JP2014044061A - 半導体装置及び電池電圧監視装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】組電池を構成する複数の単電池のうちの1個の単電池の両電極で他の単電池と接続される2個の接続点に接続可能な2個の端子を有し、その端子間電圧を測定可能な電圧測定回路を備える。その端子間電圧を、接地電位を基準にした低電位側端子間電圧に変換する降圧レベルシフト回路と、変換された低電位側端子間電圧を、所定の参照電圧と比較する比較回路とを備える。また、接地電位を基準にした低電位側短絡制御信号を、高電位側短絡制御信号に変換する昇圧レベルシフト回路と、変換された高電位側短絡制御信号に基づいて、その端子間を抵抗を介して短絡するスイッチとを備える。
【選択図】図1
Description
先ず、本願において開示される代表的な実施の形態について概要を説明する。代表的な実施の形態についての概要説明で括弧を付して参照する図面中の参照符号はそれが付された構成要素の概念に含まれるものを例示するに過ぎない。
多段に直列接続されることにより組電池を構成する複数の単電池のそれぞれの電圧を測定するための半導体装置(1)であって、以下の要素を備えて構成される。
項1において、半導体装置は、以下の要素を備えて構成される。
項1において、半導体装置は、以下の要素を備えて構成される。
項2又は項3において、前記電圧電流変換回路と前記電流電圧変換回路は、それぞれ以下のように構成される。
項4において、前記複数の単電池のうちの前記単電池とは別の単電池の一方の電極で他の単電池と接続される第3接続点に接続可能な第5端子(Cn−3)を備える。前記第1レベルシフト回路は、第3高耐圧FET(33)を備え、前記第3高耐圧FETのゲートが前記第5端子に接続され、前記第3高耐圧FETのドレインとソースが、前記電圧電流変換回路と前記電流電圧変換回路との間の前記変換電流を通す信号線に挿入される。
項2又は項3において、前記電圧電流変換回路と前記電流電圧変換回路は、それぞれ以下のように構成される。
項6において、前記複数の単電池のうちの前記単電池とは別の単電池の一方の電極で他の単電池と接続される第3接続点に接続可能な第5端子(Cn−3)を備える。前記第1レベルシフト回路は、第3高耐圧バイポーラトランジスタ(43)を備え、前記第3高耐圧バイポーラトランジスタのベースが前記第5端子に接続され、前記第3高耐圧バイポーラトランジスタのコレクタとエミッタが、前記電圧電流変換回路と前記電流電圧変換回路との間の前記変換電流を通す信号線に挿入される。
項1、項2又は項3において、前記第2レベルシフト回路又は前記第3レベルシフト回路又は前記第4レベルシフト回路のうちの少なくとも1個は、低電位側制御信号(EN_LTAP,EN_LCB,EN_LMON)を高電位側制御信号(EN_HTAP,EN_HCB,EN_HMON)に変換する回路であって、以下のように構成される。
項1、項2又は項3において、前記第2レベルシフト回路又は前記第3レベルシフト回路又は前記第4レベルシフト回路のうちの少なくとも1個は、低電位側制御信号(EN_LTAP,EN_LCB,EN_LMON)を高電位側制御信号(EN_HTAP,EN_HCB,EN_HMON)に変換する回路であって、以下のように構成される。
項1、項2又は項3において、前記第2レベルシフト回路又は前記第3レベルシフト回路又は前記第4レベルシフト回路のうちの少なくとも1個は、以下のように構成される。
項1において、前記比較回路は、前記低電位側端子間電圧と高電圧側参照電圧(VrefH)とを比較する高電圧側比較回路(CCOMP12〜CCOMP1)と、前記低電位側端子間電圧と低電圧側参照電圧(VrefL)とを比較する低電圧側比較回路(DCOMP12〜DCOMP1)とを備える。さらに、前記半導体装置は、前記高電圧側比較回路と前記低電圧側比較回路のそれぞれの比較結果を格納することができる、レジスタ(10)を備える。
項2又は項3において、前記比較回路は、前記低電位側端子間電圧と高電圧側参照電圧(VrefH)とを比較する高電圧側比較回路(CCOMP12〜CCOMP1)と、前記低電位側端子間電圧と低電圧側参照電圧(VrefL)とを比較する低電圧側比較回路(DCOMP12〜DCOMP1)とを備える。
項11又は項12において、前記高電圧側比較回路と前記低電圧側比較回路のそれぞれの比較結果に基づいて、割り込み信号(INTO)を生成する割り込み生成回路(63)を備える。
多段に直列接続されることにより組電池を構成する複数の単電池のグループ(BC1_1〜BC1_N、・・・BCM_1〜BCM_N)毎に設けられた複数の電圧測定部と、前記複数の電圧測定部に接続される電池システム制御部(60)とを備え、前記複数の電圧測定部のそれぞれが、半導体装置(1_1〜1_M)を含んで構成される。
項14において、前記半導体装置は、以下の要素を備えて構成される。
項14において、前記半導体装置は、以下の要素を備えて構成される。
項14において、前記比較回路は、前記低電位側端子間電圧と高電圧側参照電圧(VrefH)とを比較する高電圧側比較回路(CCOMP12〜CCOMP1)と、前記低電位側端子間電圧と低電圧側参照電圧(VrefL)とを比較する低電圧側比較回路(DCOMP12〜DCOMP1)とを備える。さらに、前記半導体装置は、前記高電圧側比較回路と前記低電圧側比較回路のそれぞれの比較結果を格納することができる、ステータスレジスタ(10)を備える。
項15又は項16において、前記比較回路は、前記低電位側端子間電圧と高電圧側参照電圧(VrefH)とを比較する高電圧側比較回路(CCOMP12〜CCOMP1)と、前記低電位側端子間電圧と低電圧側参照電圧(VrefL)とを比較する低電圧側比較回路(DCOMP12〜DCOMP1)とを備える。
項17又は項18において、前記半導体装置は、前記高電圧側比較回路と前記低電圧側比較回路のそれぞれの比較結果に基づいて、前記電池システム制御部に対する割り込み信号(INTO)を生成する割り込み生成回路を備える。
実施の形態について更に詳述する。
図1は、実施形態1に係る電池電圧監視ICの要部構成図である。
図2は、実施形態2に係る電池電圧監視ICの要部構成図である。
図3は、セルバランス機能を備える電池電圧監視ICの変形例を表す説明図である。(a)はドレイン分離型、(b)は放電経路分離型、(c)はドレイン−ソース分離型である。上記実施形態2では、(a)のドレイン分離型を採用したが、他の方式を採用した場合でも、同様に、セルバランス機能を実現するために単電池を放電させるスイッチ12の故障検出を行うことができる。
図4は、電池電圧監視ICの降圧レベルシフタ回路2を、高耐圧MOSFETで構成した例を表す説明図である。ゲート電極を太く白抜きで表記したMOSFET31、32、33は、高耐圧MOSFETである。ゲート酸化膜厚を厚くする他、ドレインにオフセット領域を備えるなど、公知の方法により、高耐圧化することができる。
図5は、電池電圧監視ICの降圧レベルシフタ回路2を、高耐圧バイポーラトランジスタで構成した例を表す説明図である。図4に示した高耐圧MOSFET31、32、33に代えて、バイポーラトランジスタ41、42、43によって構成される。バイポーラトランジスタ41と42の耐圧が十分高ければ、バイポーラトランジスタ43は不要であり、一方より低ければ、バイポーラトランジスタ43と同様のバイポーラトランジスタを途中に複数個挿入してもよい。
図6は、電池電圧監視ICの昇圧レベルシフタ回路を、高耐圧MOSFETで構成した例を表す説明図である。
図7は、電池電圧監視ICの昇圧レベルシフタ回路を、高耐圧バイポーラトランジスタで構成した例を表す説明図である。
図8は、電池電圧監視ICのより詳細な構成図であり、図9は、電池電圧監視装置の要部構成図である。電池電圧監視ICの構成は、実施形態1〜7に示す通り種々の変形例とその組み合わせを取りうるところ、図8にはその一例を示すに過ぎない。
タップ外れの場合、測定されるセル電圧は0Vになるので、低電圧側参照電圧(VrefL)は過放電検出のための参照電圧と同じ電圧でよい。即ち、過放電検出のための降圧レベルシフト回路2と比較回路6は、そのまま、タップ外れを検出する機能を実現するためにも、機能させることができる。タップ外れを検出した結果は、レジスタ10に格納することができる。
2 降圧レベルシフト回路
3、4、5 昇圧レベルシフト回路
6 比較回路
7 電圧測定回路
8 電圧電流変換回路
9 電流電圧変換回路
10 レジスタ
11、12、13、14、15、16 スイッチ
21、22、23、24、25、26 抵抗
30 低耐圧FET
31、32、33、34、35、36 高耐圧FET
40 低耐圧バイポーラトランジスタ
41、42、43、44、45、46 高耐圧バイポーラトランジスタ
51、52、53 カレントミラー
60 電池システム制御部
61 通信路
62 通信インターフェース
63 論理回路
70 電池電圧監視装置
Claims (19)
- 多段に直列接続されることにより組電池を構成する複数の単電池のそれぞれの電圧を測定するための半導体装置であって、
前記複数の単電池のうちの1個の単電池の一方の電極で他の単電池と接続される第1接続点に接続可能な第1端子と、他方の電極で他の単電池と接続される第2接続点に接続可能な第2端子と、
前記第1端子と前記第2端子の間の端子間電圧を測定可能な電圧測定回路と、
前記端子間電圧を、低電位側端子間電圧に変換する第1レベルシフト回路と、
前記低電位側端子間電圧を、所定の参照電圧と比較する比較回路と、
低電位側短絡制御信号を、高電位側短絡制御信号に変換する、第2レベルシフト回路と、
前記高電位側短絡制御信号に基づいて、前記第1端子と前記第2端子との間を、第1抵抗を介して短絡する第1スイッチとを備える、半導体装置。 - 請求項1において、前記第1接続点に接続可能な第3端子と、
前記第1端子と前記第3端子の間に接続される第2抵抗と、
低電位側センスイネーブル信号を、高電位側センスイネーブル信号に変換する第3レベルシフト回路と、
低電位側セルバランスイネーブル信号を、高電位側セルバランスイネーブル信号に変換する第4レベルシフト回路と、
前記高電位側セルバランスイネーブル信号に基づいて、前記第3端子と前記第2端子との間を短絡可能な第3スイッチとを備え、
前記第1レベルシフト回路は、前記端子間電圧を前記端子間電圧に対応する電流値に変換する電圧電流変換回路と、前記電流値を前記電流値に対応する前記低電位側端子間電圧に変換する電流電圧変換回路と、前記高電位側センスイネーブル信号に基づいて前記電圧電流変換回路の動作を制御する第2スイッチと、前記第2スイッチと並列に、前記第3端子の電位に基づいて前記電圧電流変換回路の動作を制御する第4スイッチを備える、半導体装置。 - 請求項1において、前記第1接続点に接続可能な第3端子と、前記第2接続点に接続可能な第4端子と、
前記第1端子と前記第3端子の間に接続される第2抵抗と、
低電位側センスイネーブル信号を、高電位側センスイネーブル信号に変換する第3レベルシフト回路と、
低電位側セルバランスイネーブル信号を、高電位側セルバランスイネーブル信号に変換する、第4レベルシフト回路と、
前記高電位側セルバランスイネーブル信号に基づいて、前記第3端子と前記第4端子との間を短絡可能な第5スイッチとをさらに備え、
前記第1レベルシフト回路は、前記端子間電圧を前記端子間電圧に対応する電流値に変換する電圧電流変換回路と、前記電流値を前記電流値に対応する前記低電位側端子間電圧に変換する電流電圧変換回路と、前記高電位側センスイネーブル信号に基づいて前記電圧電流変換回路の動作を制御する第2スイッチと、前記第2スイッチと並列に、前記第3端子の電位に基づいて前記電圧電流変換回路の動作を制御する第4スイッチを備える、半導体装置。 - 請求項2において、前記電圧電流変換回路は、第3抵抗と、第1高耐圧FETとを備え、前記第1高耐圧FETのゲートは前記第2端子に接続され、前記第1高耐圧FETのソースと前記第1端子との間に、前記第2スイッチと前記第3抵抗が直列接続されて構成され、前記第1高耐圧FETのドレインに、前記端子間電圧に対応する電流値の変換電流を出力可能であり、
前記電流電圧変換回路は、第4抵抗と、第2高耐圧FETとを備え、前記第2高耐圧FETのゲートとソースを短絡してドレインとの間に構成されたダイオードと、前記第4抵抗とが直列接続されて構成され、前記変換電流が入力され、前記電流値に対応する前記低電位側端子間電圧に変換して出力可能である、半導体装置。 - 請求項4において、前記複数の単電池のうちの前記単電池とは別の単電池の一方の電極で他の単電池と接続される第3接続点に接続可能な第5端子を備え、
前記第1レベルシフト回路は、第3高耐圧FETを備え、前記第3高耐圧FETのゲートが前記第5端子に接続され、前記第3高耐圧FETのドレインとソースが、前記電圧電流変換回路と前記電流電圧変換回路との間の前記変換電流を通す信号線に挿入される、半導体装置。 - 請求項2において、前記電圧電流変換回路は、第3抵抗と、第1高耐圧バイポーラトランジスタとを備え、前記第1高耐圧バイポーラトランジスタのベースは前記第2端子に接続され、前記第1高耐圧バイポーラトランジスタのエミッタと前記第1端子との間に、前記第2スイッチと前記第3抵抗が直列接続されて構成され、前記第1高耐圧バイポーラトランジスタのコレクタに、前記端子間電圧に対応する電流値の変換電流を出力可能であり、
前記電流電圧変換回路は、第4抵抗と、第2高耐圧バイポーラトランジスタとを備え、前記第2高耐圧バイポーラトランジスタのベースとエミッタを短絡してコレクタとの間に構成されたダイオードと、前記第4抵抗とが直列接続されて構成され、前記変換電流が入力され、前記電流値に対応する前記低電位側端子間電圧に変換して出力可能である、半導体装置。 - 請求項6において、前記複数の単電池のうちの前記単電池とは別の単電池の一方の電極で他の単電池と接続される第3接続点に接続可能な第5端子を備え、
前記第1レベルシフト回路は、第3高耐圧バイポーラトランジスタを備え、前記第3高耐圧バイポーラトランジスタのベースが前記第5端子に接続され、前記第3高耐圧バイポーラトランジスタのコレクタとエミッタが、前記電圧電流変換回路と前記電流電圧変換回路との間の前記変換電流を通す信号線に挿入される、半導体装置。 - 請求項1において、前記第2レベルシフト回路は、低電位側制御信号を高電位側制御信号に変換する回路であって、
参照電流が入力され、前記参照電流の所定の倍率の第1電流出力を出力可能な第1カレントミラーと、
前記第1電流出力を前記低電位側制御信号に基づいて制御し、第2電流出力を出力可能な第1高耐圧トランジスタと、
高電位側信号線との間に接続され、前記第2電流出力が流れることにより前記高電位側制御信号を出力する第5抵抗を備える、半導体装置。 - 請求項1において、前記第2レベルシフト回路は、低電位側制御信号を高電位側制御信号に変換する回路であって、
参照電流が入力され、前記参照電流の所定倍の第1電流出力を出力可能な第1カレントミラーと、
前記第1電流出力を前記低電位側制御信号に基づいて制御し、第2電流出力を出力可能な第2高耐圧トランジスタと、
前記第2電流出力が入力され、前記第2電流出力の所定倍の第3電流出力を出力可能な第2カレントミラーと、
前記第3電流出力が流れることにより前記高電位側制御信号を出力する第6抵抗を備える、半導体装置。 - 請求項1において、前記第2レベルシフト回路は、第1低電位側制御信号を第1高電位側制御信号に変換し、第2低電位側制御信号を前記第1高電位側制御信号よりも低電位の第2高電位側制御信号に変換する回路であって、
参照電流が入力され、前記参照電流の所定の倍率の第1電流出力を出力可能な第1カレントミラーと、
前記第1電流出力を前記第1低電位側制御信号に基づいて制御し、第2電流出力を出力可能な第1高耐圧トランジスタと、
高電位側信号線との間に接続され、前記第2電流出力が流れることにより前記第1高電位側制御信号を出力する第5抵抗と、
前記第1電流出力を前記第2低電位側制御信号に基づいて制御し、第3電流出力を出力可能な第2高耐圧トランジスタと、
前記第3電流出力が入力され、前記第3流出力の所定倍の第4電流出力を出力可能な第2カレントミラーと、
前記第4電流出力が流れることにより前記第2高電位側制御信号を出力する第6抵抗を備える、半導体装置。 - 請求項1において、前記比較回路は、前記低電位側端子間電圧と高電圧側参照電圧とを比較する高電圧側比較回路と、前記低電位側端子間電圧と低電圧側参照電圧とを比較する低電圧側比較回路とを備え、
前記半導体装置は、前記高電圧側比較回路と前記低電圧側比較回路のそれぞれの比較結果を格納することができる、ステータスレジスタを備える、半導体装置。 - 請求項2又は3において、前記比較回路は、前記低電位側端子間電圧と高電圧側参照電圧とを比較する高電圧側比較回路と、前記低電位側端子間電圧と低電圧側参照電圧とを比較する低電圧側比較回路とを備え、
前記半導体装置は、前記高電圧側比較回路と前記低電圧側比較回路のそれぞれの比較結果を格納することができる、ステータスレジスタと、前記低電位側短絡制御信号、前記低電位側センスイネーブル信号、又は、前記低電位側セルバランスイネーブル信号のうちの少なくとも1個を格納することができる、制御レジスタとを備える、半導体装置。 - 請求項11において、前記高電圧側比較回路と前記低電圧側比較回路のそれぞれの比較結果に基づいて、割り込み信号を生成する割り込み生成回路を備える、半導体装置。
- 多段に直列接続されることにより組電池を構成する複数の単電池のグループ毎に設けられた複数の電圧測定部と、前記複数の電圧測定部に接続される電池システム制御部とを備え、
前記複数の電圧測定部のそれぞれが、半導体装置を含んで構成され、
前記半導体装置は、
前記複数の単電池のうちの1個の単電池の一方の電極で他の単電池と接続される第1接続点に接続可能な第1端子と、他方の電極で他の単電池と接続される第2接続点に接続可能な第2端子と、
前記第1端子と前記第2端子の間の端子間電圧を測定可能な電圧測定回路と、
前記端子間電圧を、低電位側端子間電圧に変換する第1レベルシフト回路と、
前記低電位側端子間電圧を、所定の参照電圧と比較する比較回路と、
低電位側短絡制御信号を、高電位側短絡制御信号に変換する、第2レベルシフト回路と、
前記高電位側短絡制御信号に基づいて、前記第1端子と前記第2端子との間を、第1抵抗を介して短絡する第1スイッチとを備える、電池電圧監視装置。 - 請求項14において、前記半導体装置は、前記第1接続点に接続可能な第3端子と、前記第1端子と前記第3端子の間に接続される第2抵抗と、低電位側センスイネーブル信号を、高電位側センスイネーブル信号に変換する第3レベルシフト回路と、低電位側セルバランスイネーブル信号を、高電位側セルバランスイネーブル信号に変換する第4レベルシフト回路と、前記高電位側セルバランスイネーブル信号に基づいて、前記第3端子と前記第2端子との間を短絡可能な第3スイッチとを備え、
前記第1レベルシフト回路は、前記端子間電圧を前記端子間電圧に対応する電流値に変換する電圧電流変換回路と、前記電流値を前記電流値に対応する前記低電位側端子間電圧に変換する電流電圧変換回路と、前記高電位側センスイネーブル信号に基づいて前記電圧電流変換回路の動作を制御する第2スイッチと、前記第2スイッチと並列に、前記第3端子の電位に基づいて前記電圧電流変換回路の動作を制御する第4スイッチを備える、電池電圧監視装置。 - 請求項14において、前記半導体装置は、前記第1接続点に接続可能な第3端子と、前記第2接続点に接続可能な第4端子と、前記第1端子と前記第3端子の間に接続される第2抵抗と、低電位側センスイネーブル信号を、高電位側センスイネーブル信号に変換する第3レベルシフト回路と、低電位側セルバランスイネーブル信号を、高電位側セルバランスイネーブル信号に変換する、第4レベルシフト回路と、前記高電位側セルバランスイネーブル信号に基づいて、前記第3端子と前記第4端子との間を短絡可能な第5スイッチとをさらに備え、
前記第1レベルシフト回路は、前記端子間電圧を前記端子間電圧に対応する電流値に変換する電圧電流変換回路と、前記電流値を前記電流値に対応する前記低電位側端子間電圧に変換する電流電圧変換回路と、前記高電位側センスイネーブル信号に基づいて前記電圧電流変換回路の動作を制御する第2スイッチと、前記第2スイッチと並列に、前記第3端子の電位に基づいて前記電圧電流変換回路の動作を制御する第4スイッチを備える、電池電圧監視装置。 - 請求項14において、前記比較回路は、前記低電位側端子間電圧と高電圧側参照電圧とを比較する高電圧側比較回路と、前記低電位側端子間電圧と低電圧側参照電圧とを比較する低電圧側比較回路とを備え、前記高電圧側比較回路と前記低電圧側比較回路のそれぞれの比較結果を格納することができる、ステータスレジスタを備え、
前記複数の電圧測定部のそれぞれに含まれる前記半導体装置は、前記電池システム制御部と通信路によって接続され、前記電池システム制御部は前記通信路を介して前記ステータスレジスタをアクセス可能に構成される、電池電圧監視装置。 - 請求項15において、前記比較回路は、前記低電位側端子間電圧と高電圧側参照電圧とを比較する高電圧側比較回路と、前記低電位側端子間電圧と低電圧側参照電圧とを比較する低電圧側比較回路とを備え、前記高電圧側比較回路と前記低電圧側比較回路のそれぞれの比較結果を格納することができる、ステータスレジスタと、前記低電位側短絡制御信号、前記低電位側センスイネーブル信号、又は、前記低電位側セルバランスイネーブル信号のうちの少なくとも1個を格納することができる、制御レジスタとを備え、
前記複数の電圧測定部のそれぞれに含まれる前記半導体装置は、前記電池システム制御部と通信路によって接続され、前記電池システム制御部は前記通信路を介して前記ステータスレジスタと前記制御レジスタをアクセス可能に構成される、電池電圧監視装置。 - 請求項17において、前記半導体装置は、前記高電圧側比較回路と前記低電圧側比較回路のそれぞれの比較結果に基づいて、前記電池システム制御部に対する割り込み信号を生成する割り込み生成回路を備える、電池電圧監視装置。
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