JP2015014547A5 - - Google Patents

Claims (12)

1. 複数の凸部を有する微細構造部を基板の主面上に形成する第１の工程と、
   第１の気相成長法によって、前記基板の前記主面及び前記微細構造部上に第１の導電体層を形成する第２の工程と、
   第２の気相成長法によって、前記第１の導電体層上に表面増強ラマン散乱のための第２の導電体層を形成する第３の工程と、を備え、
   前記第１の導電体層と前記第２の導電体層とは、互いに同一の材料から構成され、
   前記第２の気相成長法の異方性は、前記第１の気相成長法の異方性よりも高い、
   表面増強ラマン散乱素子を製造する方法。
2. 主面を有する基板と、
   前記主面上に形成され、複数の凸部を有する微細構造部と、
   前記主面及び前記微細構造部を連続的に覆うように前記主面及び前記微細構造部上に形成された第１の導電体層と、
   表面増強ラマン散乱のための複数のギャップを形成するように前記第１の導電体層上に形成された第２の導電体層と、を備え、
   前記第１及び第２の導電体層は、互いに同一の材料から構成されている、
   表面増強ラマン散乱素子。
3. 前記第２の導電体層の一部は、凝集状態となっている、請求項２に記載の表面増強ラマン散乱素子。
4. 前記第２の導電体層は、前記主面に沿うように形成されたベース部と、前記凸部のそれぞれに対応する位置において前記ベース部から突出する複数の突出部と、を有し、
   前記ベース部には、前記凸部が突出する方向から見た場合に前記凸部のそれぞれを包囲するように複数の溝が形成されており、
   前記ギャップは、少なくとも前記溝内に形成されている、
   請求項２又は３に記載の表面増強ラマン散乱素子。
5. 対応する前記溝内に位置する前記突出部の一部は、凝集状態となっている、請求項４に記載の表面増強ラマン散乱素子。
6. 前記ベース部は、前記溝の外縁に沿って盛り上がっている、請求項４又は５に記載の表面増強ラマン散乱素子。
7. 前記ベース部と前記突出部とは、前記溝の最深部において離れている、請求項４〜６のいずれか一項に記載の表面増強ラマン散乱素子。
8. 前記ギャップは、前記溝内において前記ベース部と前記突出部とによって形成される第１のギャップ、及び、前記溝内において前記ベース部と前記第１の導電体層とによって形成される第２のギャップの少なくとも一方を含む、
   請求項４〜７のいずれか一項に記載の表面増強ラマン散乱素子。
9. 前記溝は、前記凸部が突出する方向から見た場合に前記凸部のそれぞれを包囲するように環状に延在している、請求項４〜８のいずれか一項に記載の表面増強ラマン散乱素子。
10. 前記突出部は、前記基板側の端部において括れた形状を有している、請求項４〜９のいずれか一項に記載の表面増強ラマン散乱素子。
11. 前記ベース部と前記突出部とは、前記溝の最深部において繋がっている、請求項４〜６のいずれか一項に記載の表面増強ラマン散乱素子。
12. 前記凸部は、前記主面に沿って周期的に配列されている、請求項２〜１１のいずれか一項に記載の表面増強ラマン散乱素子。