CN107819021B - 一种柔性oled显示面板的制备方法及柔性oled显示面板 - Google Patents
一种柔性oled显示面板的制备方法及柔性oled显示面板 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107819021B CN107819021B CN201711077122.0A CN201711077122A CN107819021B CN 107819021 B CN107819021 B CN 107819021B CN 201711077122 A CN201711077122 A CN 201711077122A CN 107819021 B CN107819021 B CN 107819021B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- insulating layer
- layer
- display panel
- oled display
- flexible
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 161
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 38
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 claims abstract description 29
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims abstract description 26
- 238000001994 activation Methods 0.000 claims abstract description 24
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 22
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims abstract description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 18
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 6
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 3
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims description 3
- GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N hydron Chemical compound [H+] GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims description 3
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 claims description 3
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 claims description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 6
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005108 dry cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000007715 excimer laser crystallization Methods 0.000 description 1
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明提供了一种柔性OLED显示面板的制备方法，包括提供硬质基板，在硬质基板上制备柔性基底层，在柔性基底层上依次制备缓冲层、半导体层、第一栅绝缘层，并进行沟道掺杂，在第一栅绝缘层上制备第一栅极，并进行源漏极掺杂；经活化处理后，在第一栅极上制备第二栅绝缘层；经氢化处理后，在第二栅绝缘层上依次制备第二栅极、有机间绝缘层、源漏极、平坦层和OLED结构，最后采用激光剥离工艺将硬质基板与柔性基底层分离，得到柔性OLED显示面板。本发明的柔性OLED显示面板制备过程中将活化和氢化工艺提前，省略了间绝缘层中无机间绝缘层的制备，减少柔性OLED显示面板厚度，缩短生产流程。
Description
技术领域
本发明涉及显示面板技术领域，尤其涉及一种柔性OLED显示面板的制备方法及柔性OLED显示面板。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)由于具有优异的显示性能，如自发光、广视角、较低耗电、响应速度快、可实现柔性显示等特点，越来越多的被广泛应用于手机、电视、电脑等电子产品的显示面板中。
现有OLED显示面板包括OLED器件和薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)阵列基板，其制备过程中需要进行沟道掺杂和源漏极掺杂，在此过程中会造成多晶硅损伤，需要进行活化对其进行修复，并且多晶硅层与栅氧化层的界面存在未成键轨道的悬挂键，造成多晶硅层界面密度增加，后续还需要通过氢化过程钝化多晶硅层内部和界面的缺陷。目前，活化的方法有高温炉退火、激光活化法等，都需要在较高的温度下进行活化，由于间绝缘层包括了无机间绝缘层和有机间绝缘层，导致其的厚度较大，容易在高温下由于热膨胀导致的应力过大而引起剥落。而氢化工艺需要穿过多层薄膜进入多晶硅层，使得氢扩散距离很长，同时为了能够充分氢化，需要长时间的加热，也会导致间绝缘层出现裂纹，增加了能耗和OLED显示面板的生产成本。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种柔性OLED显示面板的制备方法，通过将传统柔性OLED显示面板制备过程的活化和氢化工艺提前，省略了间绝缘层中无机间绝缘层的制备，保证间绝缘层的质量，减少柔性OLED显示面板厚度，缩短生产流程，降低生产成本，提高了电学性能和可靠性，并同时保持原有柔性OLED显示面板的其他性能。本发明还提供了由该方法制备得到的柔性OLED显示面板。
第一方面，本发明提供了一种柔性OLED显示面板的制备方法，包括：
提供硬质基板，在所述硬质基板上制备柔性基底层；
在所述柔性基底层上依次制备缓冲层、半导体层、第一栅绝缘层，并进行沟道掺杂；
在所述第一栅绝缘层上制备第一栅极，并进行源漏极掺杂；
经活化处理后，在所述第一栅极上制备第二栅绝缘层；
经氢化处理后，在所述第二栅绝缘层上依次制备第二栅极、有机间绝缘层、源漏极、平坦层和OLED结构；
最后采用激光剥离工艺将所述硬质基板与所述柔性基底层分离，得到柔性OLED显示面板。
可选的，所述活化处理为：于400℃-600℃温度下退火10min-120min。
进一步可选的，所述活化处理的温度设置为450℃，所述活化处理的时间为60min。
可选的，所述氢化处理采用等离子体氢化法、固态扩散法或氢离子注入法。
可选的，所述氢化处理过程中氢化温度为250℃-450℃，所述氢化处理时间为0.5h-4h。
可选的，所述有机间绝缘层的材质包括聚酰亚胺、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚四氟乙烯、硅基倍半氧烷树脂中的一种或多种。
可选的，所述有机间绝缘层的厚度为0.8μm-1.2μm。
可选的，所述第一栅极绝缘层的材质为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅中的一种或多种组合物，第二栅极绝缘层的材质包括氮化硅。
可选的，所述第一栅极和第二栅极的材质包括钼、铝、铜、钛中的一种或多种组合。
第二方面，本发明提供了由第一方面所述的柔性OLED显示面板的制备方法制备得到的柔性OLED显示面板，所述柔性OLED显示面板包括柔性基底层，以及依次形成在所述柔性基底层上的缓冲层、半导体层、第一栅绝缘层、第一栅极、第二栅绝缘层、第二栅极、有机间绝缘层、源漏极、平坦层和OLED结构，所述有机间绝缘层部分覆盖在所述第二栅极表面，部分覆盖在所述第二栅绝缘层表面，所述平坦层覆盖在所述有机间绝缘层表面且完全覆盖所述源漏极。
本发明的有益效果：本发明提供的柔性OLED显示面板的制备方法及柔性OLED显示面板，通过将传统柔性OLED显示面板制备过程中的活化和氢化工艺提前，省略了间绝缘层中无机间绝缘层的制备，同时又保证了间绝缘层的质量，减少柔性OLED显示面板厚度，缩短生产流程，降低生产成本，提高了电学性能和可靠性，并同时保持原有柔性OLED显示面板的其他性能。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
图1为本发明实施提供的柔性OLED显示面板制备方法的流程图。
图2为本发明实施提供的柔性OLED显示面板制备方法中步骤S101示意图。
图3为本发明实施提供的柔性OLED显示面板制备方法中步骤S102示意图。
图4为本发明实施提供的柔性OLED显示面板制备方法中步骤S103示意图。
图5为本发明实施提供的柔性OLED显示面板制备方法中步骤S104示意图。
图6为本发明实施提供的柔性OLED显示面板制备方法中步骤S105示意图。
图7为本发明实施提供的柔性OLED显示面板制备方法中步骤S106示意图。
图8为本发明实施提供的柔性OLED显示面板示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1，为本发明实施例提供的柔性OLED显示面板制备方法的流程图，包括如下步骤：
步骤S101：提供硬质基板，在所述硬质基板上制备柔性基底层。
参阅图2，提供硬质基板1，所述硬质基板1可以为玻璃基板、石英基板等。通过干法清洗或湿法清洗硬质基板1后，在硬质基板1上形成一层覆盖整个硬质基板1的柔性基底层2。
步骤S102：在所述柔性基底层上依次制备缓冲层、半导体层、第一栅绝缘层，并进行沟道掺杂。
参阅图3，通过镀膜工艺如等离子体增强的化学气相沉积法(PECVD)在柔性基底层2上形成一层覆盖整个柔性基底层2的缓冲层3。可选的，柔性基底层2和缓冲层3之间还可以依次沉积一层缓冲层和一层柔性基底层。通过镀膜工艺如PECVD在所述缓冲层3上沉积非晶硅薄膜，非晶硅层覆盖部分缓冲层3，对所述非晶硅薄膜进行晶化处理，使所述非晶硅薄膜转变为多晶硅薄膜，经过图案化处理后得到所述半导体层4。具体地，通过准分子镭射结晶工艺使非晶硅结晶转变为多晶硅，然后对所述多晶硅图形化，形成半导体层4，具体地，可通过光刻工艺进行图形化。通过镀膜工艺在所述半导体层4上沉积第一栅绝缘层5。可选的，所述第一栅绝缘层5完全覆盖所述半导体层4和缓冲层3未被所述半导体层4覆盖的区域。可选地，第一栅绝缘层5的材质为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅中的一种或多种组合物。经过沟道掺杂对半导体层4进行P型掺杂或N型掺杂为制备相对应的N型半导体或P型半导体。具体的，所述P型掺杂掺入的离子为硼离子，所述N型掺杂掺入的离子为磷离子。
步骤S103：在所述第一栅绝缘层上制备第一栅极，并进行源漏极掺杂。
参阅图4，通过物理气相沉积在所述第一栅绝缘层5上沉积第一栅极6，所述第一栅极6覆盖部分第一栅绝缘层5。可选的，所述第一栅极6的材料可以为钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)中的一种或多种组合。具体的，在所述第一栅绝缘层5上沉积一层栅金属层，经过图案化处理后形成所述第一栅极6。再对半导体层4两侧进行N型重掺杂或P型重掺杂，为制备相对应的N型半导体或P型半导体。在所述半导体层4上形成位于两侧的重掺杂区41和重掺杂区42，所述N型重掺杂掺入的离子为磷离子，所述P型重掺杂掺入的离子为硼离子。
步骤S104：经活化处理后，在所述第一栅极上制备第二栅绝缘层。
参阅图5，所述活化的方法有高温炉退火、激光活化法等，用于修补半导体层4受损的的多晶硅晶格，所述活化处理为在400℃-600℃温度下退火10min-120min。可选的，所述活化处理温度设置为450℃，所述活化处理时间为60min。在第一栅极6上制备第二栅绝缘层7，第二栅绝缘层7完全覆盖所述第一栅极6和第一栅绝缘层5未被所述第一栅极6覆盖的区域。所述第二栅极绝缘层7的材质包括氮化硅(SiNx)，SiNx在后续氢化过程中可以起到为沟道补氢的作用。
步骤S105：经氢化处理后，在所述第二栅绝缘层上依次制备第二栅极、有机间绝缘层、源漏极、平坦层和OLED结构。
参阅图6，所述氢化处理的方法有等离子体氢化法、固态扩散法、氢离子注入法等，在氢离子或激活氢原子的气氛中使得氢向半导体层扩散，并与其中的缺陷态结合形成饱和键，从而起到钝化多晶硅粒边界中的悬挂键。可选的，氢化处理过程中氢化温度为250℃-450℃，所述氢化处理时间为0.5h-4h。通过物理气相沉积在所述第二栅绝缘层7上沉积第二栅极8，所述第二栅极8覆盖部分第二栅绝缘层7。可选的，所述第二栅极8的材料可以为钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)中的一种或多种组合。具体的，在所述第二栅绝缘层7上沉积一层栅金属层，经过图案化处理后形成所述第二栅极8。在所述第二栅极8上制备一层有机间绝缘层9，所述有机间绝缘层的材质包括聚酰亚胺、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚四氟乙烯、硅基倍半氧烷树脂中的一种或多种。可选的，所述有机间绝缘层9的厚度为0.8μm-1.2μm。进一步可选的，所述有机间绝缘层9的厚度为1.0μm。所述重掺杂区42和43上方形成源极10和漏极11，再制备平坦层12以及平坦层12上的OLED结构，所述平坦层12覆盖在所述有机间绝缘层9表面且完全覆盖所述源极10和漏极11，所述OLED结构未在图中显示。
步骤S106：最后采用激光剥离工艺将所述硬质基板与所述柔性基底层分离，得到柔性OLED显示面板。
采用激光剥离工艺将所述硬质基板1与所述柔性基底层2进行分离，得到柔性OLED显示面板，如图7所示。
本发明实施例提供的柔性OLED显示面板制备方法中传统柔性OLED显示面板制备方法中的活化处理提前到源漏极掺杂之后，并在第二栅绝缘层形成后进行氢化处理，减少活化过程中受高温烘烤的薄膜层数，且使得氢化过程中氢扩散穿过的薄膜层数减少，可以尽快的进入半导体层，缩短扩散距离，节省氢化时间，同时又减少了间绝缘层中无机间绝缘层的制备过程，第二栅绝缘层代替了无机间绝缘层在氢化时补氢的作用，使得间绝缘层仅为一层有机间绝缘层，减小了柔性OLED显示面板厚度，节省工艺流程，提高了电学性能和可靠性，并同时保持原有柔性OLED显示面板的其他性能。
本发明实施例还提供了一种柔性OLED显示面板，所述柔性OLED显示面板采用上述的柔性OLED显示面板的制备方法制备而成，如图8所示，所述柔性OLED显示面板包括柔性基底层2，以及依次形成在所述柔性基底层2上的缓冲层3、半导体层4、第一栅绝缘层5、第一栅极6、第二栅绝缘层7、第二栅极8、有机间绝缘层9、源极10、漏极11、平坦层12和OLED结构，所述OLED结构未在图中显示，所述有机间绝缘层9部分覆盖在所述第二栅极8表面，部分覆盖在所述第二栅绝缘层7表面，所述平坦层12覆盖在所述有机间绝缘层9表面且完全覆盖所述源极10和漏极11。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (5)
1.一种柔性OLED显示面板的制备方法，其特征在于，包括：
提供硬质基板，在所述硬质基板上制备柔性基底层；
在所述柔性基底层上依次制备缓冲层、半导体层、第一栅绝缘层，并进行沟道掺杂；
在所述第一栅绝缘层上制备第一栅极，并进行源漏极掺杂；
经活化处理后，在所述第一栅极上制备第二栅绝缘层，所述活化处理为：于400℃-600℃温度下退火10min-120min；
经氢化处理后，在所述第二栅绝缘层上依次制备第二栅极、有机间绝缘层、源漏极、平坦层和OLED结构，所述氢化处理采用等离子体氢化法、固态扩散法或氢离子注入法，所述氢化处理过程中氢化温度为250℃-450℃，所述氢化处理时间为0.5h-4h，所述有机间绝缘层的材质包括聚酰亚胺、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚四氟乙烯、硅基倍半氧烷树脂中的一种或多种，所述有机间绝缘层的厚度为0.8μm-1.2μm；
最后采用激光剥离工艺将所述硬质基板与所述柔性基底层分离，得到柔性OLED显示面板。
2.如权利要求1所述的柔性OLED显示面板的制备方法，其特征在于，所述活化处理的温度设置为450℃，所述活化处理的时间为60min。
3.如权利要求1所述的柔性OLED显示面板的制备方法，其特征在于，所述第一栅极绝缘层的材质为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅中的一种或多种组合物，第二栅极绝缘层的材质包括氮化硅。
4.如权利要求1所述的柔性OLED显示面板的制备方法，其特征在于，所述第一栅极和第二栅极的材质包括钼、铝、铜、钛中的一种或多种组合。
5.一种柔性OLED显示面板，其特征在于，采用如权利要求1-4任一项所述的制备方法制备得到，所述柔性OLED显示面板包括柔性基底层，以及依次形成在所述柔性基底层上的缓冲层、半导体层、第一栅绝缘层、第一栅极、第二栅绝缘层、第二栅极、有机间绝缘层、源漏极、平坦层和OLED结构，所述有机间绝缘层部分覆盖在所述第二栅极表面，部分覆盖在所述第二栅绝缘层表面，所述平坦层覆盖在所述有机间绝缘层表面且完全覆盖所述源漏极。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711077122.0A CN107819021B (zh) | 2017-11-06 | 2017-11-06 | 一种柔性oled显示面板的制备方法及柔性oled显示面板 |
| PCT/CN2017/112913 WO2019085096A1 (zh) | 2017-11-06 | 2017-11-24 | 一种柔性oled显示面板的制备方法及柔性oled显示面板 |
| US15/740,279 US10490756B2 (en) | 2017-11-06 | 2017-11-24 | Method for fabricating flexible OLED panel and flexible OLED panel |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711077122.0A CN107819021B (zh) | 2017-11-06 | 2017-11-06 | 一种柔性oled显示面板的制备方法及柔性oled显示面板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107819021A CN107819021A (zh) | 2018-03-20 |
| CN107819021B true CN107819021B (zh) | 2020-03-10 |
Family
ID=61603846
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201711077122.0A Active CN107819021B (zh) | 2017-11-06 | 2017-11-06 | 一种柔性oled显示面板的制备方法及柔性oled显示面板 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107819021B (zh) |
| WO (1) | WO2019085096A1 (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108598093B (zh) | 2018-05-24 | 2021-01-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板的制造方法、阵列基板和显示面板 |
| CN111403452A (zh) * | 2020-03-26 | 2020-07-10 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板、显示模组及电子装置 |
| CN112563141A (zh) * | 2020-12-10 | 2021-03-26 | 武汉天马微电子有限公司 | 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100713985B1 (ko) * | 2005-05-16 | 2007-05-04 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막트랜지스터 및 박막트랜지스터 제조방법 |
| US20070236428A1 (en) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Toppoly Optoelectronics Corp. | Organic electroluminescent device and fabrication methods thereof |
| KR101391774B1 (ko) * | 2012-03-13 | 2014-05-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이를 이용한 유기전계발광표시장치의 제조방법 |
| KR102091664B1 (ko) * | 2013-09-27 | 2020-03-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조방법 |
| CN104681628A (zh) * | 2015-03-17 | 2015-06-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 多晶硅薄膜晶体管和阵列基板及制造方法与一种显示装置 |
| JP6821982B2 (ja) * | 2015-10-27 | 2021-01-27 | 天馬微電子有限公司 | 薄膜トランジスタ、表示装置及び薄膜トランジスタの製造方法 |
| CN107134474B (zh) * | 2017-06-12 | 2020-07-24 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 薄膜晶体管及其制作方法、有机电致发光显示器 |
-
2017
- 2017-11-06 CN CN201711077122.0A patent/CN107819021B/zh active Active
- 2017-11-24 WO PCT/CN2017/112913 patent/WO2019085096A1/zh active Application Filing
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2019085096A1 (zh) | 2019-05-09 |
| CN107819021A (zh) | 2018-03-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103985637B (zh) | 低温多晶硅薄膜晶体管及其制作方法和显示装置 | |
| CN106206622A (zh) | 一种阵列基板及其制备方法、显示装置 | |
| CN103745978B (zh) | 显示装置、阵列基板及其制作方法 | |
| JP6784969B2 (ja) | 薄膜デバイスとその製造方法 | |
| CN107819021B (zh) | 一种柔性oled显示面板的制备方法及柔性oled显示面板 | |
| WO2018152875A1 (zh) | 薄膜晶体管的制作方法、薄膜晶体管及显示器 | |
| CN105702623B (zh) | Tft阵列基板的制作方法 | |
| US20150294869A1 (en) | Method for manufacturing low-temperature polysilicon thin film transistor and array substrate | |
| CN102270570A (zh) | 使硅层结晶的方法及使用该方法形成薄膜晶体管的方法 | |
| CN103985638A (zh) | 一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制备方法和显示器件 | |
| CN105097666B (zh) | 低温多晶硅tft基板的制作方法及低温多晶硅tft基板 | |
| US9520421B1 (en) | Method for manufacturing LTPS TFT substrate and LTPS TFT substrate | |
| CN107275390A (zh) | 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及显示装置 | |
| CN102832169A (zh) | 阵列基板及其制备方法、显示器件 | |
| US10192903B2 (en) | Method for manufacturing TFT substrate | |
| WO2016065768A1 (zh) | 低温多晶硅的制作方法及tft基板的制作方法 | |
| CN104078621B (zh) | 低温多晶硅薄膜晶体管、其制备方法及阵列基板与显示装置 | |
| CN103700709A (zh) | 一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示器 | |
| CN105552035B (zh) | 低温多晶硅tft阵列基板的制作方法及其结构 | |
| US10490756B2 (en) | Method for fabricating flexible OLED panel and flexible OLED panel | |
| CN103123912A (zh) | 一种顶栅tft阵列基板制造方法 | |
| CN113611752B (zh) | 低温多晶硅tft的制作方法及低温多晶硅tft | |
| TWI305055B (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| CN203367290U (zh) | 薄膜晶体管阵列基板及液晶显示器 | |
| JP2874271B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |