aに対応させて第2層間絶縁膜440aが設けられている。
スイッチング素子400aは、図1(b)に示す様に、第1層間絶縁膜330上に多結晶珪素膜410aが設けられ、その多結晶珪素膜410aを覆う様に第1層間絶縁膜330に対応させてゲート絶縁膜420aが設けられている。また、ゲート絶縁膜420a上にゲート電極430aが設けられ、そのゲート電極430aを覆う様にゲート絶縁膜420aに対応させて第2層間絶縁膜440aが設けられている。
ゲート電極430aは、例えば、アルミニウム(Al)等の金属を含んで形成されている。また、ゲート絶縁膜420a及び第2層間絶縁膜440aは、例えば酸化シリコン(SiO2)等を含み形成されている。
配線500は、光電変換部200とスイッチング素子400aとの間を接続する第1配線510aと、スイッチング素子400aから光電変換素子1の外部に電気信号を出力するための第2配線520aとを備えている。
第1配線510aは、多結晶珪素膜410aから第1層間絶縁膜330と第2層間絶縁膜440aとの内部に設けられたコンタクトホール550a内を延伸し、光電変換部200に接続された第2電極膜300に接続されている。なお、第1配線510aは、その一部が第2層間絶縁膜440aの表面に露出させて設けられている。
第2配線520aは、多結晶珪素膜410aから第2層間絶縁膜440aの内部を延伸し、その第2層間絶縁膜440aの表面に第2配線520aの端部を露出させて設けられている。なお、第2配線520aは、図示を省略する走査回路の配線と接続されている。
第1配線510aは、多結晶珪素膜410aから第1層間絶縁膜330と第2層間絶縁膜440aとの内部に設けられたコンタクトホール550a内を延伸し、光電変換部200に接続された第2電極膜300に接続されている。なお、第1配線510aは、その一部が第2層間絶縁膜440aの表面に露出させて設けられている。
第2配線520aは、多結晶珪素膜410aから第2層間絶縁膜440aの内部を延伸し、その第2層間絶縁膜440aの表面に第2配線520aの端部を露出させて設けられている。なお、第2配線520aは、図示を省略する走査回路の配線と接続されている。
[光電変換素子の製造方法]
次に、光電変換素子1a(1)を製造する各工程について説明する。
図2に示すように、光電変換素子1aを製造する工程は、第1電極形成工程S100と、光電変換部形成工程S200と、第2電極膜形成工程S300と、トランジスター形成工程S400と、配線形成工程S500とを含む。
図2を参照して工程順に、光電変換素子1aの製造工程について説明する。
次に、光電変換素子1a(1)を製造する各工程について説明する。
図2に示すように、光電変換素子1aを製造する工程は、第1電極形成工程S100と、光電変換部形成工程S200と、第2電極膜形成工程S300と、トランジスター形成工程S400と、配線形成工程S500とを含む。
図2を参照して工程順に、光電変換素子1aの製造工程について説明する。
[第1電極形成工程]
第1電極形成工程S100は、基板110上にモリブデン(Mo)を含む第1電極膜120を形成する工程である。図3(a)は、基板110上に第1電極膜120が形成された状態を示している。第1電極形成工程S100は、例えば、蒸着法やスパッタ法を用いてモリブデン(Mo)を含む第1電極膜120を基板110上に形成する。
第1電極形成工程S100は、基板110上にモリブデン(Mo)を含む第1電極膜120を形成する工程である。図3(a)は、基板110上に第1電極膜120が形成された状態を示している。第1電極形成工程S100は、例えば、蒸着法やスパッタ法を用いてモリブデン(Mo)を含む第1電極膜120を基板110上に形成する。
[光電変換部形成工程]
光電変換部形成工程S200は、前述の第1電極膜120に対応して第1半導体膜210と、第2半導体膜220を形成する工程である。
光電変換部形成工程S200には、前述の第1電極膜120に対応して第1半導体膜210の形成を行う第1半導体膜形成工程と、当該第1半導体膜210に対応して第2半導体膜220を形成する第2半導体膜形成工程とを含む。
図3(b)は、第1半導体膜形成工程によって前述の第1電極膜120に対応して第1半導体膜210となる金属膜211が形成された状態を示している。金属膜形成工程では、例えば、スパッタ法を用いて銅(Cu)と、インジウム(In)又はガリウム(Ga)等とを含む金属膜211を形成する。
また、第1半導体膜形成工程は金属膜211をアニールすることでセレン化するセレン化工程を含む。セレン化工程によって、金属膜211をセレン(Se)雰囲気中でアニールすることで金属膜211はセレン化され、いわゆるCIS(CuInSe2)系膜、又はCIGS(Cu(In,Ga)Se2)系膜が形成される。CIS系膜又はCIGS系膜はp形半導体膜となる。なお、本実施形態においてセレン化工程のアニール温度は、概ね500℃とした。なお、当該温度は、金属膜211の性質によって適宜変更しても良い。
なお、図3(c)はアニールによってセレン化された第1半導体膜210としてのCIS系膜、またはCIGS系膜が形成された状態を示す。
ここでは、第1半導体膜形成工程として、金属膜をセレン化する方法を例に挙げたが、別の方法で第1半導体膜を形成しても良い。第1半導体膜形成工程としては、多源蒸着法やスパッタ法等が挙げられる。
また、光電変換部形成工程S200は半導体膜形成工程によって、第1半導体膜210に対応して第2半導体膜220を形成する。第2半導体膜220の形成は、例えばCBD(Chemical Bath Deposition)法によってn型の第2半導体膜220を第1半導体膜210上に形成する。なお、図3(d)は半導体膜形成工程によって第1半導体膜210に対応して第2半導体膜220が形成された状態を示す。
光電変換部形成工程S200は、前述の第1電極膜120に対応して第1半導体膜210と、第2半導体膜220を形成する工程である。
光電変換部形成工程S200には、前述の第1電極膜120に対応して第1半導体膜210の形成を行う第1半導体膜形成工程と、当該第1半導体膜210に対応して第2半導体膜220を形成する第2半導体膜形成工程とを含む。
図3(b)は、第1半導体膜形成工程によって前述の第1電極膜120に対応して第1半導体膜210となる金属膜211が形成された状態を示している。金属膜形成工程では、例えば、スパッタ法を用いて銅(Cu)と、インジウム(In)又はガリウム(Ga)等とを含む金属膜211を形成する。
また、第1半導体膜形成工程は金属膜211をアニールすることでセレン化するセレン化工程を含む。セレン化工程によって、金属膜211をセレン(Se)雰囲気中でアニールすることで金属膜211はセレン化され、いわゆるCIS(CuInSe2)系膜、又はCIGS(Cu(In,Ga)Se2)系膜が形成される。CIS系膜又はCIGS系膜はp形半導体膜となる。なお、本実施形態においてセレン化工程のアニール温度は、概ね500℃とした。なお、当該温度は、金属膜211の性質によって適宜変更しても良い。
なお、図3(c)はアニールによってセレン化された第1半導体膜210としてのCIS系膜、またはCIGS系膜が形成された状態を示す。
ここでは、第1半導体膜形成工程として、金属膜をセレン化する方法を例に挙げたが、別の方法で第1半導体膜を形成しても良い。第1半導体膜形成工程としては、多源蒸着法やスパッタ法等が挙げられる。
また、光電変換部形成工程S200は半導体膜形成工程によって、第1半導体膜210に対応して第2半導体膜220を形成する。第2半導体膜220の形成は、例えばCBD(Chemical Bath Deposition)法によってn型の第2半導体膜220を第1半導体膜210上に形成する。なお、図3(d)は半導体膜形成工程によって第1半導体膜210に対応して第2半導体膜220が形成された状態を示す。
[第2電極膜形成工程]
第2電極膜形成工程S300は、前述の光電変換部形成工程S200によって形成された光電変換部200の第2半導体膜220上に第2電極膜300を形成する工程である。
第2電極膜形成工程S300には、第2半導体膜220上に設けられる透明導電膜310を形成する透明導電膜形成工程と、当該透明導電膜310と、前述した光電変換部200とを所定の形状(回路)にパターニングするパターニング工程とを含む。また、光電変換部200と及び第2電極膜300を覆う第1層間絶縁膜形成工程とを含む。
第2電極膜形成工程S300は、前述の光電変換部形成工程S200によって形成された光電変換部200の第2半導体膜220上に第2電極膜300を形成する工程である。
第2電極膜形成工程S300には、第2半導体膜220上に設けられる透明導電膜310を形成する透明導電膜形成工程と、当該透明導電膜310と、前述した光電変換部200とを所定の形状(回路)にパターニングするパターニング工程とを含む。また、光電変換部200と及び第2電極膜300を覆う第1層間絶縁膜形成工程とを含む。
図4(e)は、透明導電膜形成工程によって第2半導体膜220に対応して第2電極膜300を構成する透明導電膜310が形成された状態を示している。図4(f)は、パターニング工程によって第2電極膜300と、光電変換部200とが所定の形状にパターニングされた状態を示している。図4(g)は、第1層間絶縁膜形成工程によって光電変換部200及び第2電極膜300を覆うように第1電極膜120に対応させて第1層間絶縁膜330が形成された状態を示している。
第2電極膜形成工程S300は、図4(e)に示す様に透明導電膜形成工程によって透明導電膜310を第2半導体膜220上に形成する。透明導電膜形成工程は、例えばスパッタ法等によってITO等を含む透明導電膜310を形成する。
次に、第2電極膜形成工程S300は、図4(f)に示す様にパターニング工程によって光電変換部200及び第2電極膜300を所定の回路形状にパターニングする。パターニング工程は、例えばフォトリソグラフィー法等によってパターニングする。
次に、第2電極膜形成工程S300は、図4(g)に示す様にパターニングされた光電変換部200及び第2電極膜300を覆うように、第1層間絶縁膜形成工程によって第1層間絶縁膜330を形成する。第1層間絶縁膜形成工程は、例えばCVD法によって第1層間絶縁膜330としての酸化シリコン膜(SiO2膜)を形成する。
[トランジスター形成工程]
トランジスター形成工程S400は、前述した第1層間絶縁膜330上にスイッチング素子400aとしての薄膜トランジスターを形成する工程である。
トランジスター形成工程S400は、多結晶珪素膜形成工程と、ゲート絶縁膜形成工程と、ゲート電極形成工程と、第2層間絶縁膜形成工程とを含む。
図5(h)は、トランジスター形成工程S400によってスイッチング素子400aが形成された状態を示している。
トランジスター形成工程S400は、前述した第1層間絶縁膜330上にスイッチング素子400aとしての薄膜トランジスターを形成する工程である。
トランジスター形成工程S400は、多結晶珪素膜形成工程と、ゲート絶縁膜形成工程と、ゲート電極形成工程と、第2層間絶縁膜形成工程とを含む。
図5(h)は、トランジスター形成工程S400によってスイッチング素子400aが形成された状態を示している。
トランジスター形成工程S400は、図5(h)に示す様に多結晶珪素膜形成工程によってソース・ドレイン領域及びチャネル形成領域としての多結晶珪素膜410aを形成する。多結晶珪素膜形成工程は、いわゆるポリシリコン(Polycrystalline Silicon)膜を形成する工程である。前述した第1層間絶縁膜330上に、例えばCVD法等によって非晶質珪素膜が形成され、その非晶質珪素膜がレーザー結晶化法によって結晶化されて、多結晶珪素膜410aが形成される。その後、多結晶珪素膜410aは、フォトリソグラフィー法等によって所定の形状に形成される。
次に、トランジスター形成工程S400は、図5(h)に示す様にゲート絶縁膜形成工程によってゲート絶縁膜420aを形成する。ゲート絶縁膜形成工程は、前述したソース・ドレイン領域及びチャネル形成領域としての多結晶珪素膜410aを覆うように、例えばCVD法によってゲート絶縁膜420aとしてのシリコン酸化膜(SiO2)を形成する。
次に、トランジスター形成工程S400は、図5(h)に示す様にゲート電極形成工程によってゲート電極430aを形成する。ゲート電極形成工程は、前述したゲート絶縁膜420a上に、例えばスパッタ法や蒸着法等によってアルミニウム(Al)等の金属を含むゲート電極430aを形成する。その後、イオン注入工程によって、多結晶珪素膜410aに不純物イオンを注入し、ソース・ドレイン領域を形成する。
次に、トランジスター形成工程S400は、図5(h)に示す様に第2層間絶縁膜形成工程によって第2層間絶縁膜440aを形成する。第2層間絶縁膜形成工程は、前述したゲート電極430aを覆うようにゲート絶縁膜420aに対応して、例えばCVD法によって第2層間絶縁膜440aとしてのシリコン酸化膜(SiO2)を形成する。
ここで、トランジスター形成工程S400によってスイッチング素子400aを形成する各工程において、多結晶珪素膜形成工程が最も処理温度が高くなる。多結晶珪素膜形成工程における非晶質珪素膜形成工程は、概ね450℃程度の処理温度である。
[配線形成工程]
配線形成工程S500は、コンタクトホール形成工程と、配線形成工程とを含む。図5(i)は、配線形成工程S500によって第2電極膜300とスイッチング素子400aを接続する第1配線510aと、スイッチング素子400aから光電変換素子1の外部へ光電変換部200で変換された電気信号を出力する第2配線520aと、が形成された状態を示す。
コンタクトホール形成工程は、図5(i)に示す様に第1層間絶縁膜330及び第2層間絶縁膜440aに第1配線510a及び第2配線520aを形成するための孔550a(コンタクトホール)を、例えばフォトリソグラフィー法等によって形成する。
次に、配線形成工程は、前述したコンタクトホール550aと、第2層間絶縁膜440aの表面とに配線500を、例えばスパッタ法等によってアルミニウム(Al)等の金属を含む膜を形成し、フォトリソグラフィー法等によって所定の形状に形成する。
配線形成工程S500は、コンタクトホール形成工程と、配線形成工程とを含む。図5(i)は、配線形成工程S500によって第2電極膜300とスイッチング素子400aを接続する第1配線510aと、スイッチング素子400aから光電変換素子1の外部へ光電変換部200で変換された電気信号を出力する第2配線520aと、が形成された状態を示す。
コンタクトホール形成工程は、図5(i)に示す様に第1層間絶縁膜330及び第2層間絶縁膜440aに第1配線510a及び第2配線520aを形成するための孔550a(コンタクトホール)を、例えばフォトリソグラフィー法等によって形成する。
次に、配線形成工程は、前述したコンタクトホール550aと、第2層間絶縁膜440aの表面とに配線500を、例えばスパッタ法等によってアルミニウム(Al)等の金属を含む膜を形成し、フォトリソグラフィー法等によって所定の形状に形成する。
配線形成工程S500が完了した後、水素プラズマ処理等によって、多結晶珪素膜410aを水素化する。水素化工程が完了することで、光電変換素子1を製造する各工程が終了する。
上述した第1実施形態によれば、以下の効果が得られる。
この様な光電変換素子1aは、基板110上に光電変換部200、スイッチング素子400の順に積層して構成されている。これによって光電変換素子1aの形成は、高温を伴う光電変換部形成工程S200で光電変換部200を形成した後に、トランジスター形成工程S400によってスイッチング素子400を形成することができ、スイッチング素子400aが高温に晒されることを抑制することができる。従って、スイッチング素子400aの電気特性の悪化と、配線500の抵抗増加、及び断線とを抑制し、光電変換効率と応答性に優れた光電変換素子1aを得ることができる。
この様な光電変換素子1aは、基板110上に光電変換部200、スイッチング素子400の順に積層して構成されている。これによって光電変換素子1aの形成は、高温を伴う光電変換部形成工程S200で光電変換部200を形成した後に、トランジスター形成工程S400によってスイッチング素子400を形成することができ、スイッチング素子400aが高温に晒されることを抑制することができる。従って、スイッチング素子400aの電気特性の悪化と、配線500の抵抗増加、及び断線とを抑制し、光電変換効率と応答性に優れた光電変換素子1aを得ることができる。
(第2実施形態)
図6は、第2実施形態に係る光電変換素子の概略構成を示す図である。また、図7は、第2実施形態に係る光電変換素子の製造工程を説明する図である。
なお、本実施形態の光電変換素子は、図6(a)に示す様に、例えば基板上にアレイ状に形成されるものであり、図6(b)及び図7において示す光電変換素子は、その一部分を拡大した断面を示すものである。
第2実施形態にかかる光電変換素子1b(1)は、第1実施形態で説明をした光電変換素子1aと比して、スイッチング素子400bの構造が異なる。
その他の光電変換素子1bの構造及び製造方法は光電変換素子1aと同様であるため、同様の部分の説明を省略し、相違点を説明する。
図6は、第2実施形態に係る光電変換素子の概略構成を示す図である。また、図7は、第2実施形態に係る光電変換素子の製造工程を説明する図である。
なお、本実施形態の光電変換素子は、図6(a)に示す様に、例えば基板上にアレイ状に形成されるものであり、図6(b)及び図7において示す光電変換素子は、その一部分を拡大した断面を示すものである。
第2実施形態にかかる光電変換素子1b(1)は、第1実施形態で説明をした光電変換素子1aと比して、スイッチング素子400bの構造が異なる。
その他の光電変換素子1bの構造及び製造方法は光電変換素子1aと同様であるため、同様の部分の説明を省略し、相違点を説明する。
[光電変換素子の構造]
図6に示す光電変換素子1b(1)は光電変換素子1aと同様に、基板110と、光電変換部200と、スイッチング素子400bと、を備える。また、スイッチング素子400bと、光電変換部200との間、及びスイッチング素子400bから光電変換素子1bの外部に電気信号を出力するための配線500を備える。
図6に示す光電変換素子1b(1)は光電変換素子1aと同様に、基板110と、光電変換部200と、スイッチング素子400bと、を備える。また、スイッチング素子400bと、光電変換部200との間、及びスイッチング素子400bから光電変換素子1bの外部に電気信号を出力するための配線500を備える。
光電変換素子1bは、図6(b)に示すように基板110に光電変換部200と、第2電極膜300と、スイッチング素子400bと、を重ねて構成されている。
なお、前述の通りスイッチング素子400b以外の構成及び製造方法の各工程は第1実施形態で説明をした光電変換素子1aと同様であるため、相違点であるスイッチング素子400bの構造について説明する。
なお、前述の通りスイッチング素子400b以外の構成及び製造方法の各工程は第1実施形態で説明をした光電変換素子1aと同様であるため、相違点であるスイッチング素子400bの構造について説明する。
図6(b)に示す光電変換素子1bのスイッチング素子400bは、いわゆるアモルファスシリコン薄膜トランジスター構造を有し、水素化非晶質珪素膜410bと、n+形非晶質珪素膜415bと、ゲート電極430bと、ゲート絶縁膜420bと、チャネル保護膜440bと、配線500を備える。
スイッチング素子400bは、図6に示す様に、第1層間絶縁膜330上にゲート電極430bが設けられ、そのゲート電極430bを覆う様に第1層間絶縁膜330に対応させてゲート絶縁膜420bが設けられている。また、ゲート絶縁膜420b上に水素化非晶質珪素膜410bと、n+形非晶質珪素膜415bと、チャネル保護膜440bが設けられている。
スイッチング素子400bは、図6に示す様に、第1層間絶縁膜330上にゲート電極430bが設けられ、そのゲート電極430bを覆う様に第1層間絶縁膜330に対応させてゲート絶縁膜420bが設けられている。また、ゲート絶縁膜420b上に水素化非晶質珪素膜410bと、n+形非晶質珪素膜415bと、チャネル保護膜440bが設けられている。
ゲート電極430bは、例えば、アルミニウム(Al)等の金属を含んで形成されている。また、ゲート絶縁膜420b及びチャネル保護膜440bは、例えば窒化シリコン(SiNx)等を含み形成されている。
配線500は、光電変換部200とスイッチング素子400bの間を接続するソース電極としての第1配線510bと、ドレイン電極としての第2配線520bを備える。
第1配線510bは、第1層間絶縁膜330と、ゲート絶縁膜420bとの内部に設けられたコンタクトホール550b内を延伸し、光電変換部200の第2電極膜300に接続されている。また、第2配線520aは、n+形非晶質珪素膜415b上に設けられ、図示を省略する走査回路の配線と接続されている。
第1配線510bは、第1層間絶縁膜330と、ゲート絶縁膜420bとの内部に設けられたコンタクトホール550b内を延伸し、光電変換部200の第2電極膜300に接続されている。また、第2配線520aは、n+形非晶質珪素膜415b上に設けられ、図示を省略する走査回路の配線と接続されている。
その他の構造は、第1実施形態で説明をした光電変換素子1aと同様であるため説明を省略する。
[光電変換素子の製造方法]
次に、光電変換素子1b(1)を製造する各工程について説明をする。
光電変換素子1bを製造する工程は、光電変換素子1aを製造する工程と同様に第1電極形成工程S100と、光電変換部形成工程S200と、第2電極膜形成工程S300と、トランジスター形成工程S400と、配線形成工程S500とを含む。
光電変換素子1bは、光電変換素子1aと比してスイッチング素子400bの構造が異なるため、当該スイッチング素子400bを形成するトランジスター形成工程S400、及び配線形成工程S500が光電変換素子1aを製造する各工程と異なる。
なお、各工程の順序(フロー)は、光電変換素子1aと同様のため、図2に示した光電変換素子1aの製造方法の各工程を示すフロー図を参照しながら光電変換素子1bの製造方法の各工程について説明する。また、図7は当該光電変換素子1bのトランジスター形成工程とS400、及び配線形成工程S500の製造工程を示すものである。
トランジスター形成工程S400、及び配線形成工程S500以外の工程は光電変換素子1aと同様であるため、相違するトランジスター形成工程S400、及び配線形成工程S500について以下に説明する。
次に、光電変換素子1b(1)を製造する各工程について説明をする。
光電変換素子1bを製造する工程は、光電変換素子1aを製造する工程と同様に第1電極形成工程S100と、光電変換部形成工程S200と、第2電極膜形成工程S300と、トランジスター形成工程S400と、配線形成工程S500とを含む。
光電変換素子1bは、光電変換素子1aと比してスイッチング素子400bの構造が異なるため、当該スイッチング素子400bを形成するトランジスター形成工程S400、及び配線形成工程S500が光電変換素子1aを製造する各工程と異なる。
なお、各工程の順序(フロー)は、光電変換素子1aと同様のため、図2に示した光電変換素子1aの製造方法の各工程を示すフロー図を参照しながら光電変換素子1bの製造方法の各工程について説明する。また、図7は当該光電変換素子1bのトランジスター形成工程とS400、及び配線形成工程S500の製造工程を示すものである。
トランジスター形成工程S400、及び配線形成工程S500以外の工程は光電変換素子1aと同様であるため、相違するトランジスター形成工程S400、及び配線形成工程S500について以下に説明する。
[トランジスター形成工程]
トランジスター形成工程S400は、ゲート電極形成工程と、ゲート絶縁膜形成工程と、水素化非晶質珪素膜形成工程と、n+形非晶質珪素膜形成工程と、チャネル保護膜形成工程と、を含む。
図7(a)は、トランジスター形成工程S400によってスイッチング素子400bが形成された状態を示している。
トランジスター形成工程S400は、ゲート電極形成工程と、ゲート絶縁膜形成工程と、水素化非晶質珪素膜形成工程と、n+形非晶質珪素膜形成工程と、チャネル保護膜形成工程と、を含む。
図7(a)は、トランジスター形成工程S400によってスイッチング素子400bが形成された状態を示している。
トランジスター形成工程S400は、図7(a)に示す様にゲート電極形成工程によってゲート電極430bを第1層間絶縁膜330上に形成する。ゲート電極形成工程は、例えばスパッタ法等によってアルミニウム(Al)等の金属を含むゲート電極430bを形成する。
次に、トランジスター形成工程S400は、図7(a)に示す様にゲート絶縁膜形成工程によって、前述のゲート電極430bを覆う様に第1層間絶縁膜330に対応してゲート絶縁膜420bを形成する。ゲート絶縁膜形成工程は、例えばCVD法等によってゲート絶縁膜420bとしての窒化シリコン(SiNx)膜を形成する。
次に、トランジスター形成工程S400は、図7(a)に示す様に水素化非晶質珪素膜形成工程によって、前述のゲート絶縁膜420b上に水素化非晶質珪素膜410bを形成する。水素化非晶質珪素膜形成工程は、水素化非晶質珪素膜410bとして、例えばCVD法等によって水素化非晶質珪素膜を形成する。
次に、トランジスター形成工程S400は、図7(a)に示す様にチャネル保護膜形成工程によって、前述の水素化非晶質珪素膜410b上にチャネル保護膜を形成する。チャネル保護膜形成工程は、チャネル保護膜440bとして、例えばCVD法等によって窒化シリコン(SiNx)膜を形成する。
次に、トランジスター形成工程S400は、図7(a)に示す様にn+形非晶質珪素膜形成工程によってチャネル保護膜440bを囲む様に水素化非晶質珪素膜410b上にn+形非晶質珪素膜415bを形成する。n+形非晶質珪素膜形成工程は、n+形非晶質珪素膜415bとして、例えばCVD法等によってn+形非晶質珪素膜を形成する。
ここで、トランジスター形成工程S400によってスイッチング素子400bを形成する各工程において、ゲート絶縁膜形成工程、水素化非晶質珪素膜形成工程及びn+非晶質珪素膜形成工程が最も処理温度が高くなる。これらの各工程は、概ね300〜350℃程度の処理温度である。これによって、光電変換素子1aの形成する場合と比して光電変換部200を形成した後に当該光電変換部200へ加えられる温度を更に低温化することができる。従って、トランジスター形成工程S400で光電変換部200が加熱されても、第2半導体膜220に含まれるドナーとなる原子が第1半導体膜210に過剰に拡散し、光電変換部200における光電変換効率が低下することを抑制することができる。
[配線形成工程]
配線形成工程S500は、コンタクトホール形成工程と、配線形成工程とを含む。図7(b)は、配線形成工程S500によって第2電極膜300とスイッチング素子400bを接続する第1配線510bと、スイッチング素子400bから光電変換素子1bの外部へ光電変換部200で変換された電気信号を出力する第2配線520bと、が形成された状態を示す。
コンタクトホール形成工程は、図7(b)に示す様に第1層間絶縁膜330及びゲート絶縁膜420bに第1配線510bを形成するための孔(コンタクトホール)550bを、例えばフォトリソグラフィー法等によって形成する。
次に、配線形成工程は、前述したコンタクトホール550bと、ゲート絶縁膜420bの表面とに第1配線510bと、第2配線520bとを、例えばスパッタ法等によってアルミニウム(Al)等の金属を含む膜を形成し、フォトリソグラフィー法等によって所定の形状に形成する。
配線形成工程S500が完了することで、光電変換素子1を製造する各工程が終了する。
配線形成工程S500は、コンタクトホール形成工程と、配線形成工程とを含む。図7(b)は、配線形成工程S500によって第2電極膜300とスイッチング素子400bを接続する第1配線510bと、スイッチング素子400bから光電変換素子1bの外部へ光電変換部200で変換された電気信号を出力する第2配線520bと、が形成された状態を示す。
コンタクトホール形成工程は、図7(b)に示す様に第1層間絶縁膜330及びゲート絶縁膜420bに第1配線510bを形成するための孔(コンタクトホール)550bを、例えばフォトリソグラフィー法等によって形成する。
次に、配線形成工程は、前述したコンタクトホール550bと、ゲート絶縁膜420bの表面とに第1配線510bと、第2配線520bとを、例えばスパッタ法等によってアルミニウム(Al)等の金属を含む膜を形成し、フォトリソグラフィー法等によって所定の形状に形成する。
配線形成工程S500が完了することで、光電変換素子1を製造する各工程が終了する。
上述した第2実施形態によれば、以下の効果が得られる。
この様な光電変換素子1bは、基板110上に光電変換部200、スイッチング素子400bの順に積層して構成されている。これによって光電変換素子1bの形成は、高温を伴う光電変換部形成工程S200で光電変換部200を形成した後に、トランジスター形成工程S400によってスイッチング素子400bを形成することができ、スイッチング素子400bが高温に晒されることを抑制することができる。また、スイッチング素子400bは、いわゆる水素化アモルファスシリコン薄膜トランジスター構造を有し、そのトランジスター形成工程S400は、光電変換素子1aのスイッチング素子400aの形成と比して、低い温度でスイッチング素子400bを形成することができる。従って、トランジスター形成工程S400で光電変換部200が加熱されても、第2半導体膜220に含まれるドナーとなる原子が第1半導体膜210に過剰に拡散し、光電変換部200における光電変換効率が低下することをさらに抑制することができる。
この様な光電変換素子1bは、基板110上に光電変換部200、スイッチング素子400bの順に積層して構成されている。これによって光電変換素子1bの形成は、高温を伴う光電変換部形成工程S200で光電変換部200を形成した後に、トランジスター形成工程S400によってスイッチング素子400bを形成することができ、スイッチング素子400bが高温に晒されることを抑制することができる。また、スイッチング素子400bは、いわゆる水素化アモルファスシリコン薄膜トランジスター構造を有し、そのトランジスター形成工程S400は、光電変換素子1aのスイッチング素子400aの形成と比して、低い温度でスイッチング素子400bを形成することができる。従って、トランジスター形成工程S400で光電変換部200が加熱されても、第2半導体膜220に含まれるドナーとなる原子が第1半導体膜210に過剰に拡散し、光電変換部200における光電変換効率が低下することをさらに抑制することができる。
<実施例>
次いで、本発明の一実施形態に係る光電変換素子1を適用した電子機器の実施例について、図8に基づき説明する。
次いで、本発明の一実施形態に係る光電変換素子1を適用した電子機器の実施例について、図8に基づき説明する。
[電子機器]
図8は、本発明の実施形態に係る光電変換素子1を備える電子機器としてのアルコール濃度測定装置1000の概略を示す図である。図8に示すアルコール濃度測定装置1000は、静脈に流れる血液に光を照射し、その反射する光を光電変換素子1で受光して血液中のアルコール濃度を測定する装置である。
この様なアルコール濃度測定装置1000には、指1200に光の照射をし、その反射した光を受光する撮像装置1120と、制御装置1140と、を備える。
撮像装置1120には、発光部1121と、受光部1122として光電変換素子1を備える。また、指1200を乗せる検出面1160を備える。
制御装置1140には、発光部1121を制御する発光制御部1141と、受光部1122としての光電変換素子1から出力された電気信号を処理する受光処理部1142と、受光処理部1142で処理された信号に基づきアルコール濃度の測定を行う測定部1143と、を備える。
光電変換素子1を備える電子機器としてのアルコール濃度測定装置1000は、受光部1122として本発明の実施形態に係る光電変換素子1が搭載されることで、血液に反射される光の受光の信頼性と、処理速度を高めることができる。
図8は、本発明の実施形態に係る光電変換素子1を備える電子機器としてのアルコール濃度測定装置1000の概略を示す図である。図8に示すアルコール濃度測定装置1000は、静脈に流れる血液に光を照射し、その反射する光を光電変換素子1で受光して血液中のアルコール濃度を測定する装置である。
この様なアルコール濃度測定装置1000には、指1200に光の照射をし、その反射した光を受光する撮像装置1120と、制御装置1140と、を備える。
撮像装置1120には、発光部1121と、受光部1122として光電変換素子1を備える。また、指1200を乗せる検出面1160を備える。
制御装置1140には、発光部1121を制御する発光制御部1141と、受光部1122としての光電変換素子1から出力された電気信号を処理する受光処理部1142と、受光処理部1142で処理された信号に基づきアルコール濃度の測定を行う測定部1143と、を備える。
光電変換素子1を備える電子機器としてのアルコール濃度測定装置1000は、受光部1122として本発明の実施形態に係る光電変換素子1が搭載されることで、血液に反射される光の受光の信頼性と、処理速度を高めることができる。
なお、本発明の実施形態に係る光電変換素子1は、図8のアルコール濃度測定装置1000の他にも、例えば、生体認証装置、指紋撮像装置、静脈パターン撮像装置、太陽電池装置等に適用することができる。
1…光電変換素子、110…基板、120…第1電極膜、200…光電変換部、210…第1半導体膜、220…第2半導体膜、300…第2電極膜、310…透明導電膜、330…第1層間絶縁膜、400…スイッチング素子、410a…多結晶珪素膜、410b…水素化非晶質珪素膜、420…ゲート絶縁膜、430…ゲート電極、440a…第2層間絶縁膜、440b…チャネル保護膜、500…配線、550…コンタクトホール、1000…アルコール濃度測定装置、1120…撮像装置、1140…制御装置、1200…指。
Claims (5)
- 第1電極膜を形成する第1電極形成工程と、
第1半導体膜を形成し、さらに第2半導体膜を形成する光電変換部形成工程と、
第2電極膜を形成する第2電極形成工程と、
スイッチング素子を形成するトランジスター形成工程と、
前記第2電極膜と前記スイッチング素子とを接続する配線を形成する配線形成工程とを含み、
前記トランジスター形成工程及び前記配線形成工程に先んじて前記光電変換部形成工程を実行することを特徴とする光電変換素子の製造方法。 - 請求項1に記載の光電変換素子の製造方法において、
前記トランジスター形成工程は、多結晶珪素膜形成工程を含むことを特徴とする光電変換素子の製造方法。 - 請求項1に記載の光電変換素子の製造方法において、
前記トランジスター形成工程は、水素化非晶質珪素膜形成工程を含むことを特徴とする光電変換素子の製造方法。 - 基板と、
前記基板上に設けられた第1電極膜と、
前記第1電極膜と接続して設けられた第1半導体膜と、
前記第1半導体膜に対応して前記第1半導体膜と接続して設けられた第2半導体膜と、
前記第2半導体膜に対応して前記第2半導体膜と接続して設けられた透明導電膜と、
前記第1電極膜に対応して前記第1半導体膜と、前記第2半導体膜と、前記透明導電膜と、を覆う様に設けられた第1層間絶縁膜を備え、
前記第1層間絶縁膜上にスイッチング素子が設けられ、前記スイッチング素子と、前記透明導電膜との間を配線で接続されていることを特徴とする光電変換素子。 - 請求項4に記載の光電変換素子を搭載したことを特徴とする電子機器。
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JP2012189630A JP2014049527A (ja) | 2012-08-30 | 2012-08-30 | 光電変換素子、光電変換素子の製造方法、及び電子機器 |
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JP2016131229A (ja) * | 2015-01-15 | 2016-07-21 | セイコーエプソン株式会社 | 光電変換装置、光電変換装置の製造方法、及び電子機器 |
JP2017510979A (ja) * | 2014-03-27 | 2017-04-13 | インテル・コーポレーション | マルチデバイスのフレキシブルエレクトロニクスシステムオンチップ(soc)のプロセス統合 |
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2012
- 2012-08-30 JP JP2012189630A patent/JP2014049527A/ja active Pending
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