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  1. 主面を有する基板と、
    前記主面上に形成され、複数の凹部を有する微細構造部と、
    前記微細構造部上に形成され、表面増強ラマン散乱を生じさせる光学機能部を構成する導電体層と、を備え、
    前記凹部の内面には、陥凹領域が設けられており、
    前記導電体層には、前記導電体層が前記陥凹領域に入り込むことにより、ギャップが形成されている、表面増強ラマン散乱ユニット。
  2. 前記凹部は、前記主面に沿って周期的に配列されている、請求項記載の表面増強ラマン散乱ユニット。
  3. 前記陥凹領域は、1つの前記凹部に対して複数設けられている、請求項又は記載の表面増強ラマン散乱ユニット。
  4. 前記陥凹領域は、前記凹部の中心線に沿うように延在する溝である、請求項のいずれか一項記載の表面増強ラマン散乱ユニット。
  5. 前記陥凹領域は、前記凹部の中心線を包囲するように延在する溝である、請求項のいずれか一項記載の表面増強ラマン散乱ユニット。
  6. 主面を有する基板と、
    前記主面上に形成され、複数の凸部を有する微細構造部と、
    前記微細構造部上に形成され、表面増強ラマン散乱を生じさせる光学機能部を構成する導電体層と、を備え、
    前記凸部の外面には、陥凹領域が設けられており、
    前記導電体層には、前記導電体層が前記陥凹領域に入り込むことにより、ギャップが形成されており、
    前記凸部の根元部は、前記陥凹領域ではない領域を含み、
    隣り合う一対の前記凸部に着目した場合に、一方の前記凸部の外面に形成された前記導電体層と、他方の前記凸部の外面に形成された前記導電体層との間の距離よりも、前記凸部の外面に設けられた前記陥凹領域に前記導電体層が入り込むことにより形成された前記ギャップの幅は小さくなっている、表面増強ラマン散乱ユニット。
  7. 前記凸部は、前記主面に沿って周期的に配列されている、請求項記載の表面増強ラマン散乱ユニット。
  8. 前記陥凹領域は、1つの前記凸部に対して複数設けられている、請求項又は記載の表面増強ラマン散乱ユニット。
  9. 前記陥凹領域は、前記凸部の中心線に沿うように延在する溝である、請求項のいずれか一項記載の表面増強ラマン散乱ユニット。
  10. 前記陥凹領域は、前記凸部の中心線を包囲するように延在する溝である、請求項のいずれか一項記載の表面増強ラマン散乱ユニット。
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PCT/JP2013/071707 WO2014025037A1 (ja) 2012-08-10 2013-08-09 表面増強ラマン散乱素子及びその製造方法
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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI604186B (zh) 2012-08-10 2017-11-01 Hamamatsu Photonics Kk Surface Enhanced Raman Scattering Element
JP6023509B2 (ja) * 2012-08-10 2016-11-09 浜松ホトニクス株式会社 表面増強ラマン散乱ユニット
JP5908370B2 (ja) * 2012-08-10 2016-04-26 浜松ホトニクス株式会社 表面増強ラマン散乱ユニット
CN104520696B (zh) 2012-08-10 2018-01-12 浜松光子学株式会社 表面增强拉曼散射元件及其制造方法
WO2014025038A1 (ja) 2012-08-10 2014-02-13 浜松ホトニクス株式会社 表面増強ラマン散乱素子、及び、表面増強ラマン散乱素子を製造する方法
JP6294797B2 (ja) * 2014-09-10 2018-03-14 浜松ホトニクス株式会社 表面増強ラマン散乱ユニット
CN107075661B (zh) * 2014-09-26 2020-03-17 韩国机械研究院 形成有多个纳米间隙的基底及其制备方法
JP6564203B2 (ja) * 2015-02-26 2019-08-21 浜松ホトニクス株式会社 表面増強ラマン散乱素子及びその製造方法
KR101776103B1 (ko) * 2016-04-01 2017-09-08 한국생산기술연구원 합성수지를 이용한 sers 기판 및 이의 제조방법
EP3401670A1 (en) * 2017-05-10 2018-11-14 ETH Zurich Method, uses of and device for surface enhanced raman spectroscopy
CN109001173B (zh) * 2017-06-06 2021-01-26 清华大学 单分子检测的方法
CN109470682A (zh) 2017-09-08 2019-03-15 清华大学 用于分子检测的分子载体
CN109470677B (zh) 2017-09-08 2021-11-05 清华大学 分子检测装置
CN109470681B (zh) * 2017-09-08 2022-02-08 清华大学 一种分子检测方法
CN109470679B (zh) * 2017-09-08 2021-04-23 清华大学 用于分子检测的分子载体
CN109470680B (zh) * 2017-09-08 2022-02-08 清华大学 用于分子检测的分子载体的制备方法

Family Cites Families (57)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0544867U (ja) 1991-11-18 1993-06-15 三洋電機株式会社 測定装置の包装体
JPH07260646A (ja) 1994-03-17 1995-10-13 Nikon Corp 試料容器
US20040023046A1 (en) 1998-08-04 2004-02-05 Falko Schlottig Carrier substrate for Raman spectrometric analysis
JP2003026232A (ja) 2001-07-18 2003-01-29 Seiko Epson Corp 梱包方法及び緩衝材
US7460224B2 (en) 2005-12-19 2008-12-02 Opto Trace Technologies, Inc. Arrays of nano structures for surface-enhanced Raman scattering
CN100357738C (zh) 2004-03-26 2007-12-26 博奥生物有限公司 一种检测小分子化合物的方法
CA2566123C (en) 2004-05-19 2014-02-18 Vp Holding, Llc Optical sensor with layered plasmon structure for enhanced detection of chemical groups by sers
JP2005337771A (ja) 2004-05-25 2005-12-08 National Institute For Materials Science ナノ構造を有する集積化ピラー構造光学素子
GB0424458D0 (en) * 2004-11-04 2004-12-08 Mesophotonics Ltd Metal nano-void photonic crystal for enhanced raman spectroscopy
EP2278301A1 (en) 2004-11-04 2011-01-26 Renishaw Diagnostics Limited Metal nano-void photonic crystal for enhanced raman spectroscopy
US7245370B2 (en) 2005-01-06 2007-07-17 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Nanowires for surface-enhanced Raman scattering molecular sensors
US7651863B2 (en) * 2005-07-14 2010-01-26 3M Innovative Properties Company Surface-enhanced spectroscopic method, flexible structured substrate, and method of making the same
GB0606088D0 (en) 2006-03-27 2006-05-03 E2V Biosensors Ltd Improved serrs substrate
US7528948B2 (en) 2006-07-25 2009-05-05 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Controllable surface enhanced Raman spectroscopy
US8131832B1 (en) 2006-09-28 2012-03-06 Rockwell Automation Technologies, Inc. Message engine searching and classification
WO2008044214A1 (en) 2006-10-12 2008-04-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. Fast biosensor with reagent layer
US7388661B2 (en) 2006-10-20 2008-06-17 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Nanoscale structures, systems, and methods for use in nano-enhanced raman spectroscopy (NERS)
JP2008196992A (ja) * 2007-02-14 2008-08-28 National Institute Of Information & Communication Technology 表面プラズモンの電場増強構造
JP5397577B2 (ja) 2007-03-05 2014-01-22 オムロン株式会社 表面プラズモン共鳴センサ及び当該センサ用チップ
JP2008268059A (ja) 2007-04-23 2008-11-06 St Japan Inc 試料ホルダ
US8049896B2 (en) 2007-05-31 2011-11-01 Canon Kabushiki Kaisha Detecting element, detecting device, and method of producing the detecting element
JP4993360B2 (ja) 2007-06-08 2012-08-08 富士フイルム株式会社 微細構造体及びその製造方法、光電場増強デバイス
JP2009047623A (ja) 2007-08-22 2009-03-05 Jiyasuko Eng Kk 透過測定用ホルダ
JP4406452B2 (ja) * 2007-09-27 2010-01-27 株式会社日立製作所 ベルト状金型およびそれを用いたナノインプリント装置
JP2009103643A (ja) 2007-10-25 2009-05-14 Fujifilm Corp 表面増強ラマン分光装置
US8115920B2 (en) 2007-11-14 2012-02-14 3M Innovative Properties Company Method of making microarrays
JP2009222507A (ja) 2008-03-14 2009-10-01 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 微量物質検出素子
JP2009236830A (ja) 2008-03-28 2009-10-15 Sumitomo Precision Prod Co Ltd 被分析物担体、及び、その製造方法
CN101281133B (zh) 2008-05-12 2010-08-18 中国科学院合肥物质科学研究院 具有大面积微纳树状结构阵列的表面增强拉曼活性基底的制备方法
JP4980324B2 (ja) 2008-09-30 2012-07-18 テルモ株式会社 成分測定装置
WO2010050203A1 (ja) 2008-10-30 2010-05-06 日本電信電話株式会社 測定チップ着脱装置、spr測定システム及び測定チップ着脱方法
JP2012508881A (ja) 2008-11-17 2012-04-12 ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー. 表面増強ラマン散乱(sers)用基板
CN101408513A (zh) * 2008-11-28 2009-04-15 长春理工大学 表面规则凹凸起伏的样品台及其制作方法
CN102307699B (zh) 2009-02-09 2015-07-15 浜松光子学株式会社 加工对象物的切断方法
JP2012523576A (ja) 2009-04-13 2012-10-04 ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ リーランド スタンフォード ジュニア ユニバーシティ 試料中の分析物の存在を検出するための方法および装置
JP2011021085A (ja) 2009-07-15 2011-02-03 Yokohama Rubber Co Ltd:The 空気入りタイヤ用ゴム組成物
JP2011033518A (ja) 2009-08-04 2011-02-17 Toray Res Center:Kk 表面増強ラマン分光分析方法
US8659391B2 (en) * 2009-08-18 2014-02-25 Indian Institute Of Technology Madras Multielement and multiproperty tagging
CN102483354B (zh) * 2009-09-17 2015-12-16 惠普发展公司,有限责任合伙企业 用于表面增强拉曼光谱术的电驱动设备
JP2011075348A (ja) 2009-09-30 2011-04-14 Nidek Co Ltd 試験片の製造方法
TWI523950B (zh) 2009-09-30 2016-03-01 凸版印刷股份有限公司 核酸分析裝置
WO2011047690A1 (en) 2009-10-23 2011-04-28 Danmarks Tekniske Universitet Surface enhanced raman scattering substrates consumables for raman spectroscopy
JP5544836B2 (ja) 2009-11-19 2014-07-09 オムロン株式会社 表面プラズモン共鳴チップ
US20110166045A1 (en) * 2009-12-01 2011-07-07 Anuj Dhawan Wafer scale plasmonics-active metallic nanostructures and methods of fabricating same
JP5589656B2 (ja) 2009-12-11 2014-09-17 セイコーエプソン株式会社 センサーチップ、センサーカートリッジ及び分析装置
CN102103086B (zh) 2009-12-16 2012-12-26 中国科学院理化技术研究所 基于表面增强拉曼效应的单根硅纳米线实时检测单分子的方法
JP5574783B2 (ja) 2010-03-31 2014-08-20 富士フイルム株式会社 蛍光検出装置および方法
US20130003070A1 (en) * 2010-03-31 2013-01-03 Kaneka Corporation Structure, chip for localized surface plasmon resonance sensor, localized surface plasmon resonance sensor, and fabricating methods therefor
US9182338B2 (en) 2010-05-21 2015-11-10 The Trustees Of Princeton University Structures for enhancement of local electric field, light absorption, light radiation, material detection and methods for making and using of the same
JP5614278B2 (ja) * 2010-12-24 2014-10-29 セイコーエプソン株式会社 センサーチップ、センサーチップの製造方法、検出装置
CN102169088B (zh) * 2010-12-31 2013-02-13 清华大学 单分子检测方法
JP5779963B2 (ja) 2011-04-28 2015-09-16 ナノフォトン株式会社 観察試料密閉容器
WO2013015810A2 (en) 2011-07-27 2013-01-31 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Surface enhanced raman spectroscopy employing a nanorod in a surface indentation
TWI469917B (zh) * 2012-08-09 2015-01-21 Nat Univ Tsing Hua 具表面增強拉曼散射活性之結構、其製造方法及其偵測裝置
CN104508465B (zh) 2012-08-10 2018-12-21 浜松光子学株式会社 表面增强拉曼散射单元
TWI585391B (zh) 2012-08-10 2017-06-01 Hamamatsu Photonics Kk Surface - enhanced Raman scattering unit and its use
WO2015009737A1 (en) * 2013-07-18 2015-01-22 Optokey, Inc. Surface enhanced raman spectroscopy resonator structures and methods of making same

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