JP2014011284A - インターポーザ、プリント基板及び半導体装置 - Google Patents
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Abstract
SiPのような複数LSIを搭載したパッケージ・基板でも伝播ノイズを低減し、低コスト且つ高密度な実装を実現するインターポーザ、プリント基板及び半導体装置を提供することである。
【解決手段】
複数の半導体LSIの間に挿入されるインターポーザであって、前記インターポーザは、電源端子、GND端子及び信号端子からなり、コンデンサを内蔵した端子構造と、前記複数の半導体LSI間のノイズ伝播を抑制するノイズフィルタ構造と、を有することを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
本願は上記課題を解決する手段を複数含んでいるが、その一例を挙げるならば、複数の半導体LSIの間に挿入されるインターポーザであって、前記インターポーザは、電源端子、GND端子及び信号端子からなり、コンデンサを内蔵した端子構造と、前記複数の半導体LSI間のノイズ伝播を抑制するノイズフィルタ構造と、を有することを特徴とする構成をとるものである。
なお、実施例を説明するための全図において、同一部には原則として同一の符号を付し、繰り返しの説明は省略する。
図1は、本実施例の半導体装置の構成図の例である。 半導体装置には、複数の半導体LSIを実装したプリント回路基板(PCB)7を有し、図1はその一部分を描画している。図1では、PCB7上に複数のLSIを搭載したパッケージであるSystem in Package(SiP)6がBGA半田ボール5bを介して実装されている。
図5のフィルタ部の基本的な構造は、一般的なEBG構造を基本としている。一般的なEBG構造では、電源とグランドの2層構造において、グランドはベタ面、電源に特殊な周期構造を有している。この特殊構造とは、メタルパッチと呼ばれる大きい正方形と複数のメタルパッチ間を接続する小サイズのメタルブランチと呼ばれる構造からなる。
図9に本発明のノイズフィルタ効果を示す。電源パターンにおけるフィルタ構造として、Electromagnetic Band Gap(EBG)構造があるが、配線パターンで構成するEBGのフィルタ特性はパターンサイズでその帯域阻止フィルタの周波数が決まるため、GHz超の高周波領域でしか有効とならない。
実施例2では、実施例1で説明した図6に記載の配線パターンのパッケージを作成しておき、その後、対象の信号種類に応じて、グランド配線パターン10aや電源配線パターン11aに電気的にショートさせることで、電極に電源・信号・グランドといった特性を与えたものである。
実施例3では、Top層、Bottom層でグランド、電源パターンにBGAボール電極を繋いでおき、後で15aのような切込みを入れて分離することで、各電極に特性を与えることである。こちらの方法でも、汎用的なボール配置でのインターポーザの開発が可能となり、低コスト化に繋がる。
2a、2b 半導体LSI
3a、3b、3c チップコンデンサ
4a、4b チップインダクタ
5a、5b BGA(Ball Grid Array)半田ボール
6 パッケージ基板
7 プリント回路基板
8a、8b、8c スルーホール
9a、9b、9c BGAボール電極
10a、10b、 グランドプレーン、グランド配線
11a、11b、 電源プレーン、電源配線
12a、12b、 チップコンデンサ実装電極
13a、 チップインダクタ実装電極
14a、14b 半田ショート
15a、15b パターン分離切り込み
Claims (10)
- 複数の半導体LSIの間に挿入されるインターポーザであって、
前記インターポーザは、電源端子、GND端子及び信号端子からなり、コンデンサを内蔵した端子構造と、
前記複数の半導体LSI間のノイズ伝播を抑制するノイズフィルタ構造と、を有することを特徴とするインターポーザ。 - 請求項1に記載のインターポーザであって、
前記端子構造は、インターポーザ基板においてLSI実装位置の直下に内蔵したコンデンサを有することを特徴とするインターポーザ。 - 請求項1に記載のインターポーザであって、
前記端子構造は、インターポーザ基板の内層に用いた薄膜高誘電体材料により形成されることを特徴とするインターポーザ。 - 請求項1に記載のインターポーザであって、
前記ノイズフィルタ構造は、インターポーザ基板においてLSI実装位置の直下に内蔵したコンデンサ部品とインダクタンス部品により構成されることを特徴とするインターポーザ。 - 請求項1に記載のインターポーザであって、
前記ノイズフィルタ構造は、インターポーザ基板に内層に用いた薄膜高誘電体材料により
形成されたキャパシタと配線パターンで形成された、前記端子構造よりも高いインダクタンスを有する構造であることを特徴とするインターポーザ。 - 請求項1に記載のインターポーザであって、
ノイズフィルタ部は、コンデンサにより高周波でインピーダンスが低くなる構造とインダクタにより高周波でインピーダンスが高くなる構造を周期的に繰り返すパターンを持たせていることを特徴とするインターポーザ。 - 請求項1に記載のインターポーザであって、
前記端子構造は、インターポーザの上端層と下端層を接続する1つの電源端子と、1つのGND端子と、2つの電源端子とから成る4端子が矩形状に配置された1組の端子パターンが格子状に配置された構成を有し、
前記上端層には前記電源端子と前記GND端子の間にGND配線パターンが設けられ、前記下端層には前記GND配線パターンと対向するように電源配線パターンが設けられており、
前記上端層において前記GND端子は前記GND配線パターンと電気的に接続され、前記下端層において前記電源端子は前記電源パターンと電気的に接続されたことを特徴とするインターポーザ。 - 前記請求項7に記載のインターポーザであって、
前記1組の端子パターン内に前記電源配線パターンと電気的に接続され、インターポーザ上端層に設けられたコンデンサ実装電極を有し、前記コンデンサ実装電極にはコンデンサが接続されていることを特徴とするインターポーザ。 - 半導体LSIを複数搭載するプリント基板であって、
前記複数のLSIと接続された請求項1〜8のいずれかに記載のインターポーザを有することを特徴とするプリント基板。 - 半導体LSIを複数搭載する半導体装置であって、
前記複数のLSIと接続された請求項1〜8のいずれかに記載のインターポーザを有することを特徴とする半導体装置。
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016119375A (ja) * | 2014-12-19 | 2016-06-30 | ホシデン株式会社 | 光電変換モジュール及びアクティブ光ケーブル |
KR20160091831A (ko) | 2015-01-26 | 2016-08-03 | 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤 | 반도체 장치 |
CN106663671A (zh) * | 2014-07-03 | 2017-05-10 | 高通股份有限公司 | 在晶片级封装(wlp)集成器件中实现的高品质因数滤波器 |
WO2017179583A1 (ja) * | 2016-04-14 | 2017-10-19 | 株式会社村田製作所 | 複合部品内蔵回路基板、及び、複合部品 |
US9917026B2 (en) | 2014-12-24 | 2018-03-13 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device |
WO2019123995A1 (ja) * | 2017-12-20 | 2019-06-27 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6553531B2 (ja) * | 2016-03-08 | 2019-07-31 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
CN109817610A (zh) * | 2017-11-21 | 2019-05-28 | 环旭电子股份有限公司 | 半导体封装装置 |
KR20220031237A (ko) | 2020-09-04 | 2022-03-11 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 및 그 제조 방법 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63129655A (ja) * | 1986-11-12 | 1988-06-02 | インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン | 集積回路実装構造体 |
JPH0582717A (ja) * | 1991-09-24 | 1993-04-02 | Toshiba Corp | 半導体集積回路装置 |
JPH06169060A (ja) * | 1992-09-09 | 1994-06-14 | Hitachi Ltd | 電子回路装置 |
JP2000150796A (ja) * | 1998-11-13 | 2000-05-30 | Nec Corp | 半導体装置 |
JP2001267702A (ja) * | 2000-03-14 | 2001-09-28 | Fuji Xerox Co Ltd | プリント配線基板 |
JP2001352004A (ja) * | 2000-06-09 | 2001-12-21 | Fujitsu Ltd | 回路基板及びその製造方法並びに半導体装置 |
JP2004537849A (ja) * | 2001-06-28 | 2004-12-16 | スカイワークス ソリューションズ,インコーポレイテッド | リードレスマルチダイキャリアの構造およびその作製のための方法 |
WO2007114224A1 (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Kyocera Corporation | 回路モジュール及び無線通信機器、並びに回路モジュールの製造方法 |
JP2007287847A (ja) * | 2006-04-14 | 2007-11-01 | System Fabrication Technologies Inc | インターポーザ及び半導体装置 |
-
2012
- 2012-06-29 JP JP2012146309A patent/JP5852929B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-05-27 WO PCT/JP2013/064570 patent/WO2014002663A1/ja active Application Filing
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63129655A (ja) * | 1986-11-12 | 1988-06-02 | インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン | 集積回路実装構造体 |
JPH0582717A (ja) * | 1991-09-24 | 1993-04-02 | Toshiba Corp | 半導体集積回路装置 |
JPH06169060A (ja) * | 1992-09-09 | 1994-06-14 | Hitachi Ltd | 電子回路装置 |
JP2000150796A (ja) * | 1998-11-13 | 2000-05-30 | Nec Corp | 半導体装置 |
JP2001267702A (ja) * | 2000-03-14 | 2001-09-28 | Fuji Xerox Co Ltd | プリント配線基板 |
JP2001352004A (ja) * | 2000-06-09 | 2001-12-21 | Fujitsu Ltd | 回路基板及びその製造方法並びに半導体装置 |
JP2004537849A (ja) * | 2001-06-28 | 2004-12-16 | スカイワークス ソリューションズ,インコーポレイテッド | リードレスマルチダイキャリアの構造およびその作製のための方法 |
WO2007114224A1 (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Kyocera Corporation | 回路モジュール及び無線通信機器、並びに回路モジュールの製造方法 |
JP2007287847A (ja) * | 2006-04-14 | 2007-11-01 | System Fabrication Technologies Inc | インターポーザ及び半導体装置 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106663671A (zh) * | 2014-07-03 | 2017-05-10 | 高通股份有限公司 | 在晶片级封装(wlp)集成器件中实现的高品质因数滤波器 |
CN106663671B (zh) * | 2014-07-03 | 2021-01-22 | 高通股份有限公司 | 在晶片级封装(wlp)集成器件中实现的高品质因数滤波器 |
JP2016119375A (ja) * | 2014-12-19 | 2016-06-30 | ホシデン株式会社 | 光電変換モジュール及びアクティブ光ケーブル |
US9917026B2 (en) | 2014-12-24 | 2018-03-13 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device |
US10347552B2 (en) | 2014-12-24 | 2019-07-09 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device |
KR20160091831A (ko) | 2015-01-26 | 2016-08-03 | 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤 | 반도체 장치 |
US9461016B2 (en) | 2015-01-26 | 2016-10-04 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device |
WO2017179583A1 (ja) * | 2016-04-14 | 2017-10-19 | 株式会社村田製作所 | 複合部品内蔵回路基板、及び、複合部品 |
US10645798B2 (en) | 2016-04-14 | 2020-05-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Composite component-embedded circuit board and composite component |
WO2019123995A1 (ja) * | 2017-12-20 | 2019-06-27 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5852929B2 (ja) | 2016-02-03 |
WO2014002663A1 (ja) | 2014-01-03 |
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